流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器的高精度、低功耗采樣保持電路flip-around結(jié)構(gòu)采樣保持電路流_第1頁
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文檔簡介

1、流水線模數(shù)轉(zhuǎn)換器的高精度、低功耗采樣保持電路,flip-around結(jié)構(gòu),采樣保持電路,流    引言采樣保持電路(S/H)是數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)尤其是模數(shù)轉(zhuǎn)換器(A/D)的一個重要組成部分。近幾十年來無線通訊的迅速發(fā)展,使得數(shù)據(jù)的傳輸速率越來越快。復雜度不斷提高的調(diào)制系統(tǒng)和電路使得模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的采樣頻率達到射頻的數(shù)量級,與此同時,模數(shù)轉(zhuǎn)換器的精度也超過12位以上。在這種高速度和高精度的要求下,采樣保持電路的作用就越發(fā)顯得重要,因為它可以消除模數(shù)轉(zhuǎn)換器前端采樣級的大部分動態(tài)錯誤。傳統(tǒng)的開環(huán)采樣保持電路只能達到8引言采樣保持電路(S/H)是數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)尤其

2、是模數(shù)轉(zhuǎn)換器(A/D)的一個重要組成部分。近幾十年來無線通訊的迅速發(fā)展,使得數(shù)據(jù)的傳輸速率越來越快。復雜度不斷提高的調(diào)制系統(tǒng)和電路使得模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的采樣頻率達到射頻的數(shù)量級,與此同時,模數(shù)轉(zhuǎn)換器的精度也超過12位以上。在這種高速度和高精度的要求下,采樣保持電路的作用就越發(fā)顯得重要,因為它可以消除模數(shù)轉(zhuǎn)換器前端采樣級的大部分動態(tài)錯誤。傳統(tǒng)的開環(huán)采樣保持電路只能達到810位的精度,主要由于開關(guān)的非理想特性,諸如電荷注入、時鐘饋通、開關(guān)的非線性電阻等。另一方面,高精度的閉環(huán)采樣保持電路又受限于運算放大器的性能。無線通訊系統(tǒng)十分重視降低功耗,流水線A/D通常是無線通訊器件中的一部分,因此在設(shè)計

3、的時候也將功耗作為一個重要的考慮因素。本文設(shè)計了一個用于14位20MHz流水線A/D的采樣保持電路,通過采用flip-around結(jié)構(gòu)來降低功耗。同時為了抑制傳統(tǒng)開關(guān)的一些非理想特性,采取自舉開關(guān)來降低信號失真,從而提高整個系統(tǒng)的信噪比。通過采用增益增強技術(shù),實現(xiàn)了高增益低功耗運算放大器。通過這些措施,在較低功耗的情況下仍然獲得了 14位的精度。本文主要分以下幾部分:介紹采樣保持電路的結(jié)構(gòu);詳細介紹運算放大器的設(shè)計;描述自舉開關(guān)的實現(xiàn);最后給出電路的仿真結(jié)果和結(jié)論。采樣保持電路的結(jié)構(gòu)采樣保持電路的要求主要是在較低功耗的情況下能采樣大帶寬、高頻率輸入信號,并且在驅(qū)動較大負載的情況下實現(xiàn)盡可能小的

4、失真。閉環(huán)轉(zhuǎn)換電容采樣保持電路通常有兩種結(jié)構(gòu),如圖1和圖2所示。圖1所示的結(jié)構(gòu)稱之為電荷傳輸采樣保持電路(charge-transferringS/H)。在采樣階段,將輸入信號存儲在采樣電容CS上,并且在保持階段,僅將差分電荷轉(zhuǎn)移到反饋電容Cf上。因為共模電荷存儲在采樣電容CS上,所以這種結(jié)構(gòu)的采樣保持電路可以處理共模范圍較大的輸入信號。圖2所示的結(jié)構(gòu)稱之為翻轉(zhuǎn)(flip-around)采樣保持電路。在采樣階段,將輸入信號存儲在采樣電容C上,而在保持階段,將采樣電容C翻轉(zhuǎn)到輸出端。因此,理想的反饋因子,第一種結(jié)構(gòu)為0.5,而后一種在忽略輸入管的寄生電容情況下為1,后者的反饋因子是前者的兩倍。因

5、此在同樣的閉環(huán)帶寬要求下,后者的放大器單位增益帶寬(GBW)只需要前者的一半,這就大大地降低了放大器的功耗。而采樣保持電路的功耗主要來自于內(nèi)部運算放大器的功耗。對于A/D而言,采樣保持電路的輸入噪聲直接影響到A/D的輸入?yún)⒖荚肼?。因此要盡量減小由采樣保持電路引入的噪聲。在采樣階段,忽略晶體管的寄生電容,則電荷傳輸采樣保持電路的輸入?yún)⒖荚肼暪β蕿閂2n=(2T)/C。而翻轉(zhuǎn)采樣保持電路的輸入?yún)⒖荚肼暪β蕿閂2n=T/C。后者的噪聲比前者降低了一半。在保持階段,假設(shè)放大器的噪聲主要由輸入晶體管的熱噪聲決定,則輸入?yún)⒖荚肼暪β士梢杂霉奖硎荆篤2n=(8T)P3CL (1)(1)式表明翻轉(zhuǎn)采樣保持電

6、路由于較高的反饋因子使得噪聲功率僅為電荷傳輸采樣保持電路的1/2。由于在減小噪聲和降低功耗方面的優(yōu)勢,采用翻轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)作為采樣保持電路結(jié)構(gòu)。但需要指出的是,由于輸入晶體管寄生電容的影響,使得反饋因子小于理想值1,所以在噪聲和功率方面的改進可能會小于上面的理想值。另外,如果輸入信號的共模電壓V sig-cm不等于采樣保持電路中運算放大器的輸出共模電壓V out-cm,則在維持階段,由于運算放大器的共模反饋電路使得輸出的共模電壓穩(wěn)定在V out-cm,因此運算放大器的輸入共模電壓會有一個階躍變化V in-cm=V out-cm-V sig-cm。因此為了滿足各種共模信號的要求,則該運算放大器要求較大的

7、輸入共模范圍。運算放大器的設(shè)計由于噪聲和功率方面的優(yōu)勢,采用翻轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)作為采樣保持電路的結(jié)構(gòu),同時采用折疊式共源共柵放大器來實現(xiàn)大輸入共模范圍的要求。采用PMOS管作為輸入管,這樣就可以使第二個極點推到較高的位置。因為,第二個極點的位置為折疊點。而NMOS折疊管的寄生電容比PMOS折疊管的寄生電容小的多。除此之外,PMOS管還可以采用自襯底工藝,從而大大減小由于工藝產(chǎn)生的偏差。唯一的缺點是PMOS輸入管有較大的寄生電容,從而減小翻轉(zhuǎn)結(jié)構(gòu)在功率和噪聲方面的改進。另外由于該采樣保持電路運用于14位20MHz流水線A/D,則要求該放大器的直流增益必須大于93dB,輸出在25ns的建立時間內(nèi)穩(wěn)定在最終值

8、0.003%。對于單極點放大器,建立時間又可以轉(zhuǎn)化為對GBW的要求。因此為了實現(xiàn)近似單極點放大器,則要求放大器必須為一級結(jié)構(gòu)。而為了實現(xiàn)如此高的直流增益,則必須采用增益增強技術(shù),原理示意圖如圖3所示。圖中,由M1、M2和理想電流源構(gòu)成主運放,Aadd為用于增益增強的輔助放大器。采用該技術(shù)后,這個電路的直流增益為:其中,ro1、ro2為M1、M2的輸出電阻,gM1、gM2為M1、M2的跨導。采用該技術(shù)之前,放大器的直流增益為:(2)式和(3)式表明,增益增強技術(shù)可以使放大器的直流增益提高一個數(shù)量級。因此在該放大器的設(shè)計中,采用如圖4所示的帶有A1和A2兩個輔助放大器的增益增強折疊式共源共柵放大器

9、,其中,A1和A2以外的部分為主放大器。為了簡化設(shè)計,輔助放大器也采用折疊式共源共柵結(jié)構(gòu)。因此,輔助方法器和主放大器的偏置電路可采用同一個偏置電路,大大簡化了設(shè)計。而輔助放大器的電流僅為主放大器電流的1/10,因此與套筒式共源共柵放大器相比,整體電路并不會額外增加電流。需要提出的是,主放大器和輔助放大器采用了不同 的共模反饋電路(CMFB)。對于主放大器而言,因為輸出電壓范圍2Vpp,因此在實現(xiàn)較大的輸出擺幅,又不額外增加功耗的要求下,采用開關(guān)電容共模反饋電路。如圖5所示,通過電容C1和C2間的電荷轉(zhuǎn)移調(diào)節(jié)電流源管的柵電壓來改變輸出電流,從而穩(wěn)定輸出共模電壓。對于輔助放大器而言,其輸出擺幅很小

10、,輸出為共柵管的偏置電壓,采用一種簡單的連續(xù)時間共模反饋電路,如圖6所示,其原理是通過調(diào)節(jié)Mcmfb1和Mcmfb2管子的電流來穩(wěn)定輸出共模電壓。自舉開關(guān)開關(guān)是采樣保持電路的一個重要組成部分。它是信號失真,電荷注入和時鐘饋通效應(yīng)主要來源。后兩者可通過采用下極板采樣和全差分電路結(jié)構(gòu)來消除。A/D對信號失真要求很高,因為失真直接影響到A/D的精度。當信號幅度較高時,采樣保持電路的精度和速度就直接受限于失真。而失真的主要原因是開關(guān)導通電阻的非線性。開關(guān)導通電阻不是一個固定值,而是輸入信號的函數(shù)。對于短溝器件的導通電阻為:其中VG,VS,VD和VB分別為晶體管柵、源、漏和襯底電壓。一般,輸入信號電壓連

11、接在源端。假設(shè),VS=VD=VB。通過PMOS管的自襯底技術(shù)使襯底和源短連接在一起,從而消除分母中后半部分平方根中的部分。則開關(guān)的導通電阻RON主要有VG-VS的差值決定,自舉開關(guān)就是通過固定這個差值來實現(xiàn)開關(guān)的線性導通電阻,從而消除信號失真。自舉開關(guān)電路如圖7所示,工作原理是:當CLK為高的時候,自舉開關(guān)屬于關(guān)斷狀態(tài),此時開關(guān)MS的柵通過管子M1連接在VSS。而同時,電容C1兩端電壓差為VDD-VTH,其中VTH為NMOS管的閾值電壓。當CLK為低的時候,自舉開關(guān)屬于導通狀態(tài),此時,M1管關(guān)閉,通過M2管使開關(guān)MS的柵電壓固定為Vin+(VDD-VTH)。其仿真結(jié)果如圖8所示。需要指出的是,圖2中4處有開關(guān),其中S1和S2采用自舉開關(guān),S3采用CMOS傳輸門,S4采用簡單NMOS傳輸門,這樣可以簡化電路并降低功耗。仿真結(jié)果和結(jié)論圖4所示的運算放大器的Hspice的仿真結(jié)果為圖9,在電路負載為15p的情況下,直流增益為104.6

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