P93-選擇性生長技術(shù)制備GaN薄膜的研究進(jìn)展

1、“半導(dǎo)體技術(shù)”2007年 第32卷 第2期技術(shù)論文“摘要”趨勢與展望P93-選擇性生長技術(shù)制備GaN薄膜的研究進(jìn)展技術(shù)專欄(新型半導(dǎo)體材料)P97-高k柵介質(zhì)材料的研究進(jìn)展P101-GaN體單晶生長技術(shù)研究現(xiàn)狀P106-200 mm太陽能用直拉硅單晶生長速率研究P109-納米粉體對TiO2壓敏陶瓷晶界勢壘結(jié)構(gòu)的影響器件制造與應(yīng)用P113-大功率半導(dǎo)體激光器二維陣列光纖耦合技術(shù)P117-一種高線性度CMOS混頻器的設(shè)計P121-基于FDTD的薄膜體聲波諧振器的數(shù)值分析P125-光分叉復(fù)用器技術(shù)及其應(yīng)用P129-超寬帶微波光纖延遲線工藝技術(shù)與材料P133-微電子制造中Ti的濕法蝕刻P138-磁控濺

2、射Cu膜的表面形貌演化研究P142-無鉛轉(zhuǎn)移與過渡技術(shù)集成電路設(shè)計與開發(fā)P147-一種高階1 bit插入式- 調(diào)制器的設(shè)計P150-外部型數(shù)字電路進(jìn)化設(shè)計研究P154-集成電感設(shè)計優(yōu)化方法P158-LDMOS微波功率放大器分析與設(shè)計P162-流水線ADC低功耗結(jié)構(gòu)研究封裝、測試與設(shè)備P167-功率載荷下疊層芯片封裝的熱應(yīng)力分析和優(yōu)化P170-數(shù)字下變頻器HSP50216原理及測試模式的使用P174-通過TRL校準(zhǔn)提取管芯S參數(shù)的技術(shù)P178-快速熱退火對SPV法測試氧化硅片中鐵的影響趨勢與展望選擇性生長技術(shù)制備GaN薄膜的研究進(jìn)展張帷，劉彩池，郝秋艷（河北工業(yè)大學(xué) 材料學(xué)院，天津）摘要：族氮化

3、物化合物半導(dǎo)體GaN是目前半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一，具有寬禁帶、高溫下物理、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等特點(diǎn)，在光電子、微電子等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。降低缺陷密度制備高質(zhì)量的GaN外延層是生產(chǎn)高性能和高壽命GaN器件的關(guān)鍵，也是人們始終致力于研究的內(nèi)容，本討論對近年來發(fā)展的一種采用選擇性生長技術(shù)生長GaN的方法、原理、進(jìn)展情況進(jìn)行了介紹。技術(shù)專欄(新型半導(dǎo)體材料)高k柵介質(zhì)材料的研究進(jìn)展蔡葦，符春林，陳剛（重慶科技學(xué)院 冶金與材料工程學(xué)院，重慶）摘要：綜述了超薄SiO2柵介質(zhì)層引起的問題、MOS柵介質(zhì)層材料的要求、有希望取代傳統(tǒng)SiO2的高K柵介質(zhì)材料的研究進(jìn)展。提出了高k柵介質(zhì)材料研究中需進(jìn)一步解決的問題。G

4、aN體單晶生長技術(shù)研究現(xiàn)狀徐永寬（中國電子科技集團(tuán)公司 第四十六研究所）摘要：回顧了GaN體單晶材料的發(fā)展歷程并介紹了研究現(xiàn)狀。主要討論了HVPE法和氣相傳輸法等氣相生長方法，以及HNPSG、助溶劑法、氨熱法、提拉法等熔體生長方法。針對每種生長方法，闡述了其生長原理、特點(diǎn)及研究現(xiàn)狀。200 mm太陽能用直拉硅單晶生長速率研究任丙彥，羊建坤，李彥林（河北工業(yè)大學(xué) 材料學(xué)院，天津）摘要：介紹了200 mm的太陽能用直拉硅（CZ Si）單晶生長中，采用熱屏、復(fù)合式導(dǎo)流系統(tǒng)及雙加熱器改造直拉爐的熱系統(tǒng)，進(jìn)行不同熱系統(tǒng)下的拉晶試驗(yàn)，平均拉速從0.6 mm/min提高到0.9 mm/min。用有限元法模擬

5、了氬氣的流場及單晶爐的熱場，模擬結(jié)果表明：改造后的氬氣流場被優(yōu)化，界面附近的晶體縱向溫度梯度增加，熔體縱向溫度梯度減小。納米粉體對TiO2壓敏陶瓷晶界勢壘結(jié)構(gòu)的影響嚴(yán)繼康，甘國友，陳海芳，張小文，孫加林（.昆明理工大學(xué) 材料與冶金工程學(xué)院，昆明；.昆明物理研究所，昆明；.云南省科學(xué)技術(shù)協(xié)會，昆明）摘要：采用實(shí)驗(yàn)方法研究了納米粉體對TiO2壓敏陶瓷晶界勢壘結(jié)構(gòu)的影響。采用掃描電鏡測試了樣品的顯微結(jié)構(gòu)?；跓犭娮影l(fā)射理論和樣品的電學(xué)性能計算了TiO2壓敏陶瓷的勢壘結(jié)構(gòu)。在室溫至320范圍內(nèi)，測試TiO2壓敏陶瓷樣品的電阻率。通過樣品的ln-1/T曲線計算了TiO2壓敏陶瓷材料的晶界勢壘結(jié)構(gòu)。討論了

6、顯微結(jié)構(gòu)和勢壘結(jié)構(gòu)對TiO2壓敏陶瓷電學(xué)性能的影響。結(jié)果表明，合適的納米TiO2加入量為x=5 mol %。器件制造與應(yīng)用大功率半導(dǎo)體激光器二維陣列光纖耦合技術(shù)劉秀玲，徐會武，趙潤，王聚波，花吉珍，陳國鷹（.河北工業(yè)大學(xué) 信息工程學(xué)院，天津； .中國電子科技集團(tuán)公司 第十三研究所，石家莊）摘要：介紹了大功率半導(dǎo)體激光器二維陣列的光纖耦合技術(shù)，其中有整形耦合法、偏振合束法和波長合束法。用光線追跡法進(jìn)行了二維陣列的光纖耦合模擬，對結(jié)果進(jìn)行了分析，提出了改進(jìn)辦法，為進(jìn)一步開展二維陣列的光纖耦合工作提供了有益的借鑒。一種高線性度CMOS混頻器的設(shè)計吳明明，葉水馳（哈爾濱工業(yè)大學(xué) 衛(wèi)星技術(shù)研究所，哈爾濱

7、）摘要：采用線性化技術(shù)改進(jìn)的混頻器結(jié)構(gòu)提高了線性度。采用TSMC 0.18m RF CMOS模型進(jìn)行了電路仿真。仿真結(jié)果：在電源電壓為1.8V時，輸入三階截斷點(diǎn)（IIP3）為10.3dBm，輸入1dB壓縮點(diǎn)（P-1dB）為-3.5dBm，增益為9.2dB，單邊帶噪聲系數(shù)為17dB?；贔DTD的薄膜體聲波諧振器的數(shù)值分析池志鵬，趙正平，呂苗，楊瑞霞（.河北工業(yè)大學(xué) 信息工程學(xué)院，天津； .河北半導(dǎo)體研究所 微米納米中心，石家莊）摘要：提出了基于時域有限差分方法對薄膜體聲波諧振器進(jìn)行數(shù)值分析的新方法。利用時域有限差分法理論對壓電材料的控制方程和牛頓方程在空間和時間上進(jìn)行了離散化，通過得到的差分方

8、程直接得出了聲場傳播的時域數(shù)值解。使用該數(shù)值方法對薄膜體聲波諧振器的電學(xué)特性阻抗進(jìn)行了分析，并將結(jié)果與一維Mason模型的解析解進(jìn)行了比較驗(yàn)證。光分叉復(fù)用器技術(shù)及其應(yīng)用郭政華，陳根祥（北京交通大學(xué) 光波技術(shù)研究所，北京）摘要：介紹了目前幾種常見的光分叉復(fù)用器（OADM）的結(jié)構(gòu)和原理，對OADM在長途干線網(wǎng)、城域網(wǎng)以及自動交換光網(wǎng)絡(luò)（ASON）的應(yīng)用進(jìn)行了闡述，給出了OADM的一些最新研究進(jìn)展及發(fā)展方向。超寬帶微波光纖延遲線馬玉培（中國電子科技集團(tuán)公司 第十三研究所，石家莊）摘要：介紹了寬帶微波光纖延遲線的基本原理、系統(tǒng)組成。敘述了超寬帶微波光纖延遲線的研制過程，包括：光發(fā)射模塊的研制、光接收模

9、塊的研制、低噪聲前置放大器的研制及整個系統(tǒng)鏈路的設(shè)計、鏈接、調(diào)試等。最后給出了超寬帶微波光纖延遲線的測試結(jié)果。工藝技術(shù)與材料微電子制造中Ti的濕法蝕刻陳丹，沈卓身，任忠平（.北京科技大學(xué) 材料科學(xué)與工程學(xué)院，北京； .寧波東盛集成電路元件有限公司，浙江寧波）摘要：綜述了微電子制造工藝中Ti的濕法蝕刻的發(fā)展過程，指出了傳統(tǒng)Ti蝕刻液的缺點(diǎn)；介紹了最新研究改良后的多種Ti蝕刻液配方和化學(xué)藥品、廢氣、廢液對人員環(huán)境的影響。磁控濺射Cu膜的表面形貌演化研究雒向東，（.蘭州城市學(xué)院 物理與工程技術(shù)學(xué)院，蘭州； .中國空間技術(shù)研究院 蘭州物理研究所，蘭州）摘要：采用磁控濺射工藝在單晶Si<111&g

10、t;襯底上制備300 nm厚的Cu膜，用原子力顯微鏡（AFM）觀察薄膜表面形貌，研究工藝參數(shù)對Cu膜表面形貌的影響。結(jié)果表明：隨著沉積溫度、濺射功率及偏壓的變化，Cu膜表面粗糙度歷經(jīng)了不同的演化過程。沉積粒子的擴(kuò)散和晶粒生長之間的競爭決定了薄膜表面演化。無鉛轉(zhuǎn)移與過渡技術(shù)潘開林，周斌，顏毅林，韋荔莆（桂林電子科技大學(xué) 機(jī)電與交通工程系，廣西桂林）摘要：闡述了在無鉛轉(zhuǎn)移過程中涉及的可制造性與可靠性問題，包括無鉛轉(zhuǎn)移對元器件、印制電路板與焊點(diǎn)的影響以及它們相互之間的兼容問題。重點(diǎn)論述了前向兼容與后向兼容、錫須、空洞與微空洞、可焊性涂層以及如何避免無鉛轉(zhuǎn)移中出現(xiàn)的問題。集成電路設(shè)計與開發(fā)一種高階1b

11、it插入式 - 調(diào)制器的設(shè)計周浩，曹先國，李家會（西南科技大學(xué) 信息工程學(xué)院，四川綿陽）摘要：介紹了插入式- A/DC調(diào)制器的設(shè)計過程，并給出了調(diào)制器行為級SIMULINK模型，通過對調(diào)制器系統(tǒng)級仿真可以確定調(diào)制器的信噪比、增益因子等參數(shù)，為其電路設(shè)計提供依據(jù)。設(shè)計了一個4階調(diào)制器，仿真結(jié)果顯示在128的過采樣比、輸入信號相對幅度-6dB的條件下，可獲得110dB的信噪比，達(dá)到18bit的分辨率。外部型數(shù)字電路進(jìn)化設(shè)計研究吳會叢，宋學(xué)軍，趙強(qiáng)，原亮，劉尚合（.軍械工程學(xué)院 靜電與電磁防護(hù)研究所，石家莊；.河北科技大學(xué) 信息科學(xué)與工程學(xué)院，石家莊）摘要：提出了一種在惡劣環(huán)境下實(shí)現(xiàn)電路系統(tǒng)高可靠運(yùn)

12、行的新方法。簡要介紹了EHW的基本概念和工作原理，以四選一多路選擇器為例闡述了電路的進(jìn)化設(shè)計過程，證明了演化算法的收斂性和演化硬件理論的可行性，為最終研究硬件電路的自適應(yīng)和自修復(fù)奠定了基礎(chǔ)。集成電感設(shè)計優(yōu)化方法李爭，李哲英（.北京交通大學(xué) 電子信息工程學(xué)院電子工程系，北京）（.北京聯(lián)合大學(xué) 信息學(xué)院，北京）摘要：分析了已有電感結(jié)構(gòu)，提出了一種獨(dú)特的高性能的優(yōu)化方案，使得螺旋電感的品質(zhì)因數(shù)和差分特性都有了顯著的提高。該優(yōu)化設(shè)計尤其適合高性能全差分壓控振蕩器對高性能螺旋電感的需要。選取典型的單層正方形螺旋電感作為測試對象，工作頻率2.439GHz，芯片面積最大值限定為250m×250m，

13、最小線間距為5m。LDMOS微波功率放大器分析與設(shè)計韓紅波a,b，郝躍a，馮輝a，李德昌b（西安電子科技大學(xué) a微電子研究所；b技術(shù)物理學(xué)院，西安）摘要：在對晶體管絕對穩(wěn)定性分析的基礎(chǔ)上，根據(jù)負(fù)載牽引得到的晶體管的輸入輸出阻抗運(yùn)用共軛匹配，成功設(shè)計出2級LDMOS微波功率放大器， P-1大于45dBm，在15801654MHz功率增益30dB以上， PAE大于30%。同時，得到了最終的版圖并且運(yùn)用MOMENTUM對它進(jìn)行了2.5D仿真，得到了理想的結(jié)果。流水線ADC低功耗結(jié)構(gòu)研究李博，李哲英（.北京交通大學(xué) 電子信息工程學(xué)院，北京；.北京聯(lián)合大學(xué) 信息學(xué)院，北京）摘要：介紹了一種50GHz，1

14、0位，5V流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器的設(shè)計。為實(shí)現(xiàn)低功耗設(shè)計目標(biāo)，將比較器和OTA作為主要優(yōu)化對象，采用改進(jìn)的動態(tài)比較結(jié)構(gòu)和套筒式余量放大器（OTA）分別實(shí)現(xiàn)上述功能。本設(shè)計在0.5m CMOS工藝下實(shí)現(xiàn)，工作在50MHz條件下功耗為190mW。封裝、測試與設(shè)備功率載荷下疊層芯片封裝的熱應(yīng)力分析和優(yōu)化殷景華，杜兵，王樹起，呂光軍，劉曉為（.哈爾濱理工大學(xué) 應(yīng)用科學(xué)學(xué)院，哈爾濱；.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 中心，哈爾濱）摘要：應(yīng)用有限元分析軟件ANSYS，模擬功率載荷下疊層芯片封裝中芯片溫度和應(yīng)力分布情況，得出芯片的溫度、應(yīng)力與材料厚度、熱膨脹系數(shù)之間的關(guān)系，根據(jù)分析，對模型進(jìn)行了優(yōu)化。優(yōu)化后的模型最高溫度下降了3

15、.613K，最大應(yīng)力下降了33.4%，最大剪應(yīng)力下降了45.9%。數(shù)字下變頻器HSP50216原理及測試模式的使用羅亞松，高?。ê＼姽こ檀髮W(xué)，武漢）摘要：通過對數(shù)字下變頻器HSP50216內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理及性能特點(diǎn)的介紹，給出了其在下變頻處理中的應(yīng)用。另外，該芯片配有一個測試模式，它通常用來進(jìn)行芯片檢測。給出了利用測試模式來使HSP50216完成數(shù)字化激勵器中基帶處理功能的另外一種應(yīng)用。實(shí)踐證明這種方法是可行的，提高了對測試模式使用的靈活性，并以此擴(kuò)展了HSP50216的功能，滿足更多情況的需要通過TRL校準(zhǔn)提取管芯S參數(shù)的技術(shù)董四華，劉英坤，馮彬，孫艷玲（.河北工業(yè)大學(xué) 信息工程學(xué)院，天津；.中國電子科技集團(tuán)公司 第十三研究所，石家莊）摘要：介紹了一種基于TRL法的提取管芯S參數(shù)的方法。該方法從TRL校準(zhǔn)出發(fā)，實(shí)際測量得到封裝器件的S參數(shù)；管芯以外的參量（管殼及鍵和線）用等效電路表示，最后用微波仿真軟件模擬得到管芯S參數(shù)。此方法在沒有精確的測試夾具條件下，仍可以得到較理想的器件和管芯S參數(shù)。實(shí)驗(yàn)證明該方法簡便、實(shí)用性強(qiáng)，可推廣應(yīng)用于不宜直接測量管芯S參數(shù)的器件?？焖贌嵬嘶饘PV法測試氧化硅