碩士研究生入學(xué)考試大綱834電子技術(shù)

1、目錄I 考查目標(biāo)2II 考試形式和試卷結(jié)構(gòu) 2III 考查內(nèi)容2IV 題型例如及參考答案 3全國碩士研究生入學(xué)統(tǒng)一考試?電子技術(shù)?考試大綱I考查目標(biāo)?電子技術(shù)?是為我校招收相關(guān)專業(yè)碩士研究生設(shè)置的具有選拔性質(zhì)的考試科目。其目的是科學(xué)、公平、有效地測試考生是否具備必須的根本素質(zhì)、分析問題、解決問題的能力和培養(yǎng)潛質(zhì)，以利于選拔具有開展前途的優(yōu)秀人才入學(xué)，為國家建設(shè)培養(yǎng)、造就高層次、應(yīng)用型、復(fù)合型的電氣專業(yè)人才。 考試要求是測試考生掌握電子技術(shù)課程包括模擬電路和數(shù)字電路的根本概念和根本分析方法的能力，以及應(yīng)用所學(xué)知識解決工程實際問題的能力。II考試形式和試卷結(jié)構(gòu)一、試卷總分值及考試時間試卷總分值為1

2、50分，考試時間180分鐘。二、答題方式閉卷、筆試?？荚囍性试S使用計算器，但不得使用帶有公式和文本存儲功能的計算器。三、試卷內(nèi)容與題型結(jié)構(gòu)單項選擇題1大題，20小題，每題2分，共40分估算與分析題5大題，共69分列表簡答題1大題，共12分判斷題2大題，每大題分別為14分、15分，共29分川 考查內(nèi)容一、模擬電路局部1. 3種組態(tài)的放大電路或阻容耦合多級放大電路均指BJT放大電路的組成及其靜態(tài)靜態(tài)工作點Q Uce,lc、動態(tài)性能指標(biāo)Au Aus、R和Ro的估算。要求：熟練畫出放大電路的直流通道和微變等效電路圖。2. 4種輸入、輸出方式差動放大電路Q點的分析及Ad、Rid、Rod的估算。3. 兩級

3、比例運算電路包括反相輸入、同相輸入和I差動輸入方式、加減法、積分電路 輸出表達式的列寫，以及平衡電阻的求取。4. 用瞬時電位極性法判斷交流反應(yīng)極性及其組態(tài)；深度負反應(yīng)條件下即I1+ AF I >> 1，估算 A。5. 對于RC橋式正弦波振蕩器、變壓器反應(yīng)式LC振蕩器、三點式LC振蕩器、晶振，判斷它們能否振蕩；假設(shè)能，說出其全稱及振蕩頻率fo估算式。二、數(shù)字電路局部1. 熟練掌握TTL與非門、或非門、與或非門、0C門、異或門、同或門和三態(tài)門的邏 輯功能及其應(yīng)用；正確理解 CMOS門電路邏輯功能包括 CMOS反相器、CMOS或非門、 CMOS與非門和TG門及其使用中的注意問題。2. 列

4、出組合電路的輸出邏輯表達式；用指定的邏輯門電路實現(xiàn)，例如全用TTL與非門。3. 常用集成組合邏輯器件的功能及其應(yīng)用。要求：熟練掌握MSI組合電路芯片的邏輯 功能及其使用方法，例如：4位超前進位全加器 CT74LS283、8選1數(shù)據(jù)選擇器CT74LS151、 3線-8線二進制譯碼器 CT74LS138等。例如：用CT74LS151或CT74LS138產(chǎn)生邏輯函數(shù)。4. 掌握根本RS觸發(fā)器、主從JK觸發(fā)器包括邊沿JK觸發(fā)器、維持-阻塞D觸發(fā)器、T 觸發(fā)器的邏輯功能、觸發(fā)方式、特性方程及其應(yīng)用。具體要求：給出一、二個觸發(fā)器組成的電路，能夠正確畫出其輸出波形圖。5. 常用集成時序邏輯器件的功能及其使用

5、方法。例如：MSI異步十進制加法計數(shù)器CT74LS290、同步 8421碼10進制加法計數(shù)器 CT74LS160、同步16進制加法計數(shù)器 CT74LS161等。要求：分析給定的時序邏輯電路，或者會連線接成所要求的時序電路。IV.題型例如及參考答案一.單項選擇題此題包括 1 - 20題，共20個小題，每題 2分，共40分。在每題給出 的4個選項中，只有一個符合要求，把所選項前的字母填在答題卡相應(yīng)的序號內(nèi)，并將答 題卡轉(zhuǎn)移到答題紙上。選擇題答題卡：題號12345678910答案:題號11121314151617181920答案1. PN結(jié)具有單向?qū)щ娦缘脑蚴牵篜N結(jié)中耗盡層的寬度會隨著之變而變。

6、A 內(nèi)電場B 外加電壓C .溫度D .工作頻率2. 硅穩(wěn)壓管后，盡管流過管子的電流變化很大，但它兩端的電壓變化卻很小。A .熱擊穿B .反向偏置C .反向擊穿D .過功耗3. 發(fā)射結(jié)Je正偏、集電結(jié)Jc反偏是雙極型晶體管BJT工作在區(qū)的外部條件。A .飽和B .截止C .放大D .反向擊穿4. 某一個2K X 4 ROM芯片，其起始16進制數(shù)地址全“ 0試問它的最高的16進制數(shù)地址 為16 ?它的地址線有根？A . 3FF/16B . 7FF/11C. FFF/4D. 100000000/115. 超前進位4位全加器CT74LS283是對作加法運算的中規(guī)模集成電路芯片。A. 兩個4位2進制數(shù)B

7、 .兩個4位余3碼C .兩個4位格雷碼D .兩個4位8421碼6 .化簡 F = fA, B, C = 2 m1, 4,6,7 + 2 0,2,3,5后的邏輯表達式為：F =。A . 0B . 1C. CD . A7. 集成觸發(fā)器由門電路構(gòu)成，但它不同于門電路的功能，它具有的功能。A 計數(shù)B .置位、復(fù)位C .有一對互補輸出端D .記憶8. 假設(shè)需要每輸入512個脈沖，分頻器能輸出一個脈沖，那么此分頻器需用T 觸 發(fā)器鏈接而成？A . 9個B . 8個C. 7個D . 10 個9. RAM是由存儲矩陣、地址和讀/寫控制電路組成的大規(guī)模集成電路 LSI 。A. 鎖存器B. 譯碼器C. 分配器D

8、.比擬器10 .只能讀不能改寫，但數(shù)據(jù)非易失的半導(dǎo)體存儲器是。A. 固定ROMB . PROMC . EPROMD . RAM11 .利用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器存儲信息的RAM稱為。A. 動態(tài)RAMB . LSI存儲器C.靜態(tài)RAMD .快閃式存儲器12 .由于功放電路的輸入和輸出信號幅度都較大，所以常用進行分析計算。A .微變等效電路法B. 圖解分析法C. 最大值估算法D .拉普拉斯變換法13 .在功放電路中，功率雙極型晶體三極管PBJT常處于甲乙類而不處于乙類工作狀態(tài)，這是因為乙類工作狀態(tài)會引起功放電路的。A. 頻率失真B. 非線性失真C. 交越失真D. 截止和飽和失真14 .某運算放大器的開環(huán)電壓

9、增益分貝數(shù)為120 dB,那么其開環(huán)電壓增益 Aod為。A . 1012B . 106C. 120D. lg12015. 交流小信號放大電路的通頻帶所界定的頻率范圍近似為。A. ?L?HB. 0.7?l0.7?hC. > ?HD . < ?L16. 以下4種由集成運放組成的電壓比擬器中，的抗干擾能力最強？A 過零電壓比擬器B 非零電平比擬器C.遲滯型電壓比擬器D 輸出端接有雙向穩(wěn)壓管的電壓比擬器17. 集成運放內(nèi)部電路均采用直接耦合方式，這樣的運放可獲得的效果。A .克服零漂B 無零漂但只放大交流信號C.低頻性能較佳D 高頻性能較佳18. 在分壓式偏置穩(wěn)定的共射放大電路中，設(shè)置射極

10、旁路電容Ce的目的是。A .提高電流增益B .隔直耦交C.穩(wěn)定Q點D .旁路交流信號，使 Au不致降低佃.以下采用集成運放構(gòu)成的應(yīng)用電路中，運放處于線性區(qū)的電路是。A . 3點式LC振蕩器B .矩形波發(fā)生器C. 遲滯型電壓比擬器D. 2階壓控電壓源低通濾波器20.某溫度變送器輸出高內(nèi)阻、小電流的信號，要求經(jīng)過負反應(yīng)放大電路后輸出低內(nèi)阻的電 壓信號，試問：應(yīng)設(shè)計的負反應(yīng)放大電路。A .電流串聯(lián)組態(tài)B .電流并聯(lián)組態(tài)C.電壓串聯(lián)組態(tài)D .電壓并聯(lián)組態(tài)二.放大電路如圖1所示，設(shè)負載電阻 Rl= 6 kQ,電源電壓Vcc= 12 V，發(fā)射結(jié)靜態(tài)電壓降 Ubeq = 0.7 V，其余參數(shù)如圖中標(biāo)注。試求

11、：此題16分1. 畫出該放大電路的直流通路，由圖估算Icq? Uceq-?2. 畫出微變等效電路圖；3. 估算交流性能指標(biāo) Au1 二U°1/Ui、Au2 二U°2/Ui、R、Ro1、Ro2 之值。三、圖2中VT 1、VT 2特性全同、參數(shù)全等，兩管3= 30, rbb' = 200 Q, Ubeq = 0.7 V，其余參數(shù)如圖中標(biāo)注。忽略Ri壓降，求：此題16分1 .靜態(tài)時Uci、UC2、lei和1 C2分別等于多少？2. 求電路的動態(tài)參數(shù)：Aud = Uo/U|、Rid、Rod之值；3. 當(dāng)輸入電壓ui = 1.2 V時，即U|實際極性為上一、下+ 時，求 Uo

12、=?四. 1.判斷圖3各個電路中引入的總體交流反應(yīng)的極性及組態(tài)要求將題圖轉(zhuǎn)移到答題紙上，并在題圖中標(biāo)注瞬時電位極性；2.在深度負反應(yīng)的條件下，分別估算圖3a、b電路的閉環(huán)電壓增益 Auf之值，設(shè)圖3a中Ri = R3= 10 kQ, R2= 100 kQ, Rl= 5 kQ,圖3b電路參數(shù)如圖標(biāo)注；同時說明各電 路中，引入總體反應(yīng)后閉環(huán)輸入電阻Rif、閉環(huán)輸出電阻Rof相對于開環(huán)參數(shù)，分別是增大還是減小了？此題14分Uoa圖3五. 判斷圖4a、b、c電路能否產(chǎn)生正弦波信號要求：轉(zhuǎn)移圖 扼要說明？假設(shè)能，寫出正弦波振蕩器的全稱及其振蕩頻率b4,標(biāo)出瞬時電位極性或作f0的估算式。共15分a)R1R

13、2b)c)圖4C為控制信號，求 。此題12分QCMOS G X 2a)b)圖5七.圖6a是一個由3線-8線二進制譯碼器和 與非門構(gòu)成的3輸入邏輯電路，要求：1. 分析該3輸入邏輯電路，寫出其邏輯函數(shù)表達式，并利用卡諾圖法化簡；2. 試用最少的與非門實現(xiàn)該邏輯功能；3. 改用圖6b的8選1數(shù)據(jù)選擇器CT74LS151實現(xiàn)該邏輯功能，畫出連線圖將解答 寫上答題紙。注意：此題第2問中各變量可直接以原變量或反變量的形式出現(xiàn)。16分CT74LS151ENMUXFBIN/OCT10-21042A3D42)&50EN67ACT74LS138&a)八.由邊沿JK觸發(fā)器和邊沿D觸發(fā)器構(gòu)成的電路如

14、圖的波形如圖7b所示，設(shè)觸發(fā)器的初始狀態(tài)均為的波形圖，請將波形圖轉(zhuǎn)移到答題紙上。020 12345677a所示，其輸入端CP、J、Rd0，試畫出相應(yīng)的Qo和Qi此題10分QoQ圖7 ago0圖7 b)九.MSI同步十進制加法計數(shù)器 CT74LS160的功能如表2所示。 此題11分1. 試分析圖8所示電路為幾進制計數(shù)器；2. 如果欲將該電路改接成 69進制計數(shù)器，試問如何改接，畫出69進制計數(shù)電路的改 接線圖將解答寫上答題紙。表2 MSI同步十進制加法計數(shù)器 CT74LS160的功能表輸入輸出CRLDCTPCTtCPDoDiD2D3QoQiQ2Q300000000000001000dodid2d

15、3dodid2d31111f0000計數(shù)110000000保持110000000保持圖8參考答案1. B2. C 3. C4. B5. A 6.B 7.D 8. A 9. B10. A 11. C12. B13. C 14. B15. A 16. C17. C18. D 19. D20. D二、解:此題16分1.直流通路略。Ibq12V-0.7V38.8 “A ,Icq = 50 X 388 pA 1.94 mA ,=240k Q+51 X1k Q Uceq = 12 V 1.94 mA X 4 k Q= 4.24 V ;5分微變等效電路圖:2.3.rbe= 300 Q+ 51 X4分Aui

16、=Uoi = - 3 RcRl)Uirbe+(1+ 3 Re-50X2= 0.984+511.92, Au2 = ujo2(1+3 Rerbe+( 1+ 3 Re 0.98;240 X51.984Ri = Rb/ rbe+ (1+3Re= 240+51 984 42.7 k Q; Ro1 = 3 k Q, Ro2= Re/ (1+®r be19.2 Qo、解：(此題16分)1Ic1 = Ic2 Ire= 0.465 mA , Uc2= Vcc = 10 V;21.Uc1=11535mA2.193 V ;5k Q +2k Q2.rbe= 200 Q+ ( 3+ 1) 26mV = 20

17、0 Q+ 31 X 260.4651.93 kQ4(mA)30 ' (2/5)11AUd= 2e12(0.01+1.93)、單項選擇題：本大題共20小題，每題2分，共40分Rid = 2 R1 + rbe = 3.88 k QX 10 2.86 V。5Ro= Rc= 5 k Q ;3.此時 VT2截止，Uo=0 X Vcc =Rc + Rl四、解：此題14分，每圖電路7分1. a圖電路引入電壓并聯(lián)負反應(yīng)，瞬時極性標(biāo)注酌情給分或扣分; b圖電路引入電壓串聯(lián)負反應(yīng)，瞬時極性標(biāo)注酌情給分或扣分。2. a圖中人？食=-10引入電壓并聯(lián)負反應(yīng)后，Rf - “b圖中 人？ 1+ R3/ R1 = 31,弓I入電壓串聯(lián)負反應(yīng)后，Rif f, Rof J。五、此題15分，每圖電路5分解: a能振蕩，構(gòu)成變壓器耦合式 LC正弦波振蕩器，f0二 1 =2L C1 C2C1 C2b能振蕩，構(gòu)成石英晶體振蕩器,2 n LC(L為石英晶體的2 < lJC：等效電感；c能振蕩，構(gòu)成 RC橋式正弦波振蕩器,六、解：共12分,每空2分七、解：共16分CV1V2V303.6 V0.3 V0 V10.3V5 V0 VF = ABC+ABC+ ABC+ABC+ABC1.電路的表達式:=AC+B C+ AC = AC+ A B+ AC4 分=AC