電子技術(shù)基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件

1、v本章提要：半導(dǎo)體二極管和晶體管是常用的半導(dǎo)體器件。它們本章提要：半導(dǎo)體二極管和晶體管是常用的半導(dǎo)體器件。它們的基本結(jié)構(gòu)、工作原理、特性曲線和主要參數(shù)是學(xué)習(xí)電子技術(shù)的基本結(jié)構(gòu)、工作原理、特性曲線和主要參數(shù)是學(xué)習(xí)電子技術(shù)和分析電子電路的基礎(chǔ)。和分析電子電路的基礎(chǔ)。PNPN結(jié)是構(gòu)成各種半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。結(jié)是構(gòu)成各種半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。v本章重點(diǎn)討論以下幾個(gè)問題：本章重點(diǎn)討論以下幾個(gè)問題：1 1）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性；）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性；2 2）PNPN結(jié)的形成及其導(dǎo)電特性；結(jié)的形成及其導(dǎo)電特性；3 3）半導(dǎo)體二極管的工作原理及其特性曲線、主要參數(shù)及應(yīng)用；）半導(dǎo)體二極管的工作原理及其特性曲線、主要參數(shù)及應(yīng)

2、用；4 4）特殊二極管；）特殊二極管；5 5）晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理、特性曲線和主要參數(shù)。）晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理、特性曲線和主要參數(shù)。v作為了解的內(nèi)容：作為了解的內(nèi)容：1 1）場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理、特性曲線和主要參數(shù)；）場(chǎng)效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理、特性曲線和主要參數(shù)；2 2）晶閘管的結(jié)構(gòu)、工作原理、特性曲線和主要參數(shù)及應(yīng)用。）晶閘管的結(jié)構(gòu)、工作原理、特性曲線和主要參數(shù)及應(yīng)用。1 1、什么是半導(dǎo)體？什么是本征半導(dǎo)體？、什么是半導(dǎo)體？什么是本征半導(dǎo)體？v導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。導(dǎo)電性介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。v導(dǎo)體導(dǎo)體鐵、鋁、銅等金屬元素等低價(jià)元素，其最

3、外層電子鐵、鋁、銅等金屬元素等低價(jià)元素，其最外層電子在外電場(chǎng)作用下很容易產(chǎn)生定向移動(dòng)，形成電流。在外電場(chǎng)作用下很容易產(chǎn)生定向移動(dòng)，形成電流。v絕緣體絕緣體惰性氣體、橡膠等，其原子的最外層電子受原子惰性氣體、橡膠等，其原子的最外層電子受原子核的束縛力很強(qiáng)，只有在外電場(chǎng)強(qiáng)到一定程度時(shí)才可能導(dǎo)電。核的束縛力很強(qiáng)，只有在外電場(chǎng)強(qiáng)到一定程度時(shí)才可能導(dǎo)電。v半導(dǎo)體半導(dǎo)體硅硅(Si)(Si)、鍺、鍺( (GeGe) )，均為四價(jià)元素，它們?cè)拥淖钔猓鶠樗膬r(jià)元素，它們?cè)拥淖钔鈱与娮邮茉雍说氖`力介于導(dǎo)體與絕緣體之間。層電子受原子核的束縛力介于導(dǎo)體與絕緣體之間。v本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體是是純凈純凈的晶體的晶

4、體結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。的半導(dǎo)體。沒有雜質(zhì)沒有雜質(zhì)穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)一、半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性一、半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性（一）半導(dǎo)體的特點(diǎn)（一）半導(dǎo)體的特點(diǎn) 1. 1.半導(dǎo)體的電導(dǎo)率可以因半導(dǎo)體的電導(dǎo)率可以因加入雜質(zhì)加入雜質(zhì)而發(fā)生顯著的變化。例如而發(fā)生顯著的變化。例如在室溫在室溫 時(shí)，純硅中摻入一億分之一的雜質(zhì)時(shí)，純硅中摻入一億分之一的雜質(zhì)( (稱摻雜稱摻雜) )，其電，其電導(dǎo)率會(huì)增加幾百倍。導(dǎo)率會(huì)增加幾百倍。2. 2. 溫度溫度的變化，也會(huì)使半導(dǎo)體的電導(dǎo)率發(fā)生顯著的變化，利的變化，也會(huì)使半導(dǎo)體的電導(dǎo)率發(fā)生顯著的變化，利用這種熱敏效應(yīng)人們制作出了熱敏元件。但另一方面，熱敏用這種熱敏效應(yīng)人們制作出了熱敏元件。

5、但另一方面，熱敏效應(yīng)會(huì)使半導(dǎo)體元、器件的熱穩(wěn)定性下降。效應(yīng)會(huì)使半導(dǎo)體元、器件的熱穩(wěn)定性下降。3. 3. 光照光照不僅可以改變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率，而且可以產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)，不僅可以改變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率，而且可以產(chǎn)生電動(dòng)勢(shì)，這就是半導(dǎo)體的光電效應(yīng)。利用光電效應(yīng)可以制成光電晶體這就是半導(dǎo)體的光電效應(yīng)。利用光電效應(yīng)可以制成光電晶體管、光電耦合器和光電池等。管、光電耦合器和光電池等。C30（二）本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)（二）本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)共價(jià)鍵共價(jià)鍵價(jià)電子價(jià)電子硅原子硅原子自由電子自由電子空穴空穴由于熱運(yùn)動(dòng)，具有足夠能量的價(jià)由于熱運(yùn)動(dòng)，具有足夠能量的價(jià)電子掙脫共價(jià)鍵的束縛而成為自電子掙脫共價(jià)鍵的束縛而成為自由電子由電子自

6、由電子的產(chǎn)生使共價(jià)鍵中自由電子的產(chǎn)生使共價(jià)鍵中留有一個(gè)空位置，稱為空穴留有一個(gè)空位置，稱為空穴自由電子與空穴相碰同時(shí)消失，稱為復(fù)合。自由電子與空穴相碰同時(shí)消失，稱為復(fù)合。一定溫度下一定溫度下,自由電子與空穴對(duì)的自由電子與空穴對(duì)的濃度一定濃度一定；溫度升高；溫度升高,熱運(yùn)動(dòng)加熱運(yùn)動(dòng)加劇，掙脫共價(jià)鍵的電子增多，自由電子與空穴對(duì)的濃度加大。劇，掙脫共價(jià)鍵的電子增多，自由電子與空穴對(duì)的濃度加大。動(dòng)態(tài)平衡動(dòng)態(tài)平衡 在本征半導(dǎo)體中，兩種載流子成對(duì)出現(xiàn)，成對(duì)消失，形成動(dòng)態(tài)在本征半導(dǎo)體中，兩種載流子成對(duì)出現(xiàn)，成對(duì)消失，形成動(dòng)態(tài)平衡。因此整個(gè)原子是電中性的。溫度對(duì)載流子的影響很大，平衡。因此整個(gè)原子是電中性的。

7、溫度對(duì)載流子的影響很大，溫度升高時(shí)，載流子的數(shù)量增加溫度升高時(shí)，載流子的數(shù)量增加。半導(dǎo)體中的兩種載流子半導(dǎo)體中的兩種載流子自由電子和空穴自由電子和空穴 運(yùn)載電荷的粒子稱為載流子。運(yùn)載電荷的粒子稱為載流子。外加電場(chǎng)時(shí)，帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴均參與導(dǎo)電，外加電場(chǎng)時(shí)，帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴均參與導(dǎo)電， 且運(yùn)動(dòng)方向相反。由于載流子數(shù)目很少，故導(dǎo)電性很差。且運(yùn)動(dòng)方向相反。由于載流子數(shù)目很少，故導(dǎo)電性很差。v（三）雜質(zhì)半導(dǎo)體（三）雜質(zhì)半導(dǎo)體v在本征半導(dǎo)體中，人為地?fù)饺肷倭科渌卦诒菊靼雽?dǎo)體中，人為地?fù)饺肷倭科渌? (稱雜質(zhì)稱雜質(zhì)) )，可以使，可以使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著的改變。摻

8、入雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱作半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著的改變。摻入雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱作雜質(zhì)半導(dǎo)體。根據(jù)摻入雜質(zhì)性質(zhì)的不同?？煞譃閮煞N：雜質(zhì)半導(dǎo)體。根據(jù)摻入雜質(zhì)性質(zhì)的不同?？煞譃閮煞N： N N型半導(dǎo)體（電子型）：摻雜五價(jià)元素型半導(dǎo)體（電子型）：摻雜五價(jià)元素P P型半導(dǎo)體（空穴型）：摻雜三價(jià)元素型半導(dǎo)體（空穴型）：摻雜三價(jià)元素v在本征半導(dǎo)體中摻入少量的五價(jià)磷元素，使每一個(gè)五價(jià)元素在本征半導(dǎo)體中摻入少量的五價(jià)磷元素，使每一個(gè)五價(jià)元素取代一個(gè)四價(jià)元素在晶體中的位置，可以形成取代一個(gè)四價(jià)元素在晶體中的位置，可以形成N N型型半導(dǎo)體。半導(dǎo)體。多余電子多余電子五價(jià)磷五價(jià)磷電子空穴對(duì)電子空穴對(duì)自由電子數(shù)多自由電子數(shù)多于空穴數(shù)

9、于空穴數(shù)2 2P P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體v在本征半導(dǎo)體中摻入少量三價(jià)元素，可以形成在本征半導(dǎo)體中摻入少量三價(jià)元素，可以形成P P型型半導(dǎo)體，常半導(dǎo)體，常用于摻雜的三價(jià)元素有硼、鋁和銦。用于摻雜的三價(jià)元素有硼、鋁和銦?？昭昭ㄈ齼r(jià)硼三價(jià)硼電子空穴對(duì)電子空穴對(duì)空穴數(shù)多于自空穴數(shù)多于自由電子數(shù)由電子數(shù)v在在N N型半導(dǎo)體中，自由電子數(shù)大于空穴數(shù)，型半導(dǎo)體中，自由電子數(shù)大于空穴數(shù)， 自由電子自由電子-多數(shù)載流子多數(shù)載流子( (多子多子) )。 空穴空穴-少數(shù)載流子少數(shù)載流子( (少子少子) )。v在在P P型半導(dǎo)體中，空穴數(shù)大于自由電子數(shù)，型半導(dǎo)體中，空穴數(shù)大于自由電子數(shù)， 空穴空穴-多子。多子。 自由電

10、子自由電子-少子。少子。v不論不論N N型半導(dǎo)體還是型半導(dǎo)體還是P P型半導(dǎo)體，雖然都有一種載流型半導(dǎo)體，雖然都有一種載流子占多數(shù)，但是整個(gè)晶體仍然是不帶電的。子占多數(shù)，但是整個(gè)晶體仍然是不帶電的。 物質(zhì)因濃度差而產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。氣體、液體、物質(zhì)因濃度差而產(chǎn)生的運(yùn)動(dòng)稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。氣體、液體、固體均有之。固體均有之。二、二、P NP N結(jié)結(jié) 1 1、PNPN結(jié)的形成結(jié)的形成空穴負(fù)離子正離子自由電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)P P區(qū)空穴濃度遠(yuǎn)高于N N區(qū)N N區(qū)自由電子濃度遠(yuǎn)高于P P區(qū)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使靠近接觸面擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使靠近接觸面P P區(qū)的空穴濃度降低、靠近接觸區(qū)的空穴濃度降低、靠近接觸面面N N區(qū)的自

11、由電子濃度降低，產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng)。區(qū)的自由電子濃度降低，產(chǎn)生內(nèi)電場(chǎng)。1 1、PNPN結(jié)的形成結(jié)的形成 由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)使P P區(qū)與區(qū)與N N區(qū)的交界面缺少多數(shù)載流子，形成內(nèi)電場(chǎng)，從區(qū)的交界面缺少多數(shù)載流子，形成內(nèi)電場(chǎng)，從而阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行。內(nèi)電場(chǎng)使空穴從而阻止擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的進(jìn)行。內(nèi)電場(chǎng)使空穴從N N區(qū)向區(qū)向P P區(qū)、自由電子從區(qū)、自由電子從P P區(qū)區(qū)向向N N區(qū)運(yùn)動(dòng)。區(qū)運(yùn)動(dòng)。內(nèi)建電場(chǎng)多子擴(kuò)散多子擴(kuò)散少子漂移少子漂移(1)(1)內(nèi)建電場(chǎng)對(duì)內(nèi)建電場(chǎng)對(duì)多數(shù)多數(shù)載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)起到載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)起到阻礙作用；阻礙作用；(2)(2)內(nèi)建電場(chǎng)可推動(dòng)內(nèi)建電場(chǎng)可推動(dòng)少數(shù)少數(shù)載流子越過空間電荷區(qū)向?qū)Ψ捷d流子

12、越過空間電荷區(qū)向?qū)Ψ狡破啤⑴c擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)的載流子數(shù)目相同，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，參與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)和漂移運(yùn)動(dòng)的載流子數(shù)目相同，達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，就形成了就形成了PNPN結(jié)。結(jié)。2 2PNPN結(jié)單向?qū)щ娞匦越Y(jié)單向?qū)щ娞匦詖外加反向電壓外加反向電壓PNPN結(jié)反向截止結(jié)反向截止外加電場(chǎng)外加電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)內(nèi)電場(chǎng)I I00少子漂移v外加正向電壓外加正向電壓PNPN結(jié)正向?qū)ńY(jié)正向?qū)ㄍ饧与妶?chǎng)內(nèi)電場(chǎng)I I多子擴(kuò)散 PNPN結(jié)結(jié)的的單單向向?qū)?dǎo)電電性性結(jié)論結(jié)論 利用利用PNPN結(jié)的單向?qū)щ娦?，可以制成半?dǎo)體二極管及結(jié)的單向?qū)щ娦?，可以制成半?dǎo)體二極管及各種半導(dǎo)體元件各種半導(dǎo)體元件(1)PN(1)PN結(jié)正偏：結(jié)正偏：P

13、NPN結(jié)導(dǎo)通結(jié)導(dǎo)通空間電荷區(qū)變窄電阻有利于多子擴(kuò)散電流(2)PN(2)PN結(jié)反偏：結(jié)反偏：PNPN結(jié)截止結(jié)截止電阻有利于少子漂移電流空間電荷區(qū)變寬三、半導(dǎo)體二極管三、半導(dǎo)體二極管將將PNPN結(jié)封裝，引出兩個(gè)電極，就構(gòu)成了二極管。結(jié)封裝，引出兩個(gè)電極，就構(gòu)成了二極管。小功率二極管大功率二極管發(fā)光二極管穩(wěn)壓二極管三、半導(dǎo)體二極管三、半導(dǎo)體二極管 v二極管通常有點(diǎn)接觸型和面接觸型兩種二極管通常有點(diǎn)接觸型和面接觸型兩種陽(yáng)極陽(yáng)極A A陰極陰極K KVDVDP PN NA AK K點(diǎn)接觸型面接觸型 二極管的管壓降與其電流的關(guān)系二極管的管壓降與其電流的關(guān)系 曲線，稱為二曲線，稱為二極管的伏安特性曲線極管的伏

14、安特性曲線1 1二極管的伏安特性二極管的伏安特性)(UfI 硅管鍺管a a點(diǎn)點(diǎn)U Uononb b點(diǎn)點(diǎn)I I= =I ISRSRexp(exp(U U/ /U UT T)-1)-1c c點(diǎn)點(diǎn)線性區(qū)線性區(qū)d d點(diǎn)點(diǎn)反向擊穿區(qū)反向擊穿區(qū)二極管管壓降二極管管壓降U UBRBR SRII 死區(qū)電壓 硅管約0.5V鍺管約0.1V非線性區(qū) 硅管為0.60.8V；鍺管為0.20.3V.截止區(qū)截止區(qū)反向擊穿電壓反向飽和電流1 1二極管的伏安特性二極管的伏安特性2 2二極管的主要參數(shù)二極管的主要參數(shù)v1) 1) 最大整流電流最大整流電流 IFM指二極管長(zhǎng)期工作時(shí)，允許通過的最大正向平均電流。當(dāng)電流超過允許值時(shí)，

15、指二極管長(zhǎng)期工作時(shí)，允許通過的最大正向平均電流。當(dāng)電流超過允許值時(shí)，將由于將由于PNPN結(jié)的過熱，而使二極管損壞。結(jié)的過熱，而使二極管損壞。v2) 2) 反向飽和電流反向飽和電流ISR 指在一定環(huán)境溫度條件下，二極管承受反向工作電壓、又沒有反向擊指在一定環(huán)境溫度條件下，二極管承受反向工作電壓、又沒有反向擊穿時(shí)，其反向電流的值。它的值愈小，表明二極管的單向?qū)щ娞匦杂r(shí)，其反向電流的值。它的值愈小，表明二極管的單向?qū)щ娞匦杂?。溫度?duì)反向電流影響較大，經(jīng)驗(yàn)值是，溫度每升高好。溫度對(duì)反向電流影響較大，經(jīng)驗(yàn)值是，溫度每升高1010，反向電，反向電流約增大一倍。使用時(shí)應(yīng)加注意。流約增大一倍。使用時(shí)應(yīng)加

16、注意。v3) 3) 反向工作峰值電壓反向工作峰值電壓U URMRM指管子運(yùn)行時(shí)允許承受的最大反向電壓。通常取反向擊穿電壓的二分之一至指管子運(yùn)行時(shí)允許承受的最大反向電壓。通常取反向擊穿電壓的二分之一至三分之二。三分之二。由二極管的伏安特性曲線可見，由于二極管正向?qū)〞r(shí)電壓變化很小，由二極管的伏安特性曲線可見，由于二極管正向?qū)〞r(shí)電壓變化很小，而反向截止時(shí)，電流很小。對(duì)于所分析的電路來說，將它們忽略時(shí)，而反向截止時(shí)，電流很小。對(duì)于所分析的電路來說，將它們忽略時(shí)，產(chǎn)生的誤差很小。故通?？捎美硐攵O管的特性代替二極管的伏安特產(chǎn)生的誤差很小。故通?？捎美硐攵O管的特性代替二極管的伏安特性。性。0IU理想

17、特性理想特性近似特性近似特性0IUUD當(dāng)電源電壓與二極管導(dǎo)通當(dāng)電源電壓與二極管導(dǎo)通時(shí)正向電壓降相差不多時(shí)時(shí)正向電壓降相差不多時(shí) 二極管的電壓小于導(dǎo)通正向電壓二極管的電壓小于導(dǎo)通正向電壓時(shí)，二極管截止，電流為時(shí)，二極管截止，電流為0； 二極管導(dǎo)通后，正向電壓降恒為二極管導(dǎo)通后，正向電壓降恒為UD當(dāng)電源電壓遠(yuǎn)大于正向電壓降時(shí)當(dāng)電源電壓遠(yuǎn)大于正向電壓降時(shí) 加正向電壓時(shí)，二極管導(dǎo)通，正向電壓加正向電壓時(shí)，二極管導(dǎo)通，正向電壓降和正向電阻為降和正向電阻為0，（，（二極管相當(dāng)于短路二極管相當(dāng)于短路） 加反向電壓時(shí)，二極管截止，反向電流加反向電壓時(shí)，二極管截止，反向電流為為0，反向電阻無窮大。（，反向電阻無

18、窮大。（二極管相當(dāng)于開二極管相當(dāng)于開路路）Eui0 0t tou0 0t tE EE Et t1 1t t2 2iu時(shí)時(shí), ,二極管截止二極管截止, ,iouu （0 0t t1 1與與t t2 2以后）以后）Eui時(shí)時(shí), ,二極管導(dǎo)通二極管導(dǎo)通, ,Euo（t t1 1t t2 2）2 22 2限幅電路限幅電路v 例例2-2 2-2 圖圖2-12a2-12a中的中的R R和和C C構(gòu)成構(gòu)成一微分電路。當(dāng)輸入電壓一微分電路。當(dāng)輸入電壓u ui i如如圖圖1-12b1-12b中所示時(shí)，試畫出輸出中所示時(shí)，試畫出輸出電壓電壓u uo o的波形。設(shè)的波形。設(shè)u uC C(0)=0(0)=0。 2 2

19、2 2二極管正向壓降是二極管正向壓降是0.3V 硅管為0.60.8V；鍺管為0.20.3V.IZminIZmaxv穩(wěn)壓二極管是一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管。由穩(wěn)壓二極管是一種特殊的面接觸型半導(dǎo)體硅二極管。由于它在電路中與適當(dāng)數(shù)值的電阻配合后能起穩(wěn)定電壓的于它在電路中與適當(dāng)數(shù)值的電阻配合后能起穩(wěn)定電壓的作用，故稱為穩(wěn)壓管。作用，故稱為穩(wěn)壓管。 鍺穩(wěn)壓管特性曲線鍺穩(wěn)壓管特性曲線硅穩(wěn)壓管特性曲線硅穩(wěn)壓管特性曲線VSKA 1. 1. 穩(wěn)壓二極管（又稱齊納二極管）穩(wěn)壓二極管（又稱齊納二極管）穩(wěn)壓二極管的伏安特性穩(wěn)壓二極管的伏安特性v由一個(gè)由一個(gè)PNPN結(jié)組成，反向擊穿后在一定的電流范圍內(nèi)端電壓結(jié)組成

20、，反向擊穿后在一定的電流范圍內(nèi)端電壓基本不變，為穩(wěn)定電壓?；静蛔儯瑸榉€(wěn)定電壓。v若穩(wěn)壓管的電流太小則不穩(wěn)壓，若穩(wěn)壓管的電流太小則不穩(wěn)壓，若穩(wěn)壓管的電流太大則會(huì)因功若穩(wěn)壓管的電流太大則會(huì)因功耗過大而損壞，因而穩(wěn)壓管電耗過大而損壞，因而穩(wěn)壓管電路中必需有限制穩(wěn)壓管電流的路中必需有限制穩(wěn)壓管電流的限流電阻！限流電阻！限流電阻限流電阻v穩(wěn)壓管的主要參數(shù)有下面幾個(gè)：穩(wěn)壓管的主要參數(shù)有下面幾個(gè)：v1 1）穩(wěn)定電壓）穩(wěn)定電壓U UZ Z 穩(wěn)壓管在正常工作下兩端的電壓。穩(wěn)壓管在正常工作下兩端的電壓。v2 2）電壓溫度系數(shù)）電壓溫度系數(shù) 說明穩(wěn)壓管受溫度變化影響的參數(shù)。說明穩(wěn)壓管受溫度變化影響的參數(shù)。 例如電

21、壓溫度系數(shù)為例如電壓溫度系數(shù)為0.095%/0.095%/，則表示溫度每升高，則表示溫度每升高11，它的穩(wěn)壓值將比額定溫度時(shí)升高它的穩(wěn)壓值將比額定溫度時(shí)升高0.095%0.095%。 一般來說一般來說: :低于低于4 V4 V的穩(wěn)壓管，電壓溫度系數(shù)是負(fù)的的穩(wěn)壓管，電壓溫度系數(shù)是負(fù)的; ; 高于高于7V7V的穩(wěn)壓管，電壓溫度系數(shù)是正的；的穩(wěn)壓管，電壓溫度系數(shù)是正的； 6V 6V左右的穩(wěn)壓管，穩(wěn)壓值受溫度的影響較小。左右的穩(wěn)壓管，穩(wěn)壓值受溫度的影響較小。 因此，選用因此，選用6V6V左右的穩(wěn)壓管，可得到較好的溫度穩(wěn)定性。左右的穩(wěn)壓管，可得到較好的溫度穩(wěn)定性。 v3 3）動(dòng)態(tài)電阻）動(dòng)態(tài)電阻r rZ

22、Z 穩(wěn)壓管端電壓的變化量與相應(yīng)的電流變化量的比值。穩(wěn)壓管端電壓的變化量與相應(yīng)的電流變化量的比值。v4 4）穩(wěn)定電流）穩(wěn)定電流I IZ Z 穩(wěn)壓管正常工作時(shí)的參考電流。穩(wěn)壓管正常工作時(shí)的參考電流。v5 5）最大允許耗散功率）最大允許耗散功率P PZMZM 穩(wěn)壓管不致發(fā)生熱擊穿的最大功率損耗穩(wěn)壓管不致發(fā)生熱擊穿的最大功率損耗P PZMZM= =U UZ ZI IZMZM。即穩(wěn)。即穩(wěn)壓管的壓管的額定功耗額定功耗。ZZZIUrmaxminZZZIII當(dāng)當(dāng)U Ui i=+20V=+20V時(shí)，時(shí)，VSVS1 1反向擊穿反向擊穿，其穩(wěn)壓值，其穩(wěn)壓值U UZ1Z1=6.3V=6.3V，VSVS2 2正正向?qū)?/p>

23、，向?qū)ǎ琔 UD2D2=0.7V=0.7V，則，則U Uo o=+7V=+7V；同理；同理U Ui i= =- -20V20V時(shí)時(shí), ,U Uo o= =- -7V7VVS1VS2v2、光電二極管（又稱光敏二極管）、光電二極管（又稱光敏二極管） 是一種將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的特殊二極管。它與是一種將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的特殊二極管。它與PN結(jié)二極管類結(jié)二極管類似，不同之處在于：在它的似，不同之處在于：在它的PN結(jié)處通過管殼上的一個(gè)玻璃窗口能接收結(jié)處通過管殼上的一個(gè)玻璃窗口能接收外部的光照。它工作于外部的光照。它工作于反向偏置反向偏置狀態(tài)。狀態(tài)。主要特點(diǎn)主要特點(diǎn)是它的反向電流與是它的反向電流與照度

24、照度成正比：成正比：有光照時(shí)，電流會(huì)急劇增加，稱為光電流；有光照時(shí)，電流會(huì)急劇增加，稱為光電流；無光照時(shí)，反向電流很小，稱為暗電流。無光照時(shí)，反向電流很小，稱為暗電流。光電二極管的符號(hào)光電二極管的符號(hào) 3 3、發(fā)光二極管、發(fā)光二極管當(dāng)有電流流過時(shí)就發(fā)光，這是由于電子與空穴直接復(fù)合而當(dāng)有電流流過時(shí)就發(fā)光，這是由于電子與空穴直接復(fù)合而放出能量的結(jié)果。放出能量的結(jié)果。用途用途: : (1)(1)作為顯示器件，除單個(gè)使用外，也常做作為顯示器件，除單個(gè)使用外，也常做 成七段式或矩陣式器件，工作電流一般成七段式或矩陣式器件，工作電流一般 為幾毫安至十幾毫安。為幾毫安至十幾毫安。(2)(2)將電信號(hào)變?yōu)楣庑?/p>

25、號(hào)，通過光纜傳輸，將電信號(hào)變?yōu)楣庑盘?hào)，通過光纜傳輸， 然后再用光敏二極管接收，再現(xiàn)電信號(hào)。然后再用光敏二極管接收，再現(xiàn)電信號(hào)。 發(fā)光二極管的符號(hào)發(fā)光二極管的符號(hào)下圖為發(fā)光二極管發(fā)射電路通過光纜驅(qū)動(dòng)下圖為發(fā)光二極管發(fā)射電路通過光纜驅(qū)動(dòng)光電二極管電路。光電二極管電路。v一、基本結(jié)構(gòu)一、基本結(jié)構(gòu)雙極型半導(dǎo)體器件雙極型半導(dǎo)體器件v晶體三極管的結(jié)構(gòu)，目前最常見的有晶體三極管的結(jié)構(gòu)，目前最常見的有平面型平面型和和合金型合金型兩類。兩類。硅管主要是平面型，鍺管都是合金型。硅管主要是平面型，鍺管都是合金型。v不論是平面型還是合金型，都是由不論是平面型還是合金型，都是由3 3層層不同型半導(dǎo)體構(gòu)成。不同型半導(dǎo)體構(gòu)

26、成。平面型平面型合金型合金型v晶體三極管分為晶體三極管分為NPNNPN型和型和PNPPNP型兩類型兩類v二、電流放大原理二、電流放大原理v晶體管必須滿足一定的晶體管必須滿足一定的偏置條件偏置條件，才能有電流，才能有電流放大作用。放大作用。v右圖電路是以右圖電路是以NPNNPN型硅型硅三極管接成共射形式三極管接成共射形式（基極回路和集電極回（基極回路和集電極回路以發(fā)射極作為公共端）路以發(fā)射極作為公共端）的示意圖。的示意圖。 由圖可見，晶體管的由圖可見，晶體管的外部偏置條件外部偏置條件是：電壓源是：電壓源U UBBBB通過電阻通過電阻R RB B提供給發(fā)射結(jié)正向偏置；而電壓源提供給發(fā)射結(jié)正向偏置；

27、而電壓源U UCCCC通過電阻通過電阻R RC C加到集電極，使集電結(jié)處于反向偏置。加到集電極，使集電結(jié)處于反向偏置。 因發(fā)射區(qū)多子濃度因發(fā)射區(qū)多子濃度高使大量電子從發(fā)高使大量電子從發(fā)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)射區(qū)擴(kuò)散到基區(qū)因基區(qū)薄且多子濃度因基區(qū)薄且多子濃度低，使極少數(shù)擴(kuò)散到低，使極少數(shù)擴(kuò)散到基區(qū)的電子與空穴復(fù)基區(qū)的電子與空穴復(fù)合合因集電區(qū)面積大，在因集電區(qū)面積大，在外電場(chǎng)作用下大部分外電場(chǎng)作用下大部分?jǐn)U散到基區(qū)的電子漂擴(kuò)散到基區(qū)的電子漂移到集電區(qū)移到集電區(qū)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成發(fā)射極電流射極電流I IE E復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成基復(fù)合運(yùn)動(dòng)形成基極電流極電流I IB B漂移運(yùn)動(dòng)形成集漂移運(yùn)動(dòng)形成集電極電流電極

28、電流I IC CCBEIIINPN三極管電流方向及各電流的關(guān)系三極管電流方向及各電流的關(guān)系ICICEICBOIBIBEIEBCCBOBCBOCBECEIIIIIIII共射電流放大系數(shù)共射電流放大系數(shù) 表示晶體管的電流放表示晶體管的電流放大作用。（共射形式）大作用。（共射形式）結(jié)論結(jié)論 晶體管有電流放大作用。晶體管有電流放大作用。晶體管的發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏時(shí)，晶體管的發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏時(shí)， 晶體管為電流控制器件（基極電流控制集電極電流）晶體管為電流控制器件（基極電流控制集電極電流） 參加導(dǎo)電的有自由電子和空穴，故又叫雙極型晶體三極管參加導(dǎo)電的有自由電子和空穴，故又叫雙極型晶體三極管BCI

29、INPNNPNPNPPNPNPNNPN型與型與PNPPNP型晶體管電流電壓的參考方向型晶體管電流電壓的參考方向三、晶體管的伏安特性曲線三、晶體管的伏安特性曲線CEUBEBufi| )(1 1輸入伏安特性曲線（輸入伏安特性曲線（NPNNPN）定義定義V7 . 06 . 0BEUV3 . 02 . 0BEU 硅管硅管 晶體管輸入特性與二極管的正向特晶體管輸入特性與二極管的正向特性一樣，也有一段死區(qū)。只有在發(fā)射結(jié)性一樣，也有一段死區(qū)。只有在發(fā)射結(jié)外加電壓大于死區(qū)電壓時(shí)，晶體管才會(huì)外加電壓大于死區(qū)電壓時(shí)，晶體管才會(huì)出現(xiàn)出現(xiàn) 。Bi硅管的死區(qū)電壓約為硅管的死區(qū)電壓約為V5 . 0鍺管的死區(qū)電壓約為鍺管的

30、死區(qū)電壓約為V1 . 0 晶體管導(dǎo)通后，其發(fā)射結(jié)晶體管導(dǎo)通后，其發(fā)射結(jié)電壓變化范圍很小電壓變化范圍很小 鍺管鍺管2 2輸出特性曲線輸出特性曲線BICECufi| )(定義定義(1) (1) 截止區(qū)截止區(qū)外部特征：外部特征：, 0Bi, 0CEOCIiCCCEVu三極管相當(dāng)于開路。三極管相當(dāng)于開路。外部（偏置）條件：外部（偏置）條件：發(fā)射結(jié)反向偏置，集電結(jié)反向偏置。發(fā)射結(jié)反向偏置，集電結(jié)反向偏置。(2) (2) 飽和區(qū)飽和區(qū)飽和區(qū)飽和區(qū)截止區(qū)截止區(qū)外部特征：外部特征：,CBii 0CESCEUu三極管相當(dāng)于短路三極管相當(dāng)于短路,CCCCRUi 外部（偏置）條件：外部（偏置）條件：發(fā)射結(jié)正向偏置，

31、集電結(jié)正向偏置。發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)正向偏置。 （3 3）放大區(qū)）放大區(qū)飽和區(qū)飽和區(qū) 放大區(qū)放大區(qū) 截止區(qū)截止區(qū) 恒流特性恒流特性 外部（偏置）條件：外部（偏置）條件：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置。外部特征：外部特征： 電流恒定電流恒定 電流放大電流放大 電流控制電流控制BCiiCiBi50A40mA2BCii246i iB B大大i iC C也大，也大，i iB B等于等于0 0，i iC C也等于也等于0 0i iB B控制控制i iC C電壓在很大范圍內(nèi)變化，電流幾乎不變電壓在很大范圍內(nèi)變化，電流幾乎不變四、主要參數(shù)四、主要參數(shù)1 1電流放大系數(shù)電流放

32、大系數(shù)衡量晶體管電流放大能力的重要指標(biāo)衡量晶體管電流放大能力的重要指標(biāo)直流直流 ：BCII 交流交流 ： BCii在數(shù)值上在數(shù)值上2 2反向電流反向電流 晶體管的極間反向電流是少數(shù)載流子反向漂移形成的，因此，受溫度影響晶體管的極間反向電流是少數(shù)載流子反向漂移形成的，因此，受溫度影響比較嚴(yán)重，是反映管子質(zhì)量的指標(biāo)，極間反向電流越小，管子質(zhì)量越高。比較嚴(yán)重，是反映管子質(zhì)量的指標(biāo)，極間反向電流越小，管子質(zhì)量越高。CBOI(1) (1) 集電極集電極基極間反向飽和電流基極間反向飽和電流 (2) (2) 集電極集電極- -發(fā)射極間穿透電流發(fā)射極間穿透電流CEOICBOCEOII)1 (3極限參數(shù)極限參數(shù)

33、 CEOBRCEBUU)(CECCMUIP(3)集電極最大允許耗散功率集電極最大允許耗散功率PCM (1)集電極最大允許電流集電極最大允許電流ICM(2)集電極發(fā)射極反向擊穿電壓集電極發(fā)射極反向擊穿電壓BU(BR)CEO過損耗區(qū)過損耗區(qū) 就是晶體管正常工作時(shí)，其工作電壓、工作電流和耗散功率的最大就是晶體管正常工作時(shí)，其工作電壓、工作電流和耗散功率的最大允許值。允許值。PNPNPN1數(shù)字式萬用表量程置于歐姆檔時(shí)數(shù)字式萬用表量程置于歐姆檔時(shí),“+”端端紅表筆輸出電壓的極性為正極紅表筆輸出電壓的極性為正極,而而“-”端端黑表筆輸出電壓的極性為負(fù)極。黑表筆輸出電壓的極性為負(fù)極。 2基極可以視為發(fā)射結(jié)和

34、集電結(jié)兩個(gè)基極可以視為發(fā)射結(jié)和集電結(jié)兩個(gè)PN結(jié)的公共電極。以基極固定于某一測(cè)結(jié)的公共電極。以基極固定于某一測(cè)試表筆，而將另一表筆分別和另兩個(gè)電極相連。當(dāng)測(cè)得電阻阻值很低時(shí)，表試表筆，而將另一表筆分別和另兩個(gè)電極相連。當(dāng)測(cè)得電阻阻值很低時(shí)，表示兩個(gè)結(jié)均被加上正向電壓，反之，被加上反向電壓。示兩個(gè)結(jié)均被加上正向電壓，反之，被加上反向電壓。 3三極管處于放大狀態(tài)的三極管處于放大狀態(tài)的值，遠(yuǎn)比處于倒置（值，遠(yuǎn)比處于倒置（C、E極互換）狀態(tài)的極互換）狀態(tài)的值大。值大。測(cè)量要點(diǎn)測(cè)量要點(diǎn)(以下對(duì)數(shù)字式萬用表而言，以下對(duì)數(shù)字式萬用表而言，指針式萬用表的電壓極性與之相反指針式萬用表的電壓極性與之相反) 1. 確

35、定基極：確定基極：將紅表筆和黑表筆先后固定到三極管的某條引腿。若將紅表筆和黑表筆先后固定到三極管的某條引腿。若(指指針式表用針式表用1k檔，數(shù)字式表用測(cè)二極管擋檔，數(shù)字式表用測(cè)二極管擋)測(cè)得該腿和另兩條腿之間有低歐測(cè)得該腿和另兩條腿之間有低歐姆電阻，則該引腿即為基極，如果連基極的表筆為黑色，則該管為姆電阻，則該引腿即為基極，如果連基極的表筆為黑色，則該管為PNP管，管，若為紅色，則該管為若為紅色，則該管為NPN管。管。 測(cè)量步驟測(cè)量步驟 2. 確定集電極和發(fā)射極：確定集電極和發(fā)射極：對(duì)對(duì)NPN管，將紅、黑表筆分別和待判別的兩管，將紅、黑表筆分別和待判別的兩個(gè)電極相連接，在紅表筆所連電極和已判明

36、的基極之間接個(gè)電極相連接，在紅表筆所連電極和已判明的基極之間接個(gè)個(gè)10k左右的左右的電阻，意味著加一偏流，觀察電表指示歐姆值的大小，在調(diào)換表筆的兩次電阻，意味著加一偏流，觀察電表指示歐姆值的大小，在調(diào)換表筆的兩次測(cè)量中，加偏流后電表指示歐姆值小，則意味著此種連接情況下的測(cè)量中，加偏流后電表指示歐姆值小，則意味著此種連接情況下的值大，值大，紅表筆所接電極為集電極。紅表筆所接電極為集電極。對(duì)對(duì)PNP管，方法與上述相似，只是偏流電阻接于黑表筆所接電極和已判管，方法與上述相似，只是偏流電阻接于黑表筆所接電極和已判明的基極引腿之間。明的基極引腿之間。一、基本結(jié)構(gòu)一、基本結(jié)構(gòu)陽(yáng)極陽(yáng)極A陰極陰極K門極門極（

37、控制極）（控制極）G結(jié)構(gòu)示意圖結(jié)構(gòu)示意圖符號(hào)符號(hào)二、工作原理二、工作原理(1)A、K之間之間 加反向電壓，門極開路加反向電壓，門極開路J2正偏，正偏， J1、 J3反偏，反偏，V1不導(dǎo)通，晶閘管處于截止?fàn)顟B(tài)不導(dǎo)通，晶閘管處于截止?fàn)顟B(tài)(2)A、K之間之間 加正向電壓，門極開路加正向電壓，門極開路UAKUAKJ1、 J3正偏，正偏， J2反偏，反偏，V1不導(dǎo)通，晶閘管處于截止?fàn)顟B(tài)不導(dǎo)通，晶閘管處于截止?fàn)顟B(tài)IG21IG1IGIB1J1、 J2 、J3均正偏，均正偏， V1 、V2導(dǎo)通導(dǎo)通 如此循環(huán)，形成正反饋，使如此循環(huán)，形成正反饋，使V1、 V2很快達(dá)到飽和導(dǎo)通，此過程時(shí)間很短，只有幾微很快達(dá)到飽

38、和導(dǎo)通，此過程時(shí)間很短，只有幾微秒，晶閘管迅速導(dǎo)通。秒，晶閘管迅速導(dǎo)通。導(dǎo)通后，導(dǎo)通后，A、K間壓降很小，電壓全部加在負(fù)載上。晶閘管中間壓降很小，電壓全部加在負(fù)載上。晶閘管中流過的電流與負(fù)載電流相同。流過的電流與負(fù)載電流相同。UGKIG=IB1V1放大放大IC1=1IB1=1IG= IB2V2放大放大IC2=2IB2=21IG=IB1（3）A、K之間之間 加正向電壓，加正向電壓， G、K之間加正向電壓之間加正向電壓UAK（5）晶閘管的關(guān)斷）晶閘管的關(guān)斷2. 使陽(yáng)極電流使陽(yáng)極電流iA小于維持電流小于維持電流IH，即，即iA IH ，晶閘管將截止。，晶閘管將截止。稱之為稱之為正向阻斷正向阻斷；3.

39、 A、K極之間加反向電壓，令極之間加反向電壓，令uAK 0，晶閘管則處于截止，晶閘管則處于截止?fàn)顟B(tài)，稱之為狀態(tài)，稱之為反向阻斷反向阻斷。（4）控制極的作用）控制極的作用 晶閘管導(dǎo)通后，由于前面正反饋的作用，即使晶閘管導(dǎo)通后，由于前面正反饋的作用，即使UGK0仍能仍能保持繼續(xù)導(dǎo)通，因此，保持繼續(xù)導(dǎo)通，因此，門極僅僅是觸發(fā)晶閘管使其導(dǎo)通，門極僅僅是觸發(fā)晶閘管使其導(dǎo)通，導(dǎo)通之后，門極就失去控制作用。導(dǎo)通之后，門極就失去控制作用。一般門極采用脈沖信一般門極采用脈沖信號(hào)號(hào)觸發(fā)信號(hào)。觸發(fā)信號(hào)。1. 將陽(yáng)極電源斷開；將陽(yáng)極電源斷開；晶閘管導(dǎo)通條件：晶閘管導(dǎo)通條件：1. 陽(yáng)極陽(yáng)極A和陰極和陰極K之間加正向電壓

40、之間加正向電壓2. 控制極控制極G和陰極和陰極K之間加正向電壓之間加正向電壓3. 陽(yáng)極電流大于陽(yáng)極電流大于擎住擎住電流電流可見可見晶閘管是一個(gè)可控的導(dǎo)電開關(guān)；晶閘管是一個(gè)可控的導(dǎo)電開關(guān)；它與二極管相比，不同之處是其它與二極管相比，不同之處是其正向?qū)ㄊ芸刂茦O電流控正向?qū)ㄊ芸刂茦O電流控制。制。晶閘管關(guān)斷條件：晶閘管關(guān)斷條件：1. A、K極之間加反向電壓；極之間加反向電壓；2. iA 0特性特性ABCD正向轉(zhuǎn)折電壓正向轉(zhuǎn)折電壓維持電流維持電流擎住電流擎住電流反向擊穿電壓反向擊穿電壓v四、主要參數(shù)四、主要參數(shù) mmFItdtII0)(sin21在控制極開路、元件額定結(jié)溫、晶閘管正向阻斷的條件下，可

41、以重復(fù)加在控制極開路、元件額定結(jié)溫、晶閘管正向阻斷的條件下，可以重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓在晶閘管兩端的正向峰值電壓(允許每秒重復(fù)允許每秒重復(fù)50次，每次持續(xù)時(shí)間不大于次，每次持續(xù)時(shí)間不大于10ms)，此電壓為正向轉(zhuǎn)折電壓的，此電壓為正向轉(zhuǎn)折電壓的80%。1正向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓正向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UFRM在控制極開路、元件額定結(jié)溫條件下，陽(yáng)極和陰極間允許重復(fù)加的反向在控制極開路、元件額定結(jié)溫條件下，陽(yáng)極和陰極間允許重復(fù)加的反向峰值電壓，此電壓為反向轉(zhuǎn)折電壓的峰值電壓，此電壓為反向轉(zhuǎn)折電壓的80% 。2反向重復(fù)峰值電壓反向重復(fù)峰值電壓URRM3正向平均電流正向平均電流IF在規(guī)定的環(huán)境溫度，

42、標(biāo)準(zhǔn)散熱及全導(dǎo)通的條件下，晶閘管允許連續(xù)通過的在規(guī)定的環(huán)境溫度，標(biāo)準(zhǔn)散熱及全導(dǎo)通的條件下，晶閘管允許連續(xù)通過的工頻正弦半波電流在一個(gè)周期內(nèi)的平均值，稱正向平均電流（又稱額定通態(tài)工頻正弦半波電流在一個(gè)周期內(nèi)的平均值，稱正向平均電流（又稱額定通態(tài)平均電流）。平均電流）。2)()sin(2102mmtItdtII57. 12FtII57. 1/)25 . 1 (tFII電流有效值電流有效值選擇晶閘管的依據(jù)選擇晶閘管的依據(jù)4通態(tài)平均電壓通態(tài)平均電壓UF 在規(guī)定的環(huán)境溫度和控制極開路時(shí)，維持晶閘管繼續(xù)導(dǎo)通的最小電流。當(dāng)晶在規(guī)定的環(huán)境溫度和控制極開路時(shí)，維持晶閘管繼續(xù)導(dǎo)通的最小電流。當(dāng)晶閘管的正向電流小于

43、這個(gè)電流時(shí)，將自動(dòng)關(guān)斷。閘管的正向電流小于這個(gè)電流時(shí)，將自動(dòng)關(guān)斷。 在規(guī)定條件下當(dāng)通過正弦半波額定通態(tài)平均電流時(shí)，元件陽(yáng)極和陰極間在規(guī)定條件下當(dāng)通過正弦半波額定通態(tài)平均電流時(shí)，元件陽(yáng)極和陰極間電壓降的平均值。其數(shù)值一般為電壓降的平均值。其數(shù)值一般為0.61V。5維持電流維持電流IH6擎住電流擎住電流IL 使晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并在去掉觸發(fā)信號(hào)之后，能維持導(dǎo)通所需要的最使晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并在去掉觸發(fā)信號(hào)之后，能維持導(dǎo)通所需要的最小電流。一般小電流。一般IL=(24IH)。7控制極觸發(fā)電壓控制極觸發(fā)電壓UG和觸發(fā)電流和觸發(fā)電流IG。 在規(guī)定的環(huán)境溫度，晶閘管陽(yáng)極與陰極之間加在規(guī)定的環(huán)境溫度，晶閘管陽(yáng)極與陰極之間加6V正向直流電壓的條件正向直流電壓的條件下，使晶閘管由阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)的控制極最小直流電壓和電流，稱下，使晶閘管由阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)的控制極最小直流電壓和電流，稱觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流。觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流。 v目前我國(guó)生產(chǎn)的晶閘管的型號(hào)及其含義如下：目前我國(guó)生產(chǎn)的晶閘管的型號(hào)及其含義如下：KP通態(tài)平均電壓組別（小于通態(tài)平均電壓組別（小于100V不標(biāo)），不標(biāo)），共九級(jí)，用共九級(jí)，用AI表示表示0.41.2V