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1、浙江大學(xué)2000-1大學(xué)物理(下)試題一、填空題:1一球形導(dǎo)體,帶電量q,置于一任意形狀的空腔導(dǎo)體內(nèi),當(dāng)用導(dǎo)線將兩者連接后,則與連接前相比系統(tǒng)靜電場(chǎng)能將_。(增大、減小、無(wú)法確定)   2一電子沿半徑為5.29×10-11m的圓周運(yùn)動(dòng)作勻速運(yùn)動(dòng),其角速度為=4.16×1016rad/s,則在圓心處的磁場(chǎng)能量密度為_(kāi)。 3在折射率n3=1.60的玻璃片表面鍍一層折射率n2=1.38的MgF2薄膜作為增透膜,為了使波長(zhǎng)為=500nm的光,從折射率n1=1.00的空氣垂直入射到玻璃片上的反射盡可能減少,MgF2薄膜的厚度至少為_(kāi)nm。

2、60;4一束光強(qiáng)為I0的自然光,相繼通過(guò)三個(gè)偏振片P1、P2、P3后,出射光的光強(qiáng)為I=I0/8。已知P1和P3的偏振化方向相互垂直,若以入射光線為軸,旋轉(zhuǎn)P2,要使出射光的光強(qiáng)為零,P2最少要轉(zhuǎn)過(guò)的角度為_(kāi)。 5氫原子光譜的巴爾末系中波長(zhǎng)最大的譜線用1表示,其第二長(zhǎng)的波長(zhǎng)用2表示,則它們的比值為1/2= _。 6已知粒子在一維矩形無(wú)限深勢(shì)阱中運(yùn)動(dòng),其波函數(shù)為:,那么粒子在x =5a/6處出現(xiàn)的概率密度為_(kāi)。 7硫化鉛(PbS)晶體的禁帶寬度為0.3eV,要使這種晶體產(chǎn)生本征光電導(dǎo),則入射到晶體上的光的波長(zhǎng)不能大于_nm。 8已知某靜電場(chǎng)的電勢(shì)函數(shù)U =

3、6x 6x2y 7y2 (SI),由電場(chǎng)與電勢(shì)梯度的關(guān)系式可得點(diǎn)(2,3,0)處的電場(chǎng)強(qiáng)度_。 9如圖所示,有一用均勻?qū)Ь€繞成的閉使長(zhǎng)方形平面線圈ABCD,在頂角B、D處分別用兩根與線圈共面的長(zhǎng)直導(dǎo)線注入電流I,(而且這兩長(zhǎng)直導(dǎo)線在同一直線上),則中心O的磁感應(yīng)強(qiáng)度為_(kāi)。 10一段導(dǎo)線被彎成圓心在O點(diǎn)、半徑為R的三段圓弧ab、bc、ca,它們構(gòu)成了一個(gè)閉合回路,ab位于XOY平面內(nèi),bc和ca分別位于另兩個(gè)坐標(biāo)面中(如圖所示),均勻磁場(chǎng)沿X軸正方向穿過(guò)圓弧bc與坐標(biāo)軸所圍成的平面。設(shè)dB/dt =K (K>0),則閉合回路abca中的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的數(shù)值為_(kāi),圓弧bc中感

4、應(yīng)電流的方向是_。 11載有恒定電流I長(zhǎng)直導(dǎo)線旁邊有一半圓環(huán)導(dǎo)線cd,半圓環(huán)半徑為b,環(huán)面與直導(dǎo)線垂直,且半圓環(huán)兩端點(diǎn)連線的延長(zhǎng)線與直導(dǎo)線相交,如圖所示。當(dāng)半圓環(huán)以速度沿平行于長(zhǎng)直導(dǎo)線的方向平移時(shí),半圓環(huán)上的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小是_。 12反映電磁場(chǎng)基本性質(zhì)和規(guī)律麥克斯韋方程組的積分形式為:試判斷下列結(jié)論是包含或等效于哪一個(gè)麥克斯韋方程式的,將你確定的方程式用代號(hào)填在相應(yīng)結(jié)論后的空白處。(1)變化的磁場(chǎng)一定伴隨有電場(chǎng)_;(2)磁感應(yīng)線是無(wú)頭無(wú)尾的_;(3)電荷總伴隨有電場(chǎng)_。 13以波長(zhǎng)為=0.207m紫外光照射金屬鈀表面產(chǎn)生光電效應(yīng),已知鈀的紅限頻率v0=1.21&

5、#215;1015Hz,則其遏止電壓|=_。 14電子顯微鏡中的電子從靜止開(kāi)始通過(guò)電勢(shì)差為的靜電場(chǎng)加速后,其德布羅意波長(zhǎng)是0.03nm,則為_(kāi)。(不計(jì)相對(duì)論效應(yīng)) 15在下列各組量子數(shù)的空格上,填上適當(dāng)?shù)臄?shù)值,以便使它們可以描述原子中電子的狀態(tài):()n=2,_,ml=-1,ms=-1/2;()n=2,l=0,ml=_,ms=-1/2;()n=2,l=1,ml=0,ms=_。 16根據(jù)泡利不相容原理,在主量子數(shù)的電子殼層上最多可能有的電子數(shù)為_(kāi)個(gè)。 17一透射光柵正好能在一級(jí)光譜中分辨鈉雙線(589.6nm和589.0nm),則此光柵的透光縫數(shù)為_(kāi)條。&#

6、160;二、計(jì)算題:1一導(dǎo)體球帶電荷Q,球外同心地有兩層同性均勻電介質(zhì)球殼,相對(duì)介電常數(shù)分別為r1和r2,分界面處半徑為R,如圖所示。求兩層介質(zhì)分界面上的極化電荷面密度。     2如圖所示,將半徑分別為R1=5cm和R2=10cm的兩個(gè)很長(zhǎng)的共軸金屬圓筒分別連接到直流電源的兩極上。今使一電子以速度v =3×106m/s,沿半徑為r(R1<r< R2)的圓周的切線方向射入兩圓筒間,欲使得電子作圓周運(yùn)動(dòng),電源電壓應(yīng)為多大?rR1R2O     3空氣平行板電容器極板為圓形導(dǎo)體

7、片,半徑為R,放電電流為,忽略邊緣效應(yīng),求極板間與圓形導(dǎo)體片軸線的距離為r(r<R)處的磁感應(yīng)強(qiáng)度。      4如圖所示,真穿中一矩形線圈寬和長(zhǎng)分別為2a和b,通有電流I2,可繞其中心對(duì)稱軸OO轉(zhuǎn)動(dòng)。與軸平行且相距為d+a處有一固定不動(dòng)的長(zhǎng)直電流I1,開(kāi)始時(shí)矩形線圈與長(zhǎng)直電流在同一平面內(nèi),求:(1)在圖示位時(shí),I1產(chǎn)生的磁場(chǎng)通過(guò)線圈平面的磁通量;(2)線圈與直線電流間的互相感系數(shù);(3)保持I2不變,使線圈繞OO軸轉(zhuǎn)過(guò)90°要做多少功?I1dI2OObaa     &

8、#160; 5在雙縫干涉實(shí)驗(yàn)中,波長(zhǎng)=550nm的單色平行光垂直入射到間距a=2×10-4m的雙縫上,屏到雙縫的距離D=2m,求:(1)中央明紋兩側(cè)的兩條第10級(jí)明紋中心的間距;(2)用一厚度為e=6.6×10-6m、折射率為n=1.58的玻璃片覆蓋一縫后,零級(jí)明紋將移到原來(lái)的第幾級(jí)明紋處?     6在單色光垂直入射的雙縫夫瑯禾費(fèi)衍射實(shí)驗(yàn)中,雙縫中心間距為d,每條縫的寬度為a,已知d/a=4。試計(jì)算衍射圖樣中對(duì)應(yīng)于單縫衍射中央明紋區(qū)域內(nèi)干涉明條紋的數(shù)目。  試題答案:一、填空題1 1 

9、; 減少2 2  63×106J/m33 3  90.6nm4 4  45°5 5  27/206 6  1/(2a)7 7  4.14×10-6m8 8  9 9  010從c流至b1112(2)(3)(1)130.99V141677V151,0,±1/21632個(gè)17982條二、計(jì)算題:1由高斯定理得電位移為內(nèi)球殼的電場(chǎng)強(qiáng)度為內(nèi)球殼外表面上的面電荷密度為外球殼的電場(chǎng)強(qiáng)度為外球殼內(nèi)表面上的面電荷密度為2兩金屬圓筒的電場(chǎng)強(qiáng)度為兩金屬圓筒間的電勢(shì)差為電子作圓周運(yùn)動(dòng),必有由上式得

10、3以軸線為圓心,以r為半徑作一圓周C。通過(guò)該圓周的位移電流為再以圓周C為閉合回路,安培環(huán)路定理給出因此方向沿圓周C的切線方向,與電流方向成右手螺旋關(guān)系。4(1)將長(zhǎng)方形分成若干與電流I1平行的細(xì)條,其中一個(gè)細(xì)條的磁通量為求上式的積分,得通過(guò)長(zhǎng)方形線圈的磁通量(2)線圈與直線電流間的互感系數(shù)為或(3)由對(duì)稱性可知,當(dāng)線圈轉(zhuǎn)過(guò)90°后,通過(guò)線圈的磁通量為0。因此,磁力所作的功為5(1)第10級(jí)明紋滿足asin=10或sin=10/a第10級(jí)明紋與中央明紋中心的距離為X10=Dtg=Dsin=10D/a兩條第10級(jí)明紋中心的間距為l =20D/a=0.11m(2)覆蓋玻璃后,零級(jí)明紋應(yīng)滿足(n-1)e + r1 = r2設(shè)未覆蓋玻璃時(shí),這一位置為k級(jí)明紋,則有r2- r1=k=(n-1)e由上式得k =(n-1)e/=7零級(jí)明紋移到原來(lái)的第7級(jí)

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