2020年(發(fā)展戰(zhàn)略)薄膜太陽能發(fā)展分析

1、（發(fā)展戰(zhàn)略）薄膜太陽能發(fā) 展分析20XX年XX月薄膜太陽能光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析報(bào)告（完整版）目錄一、 引言2二、 薄膜太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢 2（一）薄膜太陽能電池定義2（二）薄膜太陽能電池分類及應(yīng)用3（三）薄膜太陽能光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀2222222225（四）薄膜太陽能光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢2222222227三、薄膜太陽能電池生產(chǎn)廠家概況 22222222222121（一）國外薄膜太陽能電池生產(chǎn)廠家22222222211（二）國內(nèi)薄膜太陽能電池生產(chǎn)廠家222222222202272四、總結(jié) 2222222222222222222222522五、建議 一、引言2004 年德國光伏補(bǔ)貼政府引爆了光

2、伏產(chǎn)業(yè)，光伏產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勢需求造 就了多晶硅原料企業(yè)的超高利潤， 而 2007 年美國 First Solar 的亮麗表 現(xiàn)則帶來了薄膜產(chǎn)業(yè)的新紀(jì)元， 1.3 美元/瓦的低成本， 11% 左右的轉(zhuǎn) 換率，歐洲北美的巨額訂單，不受原料限制的大規(guī)模生產(chǎn)成就了 First Solar 的高利潤，高收入，高可靠的盈利預(yù)期，也促使業(yè)界發(fā)現(xiàn)屬于薄 膜時(shí)代的來臨。在 2007 年和 2008 年間，全球光伏產(chǎn)業(yè)最為火熱的環(huán)節(jié)就是薄膜 領(lǐng)域，不斷有新的項(xiàng)目發(fā)布或者投產(chǎn)，有限的設(shè)備公司訂單已經(jīng)排到 1 年以后，而且新增訂單不斷，除了美國 First Solar, 日本夏普也開始大 規(guī)模投入薄膜領(lǐng)域， 而德國的 Q-C

3、ELL 肖特等也大力投入薄膜事業(yè)， 臺(tái) 灣幾乎瞬間投入了超過 10 個(gè)薄膜項(xiàng)目，國內(nèi)的非晶硅龍頭拓日新能源 順利上市，新澳集團(tuán)高調(diào)介入等等都顯示薄膜正在吸引越來越多的資本 和關(guān)注；薄膜自身的發(fā)電優(yōu)勢和低成本也將會(huì)是下降光伏發(fā)電成本的一 大主要驅(qū)動(dòng)力二、薄膜太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢薄膜太陽能光伏產(chǎn)業(yè)主要由 CdTe （W化鎘）、CIS （銅銦硒）/CIGS （銅銦硒鎵）、硅基薄膜三類電池組成。（一）薄膜太陽能電池定義薄膜太陽能電池， 指在塑膠、 玻璃或是金屬基板上形成可產(chǎn)生光電 效應(yīng)的薄膜。這種薄膜厚度僅需數(shù) m ,在同一受光面積之下可較硅晶圓太陽能 電池大幅減少原料的用量。（二）薄膜太陽

4、能電池分類及應(yīng)用CdTe （碲化鎘）薄膜薄膜層為 CdTe/CdS （碲化鎘）材料的太陽能電池，主要用于光伏 發(fā)電。CIS （銅銦硒）/CIGS （銅銦硒鎵）薄膜CIS（Copper Indium Diselenide） 或 是 CIGS（Copper Indium Gallium Diselenide）, 主要用于光伏發(fā)電。硅基薄膜主要是指薄膜層帶 A-Si 的薄膜電池，根據(jù)設(shè)備的生產(chǎn)工藝可以分為下面的幾種：單結(jié) A-Si a-si UC -Si （非晶/微晶）、雙結(jié)a-siUC-Si非晶 /微晶）、三結(jié)非晶硅等 ,主要用于光伏發(fā)電。GaAs（ 砷化鎵 ）薄膜GaAs Multijuctio

5、n（ 多接面砷化鎵 ）在單晶硅基板上以化學(xué)氣相沉 積法成長 GaAs 薄膜所制成的薄膜太陽能電池。具有30%以上的高轉(zhuǎn)換效率， 很早就被應(yīng)用於人造衛(wèi)星的太陽能電 池板。新一代的GaAs（砷化鎵）多接面（將多層不同材料疊層）太陽能電 池，如 GaAs、Ge 和 GaInP2 三接面電池，可吸收光譜范圍極廣，轉(zhuǎn) 換效率目前已可高達(dá) 39% ，是轉(zhuǎn)換效率最高的太陽能電池種類， 而且性 質(zhì)穩(wěn)定， 壽命也相當(dāng)長。 不過此種太陽能電池的價(jià)格也極為昂貴， 平均 每瓦價(jià)格可高出多晶矽太陽能電池百倍以上， 因此除了太空等特殊用途 之外，預(yù)期并不會(huì)成為商業(yè)生產(chǎn)的主流。色素敏化染料 （Dye-Sensitized

6、Solar Cell） 是太陽能電池中相當(dāng)新穎的技術(shù)產(chǎn)品是由透明導(dǎo)電基板、 二氧化鈦 （TQ2）納米微粒薄膜、染料（光敏化劑）、電解質(zhì)和ITo電極所組成。此種太陽能電池的優(yōu)點(diǎn)在於二氧化鈦和染料的材料成本都相對(duì)便 宜，又可以利用印刷的方法大量制造，基板材料也可更多元化。不過目 前主要缺點(diǎn)： 一是在於轉(zhuǎn)換效率仍然相當(dāng)?shù)?（平均約在 78% ，實(shí)驗(yàn)室產(chǎn) 品可達(dá) 10%） ，且在 UV 照射和高熱下會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重的光劣化現(xiàn)象， 二是 在于封裝過程較為困難 （主要是 因?yàn)槠渲械碾娊赓|(zhì)的影響 ），因此目前仍 然是以實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品為主。然而，基於其低廉成本以及廣泛應(yīng)用層面的吸 引力， 多家實(shí)驗(yàn)機(jī)構(gòu)仍然在積極進(jìn)行技術(shù)

7、的突破。有機(jī)導(dǎo)電高分子 （Organic/polymer solar cells） 有機(jī)導(dǎo)電高分子太陽能電池是直接利用有機(jī)高分子半導(dǎo)體薄膜 （通 常厚度約為 100nm） 作為感光和發(fā)電材料。此種技術(shù)共有兩大優(yōu)點(diǎn)：一在於薄膜制程容易（可用噴墨、浸泡涂布 等方式 ），而且可利用化學(xué)合成技術(shù)改變分子結(jié)構(gòu)，以提升效率，另 一優(yōu)點(diǎn)是采用軟性塑膠作為基板材料， 因此質(zhì)輕，且具有高度的可撓性。目前市面上已經(jīng)有多家公司推出該類產(chǎn)品， 應(yīng)用在可攜式電子產(chǎn)品 如NB、PDA的戶外充電上面，市場領(lǐng)導(dǎo)者是美國Konarka 公司。不過，由于轉(zhuǎn)換效率過低 （約45%） 的最大缺點(diǎn)，因此此種太陽能電池的 未來發(fā)展市場應(yīng)

8、該是結(jié)合電子產(chǎn)品的整合性應(yīng)用， 而非大規(guī)模的太陽能 發(fā)電。InP（ 磷化銦 ）電池薄膜層為lnP（磷化銦）材料的太陽能電池，類似于 GaAS電池,高轉(zhuǎn)換率，高價(jià)格，預(yù)計(jì)很難在發(fā)電市場獲得應(yīng)用，主要是太空應(yīng)用。Poly-Si ( CryStalline Silicon on GlaSS )薄膜德國 Q-CELL 旗下的一個(gè) CSG 公司專注的一種電池，原理就是Crystalline Silicon on Glass （玻璃襯底上直接鍍多晶硅薄膜）。暫時(shí) 沒有投產(chǎn)，主要是光伏發(fā)電用。（三）薄膜太陽能光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀 在目前多晶硅原材料成本居高不下的情況下， 各廠商紛紛轉(zhuǎn)而尋求 技術(shù)創(chuàng)新， 而近期薄

9、膜技術(shù)領(lǐng)域的突破使其成為太陽能電池產(chǎn)業(yè)新的熱 點(diǎn)。2007 年美國 First Solar 以 1.3 美元 /瓦的低成本，11%左右的轉(zhuǎn)換 率，拿下歐洲北美的巨額訂單，不受原料限制的大規(guī)模生產(chǎn)為薄膜產(chǎn)業(yè) 的發(fā)展帶來新的活力。 隨著 First Solar 在薄膜技術(shù)領(lǐng)域的成功， 薄膜技 術(shù)在太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用逐漸升溫。和晶硅太陽能電池相比，薄膜太陽能電池具有以下優(yōu)勢：1、成本優(yōu)勢明顯：多晶硅材料價(jià)格較高，薄膜太陽能電池成本優(yōu) 勢凸現(xiàn)。作為太陽能電池和半導(dǎo)體的重要材料， 多晶硅國際市場價(jià)格一路飆 升，從 2002 年 2008 年上漲了十幾倍，這種利益驅(qū)動(dòng)也促使國內(nèi)多晶 硅項(xiàng)目投資熱漸趨升溫

10、。 然而考慮下游的迅速擴(kuò)張、供需形勢并無根本 性改觀， 2008 年上半年多晶硅供應(yīng)緊張的局面較去年并未得到緩解， 價(jià)格仍維持高位。薄膜太陽能電池較少使用晶體硅材料， 相對(duì)于高昂的晶體硅材料來 說這給其成本控制帶來很大的下降空間。 據(jù)測算即使在 5MW 的生產(chǎn)規(guī) 模下，非晶硅薄膜太陽能電池組件的生產(chǎn)成本也在 2 美元/ 瓦以下，而 單線產(chǎn)能達(dá)到 40MW-60MW 甚至更高的全自動(dòng)化生產(chǎn)線，其產(chǎn)品生 產(chǎn)成本則更低。相對(duì)于平均 3.5 美元 /瓦的國際市場銷售價(jià)格而言，其 利潤空間可見一斑。2、能量返回期短轉(zhuǎn)換效率為 6%的非晶硅太陽能電池，其生產(chǎn)用電約 1.9 度電 /瓦， 由它發(fā)電后返回的時(shí)

11、間約為 1.5-2 年，這是晶硅太陽能電池?zé)o法比擬的。3 、 大面積自動(dòng)化生產(chǎn)目前，世界上最大的非晶硅太陽能電池是 Switzland Unaxis 的 KAI-1200 PECVD 設(shè)備生產(chǎn)的 1100mm*1250mm 單結(jié)晶非晶硅太陽 能電池，起初是效率高于 9% 。其穩(wěn)定輸出功率接近 80W/ 片。商 品 晶 體 硅 太 陽 能 電 池 還 是 以 156mm*156mm 和 125mm*125mm 為主。4 、弱光響應(yīng)好 (充電效率高 ) 上海尤力卡公司曾在中國甘肅省酒泉市安裝一套 6500 瓦非晶硅太 陽能電站，其每千瓦發(fā)電量為 1300KWh ，而晶體硅太陽能電池每千瓦 的年發(fā)電

12、量約為 1100-1200KWh 。5 、技術(shù)突破帶來應(yīng)用新方向：組合建筑，環(huán)保又節(jié)能 薄膜太陽能電池適合與建筑結(jié)合的光伏發(fā)電組件 (BIPV) ：雙層玻璃 封裝剛性的薄膜太陽能電池組件， 可以根據(jù)需要， 制作成不同的透光率， 可以部分代替玻璃幕墻， 而不銹鋼和聚合物襯底的柔性薄膜太陽能電池 適用于建筑屋頂?shù)刃枰煨偷牟糠帧?將薄膜太陽能電池應(yīng)用于城市大量 的既有和待開發(fā)的建筑外立面和屋頂， 避免了現(xiàn)有玻璃幕墻的光污染問 題，能代替建材，同時(shí)發(fā)電又節(jié)能，將成為未來城市利用光伏發(fā)電的主 要方向。當(dāng)然，以目前的技術(shù)水平來說， 在非晶硅薄膜太陽能電池應(yīng)用方面， 還存在一些問題：1、效率低單晶硅太陽能

13、電池，單體效率為 14%-17%(AMO) ，而柔性基體非 晶硅太陽電池組件(約 1000 平方厘米)的效率為 10-12% ，還存在一 定差距。2 、穩(wěn)定性差 其不穩(wěn)定性集中體現(xiàn)在其能量轉(zhuǎn)換效率隨輻照時(shí)間的延長而變化， 直到數(shù)百或數(shù)千小時(shí)后才穩(wěn)定。 這個(gè)問題一定程度上影響了這種低成本 太陽能電池的應(yīng)用。3、相同的輸出電量所需太陽能電池面積增加 與晶體硅電池相比， 每瓦的電池面積會(huì)增加約一倍，在安裝空間和 光照面積有限的情況下限制了它的應(yīng)用廠商紛紛投產(chǎn)，薄膜技術(shù)應(yīng)用漸趨升溫薄膜技術(shù)的進(jìn)步給廠商帶來了新的發(fā)展思路，也正是看到 2007 年 First Solar 在薄膜太陽能電池領(lǐng)域的出色表現(xiàn)，

14、 各廠商紛紛投產(chǎn)進(jìn)軍薄 膜領(lǐng)域。 2005 年 4 月夏普開始正式受理薄膜太陽能電池定單。 2007 年 11 月底建設(shè)新生產(chǎn)線， 并于 2008 年 10 月夏普舉行了供貨儀式， 將 薄膜硅太陽能電池的年生產(chǎn)能力從 15MW 提高到 160MW 。國內(nèi)廠商 如津能、南通、孚日股份、金太陽等廠商已經(jīng)制定投產(chǎn)或擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。（四）薄膜太陽能光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢CdTe （碲化鎘）薄膜、CIS （銅銦硒）/CIGS （銅銦硒鎵）薄膜和 硅基薄膜廣泛用于光伏發(fā)電， 將占據(jù)市場主流，成為薄膜太陽能電池中 的佼佼者。其發(fā)展趨勢分別如下：CdTe 太陽能電池具有技術(shù)成熟、轉(zhuǎn)換效率高、發(fā)電量高、成本低 等優(yōu)勢，在

15、2007 年其全球出貨量約 180MW （僅次于硅基薄膜，在薄 膜領(lǐng)域排名第二），目前 CdTe電池商業(yè)化產(chǎn)品效率已超過12 %。截至 2008 年 1 月， 美國部分企業(yè)實(shí)驗(yàn)室 CdTe 組件的轉(zhuǎn)換率高達(dá) 16.5% ，具體到商業(yè)化生產(chǎn)中，短時(shí)間內(nèi)很難達(dá)到這個(gè)水平。CIGS 在高光電效率低材料成本的好處下 （在實(shí)驗(yàn)室完成的 CIGS 光電池，光電效率最高可達(dá)約 19%，就模塊而言， 最高亦可達(dá)約 13% ）。 面臨三個(gè)主要困難要克服： （ 1 ）制程復(fù)雜，投資成本高； （2）關(guān)鍵原 料的供應(yīng)；（ 3）緩沖層 CdS 潛在毒害。截至 2008 年 2 月，全球 CIS/CIGS 電池的實(shí)驗(yàn)室最

16、高轉(zhuǎn)換率達(dá) 19.5% ，具體到商業(yè)化生產(chǎn)中，短時(shí)間內(nèi)很難達(dá)到這個(gè)水平。截至 2008 年 2 月，全球硅基薄膜組件主要有三種：單結(jié)非晶硅 和雙結(jié)非晶硅組件轉(zhuǎn)換率 5%-8% ，雙結(jié)非晶硅 / 微晶硅組件轉(zhuǎn)換率 8%-10% ，三結(jié)非晶硅組件轉(zhuǎn)換率 8% 左右。不過由于硅基薄膜的基數(shù) 比較大， 就算到 2013 年依然是薄膜中的霸主。 而目前新上的項(xiàng)目主要是單結(jié)非晶硅、雙結(jié)非晶硅和非晶/微晶硅。其中亞太地區(qū)（中國臺(tái)灣 地區(qū)等）主要是單結(jié)、雙結(jié)非晶硅日本地區(qū)主要是非晶/微晶硅。歐洲主要是雙結(jié)非晶硅和非晶/微晶硅。美國三結(jié)非晶硅占據(jù)不錯(cuò)的地位， 同時(shí)其他非晶薄膜也有涉及。從成本的角度來看，非晶/微

17、晶的成本在硅基薄膜中最高，其次就是三結(jié)非晶硅，雙結(jié)非晶硅，成本最低的就是 單結(jié)非晶硅，非晶硅薄膜設(shè)備投資占據(jù)主要成本， 而轉(zhuǎn)換率數(shù)據(jù)除了跟 設(shè)備有關(guān)系外，自己的調(diào)試和開發(fā)能力也有一定的重要性。上述列舉CdTe （碲化鎘）薄膜、CIS （銅銦硒）/CIGS （銅銦硒鎵）薄膜和硅基薄膜各產(chǎn)能、產(chǎn)量及市場份額現(xiàn)狀和趨勢如下表：全球產(chǎn)能：兆2007200820092010201120122013CdTe33050811531865270535553625CIS/CIGS126.5269464591.5721.58801070硅基薄膜43414682090.2680.311937464158全球890.

18、522453707.51376545.81818853CdTe市場份37.0622.6331.1036.3141.3343.4540.95CIS/CIGS 市14.2111.9812.5211.5111.0210.7612.09硅基薄膜市場48.7465.3956.3952.1847.6545.7946.97全球市場份額100.0100.0100.0100.0100.0100.0100.0全球產(chǎn)量：2007200820092010201120122013CdTe1803507211224196027373136CIS/CIGS25 484 5185 5341 5484627 5773硅基薄膜2

19、仃258511041605214426493151全球422.61019.2010.3仃0.45886013.7060CdTe市場份42.5934.3335.8638.6142.7245.5144.42CIS/CIGS 市6.018.299.2310.7710.5510.4310.95硅基薄膜市場51.4057.3854.9150.6246.7344.0544.63全球市場份額100.0100.0100.0100.0100.0100.0100.0目前，國內(nèi)外廠商的紛紛投產(chǎn)促進(jìn)了薄膜電池市場的快速增長，未 來兩年伴隨各廠商投產(chǎn)產(chǎn)能的釋放，薄膜電池市場將穩(wěn)步提升，2010年其市場份額有望達(dá)到15%

20、。薄膜技術(shù)的興起帶動(dòng)了國內(nèi)新一輪太陽能光伏產(chǎn)業(yè)投資熱潮，未來3-5年隨著薄膜技術(shù)的日趨成熟，碲化鎘(CdTe)和ClGS等技術(shù)將會(huì)有新 的突破，卷式(roll-to-roll) 設(shè)備和可印刷銅/銦/鎵/硒(CIGS)墨水等設(shè)備 應(yīng)用的技術(shù)創(chuàng)新也會(huì)取得新進(jìn)展。這將有望進(jìn)一步帶動(dòng)中國太陽能光伏產(chǎn)業(yè)新一輪增長。特別是2008年由于美國應(yīng)用材料，瑞士 OerIikon ,日本ULVAC 等頂級(jí)的設(shè)備廠商大量推出標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備，同時(shí)韓國JUSUng，美國XSUnX等設(shè)備企業(yè)的介入促使全球范圍大規(guī)模生產(chǎn)非晶硅成為可能，另外一些小尺寸的非晶硅設(shè)備企業(yè)(比如中國國內(nèi)的普樂新能源，上海思博露科 技，北京的北儀創(chuàng)新，美

21、國的EPV NanoPV ,香港的華基光電，匈牙利的EnergoSolar ，歐洲的STF等相繼推出低成本的 5兆瓦生產(chǎn)線 也獲得了客戶的青睞，設(shè)備的驅(qū)動(dòng)及大量資本的進(jìn)入促使2007年和2008年稱為非晶硅大規(guī)模應(yīng)用的元年，也因此導(dǎo)致晶硅和非晶硅的格局將會(huì)因此而改變。三、薄膜太陽能電池生產(chǎn)廠家概況（一）國外薄膜太陽能電池生產(chǎn)廠家見下表序號(hào)廠家名稱（國別）產(chǎn)品類型產(chǎn)能及其他1FirSt Solar（美國）CdTe （碲化鎘）2007年產(chǎn)量200MW ,年成長率達(dá)233% ,成為全球第五大太 陽能電池制造商，是全球前十大 太陽能電池制造商中唯專職 從事薄膜技術(shù)者，也是美國最大 的太陽能電池制造商，

22、非晶硅領(lǐng) 域全球最大的電池或者電池板 公司。產(chǎn)能約210兆瓦，產(chǎn)量165兆 瓦截至2007年年底，產(chǎn)品轉(zhuǎn) 換率:2003 年約7%，2006 年 約 9%，2007 年底約 10.5%。2An tec SolarEnergy AG（德國）CdTe （碲化鎘）CDTE（碲化鎘）電池組件產(chǎn)量產(chǎn) 能都是全球第二（僅次于FirStSolar）,非晶硅電池領(lǐng)域全球核心企業(yè)之一。2005年產(chǎn)能10兆瓦,產(chǎn)量7.5 兆瓦；006年產(chǎn)能還是10兆瓦， 產(chǎn)量7.5兆瓦；2007 年產(chǎn)能達(dá) 到25兆瓦，當(dāng)年產(chǎn)量11兆瓦；2008-2010 年產(chǎn)能預(yù)計(jì)還是保持25兆瓦，產(chǎn)量逐步爬升。ARENDl2007 年產(chǎn)能為1

23、5兆瓦，另外3SRLCdTe（碲化鎘）有三個(gè)FirSt Solar的基地總產(chǎn)（意大利）能為250MW。碲化鎘薄膜太陽電池組件全球排CanrOm名第三，非常小規(guī)模的實(shí)驗(yàn)生產(chǎn)4PhOtoVOItaiCdTe（碲化鎘）（1兆瓦產(chǎn)能）。CS （美國）2007年產(chǎn)能達(dá)到5兆瓦，預(yù)計(jì)2009年增加到25兆瓦。CALYXo2005年產(chǎn)能達(dá)到25兆瓦，預(yù)GMBH計(jì)2013年增加到50兆瓦。5(Q-Cell )CdTe（碲化鎘）（德國）PrimeStar全體團(tuán)隊(duì)成員大約30多6SolarCdTe（碲化鎘）人，全部為資深專家，并且研發(fā)(GE Energy )了轉(zhuǎn)換率高達(dá)16.5%的組件，下（美國）步預(yù)計(jì)就是規(guī)模生

24、產(chǎn)，預(yù)計(jì)2008年會(huì)啟動(dòng)20-30 兆瓦的生產(chǎn)線，接著進(jìn)行更多的擴(kuò)產(chǎn)，不過最快預(yù)計(jì)也需要到2009年才能夠投產(chǎn)。7AVA Solar（美國）CdTe （碲化鎘）AVA公司擁有技術(shù)資本市場 豐富的管理層，同時(shí)有一些資本 公司的支持，一期支持了一個(gè)3兆瓦的初產(chǎn)項(xiàng)目（這個(gè)項(xiàng)目于 2007年9月試產(chǎn)，無限接近大 規(guī)模生產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)），同時(shí)在2007 年獲得另外一個(gè)資本公司的投 資，計(jì)劃 2008年年底之前上 200兆瓦的項(xiàng)目。8W rthSolar （德國）CIS （銅銦硒）2006年產(chǎn)能1.4兆瓦，2007 年產(chǎn)能14.8 兆瓦，2008年產(chǎn)能25兆瓦。9HOn daSoltec（日本）ClGS（銅銦硒

25、鎵）日本最大的 CIGS電池組件公 司，也是全球主要的 CIGS公司 之一。2007年6月投產(chǎn)后的產(chǎn)能是27.5兆瓦，暫時(shí)沒有看到官方的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。10GlobalSolar （美國）ClGS（銅銦硒鎵）CIGS領(lǐng)域具有不錯(cuò)的地位，從 目前的轉(zhuǎn)換率來看，也是CIGS領(lǐng)域具有定地位的公司，而且 從業(yè)時(shí)間也是比較長的。 從轉(zhuǎn)換 率來看：德國 W rth Solar11.50%全球CIGS最高， Global Solar 9.8%占據(jù)第二，預(yù)計(jì)2008 年產(chǎn)能從2007 年 的4.2兆瓦提升到40兆瓦， 2009年進(jìn)一。11ShOWaShell Solar（日本）CIS （銅銦硒）日本第二大的 CIG

26、S電池組件 公司，,也是全球主要的 CIGS公 司之一。2007年7月投產(chǎn)一期工廠20兆 瓦產(chǎn)能，同時(shí)開始建設(shè)第二期的 工廠。12Miasol e>（美國）CIGS（銅銦硒鎵）CIGS電池組件組裝，2007年生產(chǎn)的電池全部運(yùn)送中 國組裝，暫時(shí)沒有公告客戶情況，不過預(yù)計(jì)初期試驗(yàn)合作客戶及歐 洲客戶為主。13JOhanna Solar （德國）CIGSSe（銅銦鎵硫硒）是全球首個(gè)CIGSSe電池企 業(yè)。預(yù)計(jì)主要市場是德國市場（超 過80% ）另外會(huì)有20%銷售到 西班牙、意大利等國家或者地 區(qū)。14ASCe ntSola （美國）CIGS（銅銦硒鎵）美國主要 CIGS電池組件企業(yè) 之一。20

27、08年初投產(chǎn)首期1.5兆瓦的產(chǎn)能，同時(shí)建設(shè)二期25兆瓦 的產(chǎn)能，預(yù)計(jì)二期產(chǎn)能在2009 年年底投產(chǎn)。主要銷售市場是美 國和歐洲市場。15ISET（美國）CIGS（銅銦硒鎵）產(chǎn)品實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)換率可以達(dá)到 13.6%，具有一定的技術(shù)實(shí)力， 但沒有公布任何產(chǎn)能及擴(kuò)產(chǎn)計(jì) 戈嘰16Un itedSolarOvon ic（美國）A-Si/A-SiGe/A-SiGe（以摻鍺的三層結(jié)構(gòu)、以可撓式全球最大非晶硅電池生產(chǎn)企業(yè)，只專注于三結(jié)。2007年，以48MW 的產(chǎn)量成為薄膜太陽能電池第二大生產(chǎn)的不銹鋼金屬基 板為主力產(chǎn)品）商，也是硅薄膜技術(shù)的最大生 產(chǎn)商。FY2007宣稱其電池效率最高 可達(dá)13% ,模組效率最咼

28、可達(dá) 8.5%。20050701-20060630財(cái)年收入87.5百萬美兀，利潤8.6百 力美兀，銷量約32兆瓦，二 結(jié)組件均價(jià)約2.73美元/ 瓦 ；2007財(cái) 年（20060701-20070630）太陽能收入98.4百萬美兀，產(chǎn)量40兆。17KanekaSolarteCh（日本）a-Si/a-Poly-Si（雙結(jié)：非晶/非多晶）全球第二大的硅基薄膜電池或 者電池板提供商。2007年以48MW的產(chǎn)量成為薄膜太陽能電池第二大生產(chǎn)商。主力銷售產(chǎn)品是玻璃基板的單層a-Si的太陽能電池/模組，模 組效率已可達(dá)8%。2005年電池產(chǎn)能 23兆瓦，2006年電池產(chǎn)能約 30兆瓦，2010年產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)到1

29、30兆瓦產(chǎn)量90兆瓦。18SharP Thi nFiIm（日本）a- Si/ -Sia-Si GaAS（三結(jié)：非晶/ 微晶/非晶砷化 鎵）目前仍多以量產(chǎn)單層a-Si產(chǎn)品為主，其薄膜主力產(chǎn)品是為 a-Si/ UC-Si 的堆疊式（tandem） 產(chǎn)品，2007年產(chǎn)量21MW ,為 薄膜太陽能電池丿商第五大，也是前十大薄膜太陽能電池廠商 中唯一商業(yè)化量產(chǎn)銷售a-Si/ C-Si堆疊式產(chǎn)品的廠商。2007年年底之前薄膜產(chǎn)能 15兆瓦，其中a-Si/ Si （雙 結(jié)）12兆瓦,GaAs 3兆瓦,2008 年夏普打算投資220億日本將 薄膜產(chǎn)能提升到160兆瓦（截至 2008 年10月），并且爭取 20

30、10年將薄膜產(chǎn)能提升到 1000兆瓦（2010 年3月開始 投產(chǎn)）。SHARP現(xiàn)在與 TEL（合資 成立設(shè)備開發(fā)公司“東京 ELECTRON PV ”）進(jìn)行大型玻璃基板的生產(chǎn)設(shè)備的開發(fā)，目前以 開發(fā) TriPIe JUnction用的PECVD為主，使用的玻璃基板 尺吋為 1.0mX1.4m。19MHI（MitSu bishi HeaVy In dustries）（日本）a-Si / -Si（雙結(jié)：非晶/微晶）2002 年單結(jié)10兆瓦，2007年擴(kuò)產(chǎn)非晶/微晶疊層40兆瓦;20BangkokSolar（泰國）a-Si Tan dem（疊層非晶）a-Si Tandem薄膜電池全球主 流企業(yè)之一。

31、2007年產(chǎn)能達(dá)到 50兆瓦， 是產(chǎn)能最大的幾個(gè)全球性企業(yè) 之一。同時(shí)也是泰國唯一一個(gè)太 陽能電池企業(yè)。21SanyOAmOrt on（日本）a-Si Si ngle（非單晶）三洋從1980年即開展這項(xiàng) 業(yè)務(wù)，是產(chǎn)品種類最為齊全的企 業(yè)，由于這些產(chǎn)品的用量非常少， 所以三洋 Amorto n 直保持 5兆瓦不動(dòng)。22SChOttSolar ThinFiIm （德國）a- Si/ -Si（非晶/微晶）首期一條非晶/微晶生產(chǎn)線33 兆瓦，預(yù)計(jì)2010年遞增一條 線達(dá)到66兆瓦。23EPV Solar（美國）a-Si Tan dem（疊層非晶）2007年產(chǎn)能為 13.25兆 瓦，2007年6月融資

32、77.5 百萬美兀準(zhǔn)備在數(shù)年內(nèi)遞增85 兆瓦產(chǎn)能的太陽能企業(yè)。首期25兆瓦的產(chǎn)能計(jì)劃2008年達(dá)到85兆瓦的產(chǎn)能，屆時(shí)總產(chǎn) 能達(dá)到100兆瓦。24CSG Solar（德國）Poly-Si（玻璃襯底上直接鍍多晶硅薄膜）全球唯個(gè) Poly-Si（Crystalli neSilic ononGlass）薄膜組生產(chǎn)企業(yè)。組件轉(zhuǎn) 換率為7%左右。2005年開始 建設(shè)，2006年投產(chǎn)10兆瓦產(chǎn) 能，2007年投產(chǎn)20兆瓦產(chǎn)。25富士電機(jī)（日本）A-Si/A-SiGe（滲鍺雙層非晶）A-Si/A-SiGe電池組件轉(zhuǎn)換率8%左右，屬于薄膜領(lǐng)域?qū)?注的企業(yè)塑料襯底（PIaStiC film ）的雙結(jié)非晶硅太陽電

33、池， 穩(wěn)定效率 8 % . 2007 年產(chǎn)能 12 兆瓦，2008年10月達(dá)到 40兆瓦。26ErSol Th inFiImA-SiSingle,a- Si/ -Si2007 年年底 A-Si SingIe 薄膜40兆瓦產(chǎn)能，全球主要的大（德國）（非單晶，非晶/微晶）型公司之一。27MOSer BaerPhotoVoltaic（印度）a- Si Single（非單晶）首期40MW （另追加 565MW 實(shí)際投資金額約15億美元）， 預(yù)計(jì)2008年下半年投產(chǎn)。（二）國內(nèi)薄膜太陽能電池生產(chǎn)廠家序號(hào)廠家名稱（地區(qū)）產(chǎn)品類別產(chǎn)能及其他1拓日新能源（深圳）a- Si Tandem（疊層非晶）同時(shí)生產(chǎn)銷售

34、單晶硅、多晶硅、 非晶硅電池；2005年非晶硅電池產(chǎn)量 4.6 兆瓦（產(chǎn)能6兆瓦），；而2006 年非晶硅電池產(chǎn)量 8.73兆瓦（產(chǎn)能10兆瓦），2007年保持非 晶硅產(chǎn)能10兆瓦，產(chǎn)量預(yù)計(jì) 9.5兆瓦。國內(nèi)最大的非晶硅企 業(yè)之一。2北京世華（北京）a-Si Tan dem（疊層非晶）2003年成立并宣布進(jìn)行非晶硅太陽能生產(chǎn)線的建設(shè)，設(shè)計(jì)產(chǎn)能為10兆瓦，暫時(shí)沒有任何生產(chǎn)線投產(chǎn)。3中國建材國際工程（蚌埠）a- Si Tandem（疊層非晶）09年擬定兩年內(nèi)計(jì)劃上100MW的薄膜太陽能電池。4大豐能源科技（臺(tái)灣竹南）a- Si Tandem（疊層非晶）臺(tái)灣第一家生產(chǎn)太陽能非晶硅 電池的企業(yè)，同時(shí)也

35、是目前臺(tái)灣 地區(qū)薄膜電池最大的生產(chǎn)企業(yè)。 2006年及以前的產(chǎn)能是 3兆 瓦，2007 年產(chǎn)能18兆瓦。5天津津能（天津）A-Si Tan dem（疊層非晶）2006年非晶硅電池的產(chǎn)量 2.5 兆瓦，國內(nèi)非晶硅領(lǐng)域排名靠前，2007年產(chǎn)量5兆瓦，國內(nèi)薄 膜僅次于深圳拓日。6普樂新能源（安徽蚌埠）a- Si Single,Tan dem（疊層非單晶）截止2007年11月，大面積 已經(jīng)做到45W ,大面積的初始 效率在6%左右，穩(wěn)定效率5.7%。7深圳創(chuàng)益（深圳）A-Si Si ngle（疊層非晶）2006 年 A-Si Single 單結(jié)非晶硅電池產(chǎn)量 2.5兆瓦，非晶 硅領(lǐng)域前5名 ；A-Si

36、 Single 電池轉(zhuǎn)換率應(yīng)該在 5.0%左右。規(guī)劃從 2006 年到2010 年，分二期建成擁有年產(chǎn)100至150兆瓦。8深圳日月環(huán)（深圳）A- Si Single（疊層非單晶）預(yù)計(jì)沒有電池組件或者電池方 面的產(chǎn)品，主要提供一些下游產(chǎn) 品。9黑龍江哈克（哈爾濱）A- Si Single（疊層非單晶）單結(jié)非晶硅轉(zhuǎn)換率應(yīng)該是5%以內(nèi)。主要國內(nèi)銷售。預(yù)計(jì)銷售額在500萬元人民幣以內(nèi)。10新奧集團(tuán)（河北廊坊）a-Si Tan dem（疊層非晶）到2010年年產(chǎn)非晶硅薄膜 太陽能電池 500MW ,首期50 兆瓦，雙結(jié)非晶硅（預(yù)計(jì)轉(zhuǎn)換率 6%左右）。11無錫尚德（上海）a-Si / -Si（非晶/微晶

37、）2008年年底開始投產(chǎn)（產(chǎn)能40兆瓦）,2009年遞增產(chǎn)能 到50兆瓦，剛開始的轉(zhuǎn)換率 6%左右，米用非晶/微晶雙結(jié)。12綠能科技（臺(tái)灣桃園）a-SiSin gle（非單晶）2008年年底30兆瓦，2009年年底50兆瓦。13富陽光電（臺(tái)灣桃園）a-Si Si ngle（非單晶）2008年第二季度20兆瓦； 第三季度40兆瓦，首期2條生產(chǎn)線，每條產(chǎn)能20兆瓦；計(jì)劃2009年新增條達(dá)到 60 兆14宇通光能（臺(tái)灣臺(tái)南）a- Si/ -Si（非晶/微晶）該公司主要以專注研發(fā)轉(zhuǎn)換效率大于8.5%之雙藕合（dual junCtion）非晶/微晶硅薄膜太 陽能電池。預(yù)估完成設(shè)備安裝后初期單 條線的產(chǎn)能

38、為60百萬瓦15威海藍(lán)星泰T屮、厶 土瑞丿光電（威海）a- Si Tandem（疊層非晶）無法參考。16吉富中國投資（山東煙臺(tái)）a- Si Single（非單晶）50MW （2條線）單結(jié)非晶硅（之后再導(dǎo)入微晶硅設(shè)備， 升級(jí)為雙結(jié)非晶硅/微晶硅，產(chǎn)能可增 14MW ,至 64MW ）17聯(lián)相光電（臺(tái)灣臺(tái)中）a- Si Single（非單晶）25MW （1條線）單結(jié)非晶硅（可 以升級(jí)為雙結(jié)非晶硅/微晶硅生 產(chǎn)線32兆瓦），量產(chǎn)時(shí)間2008 年第一季度（3月份）投產(chǎn)。18旭能光電（臺(tái)灣臺(tái)中）a- Si Single（非單晶）25MW （1條線）單結(jié)非晶硅（可以升級(jí)為雙結(jié)非晶硅/微晶硅生產(chǎn)線32兆瓦）

39、，2008年年中（6-8月份）投產(chǎn)19強(qiáng)生光電（南通）a-Si Tan dem（疊層非晶）2008年1月投產(chǎn)（公司網(wǎng)站報(bào)道）產(chǎn)能25兆瓦。20源暢光電（常州）a- Si Tandem（疊層非晶）第一條5兆瓦生產(chǎn)線于 2007 年8月投產(chǎn)，后續(xù)增加到 31 條生產(chǎn)線總計(jì)155兆瓦。21贛能華基新 能源（江西）a- Si Tandem（疊層非晶）從事非晶硅光電薄膜電池 的生產(chǎn)和銷售，投資建設(shè)初期 規(guī)模一條（年產(chǎn)能 5MW ）、 最終規(guī)模十條（年產(chǎn)能 50MW）的非晶硅光電薄膜電 池生產(chǎn)線。22中山銓欣照 明電器 （中山）a-Si Tan dem（疊層非晶）2008年（截止 2008年5月8日已經(jīng)10兆瓦全部投產(chǎn)