ICP刻蝕工藝要點講解

1、ICP考試題庫1、ICP刻蝕機的分子泵正常運行時的轉速大約在（A20000C400002、北微ICP本底真空和漏率指標為（A）A00.1mT1mT/minC0.3-0.5mT2.5mT0.5mT狀態(tài)，選擇;B.點擊LoadSequence顯示步驟，再點擊,W清零,自動力口1;G.結束后，蓋上反應室，擰上螺絲，注意先不用擰緊，點擊EXITmode！出maintenancemode,等機臺進入vacuumready狀態(tài)，擰緊反應室上的螺絲.。11 .簡述ELEDEICP作業(yè)流程圖.簡述ELEDEICP裝晶片標準操作流程A.用無塵布蘸IPA擦拭鋁托盤表面（包括O-ring）;B.用專用鐐子將晶片按照

2、一定順序夾放到托盤的各個位置上（如上圖），以邊緣均勻蓋住密封圈為準（除平邊），如左下圖（不含石英蓋）所示；C.放置石英蓋時不能移動晶片，對準定位銷將石英蓋輕放至托盤上，以邊緣均勻蓋住密封圈為準（除平邊），如右下圖（含石英蓋）所示；D.擰上螺絲（注意不擰緊，避免衣袖、手套碰到晶片表面）；E.用力矩螺絲刀擰內中外圈螺絲，每隔2個擰一次，分2次擰緊，1次檢查；F.檢查一遍晶片是否放好，并用專用吹掃工具吹掃一遍；G.用無塵布蘸IPA擦拭鋁托盤底部，注意不可將IPA沾到晶片上；H,將裝載托盤輕放至片盒上。12 .簡述ELEDEICP蝕亥I作業(yè)操作1,打開傳輸腔室門，將片盒輕放在卡板上，剛好卡住定位銷，切

3、忌左右移動片盒;2,點擊配方，打開工藝配方,檢查所選配方的工藝參數(shù)；3,點擊片盒配方,打開所選的片盒配方；若沒有要選擇的配方，則新建一個;4,點擊主界面,查看片盒配方詳細信息，確認無誤，點擊開始工藝;5,待工藝結束后，打開傳輸腔室門，取出片盒及托盤，卸下晶片；14 .簡述ELEDEICP清洗石英蓋、鋁盤、螺絲作業(yè)流程圖.簡述ELEDEICP清洗反應室作業(yè)流程圖15 .簡述ELEDEICP螺絲清洗標準作業(yè)流程A.把螺絲裝在小燒杯里，倒入IPA覆蓋為宜，超聲波振動10min;B.用其把螺絲吹干17.簡述ELEDEICP清洗反應室方法及步驟A.進入維護/工藝模塊,在腔室操作中點擊吹掃,至少吹掃100

4、次；B.吹掃完畢后，點擊吹大氣,進行腔室破真空動作；C.按照正確的流程打開反應室；D.移走反應室零部件（石英蓋、密封圈、內襯、壓環(huán)等）；E.先用浸有DI水的無塵布擦拭反應室內壁，再用IPA擦拭，直到擦拭的無塵布上看不到殘余物的顏色為止；F.按照步驟E擦拭反應室其余每個地方，特別是真空測量孔；G.手動把升降針升起，用浸有IPA的無塵布擦拭三針；H.用浸有IPA的無塵布擦拭卡盤、聚焦環(huán)表面；1. 按照步驟E擦拭其他的部件（內襯、壓環(huán)等）；J.安裝反應室零部件（石英蓋、密封圈、內襯、壓環(huán)等）；K.關閉反應室；L.恢復反應室狀態(tài).簡述SLRICP作業(yè)流程圖18 .簡述SLRICP裝晶片標準操作流程A:

5、用打圈圈的方式使橡皮條均勻分布在底盤的各個小槽上；B:判斷托盤的方向，以中間的區(qū)域為標準，若定位橫邊往下的，則托盤兩邊的兩個小孔分別為左右兩孔；C:用專用鐐子將晶片夾放到托盤的各個位置上，并對準位置；D:把螺絲放在蓋子的小孔里；E:以蓋子邊緣的一個小孔為左邊，對應托盤的左邊位置，小心地放在底盤上；F:用內六角起子對角地擰螺絲，分兩次擰。第一次擰的程度為7成緊，第二次力度相對均勻地稍微擰緊；G:用專用吹掃工具吹掃已裝好片的托盤一遍。19 .簡述SLRICP清洗托盤、螺絲作業(yè)流程圖20 .簡述SLRICP清洗反應室作業(yè)流程圖21 .簡述SLRICP反應室清洗步驟A:打開反應室（同時按住2個上升開關響右推開腔體）B:用DI水清洗反應室（包括底座、腔壁、夾具）C:用吸塵器吸走遺留的塵埃和水分子D:用異丙醇清洗反應室E:用真空硅脂涂抹真空密封橡