第十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇

1、第十二屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇12th China International Forum on Solid State Lighting(SSLCHINA 2015)2015年11月2-4日深圳 · 深圳會(huì)展中心征 文 通 知中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇是“SSL”系列論壇在中國(guó)地區(qū)的年度盛會(huì)，已經(jīng)成功舉辦了十一屆。第十二屆論壇將于2015年11月2-4日在深圳會(huì)展中心舉行，論壇全面覆蓋行業(yè)工藝裝備、原材料，技術(shù)、產(chǎn)品與應(yīng)用的創(chuàng)新發(fā)展，提供全球范圍的全產(chǎn)業(yè)鏈合作平臺(tái)，致力于拓展業(yè)界所關(guān)注的目標(biāo)市場(chǎng)，結(jié)合產(chǎn)學(xué)研的學(xué)者與專家，以專業(yè)精神恒久締造企業(yè)的商業(yè)價(jià)值！

2、征文重點(diǎn)內(nèi)容1. 材料與裝備技術(shù)- 新型外延材料和襯底- 高內(nèi)量子效率外延技術(shù)- MOCVD和其它有關(guān)LED的制造設(shè)備- 封裝與相關(guān)測(cè)試設(shè)備- 納米材料，量子點(diǎn)，石墨烯，等。- LED設(shè)備的創(chuàng)新性材料- 工藝控制及成本管理2. 芯片、器件、封裝與模組技術(shù)- LED芯片制造技術(shù)新進(jìn)展- 注重最終應(yīng)用的LED芯片與模組光源技術(shù)- LED封裝材料的新發(fā)展- 最新內(nèi)部互聯(lián)技術(shù)- 熒光粉涂敷新技術(shù)- 透鏡設(shè)計(jì)與模塊- 晶圓級(jí)封裝技術(shù)- 多芯片封裝及模塊的設(shè)計(jì)與優(yōu)化- 用于大規(guī)模生產(chǎn)的先進(jìn)封裝技術(shù)- 新一代LED光源、光引擎3 可靠性與熱管理- 新型散熱材料- 熱管理技術(shù)- LED照明系統(tǒng)可靠性研究及設(shè)計(jì)

3、- 故障數(shù)據(jù)與失效分析- 壽命加速老化測(cè)試和預(yù)測(cè)方法- 失效模式與仿真模擬4.驅(qū)動(dòng)、智能與控制技術(shù)- 電源管理與高能效驅(qū)動(dòng)方案- 新型驅(qū)動(dòng)電路與集成IC- LED調(diào)光及調(diào)色溫技術(shù)- 照明產(chǎn)品控制解決方案- 無(wú)線控制（Zigbee, Bluetooth, Wifi等）- 功能集成與智能照明- 新型互聯(lián)技術(shù)- 智能LED照明系統(tǒng)與傳感技術(shù)5.照明設(shè)計(jì)與應(yīng)用- LED燈具的光學(xué)設(shè)計(jì)- 機(jī)械結(jié)構(gòu)與系統(tǒng)熱處理- 多參數(shù)物理建模與模擬- 系統(tǒng)可測(cè)性設(shè)計(jì)- 建筑系統(tǒng)與照明環(huán)境- 可持續(xù)、循環(huán)和反復(fù)裝配的綠色設(shè)計(jì)- 照明設(shè)計(jì)理念及方法創(chuàng)新- 照明設(shè)計(jì)中采用的新技術(shù)及工藝- 照明設(shè)計(jì)軟件- 照明工程電氣及控制問(wèn)

4、題分析 - 照明設(shè)計(jì)中高效節(jié)能環(huán)保措施- 照明工程典型案例6. 超越照明及其創(chuàng)新應(yīng)用- 車用LED照明- 手機(jī)閃光燈用LED技術(shù)- 紫外或紅外LED及應(yīng)用- LED照明應(yīng)用的視覺(jué)研究（健康照明）- LED在舞臺(tái)方面的應(yīng)用- LED農(nóng)業(yè)養(yǎng)殖照明- LED醫(yī)療保健照明及應(yīng)用- LED可見(jiàn)光通訊（LiFi等）- 物聯(lián)網(wǎng)7. 顯示與OLED照明- LED顯示屏應(yīng)用新技術(shù)- 大屏幕LCD顯示用LED背光技術(shù)- 投影用LED技術(shù)- 醫(yī)用顯像- 高效OLEDs材料- 高效穩(wěn)定的OLEDs器件工程- 白光OLEDs及相關(guān)高效照明技術(shù)- 應(yīng)用于OLEDs顯示和照明中先進(jìn)涂布技術(shù)- OLEDs在高端顯示中的應(yīng)用-

5、 OLEDs在照明中的應(yīng)用8. 第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用- 功率電子器件，封裝及其應(yīng)用（電力電子器件，微波功率器件等）- GaN基激光器及其應(yīng)用- GaN基UV-LED，探測(cè)器及其應(yīng)用- SiC基器件及其應(yīng)用- 寬禁帶稀磁半導(dǎo)體與自旋電子學(xué)- 其他寬帶系半導(dǎo)體材料（如金剛石、石墨烯等）第 3 共 3 頁(yè)征文流程1. 作者提交論文擴(kuò)展摘要（Extended Abstract）。2. 通知作者投稿錄用方式：口頭報(bào)告、POSTER與入刊會(huì)議論文集等。3. 作者依據(jù)組委會(huì)的錄用通知準(zhǔn)備材料：1) 口頭報(bào)告：作者需準(zhǔn)備論文與演示文件（PPT/PDF）；2) POSTER：作者需準(zhǔn)備論文與POSTER文件（

6、組委會(huì)將對(duì)POSTER進(jìn)行編號(hào)并告知作者。作者攜帶制作好的POSTER至?xí)h舉辦地點(diǎn)并按照編號(hào)在POSTER展示區(qū)域自行張貼）3) 入刊會(huì)議論文集：作者需準(zhǔn)備論文。作者需要根據(jù)論文模板準(zhǔn)備論文全文。注：論壇官方網(wǎng)站（）提供模板下載，請(qǐng)作者務(wù)必按照相應(yīng)模板和時(shí)間要求準(zhǔn)備材料，以便順利通過(guò)論文審核。注：一些優(yōu)質(zhì)論文，會(huì)被遴選在具有EI等級(jí)的IEEE Xplore Digital Library發(fā)表。征文要求1. 論文基本要求尚未在國(guó)內(nèi)外公開(kāi)刊物或其他學(xué)術(shù)會(huì)議上發(fā)表過(guò)的有關(guān)論文，主題突出，內(nèi)容層次分明，數(shù)據(jù)準(zhǔn)確，論述嚴(yán)謹(jǐn)，結(jié)論明確，采用法定計(jì)量單位。2. 提交摘要投稿者需按照組委會(huì)提供的模板編寫(xiě)擴(kuò)展摘要。3. 格式格式要求為WORD，內(nèi)容不超過(guò)4頁(yè)。4. 摘要、POSTER及論文語(yǔ)言上述“征文重點(diǎn)內(nèi)容”中：1) 作者須提交文體規(guī)范的英文摘要/POSTER/論文；2) 演講語(yǔ)言可以使用中文或英文，但必須用英文演示（PPT或PDF文檔）。注：含有商業(yè)性宣傳內(nèi)容的論文，不予安排在論壇演講。重要期限及提交方式1. 論文摘要提交截止日期：2015年8月24日 2. 論文摘要錄用通知：2015年9月7日3. 論文全文提交截止日期：2015年9月20日4. 論文全文錄用通知：2015年10月10日5. 口頭報(bào)告演示文件