數(shù)字電子技術(shù)第三套復(fù)習(xí)題

1、數(shù)字電子技術(shù)第三次作業(yè)一、單項選擇題（3分，共 3 題，每小題 1 分）1. 閃存在運行時具有（ ）功能。 A. 讀/無寫 B. 無讀/寫 C. 讀/寫 D. 無讀/無寫2. 一片64k×8存儲容量的只讀存儲器（ROM），有（ ）。 A. 64條地址線和8條數(shù)據(jù)線 B. 64條地址線和16條數(shù)據(jù)線 C. 16條地址線和8條數(shù)據(jù)線 D. 16條地址線和16條數(shù)據(jù)線3. 某模擬信號的上限截止頻率為10MHz，則A/D轉(zhuǎn)換器的采樣頻率應(yīng)為 （ ）。 A. 大于10MHz B. 小于20 MHz C. 1020MHz D. 大于20 MHz二、填空題（12分，共 12 題，每小題 1 分）1

2、. 閃存具有較強的在系統(tǒng) _ 和 _ 能力，掉電時數(shù)據(jù) _ 。2. 動態(tài)隨機存儲器具有 _ 、 _ 和 _ 操作，掉電時數(shù)據(jù) _ 。3. 隨機存取存儲器（RAM）分為 _ 和 _ 。按所用元件的不同，分為 _ 和 _ 型。4. 掩模ROM的存儲單元用半導(dǎo)體元件的 _ 存儲1或0，掉電后，數(shù)據(jù)不丟失，是非易失型存儲器。5. 可編程只讀存儲器是利用疊柵MOS管的浮柵 _ 存儲0或1的。6. 為了保證控制系統(tǒng)的準確性和快速性，DAC和ADC必須有足夠的 _ 和足夠快的 _ 。7. 數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）的輸入是 _ 數(shù)字量，其輸出是與輸入數(shù)字量成比例的電壓或電流（zd）。DAC由 _ 、 _ 、 _

3、、 _ 組成。8. 逐次比較模數(shù)轉(zhuǎn)換器輸出數(shù)字量的 _ 越多，轉(zhuǎn)換時間 _ 。轉(zhuǎn)換器的輸入是取樣保持電路輸出的取樣電壓，保持時間 _ 逐次比較模數(shù)轉(zhuǎn)換器的轉(zhuǎn)換時間。9. 存儲器芯片容量為64K*8位，則該芯片的地址線有 _ 條。10. 按功能，存儲器分為 _ 、 _ 和 _ 。按尋址方式，存儲器分為 _ 和 _ 。11. 按取樣、 _ 、 _ 和編碼4個步驟實現(xiàn)模數(shù)轉(zhuǎn)換。在 _ 電路中完成取樣和保持，實現(xiàn)模擬量的時間離散化。在保持期內(nèi)完成 _ ，實現(xiàn)對模擬量的幅值離散化。12. 模數(shù)轉(zhuǎn)換器的位數(shù)越多，分辨率 _ 。三、判斷改錯題（4分，共 4 題，每小題 1 分）1. 工作時，動態(tài)隨機訪問存儲

4、器（DRAM）可以不進行刷新操作。2. 工作時，隨機訪問存儲器（RAM）能從任何一個隨機地址讀出和寫入數(shù)據(jù)。3. 逐次比較模數(shù)轉(zhuǎn)換器屬于直接型轉(zhuǎn)換器，轉(zhuǎn)換速度較快。4. ROM和RAM中存入的信息在電源斷掉后都不會丟失。 四、簡答題（8分，共 8 題，每小題 1 分）1. 簡述MP3播放器的工作原理。2. 什么是字擴展？有何特點。3. 靜態(tài)RAM和動態(tài)RAM有哪些區(qū)別？4. 閃存是如何寫入數(shù)據(jù)的？5. PROM、EPROM和E2PROM在使用上有哪些優(yōu)缺點？6. RAM和ROM在電路結(jié)構(gòu)和工作原理上有何不同？它們各適用于什么場合？7. 簡述防混濾波器的作用。8. 畫出4字×4位RAM

5、的單地址結(jié)構(gòu)圖。五、問答題（3分，共 3 題，每小題 1 分）1. 某溫度控制電路中，測試的溫度信號經(jīng)變換、放大和防混濾波后，轉(zhuǎn)換為低壓模擬信號，其最大幅值不超過5V，為了將此信號轉(zhuǎn)換成計算機能識別的數(shù)字信號，并要求模擬信號每變化20mV（相當(dāng)于溫度1）能使數(shù)字信號最低位發(fā)生變化，那么應(yīng)選幾位的轉(zhuǎn)換器？若溫度傳感器輸出的信號為（050 mV），放大器的放大倍數(shù)應(yīng)為多大？當(dāng)ADC的輸入信號為1.2V時，輸出端的2進制數(shù)是多少？2. 在選擇取樣-保持電路的外接電容器電容量時應(yīng)考慮哪些因素？3. 掉電時，只讀存儲器的數(shù)據(jù)會丟失嗎？六、計算題（40分，共 8 題，每小題 5 分）1. 畫出由512字&

6、#215;4位RAM構(gòu)成的1024字×4位的存儲體。2. 一個4位R-2R倒T型電阻D/A轉(zhuǎn)換器，當(dāng)輸入數(shù)字量為0001時，對應(yīng)的輸出模擬電壓為0.02V，試計算當(dāng)數(shù)字量為1101時輸出電壓為多少伏？3. 若A/D轉(zhuǎn)換器（包括取樣-保持電路）輸入模擬信號的最高變化頻率為10kHz，試說明取樣頻率的下限是多少。完成一次A/D轉(zhuǎn)換所用時間的上限應(yīng)為多少？4. 某8位ADC輸入電壓范圍為010V，當(dāng)輸入下列電壓值時，轉(zhuǎn)換成多大的2進制數(shù)字量：（1）39.3mV；（2）4.48V；（3）7.81V。5. 一個R-2R倒T型D/A 轉(zhuǎn)換器可分辨0.0025V電壓，其滿刻度輸出電壓為10V，求該

7、轉(zhuǎn)換器至少是多少位。6. 畫出由512字×4位RAM構(gòu)成的1024字×8位的存儲體。7. 試用256×4位的RAM擴展成1024×8位存儲器。8. 權(quán)電阻D/A轉(zhuǎn)換電路如下圖所示，推導(dǎo)出輸出電壓Vo的表達式和當(dāng)前的輸出電壓，并說明輸出電壓的變化范圍。七、分析題（15分，共 1 題，每小題 15 分）二極管ROM電路如下圖所示。已知A1A0取值為00、01、10、11時，地址譯碼器輸出W0W3分別出現(xiàn)高電平。根據(jù)電路結(jié)構(gòu)，說明內(nèi)存單元03中的內(nèi)容是什么？圖中“·”表示如虛線框所示的二極管連接。八、設(shè)計題（15分，共 1 題，每小題 15 分）用4

8、 2 位 RAM 構(gòu)成 8 4 位 RAM，畫出電路圖。答案：一、單項選擇題（3分，共 3 題，每小題 1 分）1. C 2. C 3. D 二、填空題（12分，共 12 題，每小題 1 分）1. 參考答案：讀；寫；不會丟失解題方案：評分標(biāo)準：2. 參考答案：讀；寫；刷新；丟失解題方案：評分標(biāo)準：3. 參考答案：靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）；動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）；雙極型；MOS解題方案：評分標(biāo)準：4. 參考答案：有或無解題方案：評分標(biāo)準：5. 參考答案：有無電荷解題方案：評分標(biāo)準：6. 參考答案：轉(zhuǎn)換精度；轉(zhuǎn)換速度解題方案：評分標(biāo)準：7. 參考答案：二進制；數(shù)碼寄存器；開關(guān)網(wǎng)絡(luò)；解碼網(wǎng)

9、絡(luò)；電壓基準解題方案：評分標(biāo)準：8. 參考答案：位數(shù)；越長；大于解題方案：評分標(biāo)準：9. 參考答案：16解題方案：評分標(biāo)準：10. 參考答案：只讀存儲器；隨機讀寫存儲器；閃存；順序?qū)ぶ反鎯ζ鳎浑S機尋址存儲器解題方案：評分標(biāo)準：11. 參考答案：保持；量化；取樣和保持；量化和編碼解題方案：評分標(biāo)準：12. 參考答案：越高解題方案：評分標(biāo)準：三、判斷改錯題（4分，共 4 題，每小題 1 分）1. 參考答案：錯。如果不進行刷新操作，DRAM的數(shù)據(jù)會丟失。解題方案：評分標(biāo)準：2. 參考答案：對。解題方案：評分標(biāo)準：3. 參考答案：對。解題方案：評分標(biāo)準：4. 參考答案：錯解題方案：評分標(biāo)準：四、簡答題

10、（8分，共 8 題，每小題 1 分）1. 參考答案：MP3播放器可以播放數(shù)字化的音頻文件。音頻文件制造商，錄制音樂并通過模數(shù)轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，按MP3格式對該數(shù)字信號進行數(shù)據(jù)壓縮，形成MP3音頻數(shù)字文件。MP3播放器讀MP3音頻數(shù)字文件，按MP3格式解壓，還原為原始數(shù)字信號，通過數(shù)模轉(zhuǎn)換器還原為模擬音頻信號，驅(qū)動揚聲器或耳機發(fā)聲。解題方案：評分標(biāo)準：2. 參考答案：存儲器的字數(shù)增加、而每字的位數(shù)不變稱為字擴展。字擴展的特點是地址總線位數(shù)增加、數(shù)據(jù)總線的位數(shù)不變。解題方案：評分標(biāo)準：3. 參考答案：靜態(tài)RAM的存儲單元為RS觸發(fā)器，工作時不需刷新，但存儲容量較小。動態(tài)RAM的存儲單元是利用M

11、OS管具有極高的輸入電阻，在柵極電容上可暫存電荷的特點來存儲信息的，由于柵極電容存在漏電，因此，工作時需要周期性地對存儲數(shù)據(jù)進行刷新。解題方案：評分標(biāo)準：4. 參考答案：在閃存中源極受編程電路的控制。讀寫時源極接地；擦除時源極接較高電壓。由于存儲陣列的閃存MOS管的源極全部連接在一起，利用隧道效應(yīng)，可以實現(xiàn)眾多存儲單元的批量擦除。閃存的數(shù)據(jù)改寫同樣遵循先擦除后寫入的原則。通常先批量擦除欲改寫的眾多存儲單元，然后以字為單位寫入數(shù)據(jù)。解題方案：評分標(biāo)準：5. 參考答案：PROM是可編程一次的只讀存儲器。EPROM是可擦除的可編程只讀存儲器（可多次編程），EEPROM是電擦除的可編程只讀存儲器（可多

12、次編程），使用最方便。解題方案：評分標(biāo)準：6. 參考答案：比較如下：（1）ROM（或PROM）的存儲存矩陣中的存儲元件是一般的二極管、三極管或MOS管，它們本身沒有記憶功能。對ROM這些元件只在一定交叉點上才有，取決于存儲的內(nèi)容。而RAM的存儲矩陣中每個交叉點上均有具有記憶功能的存儲元件，如觸發(fā)器或具有電容的MOS管等。（2）ROM的存儲單元中存入數(shù)據(jù)不能更改，只能讀出。而RAM的存儲單元中存入的數(shù)據(jù)不僅可讀出，而且可隨時更改，即寫入新的數(shù)據(jù)。（3）ROM和RAM的地址譯碼器相同，都是N取一譯碼器。（4）ROM的讀出電路是單向總線，即單向三態(tài)緩沖器。RAM的I/O電路是雙向總線，即雙向三態(tài)緩沖

13、器。（5）ROM存儲的信息是永久的，RAM存儲的信息是暫時的，機器失電，信息立即消失。對利用電容存儲的動態(tài)RAM還要定時進行刷新。解題方案：評分標(biāo)準：7. 參考答案：消除取樣信號的頻譜混疊，保證滿足取樣定理的條件。解題方案：評分標(biāo)準：8. 參考答案：4字×4位RAM單地址結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)框圖如下圖所示。 解題方案：評分標(biāo)準：五、問答題（3分，共 3 題，每小題 1 分）1. 參考答案： ，則n=8，應(yīng)選8位的轉(zhuǎn)換器。放大倍數(shù)應(yīng)為100。當(dāng)ADC的輸入信號為1.2V時，輸出端的2進制數(shù)是00111101。解題方案：評分標(biāo)準：2. 參考答案：采樣-保持電路的外接電容器的容量大小取決于采樣頻率及充電回路電阻值，采樣頻率越高，回路電阻越大，電容量應(yīng)越小。解題方案：評分標(biāo)準：3. 參考答案：不會丟失數(shù)據(jù)。解題方案：評分標(biāo)準：六、計算題（40分，共 8 題，每小題 5 分）1. 參考答案：電路如圖所示。 解題方案：評分標(biāo)準：2. 參考答案：當(dāng)數(shù)字量為1101時，輸出電壓為0.26V。解題方案：評分標(biāo)準：3. 參考答案：取樣頻率的下限：完成一次A/D轉(zhuǎn)換所用時間的上限解題方案：評分標(biāo)準：4. 參考答案：（1）00000001；（2）01110010；（3）11000111。解題方案：評分標(biāo)準：5. 參考答案：由題中條件可知： 解題方案：評