第1章 半導(dǎo)體工藝及器件仿真工具Sentaurus TCAD

1、第第1章章可制造性設(shè)計工具可制造性設(shè)計工具Sentaurus TCAD 2/117Sentaurus簡介簡介 Sentaurus TCAD全面繼承了全面繼承了Tsuprem4，Medici和和ISE- TCAD的特點和優(yōu)勢，它可以用來模擬集成器件的工藝制的特點和優(yōu)勢，它可以用來模擬集成器件的工藝制程，器件物理特性和互連線特性等。程，器件物理特性和互連線特性等。 Sentaurus TCAD提供全面的產(chǎn)品套件，其中包括提供全面的產(chǎn)品套件，其中包括Sentaurus Workbench, Ligament, Sentaurus Process, Sentaurus Structure Editor

2、, Mesh Noffset3D, Sentaurus Device, Tecplot SV，Inspect, Advanced Calibration等等。等等。2022-3-7浙大微電子3/117Sentaurus簡介簡介 Sentaurus Process和和Sentaurus Device可以支持的仿可以支持的仿真器件類型非常廣泛，包括真器件類型非常廣泛，包括CMOS，功率器件，存儲器，功率器件，存儲器，圖像傳感器，太陽能電池，和模擬圖像傳感器，太陽能電池，和模擬/ /射頻器件。射頻器件。 Sentaurus TCAD還提供互連建模和參數(shù)提取工具，為還提供互連建模和參數(shù)提取工具，為 優(yōu)

3、化芯片性能提供關(guān)鍵的寄生參數(shù)信息。優(yōu)化芯片性能提供關(guān)鍵的寄生參數(shù)信息。2022-3-7浙大微電子4/117 Sentaurus TCAD的啟動的啟動 運行運行 vncviewer 在在xterm中輸入中輸入： source /opt/demo/sentaurus.env GENESISe &2022-3-7浙大微電子5/1172022-3-7浙大微電子6/1172022-3-7浙大微電子7/117本章內(nèi)容本章內(nèi)容1 集成工藝集成工藝仿真系統(tǒng)仿真系統(tǒng) Sentaurus Process 2 器件結(jié)構(gòu)編輯工具器件結(jié)構(gòu)編輯工具Sentaurus Structure Editor 3 器件仿真工具器件

4、仿真工具Sentaurus Device 4 集成電路虛擬制造系統(tǒng)集成電路虛擬制造系統(tǒng)Sentaurus Workbench簡介簡介2022-3-7浙大微電子8/117本章內(nèi)容本章內(nèi)容1 集成工藝仿真系統(tǒng)集成工藝仿真系統(tǒng) Sentaurus Process 2 器件結(jié)構(gòu)編輯工具器件結(jié)構(gòu)編輯工具Sentaurus Structure Editor 3 器件仿真工具器件仿真工具Sentaurus Device 4 集成電路虛擬制造系統(tǒng)集成電路虛擬制造系統(tǒng)Sentaurus Workbench簡介簡介2022-3-7浙大微電子9/117Sentaurus Process 工藝仿真工具簡介工藝仿真工具

5、簡介 Sentaurus Process是當(dāng)前最為先進(jìn)的工藝仿真工具，是當(dāng)前最為先進(jìn)的工藝仿真工具，它將一維，二維和三維仿真集成于同一平臺中，并面向當(dāng)代它將一維，二維和三維仿真集成于同一平臺中，并面向當(dāng)代納米級集成電路工藝制程，全面支持小尺寸效應(yīng)的仿真與模納米級集成電路工藝制程，全面支持小尺寸效應(yīng)的仿真與模擬。擬。Sentaurus Process在保留傳統(tǒng)工藝仿真軟件運行模式在保留傳統(tǒng)工藝仿真軟件運行模式的基礎(chǔ)上，又做了一些重要的改進(jìn)。的基礎(chǔ)上，又做了一些重要的改進(jìn)。2022-3-7浙大微電子10/1172022-3-7浙大微電子 增加了模型參數(shù)數(shù)據(jù)庫瀏覽器（增加了模型參數(shù)數(shù)據(jù)庫瀏覽器（PD

6、B），為用戶提供了），為用戶提供了 修改模型參數(shù)和增加模型的方便途徑。修改模型參數(shù)和增加模型的方便途徑。 增加了一維模擬結(jié)果輸出工具增加了一維模擬結(jié)果輸出工具Inspect和二維、三維模擬結(jié)和二維、三維模擬結(jié) 果輸出工具（果輸出工具（Tecplot SV）。）。 增加了小尺寸模型。這些小尺寸模型主要有：增加了小尺寸模型。這些小尺寸模型主要有： 高精度刻蝕模型，高精度刻蝕模型， 基于基于Monte Carlo的離子擴(kuò)散模型，的離子擴(kuò)散模型， 注入損傷模型，注入損傷模型， 離子注入校準(zhǔn)模型等等。離子注入校準(zhǔn)模型等等。 增加了這些小尺寸模型，提高了工藝軟件的仿真精度，增加了這些小尺寸模型，提高了工藝

7、軟件的仿真精度，適應(yīng)了半導(dǎo)體工藝發(fā)展的需求。適應(yīng)了半導(dǎo)體工藝發(fā)展的需求。11/117Sentaurus Process 基本命令介紹基本命令介紹 用戶可以通過輸入命令指導(dǎo)用戶可以通過輸入命令指導(dǎo)Sentaurus Process的執(zhí)行。的執(zhí)行。而這些命令可以通過輸入命令文件或者用戶終端直接輸入。而這些命令可以通過輸入命令文件或者用戶終端直接輸入。2022-3-7浙大微電子12/117(1) 文件說明及控制語句文件說明及控制語句exit: 用于終止用于終止Sentaurus Process的運行。的運行。fbreak: 使仿真進(jìn)入交互模式。使仿真進(jìn)入交互模式。fcontinue: 重新執(zhí)行輸入文

8、件。重新執(zhí)行輸入文件。fexec: 執(zhí)行系統(tǒng)命令文件。執(zhí)行系統(tǒng)命令文件。interface: 返回材料的邊界位置。返回材料的邊界位置。load: 從文件中導(dǎo)入數(shù)據(jù)信息并插入到當(dāng)前網(wǎng)格。從文件中導(dǎo)入數(shù)據(jù)信息并插入到當(dāng)前網(wǎng)格。logfile: 將注釋信息輸出到屏幕以及日志文件中。將注釋信息輸出到屏幕以及日志文件中。mater: 返回當(dāng)前結(jié)構(gòu)中的所有材料列表，或在原列表中增加返回當(dāng)前結(jié)構(gòu)中的所有材料列表，或在原列表中增加 新的材料。新的材料。mgoals: 使用使用MGOALS引擎設(shè)置網(wǎng)格參數(shù)。引擎設(shè)置網(wǎng)格參數(shù)。2022-3-7浙大微電子13/117(2) 器件結(jié)構(gòu)說明語句器件結(jié)構(gòu)說明語句init:

9、 設(shè)置初始網(wǎng)格和摻雜信息。設(shè)置初始網(wǎng)格和摻雜信息。region: 指定結(jié)構(gòu)中特定區(qū)域的材料。指定結(jié)構(gòu)中特定區(qū)域的材料。line: 指定網(wǎng)格線的位置和間距。指定網(wǎng)格線的位置和間距。grid: 執(zhí)行網(wǎng)格設(shè)置的命令。執(zhí)行網(wǎng)格設(shè)置的命令。substrate_profile: 定義器件襯底的雜質(zhì)分布。定義器件襯底的雜質(zhì)分布。polygon: 描述多邊形結(jié)構(gòu)。描述多邊形結(jié)構(gòu)。point: 描述器件結(jié)構(gòu)中的一個點。描述器件結(jié)構(gòu)中的一個點。doping: 定義線性摻雜分布曲線。定義線性摻雜分布曲線。profile: 讀取數(shù)據(jù)文件并重建數(shù)據(jù)區(qū)域。讀取數(shù)據(jù)文件并重建數(shù)據(jù)區(qū)域。refinebox: 設(shè)置局部網(wǎng)格參數(shù)

10、，并用設(shè)置局部網(wǎng)格參數(shù)，并用MGOALS庫進(jìn)行細(xì)化。庫進(jìn)行細(xì)化。bound: 提取材料邊界并返回坐標(biāo)列表。提取材料邊界并返回坐標(biāo)列表。contact: 設(shè)置電極信息。設(shè)置電極信息。 2022-3-7浙大微電子(3) 工藝步驟說明語句工藝步驟說明語句deposit: 用于淀積一個新的層次。用于淀積一個新的層次。diffuse: 用于高溫擴(kuò)散和高溫氧化。用于高溫擴(kuò)散和高溫氧化。etch: 用于刻蝕。用于刻蝕。implant: 實現(xiàn)離子注入。實現(xiàn)離子注入。mask: 用于定義掩膜版。用于定義掩膜版。photo: 淀積光刻膠。淀積光刻膠。strip: 去除表面的介質(zhì)層。去除表面的介質(zhì)層。stress:

11、 用于計算應(yīng)力。用于計算應(yīng)力。2022-3-7浙大微電子14/11715/117(4) 模型和參數(shù)說明語句模型和參數(shù)說明語句beam: 給出用于離子束刻蝕的模型參數(shù)。給出用于離子束刻蝕的模型參數(shù)。gas_flow: 設(shè)置擴(kuò)散步驟中的氣體氛圍。設(shè)置擴(kuò)散步驟中的氣體氛圍。kmc: 設(shè)定蒙特卡羅模型。設(shè)定蒙特卡羅模型。pdbNewMaterial：用于引入新的材料。用于引入新的材料。pdbGet: 用于提取數(shù)據(jù)庫參數(shù)。用于提取數(shù)據(jù)庫參數(shù)。pdbSet: 用于完成數(shù)據(jù)庫參數(shù)的修改。用于完成數(shù)據(jù)庫參數(shù)的修改。SetFastMode: 忽略擴(kuò)散和模特卡羅注入模型，加快仿真速度。忽略擴(kuò)散和模特卡羅注入模型，

12、加快仿真速度。SetTemp: 設(shè)置溫度。設(shè)置溫度。solution: 求解或設(shè)置求解參數(shù)。求解或設(shè)置求解參數(shù)。strain_profile: 定義因摻雜引入的張力變化。定義因摻雜引入的張力變化。temp_ramp: 定義擴(kuò)散過程中的溫度變化。定義擴(kuò)散過程中的溫度變化。update_substrate: 設(shè)置襯底中的雜質(zhì)屬性，張力，晶格常量等信息。設(shè)置襯底中的雜質(zhì)屬性，張力，晶格常量等信息。2022-3-7浙大微電子16/117(5) 輸出說明語句輸出說明語句color: 用于設(shè)定、填充被仿真的器件結(jié)構(gòu)中某特定區(qū)域雜質(zhì)用于設(shè)定、填充被仿真的器件結(jié)構(gòu)中某特定區(qū)域雜質(zhì) 濃度等值曲線的顏色。濃度等值

13、曲線的顏色。contour: 用于設(shè)置二維濃度剖面等值分布曲線的圖形輸出。用于設(shè)置二維濃度剖面等值分布曲線的圖形輸出。graphics: 啟動或更新啟動或更新Sentaurus Process已經(jīng)設(shè)置的圖形輸出。已經(jīng)設(shè)置的圖形輸出。layers: 用于打印器件結(jié)構(gòu)材料的邊界數(shù)據(jù)和相關(guān)數(shù)據(jù)。用于打印器件結(jié)構(gòu)材料的邊界數(shù)據(jù)和相關(guān)數(shù)據(jù)。print.1d: 沿器件結(jié)構(gòu)的某一維方向打印相關(guān)數(shù)據(jù)。沿器件結(jié)構(gòu)的某一維方向打印相關(guān)數(shù)據(jù)。plot.1d: 沿器件結(jié)構(gòu)的某一維方向輸出某些物理量之間的變化曲線。沿器件結(jié)構(gòu)的某一維方向輸出某些物理量之間的變化曲線。plot.2d: 輸出器件結(jié)構(gòu)中二維濃度剖面分布曲線。

14、輸出器件結(jié)構(gòu)中二維濃度剖面分布曲線。plot.tec: 啟動或更新啟動或更新Sentaurus ProcessTecplot SV所輸出的所輸出的 一維、二維和一維、二維和 三維圖形。三維圖形。print.data: 以以x、y、z的坐標(biāo)格式打印數(shù)據(jù)。的坐標(biāo)格式打印數(shù)據(jù)。writePlx: 設(shè)置輸出一維摻雜數(shù)據(jù)文件。設(shè)置輸出一維摻雜數(shù)據(jù)文件。struct: 設(shè)置網(wǎng)格結(jié)構(gòu)及求解信息。設(shè)置網(wǎng)格結(jié)構(gòu)及求解信息。2022-3-7浙大微電子17/117Sentaurus Process 中的小尺寸模型中的小尺寸模型 (1) 離子注入模型離子注入模型 解析注入模型或蒙特卡羅解析注入模型或蒙特卡羅（MC）注

15、入模型可以用來計算離注入模型可以用來計算離子注入的分布情況及仿真所造成的注入損傷程度。子注入的分布情況及仿真所造成的注入損傷程度。 為滿足現(xiàn)代集成工藝技術(shù)發(fā)展的需求，為滿足現(xiàn)代集成工藝技術(shù)發(fā)展的需求，Sentaurus Process添加了很多小尺寸模型，如添加了很多小尺寸模型，如 摻雜劑量控制模型（摻雜劑量控制模型（Beam dose control）、）、 雜質(zhì)剖面改造模型（雜質(zhì)剖面改造模型（Profile reshaping）、）、 有效溝道抑制模型（有效溝道抑制模型（Effective channelling suppression） 無定型靶預(yù)注入模型無定型靶預(yù)注入模型（Preamo

16、rphiza-tion implants，PAI）等等。等等。2022-3-7浙大微電子18/117(2) 擴(kuò)散模型擴(kuò)散模型 Sentaurus Process仿真高溫擴(kuò)散的主要模型有：仿真高溫擴(kuò)散的主要模型有： 雜質(zhì)選擇性擴(kuò)散模型、雜質(zhì)選擇性擴(kuò)散模型、 引入了雜質(zhì)活化效應(yīng)對雜質(zhì)遷移的影響，也間接地覆蓋了熱擴(kuò)散工引入了雜質(zhì)活化效應(yīng)對雜質(zhì)遷移的影響，也間接地覆蓋了熱擴(kuò)散工藝中產(chǎn)生的缺陷對雜質(zhì)的影響，適于模擬特征尺寸小于藝中產(chǎn)生的缺陷對雜質(zhì)的影響，適于模擬特征尺寸小于100nm的擴(kuò)的擴(kuò)散工藝。散工藝。 雜質(zhì)激活模型、雜質(zhì)激活模型、 雜質(zhì)激活模型主要是考慮了摻雜過程中，缺陷、氧化空位及硅化物雜質(zhì)激活

17、模型主要是考慮了摻雜過程中，缺陷、氧化空位及硅化物界面態(tài)所引發(fā)的雜質(zhì)激活效應(yīng)。界面態(tài)所引發(fā)的雜質(zhì)激活效應(yīng)。 缺陷對雜質(zhì)遷移的影響，缺陷對雜質(zhì)遷移的影響， 表面介質(zhì)的移動、摻雜對內(nèi)部電場的影響等等。表面介質(zhì)的移動、摻雜對內(nèi)部電場的影響等等。2022-3-7浙大微電子19/117(3) 對局部微機(jī)械應(yīng)力變化計算的建模對局部微機(jī)械應(yīng)力變化計算的建模 隨著器件尺寸的進(jìn)一步縮小，器件內(nèi)部機(jī)械應(yīng)力的變隨著器件尺寸的進(jìn)一步縮小，器件內(nèi)部機(jī)械應(yīng)力的變化會使材料的禁帶寬度發(fā)生變化，使得雜質(zhì)擴(kuò)散速率以及化會使材料的禁帶寬度發(fā)生變化，使得雜質(zhì)擴(kuò)散速率以及氧化速率等也發(fā)生相應(yīng)變化，從而使得局部熱生長氧化層氧化速率等也

18、發(fā)生相應(yīng)變化，從而使得局部熱生長氧化層產(chǎn)生形狀變異。產(chǎn)生形狀變異。 Sentaurus Process包含了很多引起微機(jī)械應(yīng)力變化的包含了很多引起微機(jī)械應(yīng)力變化的機(jī)制，包括熱失配，晶格失配以及由于材料淀積、刻蝕引機(jī)制，包括熱失配，晶格失配以及由于材料淀積、刻蝕引起的應(yīng)力變化等等。起的應(yīng)力變化等等。 2022-3-7浙大微電子20/117Sentaurus Process 仿真實例仿真實例 (1) 定義二維初始網(wǎng)格定義二維初始網(wǎng)格 line x location=0.00 spacing=0.01 tag=SiTop line x location=0.50 spacing=0.01 line

19、x location=0.90 spacing=0.10 line x location=1.30 spacing=0.25 line x location=4.00 spacing=0.25 line x location=6.00 spacing=0.50 line x location=10.0 spacing=2.50 line x location=15.0 spacing=5.00 line x location=44.0 spacing=10.0 tag=SiBottom line y location=0.00 spacing=0.50 tag=Left line y loca

20、tion=7.75 spacing=0.50 tag=Right2022-3-7浙大微電子21/117(2) 開啟二維輸出結(jié)果調(diào)閱工具開啟二維輸出結(jié)果調(diào)閱工具Tecplot SV界面界面 graphics on(3) 激活校準(zhǔn)模型激活校準(zhǔn)模型 AdvancedCalibration(4) 開啟自適應(yīng)網(wǎng)格開啟自適應(yīng)網(wǎng)格 pdbSet Grid Adaptive 1(5) 定義仿真區(qū)域并對仿真區(qū)域進(jìn)行初始化定義仿真區(qū)域并對仿真區(qū)域進(jìn)行初始化 region silicon xlo=SiTop xhi=SiBottom ylo=Left yhi=Right init field=As resistiv

21、ity=14 wafer.orient=1002022-3-7浙大微電子22/1172022-3-7浙大微電子23/117(6) 定義網(wǎng)格細(xì)化規(guī)則定義網(wǎng)格細(xì)化規(guī)則 mgoals on min.normal.size=10 max.lateral.size=2 normal.growth.ratio=1.2 accuracy=2e-5 mgoals命令在初始網(wǎng)格的基礎(chǔ)上來重新定義網(wǎng)格。網(wǎng)命令在初始網(wǎng)格的基礎(chǔ)上來重新定義網(wǎng)格。網(wǎng)格的調(diào)整只是針對新的層或新生成的表面區(qū)域。格的調(diào)整只是針對新的層或新生成的表面區(qū)域。mgoals命命令中的令中的min.normal.size用來定義邊界處的網(wǎng)格最小間距，

22、用來定義邊界處的網(wǎng)格最小間距，離開表面后將按照離開表面后將按照normal.growth.ratio確定的速率變化。確定的速率變化。而而max.lateral.size定義了邊界處網(wǎng)格的最大橫向間距。定義了邊界處網(wǎng)格的最大橫向間距。Accuracy為誤差精度。為誤差精度。2022-3-7浙大微電子24/117(7) 在重要區(qū)域進(jìn)一步優(yōu)化網(wǎng)格在重要區(qū)域進(jìn)一步優(yōu)化網(wǎng)格 refinebox min= 2.5 0 max= 3 1 xrefine= 0.1 yrefine= 0.1 all add refinebox min= 2.5 1 max= 2 3 xrefine= 0.1 yrefine=

23、0.1 all add refinebox min= 0 1.7 max= 0.2 2.9 xrefine= 0.1 yrefine= 0.1 all add refinebox min= 0 3 max= 2.5 5 xrefine= 0.1 yrefine= 0.1 all add2022-3-7浙大微電子25/117(8) 生長薄氧層生長薄氧層 gas_flow name=O2_HCL pressure=1 flows = O2 =4.0 HCl = 0.03 diffuse temperature=950 time=25 gas_flow=O2_HCL(9) JFET注入注入 mask

24、 name=JFET_mask left=0 right=6.75 implant Phosphorus mask=JFET_mask dose=1.5e12 energy=100 diffuse temp=1170 time=180 mask clear2022-3-7浙大微電子26/117(10) 保存一維摻雜文件保存一維摻雜文件 SetPlxList AsTotal PTotal WritePlx epi.plx y=7 silicon 在在SetPlxList命令中，將砷和磷的摻雜分布做了保存。命令中，將砷和磷的摻雜分布做了保存。在在WritePlx命令中，指定保存命令中，指定保存y=

25、7um處的摻雜分布曲線。最處的摻雜分布曲線。最終保存為一維摻雜分布曲線。終保存為一維摻雜分布曲線。2022-3-7浙大微電子27/1172022-3-7浙大微電子28/117(11) 生長柵氧化層生長柵氧化層 etch oxide type=anisotropic thickness=0.5 gas_flow name=O2_1_HCL_1_H2 pressure=1 / Flows= O2=10.0 H2 =5.0 HCl =0.03 diffuse temperature=1000 time=17 / gas_flow=O2_1_HCL_1_H2(12) 制備多晶硅柵極制備多晶硅柵極 de

26、posit poly type=anisotropic thickness=0.6 mask name=gate_mask left=2.75 right=8 etch poly type=anisotropic thickness=0.7 / mask=gate_mask mask clear 2022-3-7浙大微電子29/117(13) 形成形成P-body區(qū)域區(qū)域 implant Boron dose=2.8e13 energy=80 diffuse temp=1170 time=1202022-3-7浙大微電子30/117(14) 形成形成P+接觸區(qū)域接觸區(qū)域 mask name=P

27、+_mask left=0.85 right=8 implant Boron mask=P+_mask dose=1e15 energy=60 diffuse temp=1100 time=100 mask clear (15) 形成源區(qū)域形成源區(qū)域 mask name=N+_mask left=0 right=1.75 mask name=N+_mask left=2.75 right=8 implant As mask=N+_mask dose=5e15 energy=60 mask clear2022-3-7浙大微電子31/117(16) 制備側(cè)墻區(qū)制備側(cè)墻區(qū) deposit nitri

28、de type=isotropic thickness=0.2 etch nitride type=anisotropic thickness=0.25 etch oxide type=anisotropic thickness=100 diffuse temperature=950 time=25 (17) 制備鋁電極制備鋁電極 deposit Aluminum type=isotropic thickness=0.7 mask name=contacts_mask left=0 right=2.5 etch Aluminum type=anisotropic thickness=2.5/

29、mask=contacts_mask mask clear2022-3-7浙大微電子32/117(18) 定義電極定義電極 contact name=Gate x=-0.5 y=5 replace point contact name=Source x=-0.5 y=1 replace point contact name=Drain bottom(19) 保存完整的器件結(jié)構(gòu)保存完整的器件結(jié)構(gòu) struct tdr=vdmos_final struct smesh=500vdmos_final2022-3-7浙大微電子33/1172022-3-7浙大微電子34/117本章內(nèi)容本章內(nèi)容1 集成工

30、藝仿真系統(tǒng)集成工藝仿真系統(tǒng) Sentaurus Process 2 器件結(jié)構(gòu)編輯工具器件結(jié)構(gòu)編輯工具Sentaurus Structure Editor 3 器件仿真工具器件仿真工具Sentaurus Device 4 集成電路虛擬制造系統(tǒng)集成電路虛擬制造系統(tǒng)Sentaurus Workbench簡介簡介2022-3-7浙大微電子35/117Sentaurus Structure Editor (SDE) 器件結(jié)構(gòu)編輯工具簡介器件結(jié)構(gòu)編輯工具簡介 SDE是基于二維和三維器件結(jié)構(gòu)編輯的集成環(huán)境，可生成是基于二維和三維器件結(jié)構(gòu)編輯的集成環(huán)境，可生成或編輯二維和三維器件結(jié)構(gòu)，用于與或編輯二維和三維器

31、件結(jié)構(gòu)，用于與Process工藝仿真系統(tǒng)的工藝仿真系統(tǒng)的結(jié)合。結(jié)合。 在在Sentaurus TCAD系列仿真工具中，系列仿真工具中，SDE工具是必不可工具是必不可少的。因為在使用少的。因為在使用Sentaurus Process執(zhí)行完工藝仿真后，必執(zhí)行完工藝仿真后，必須使用須使用SDE將將Process工藝仿真階段生產(chǎn)的電極激活，并調(diào)入工藝仿真階段生產(chǎn)的電極激活，并調(diào)入Process仿真過渡來的摻雜信息，進(jìn)行網(wǎng)格細(xì)化處理后，才能仿真過渡來的摻雜信息，進(jìn)行網(wǎng)格細(xì)化處理后，才能進(jìn)行下一步的器件物理特性模擬。進(jìn)行下一步的器件物理特性模擬。 2022-3-7浙大微電子36/117完成從完成從Sent

32、aurus Process到到Sentaurus Device的接口轉(zhuǎn)換的接口轉(zhuǎn)換1 在命令提示符下輸入：在命令提示符下輸入：sde，啟動啟動Sentaurus Structure Editor工具。工具。 2 調(diào)入邊界文件：調(diào)入邊界文件：File Import，該結(jié)構(gòu)文件可以是該結(jié)構(gòu)文件可以是DF-ISE格式，也可以是格式，也可以是TDR格式。格式。 3 激活電極。激活電極。（1）在選取類型列表中選擇）在選取類型列表中選擇Select Face；（2）在電極列表中選擇需要激活的電極名；）在電極列表中選擇需要激活的電極名；（3）在器件結(jié)構(gòu)中選擇電極區(qū)域；）在器件結(jié)構(gòu)中選擇電極區(qū)域；2022-3

33、-7浙大微電子37/1172022-3-7浙大微電子38/117（4）在菜單中選擇：在菜單中選擇：Device Contacts Contact Sets， 電極設(shè)置對話框如圖所示；電極設(shè)置對話框如圖所示；（5）在在Defined Contact Sets中選擇電極，同時可以設(shè)置中選擇電極，同時可以設(shè)置 電極顏色，邊緣厚度和類型等信息；電極顏色，邊緣厚度和類型等信息；（6）單擊單擊Activate按鈕；按鈕；（7）單擊單擊Close關(guān)閉對話框。關(guān)閉對話框。 同樣重復(fù)以上步驟，可以完成其他電極的定義和激活。同樣重復(fù)以上步驟，可以完成其他電極的定義和激活。2022-3-7浙大微電子39/1174

34、保存設(shè)置：保存設(shè)置：File Save Model 5 載入摻雜數(shù)據(jù)信息。載入摻雜數(shù)據(jù)信息。 載入方式為：載入方式為：Device External Profile Placement。外部摻雜信息設(shè)置對話框如圖所示。在外部摻雜信息設(shè)置對話框如圖所示。在Name欄中輸入欄中輸入Doping。在在Geometry File欄中載入工藝仿真后生成的網(wǎng)格數(shù)據(jù)文件欄中載入工藝仿真后生成的網(wǎng)格數(shù)據(jù)文件（若保存格式為（若保存格式為DF-ISE，應(yīng)選擇應(yīng)選擇.gds文件文件; 若保存格式為若保存格式為TDR，應(yīng)選擇，應(yīng)選擇.tdr文件）。在文件）。在Data Files欄中點擊欄中點擊Browser按按鈕并

35、選擇摻雜數(shù)據(jù)文件（若保存格式為鈕并選擇摻雜數(shù)據(jù)文件（若保存格式為DF-ISE，應(yīng)選擇，應(yīng)選擇.dat文件文件; 若保存格式為若保存格式為TDR，應(yīng)選擇，應(yīng)選擇.tdr文件）文件）,單擊單擊Add按按鈕，載入摻雜數(shù)據(jù)文件。鈕，載入摻雜數(shù)據(jù)文件。 最后，單擊最后，單擊Add Placement 按鈕。按鈕。2022-3-7浙大微電子40/1172022-3-7浙大微電子41/1176 定義網(wǎng)格細(xì)化窗口。用戶可以對重點研究區(qū)域進(jìn)行網(wǎng)格的定義網(wǎng)格細(xì)化窗口。用戶可以對重點研究區(qū)域進(jìn)行網(wǎng)格的 重新設(shè)置，以增加仿真精度和收斂性。操作如下：重新設(shè)置，以增加仿真精度和收斂性。操作如下： MeshDefine R

36、ef/Eval WindowCuboid 2022-3-7浙大微電子42/1177 定義網(wǎng)格細(xì)化方案定義網(wǎng)格細(xì)化方案 選擇菜單欄中的選擇菜單欄中的Mesh Refinement Placement。 在網(wǎng)格細(xì)化設(shè)置對話框中，選擇在網(wǎng)格細(xì)化設(shè)置對話框中，選擇Ref/Win選項，并選擇上一步定義選項，并選擇上一步定義的網(wǎng)格細(xì)化窗口。的網(wǎng)格細(xì)化窗口。 根據(jù)仿真精度要求，設(shè)置根據(jù)仿真精度要求，設(shè)置max element size和和 min element size參數(shù)。參數(shù)。 單擊單擊Add Placement按鈕。按鈕。2022-3-7浙大微電子43/1172022-3-7浙大微電子44/1178

37、 執(zhí)行設(shè)置方案。執(zhí)行設(shè)置方案。 選擇菜單欄中的選擇菜單欄中的Mesh Build Mesh，輸入網(wǎng)格細(xì)化，輸入網(wǎng)格細(xì)化執(zhí)行后保存的網(wǎng)格數(shù)據(jù)信息文件名，并選擇網(wǎng)格引擎，并執(zhí)行后保存的網(wǎng)格數(shù)據(jù)信息文件名，并選擇網(wǎng)格引擎，并單擊單擊Build Mesh按鈕，按鈕，SDE會根據(jù)設(shè)置的網(wǎng)格細(xì)化方案會根據(jù)設(shè)置的網(wǎng)格細(xì)化方案執(zhí)行網(wǎng)格的細(xì)化，執(zhí)行完成后會生成執(zhí)行網(wǎng)格的細(xì)化，執(zhí)行完成后會生成3個數(shù)據(jù)文件：個數(shù)據(jù)文件： _msh.grd, _msh.dat 和和_msh.log。2022-3-7浙大微電子45/1172022-3-7浙大微電子46/117創(chuàng)建三維結(jié)構(gòu)創(chuàng)建三維結(jié)構(gòu) 1. SDE環(huán)境初始化環(huán)境初始化：

38、 File New； 2. 設(shè)置精確坐標(biāo)模式設(shè)置精確坐標(biāo)模式：Draw Exact Coordinates；3. 選擇器件材料選擇器件材料Sentaurus Structure Editor所使用的材料都在所使用的材料都在Material列表中進(jìn)行選擇；列表中進(jìn)行選擇；4. 選擇默認(rèn)的選擇默認(rèn)的Boolean表達(dá)式表達(dá)式 在菜單中選擇在菜單中選擇 Draw Overlap Behavior New Replaces Old；5. 關(guān)閉自動命名器件結(jié)構(gòu)區(qū)域模式關(guān)閉自動命名器件結(jié)構(gòu)區(qū)域模式 Draw Auto Region Naming；2022-3-7浙大微電子47/1176. 創(chuàng)建立方體區(qū)域創(chuàng)

39、建立方體區(qū)域(1) 選擇選擇Isometric View ( ISO)，改為三維繪圖模式。改為三維繪圖模式。(2) 在菜單欄中選擇在菜單欄中選擇Draw Create 3D Region Cuboid。(3) 在窗口中單擊并拖動鼠標(biāo)，將出現(xiàn)一個立方體區(qū)域的定義在窗口中單擊并拖動鼠標(biāo)，將出現(xiàn)一個立方體區(qū)域的定義對話框，輸入對話框，輸入（0 0 0）和和（7.75 44 3），），然后單擊然后單擊OK按鈕按鈕。2022-3-7浙大微電子48/117(4) 在在SDE對話框中輸入結(jié)構(gòu)區(qū)域的名稱對話框中輸入結(jié)構(gòu)區(qū)域的名稱Epitaxy，單擊單擊OK按鈕。按鈕。 2022-3-7浙大微電子49/1177

40、. 改變改變Boolean表達(dá)式表達(dá)式 在菜單欄中選擇在菜單欄中選擇Draw Overlap Behavior Old Replaces Old。8. 創(chuàng)建其他區(qū)域創(chuàng)建其他區(qū)域 器件的其他區(qū)域，即柵氧層，多晶硅柵，側(cè)墻以及電極區(qū)器件的其他區(qū)域，即柵氧層，多晶硅柵，側(cè)墻以及電極區(qū) 域都可以用同樣的方法來創(chuàng)建。域都可以用同樣的方法來創(chuàng)建。 2022-3-7浙大微電子50/1172022-3-7浙大微電子51/1179. 定義電極定義電極 在這里，柵極、源極和漏極需要定義。在這里，柵極、源極和漏極需要定義。 10. 定義外延層中的均勻雜質(zhì)分布濃度定義外延層中的均勻雜質(zhì)分布濃度(1) 選擇菜單欄中的選

41、擇菜單欄中的 Device Constant Profile Placement；(2) 在在Placement Name欄中輸入欄中輸入PlaceCD.epi；(3) 在在Placement Type group框中，選擇框中，選擇Region， 并在列表中選擇并在列表中選擇Epitaxy；(4) 在在Constant Profile Definition框中，框中， 輸入輸入Const.Epi到到Name欄中；欄中；(5) 在在Species欄中選擇欄中選擇 ArsenicActiveConcentration；2022-3-7浙大微電子52/117(6) 在在Concentration欄

42、中欄中 輸入輸入3.3e14；(7) 單擊單擊Add Placement按鈕；按鈕；(8) 重復(fù)以上步驟定義多晶硅重復(fù)以上步驟定義多晶硅 柵的摻雜濃度為柵的摻雜濃度為1e20；(9) 單擊單擊Close關(guān)閉窗口。關(guān)閉窗口。2022-3-7浙大微電子53/11711. 定義解析雜質(zhì)濃度分布定義解析雜質(zhì)濃度分布 定義解析雜質(zhì)濃度分布包括兩個步驟。第一步先定義雜定義解析雜質(zhì)濃度分布包括兩個步驟。第一步先定義雜質(zhì)分布窗口，第二步定義解析雜質(zhì)濃度分布。質(zhì)分布窗口，第二步定義解析雜質(zhì)濃度分布。 定義雜質(zhì)分布窗口的步驟如下：定義雜質(zhì)分布窗口的步驟如下：(1) 選擇菜單欄中的選擇菜單欄中的Draw Exact

43、 Coordinates；(2) Mesh Define Ref/Eval Window Rectangle；(3) 在視窗中，拖動一個矩形區(qū)域；在視窗中，拖動一個矩形區(qū)域；(4) 在在Exact Coordinates對話框中，輸入對話框中，輸入(0 0)和和(2.75 3.5)，以定義雜質(zhì)分布窗口坐標(biāo)；以定義雜質(zhì)分布窗口坐標(biāo)；2022-3-7浙大微電子54/117(5) 單擊單擊OK；(6) 在接著彈出的對話框中，輸入在接著彈出的對話框中，輸入P-Body作為雜質(zhì)分布窗口的作為雜質(zhì)分布窗口的 名稱；名稱；(7) 利用表中的參數(shù)值，重復(fù)以上步驟定義其他雜質(zhì)分布窗口。利用表中的參數(shù)值，重復(fù)以上

44、步驟定義其他雜質(zhì)分布窗口。2022-3-7浙大微電子55/117定義解析雜質(zhì)濃度分布的步驟如下：定義解析雜質(zhì)濃度分布的步驟如下：(1) 選擇菜單欄中的選擇菜單欄中的 Device Analytic Profile Placement；(2) 在在Placement Name欄中輸入欄中輸入PlaceAP.body；(3) 在在Ref/Win列表中選擇列表中選擇P-Body；(4) 在在Profile Definition區(qū)域中，區(qū)域中， 輸入輸入Gauss.Body到到Name欄中；欄中；(5) 在在Species列表中選擇列表中選擇 BoronActiveConcentration；(6)

45、在在Peak Concentration欄中輸入欄中輸入4e16；2022-3-7浙大微電子56/117(7) 在在Peak Position欄中欄中 輸入輸入0；(8) 在在Junction欄和欄和Depth欄中欄中 分別輸入分別輸入3.3e14和和3.5；(9) 在在Lateral Diffusion Factor 欄中輸入欄中輸入0.75；(10) 單擊單擊Add Placement按鈕；按鈕；(11) 重復(fù)以上步驟分別定義重復(fù)以上步驟分別定義 其他區(qū)域的解析分布。其他區(qū)域的解析分布。2022-3-7浙大微電子57/11713. 定義網(wǎng)格細(xì)化方案定義網(wǎng)格細(xì)化方案14. 保存設(shè)置保存設(shè)置1

46、5. 執(zhí)行設(shè)置方案執(zhí)行設(shè)置方案 最終，器件的網(wǎng)格信息和摻雜信息將保存在兩個文件最終，器件的網(wǎng)格信息和摻雜信息將保存在兩個文件中，即中，即_msh.grd和和_msh.dat，這些文件可以導(dǎo)入到，這些文件可以導(dǎo)入到Sentaurus Device中進(jìn)行后續(xù)仿真。中進(jìn)行后續(xù)仿真。2022-3-7浙大微電子58/1172022-3-7浙大微電子59/117本章內(nèi)容本章內(nèi)容1 集成工藝仿真系統(tǒng)集成工藝仿真系統(tǒng) Sentaurus Process 2 器件結(jié)構(gòu)編輯工具器件結(jié)構(gòu)編輯工具Sentaurus Structure Editor 3 器件仿真工具器件仿真工具Sentaurus Device 4 集

47、成電路虛擬制造系統(tǒng)集成電路虛擬制造系統(tǒng)Sentaurus Workbench簡介簡介2022-3-7浙大微電子60/117Sentaurus Device器件仿真工具簡介器件仿真工具簡介 Sentaurus Device是新一代的器件物理特性仿真工具，是新一代的器件物理特性仿真工具，內(nèi)嵌一維、二維和三維器件物理模型，通過數(shù)值求解一維、內(nèi)嵌一維、二維和三維器件物理模型，通過數(shù)值求解一維、二維和三維泊松方程、連續(xù)性方程和運輸方程，可以準(zhǔn)確預(yù)二維和三維泊松方程、連續(xù)性方程和運輸方程，可以準(zhǔn)確預(yù)測器件的眾多電學(xué)參數(shù)和電學(xué)特性。測器件的眾多電學(xué)參數(shù)和電學(xué)特性。Sentaurus Device支持支持很多

48、器件類型的仿真，包括量子器件，深亞微米很多器件類型的仿真，包括量子器件，深亞微米MOS器件，器件，功率器件，異質(zhì)結(jié)器件，光電器件等。此外，功率器件，異質(zhì)結(jié)器件，光電器件等。此外，Sentaurus Device還可以實現(xiàn)由多個器件所組成的單元級電路的物理特還可以實現(xiàn)由多個器件所組成的單元級電路的物理特性分析。性分析。2022-3-7浙大微電子61/117Sentaurus Device 主要物理模型主要物理模型 實現(xiàn)實現(xiàn)Sentaurus Device器件物理特性仿真的器件物理器件物理特性仿真的器件物理模型仍然是泊松方程、連續(xù)性方程和運輸方程?；谝陨衔锬Ｐ腿匀皇遣此煞匠獭⑦B續(xù)性方程和運輸方程

49、?；谝陨衔锢砟Ｐ?，派生出了很多二級效應(yīng)和小尺寸模型，均被添加理模型，派生出了很多二級效應(yīng)和小尺寸模型，均被添加Sentaurus Device中。中。2022-3-7浙大微電子62/117(1) 產(chǎn)生產(chǎn)生-復(fù)合模型復(fù)合模型 產(chǎn)生產(chǎn)生-復(fù)合模型描述的是雜質(zhì)在導(dǎo)帶和價帶之間交換載流復(fù)合模型描述的是雜質(zhì)在導(dǎo)帶和價帶之間交換載流子的過程。產(chǎn)生子的過程。產(chǎn)生-復(fù)合模型主要包括：復(fù)合模型主要包括： SRH復(fù)合模型（肖克萊復(fù)合模型），復(fù)合模型（肖克萊復(fù)合模型）， CDL復(fù)合模型，復(fù)合模型， 俄歇復(fù)合模型，俄歇復(fù)合模型， 輻射復(fù)合模型，輻射復(fù)合模型， 雪崩產(chǎn)生模型，雪崩產(chǎn)生模型， 帶間隧道擊穿模型等。帶間隧

50、道擊穿模型等。2022-3-7浙大微電子63/117(2) 遷移率退化模型遷移率退化模型 描述遷移率與摻雜行為有關(guān)的模型描述遷移率與摻雜行為有關(guān)的模型 Masetti模型、模型、Arora模型和模型和University of Bologna模型模型 描述界面位置處載流子遷移率的退化模型描述界面位置處載流子遷移率的退化模型 Lombardi模型、模型、University of Bologna模型模型 描述載流子描述載流子-載流子散射的模型載流子散射的模型 ConwellWeisskopf模型、模型、BrooksHerring模型模型 描述高內(nèi)電場條件下的載流子遷移率的退化模型描述高內(nèi)電場條件

51、下的載流子遷移率的退化模型 Canali模型，轉(zhuǎn)移電子模型，基本模型，模型，轉(zhuǎn)移電子模型，基本模型，MeinerzhagenEngl模型，模型，Lucent模型，速率飽和模型和模型，速率飽和模型和驅(qū)動力模型等驅(qū)動力模型等 2022-3-7浙大微電子64/117 (3) 基于活化能變化的電離模型基于活化能變化的電離模型 常溫條件下，淺能級雜質(zhì)被認(rèn)為是完全電離的。然而，常溫條件下，淺能級雜質(zhì)被認(rèn)為是完全電離的。然而，對于深能級雜質(zhì)而言（能級深度超過對于深能級雜質(zhì)而言（能級深度超過0.026eV），則會出現(xiàn)），則會出現(xiàn)不完全電離的情況。因此，銦（受主雜質(zhì)）在硅中，氮（施不完全電離的情況。因此，銦（受

52、主雜質(zhì)）在硅中，氮（施主）和鋁（受主）在碳化硅中，都呈現(xiàn)深能級狀態(tài)。另外，主）和鋁（受主）在碳化硅中，都呈現(xiàn)深能級狀態(tài)。另外，若要研究低溫條件下的摻雜行為，則會有更多的摻雜劑出于若要研究低溫條件下的摻雜行為，則會有更多的摻雜劑出于不完全電離狀態(tài)。針對這種研究需求，不完全電離狀態(tài)。針對這種研究需求，Sentaurus Device嵌入了基于活化能變化的電離模型。嵌入了基于活化能變化的電離模型。2022-3-7浙大微電子65/117(4) 熱載流子注入模型熱載流子注入模型 熱載流子注入模型是用于描述柵漏電流機(jī)制的。該模型熱載流子注入模型是用于描述柵漏電流機(jī)制的。該模型對于描述對于描述EEPROMs

53、器件執(zhí)行寫操作時可能發(fā)生的載流子注器件執(zhí)行寫操作時可能發(fā)生的載流子注入行為來說尤為重要。入行為來說尤為重要。Sentaurus Device提供了兩種熱載流提供了兩種熱載流子注入模型和一個用戶自定義模型子注入模型和一個用戶自定義模型PMI (Physical Model Interface). 經(jīng)典的經(jīng)典的lucky電子注入模型電子注入模型 Fiegna熱載流子注入模型熱載流子注入模型 2022-3-7浙大微電子dxdydPPPPyxJIgBErinssn),(dsdgfvPqIgBEins)()()(66/117(5) 隧道擊穿模型隧道擊穿模型 在一些器件中，隧道擊穿的發(fā)生會導(dǎo)致漏電流的形在

54、一些器件中，隧道擊穿的發(fā)生會導(dǎo)致漏電流的形成，對器件的電學(xué)性能造成影響。成，對器件的電學(xué)性能造成影響。 Sentaurus Device提供三種隧道擊穿模型：提供三種隧道擊穿模型： 非局域隧道擊穿模型非局域隧道擊穿模型 （最常用，該模型考慮了載流子的自加熱因素，能夠進(jìn)（最常用，該模型考慮了載流子的自加熱因素，能夠進(jìn) 行任意形狀勢壘下的數(shù)值求解）行任意形狀勢壘下的數(shù)值求解） 直接隧道擊穿模型直接隧道擊穿模型 FowlerNordheim隧道擊穿模型隧道擊穿模型 2022-3-7浙大微電子67/117(6) 應(yīng)力模型應(yīng)力模型 器件結(jié)構(gòu)內(nèi)部機(jī)械應(yīng)力的變化，可以影響材料的功函數(shù)、器件結(jié)構(gòu)內(nèi)部機(jī)械應(yīng)力的

55、變化，可以影響材料的功函數(shù)、界面態(tài)密度、載流子遷移率能帶分布和漏電流等。局部區(qū)域界面態(tài)密度、載流子遷移率能帶分布和漏電流等。局部區(qū)域應(yīng)力的變化往往是由于高溫?zé)狎?qū)動加工的溫變作用或材料屬應(yīng)力的變化往往是由于高溫?zé)狎?qū)動加工的溫變作用或材料屬性的不同產(chǎn)生的。性的不同產(chǎn)生的。 應(yīng)力變化引起的能帶結(jié)構(gòu)變化，可以由以下模型進(jìn)行分析：應(yīng)力變化引起的能帶結(jié)構(gòu)變化，可以由以下模型進(jìn)行分析： 應(yīng)力變化引起的載流子遷移率的變化應(yīng)力變化引起的載流子遷移率的變化，由以下公式描述：由以下公式描述： VniViVVkTEnkTE1300300)exp(1lnCniCiCkTEnkTEc1300300)exp(1ln2022

56、-3-7浙大微電子1exp)/( 21/110kTEEmmmmCiCNtNINtNINNii1exp)/(1/1115 . 110010kTEEmmmmCiCPhPPhPPPPP68/117(7) 量子化模型量子化模型 Sentaurus Device提供了四種量子化模型。提供了四種量子化模型。 Van Dot模型模型 Van Dot模型僅適用于硅基模型僅適用于硅基MOSFET器件的仿真。使用器件的仿真。使用該模型可以較好地描述器件內(nèi)部的量子化效應(yīng)及其在最終特該模型可以較好地描述器件內(nèi)部的量子化效應(yīng)及其在最終特性中的反映。性中的反映。 一維薛定諤方程一維薛定諤方程 一維薛定諤方程可以用來進(jìn)行一

57、維薛定諤方程可以用來進(jìn)行MOSFET、量子阱和超薄、量子阱和超薄SOI結(jié)特性的仿真。結(jié)特性的仿真。 2022-3-7浙大微電子69/117 密度梯度模型密度梯度模型 密度梯度模型用于密度梯度模型用于MOSFET器件、量子阱和器件、量子阱和SOI結(jié)構(gòu)的仿結(jié)構(gòu)的仿真，可以描述器件的最終特性以及器件內(nèi)的電荷分布。該模真，可以描述器件的最終特性以及器件內(nèi)的電荷分布。該模型可以描述二維和三維的量子效應(yīng)。型可以描述二維和三維的量子效應(yīng)。 修正后的局部密度近似模型修正后的局部密度近似模型 該模型數(shù)值計算效率較高，比較適用于三維器件的物理特該模型數(shù)值計算效率較高，比較適用于三維器件的物理特性仿真。性仿真。 2

58、022-3-7浙大微電子70/117Sentaurus Device仿真實例仿真實例 一個標(biāo)準(zhǔn)的一個標(biāo)準(zhǔn)的Sentaurus Device輸入文件由以下幾部輸入文件由以下幾部分組成，包括分組成，包括File、Electrode、Physics、Plot、Math和和Solve，每一部分都執(zhí)行一定的功能。輸入文件缺省的擴(kuò)，每一部分都執(zhí)行一定的功能。輸入文件缺省的擴(kuò)展名為展名為_des.cmd。2022-3-7浙大微電子71/1171. VDMOS器件雪崩擊穿電壓的仿真器件雪崩擊穿電壓的仿真 器件的雪崩擊穿電壓相比與其他電學(xué)參數(shù)，比較難模擬。器件的雪崩擊穿電壓相比與其他電學(xué)參數(shù)，比較難模擬。因為在

59、器件即將擊穿時，即使是很小的電壓變化都可能導(dǎo)致因為在器件即將擊穿時，即使是很小的電壓變化都可能導(dǎo)致漏電流的急劇增加，有些時候甚至?xí)a(chǎn)生回滯現(xiàn)象。因此，漏電流的急劇增加，有些時候甚至?xí)a(chǎn)生回滯現(xiàn)象。因此，在這種情況下，進(jìn)行雪崩擊穿電壓模擬計算時很難獲得一個在這種情況下，進(jìn)行雪崩擊穿電壓模擬計算時很難獲得一個收斂解。而在漏電極上串聯(lián)一個大電阻可以有效的解決這個收斂解。而在漏電極上串聯(lián)一個大電阻可以有效的解決這個不收斂問題。不收斂問題。 在本例中，在本例中，Sentaurus Device調(diào)用了之前調(diào)用了之前Sentaurus Process產(chǎn)生的輸出文件，該文件中包含了摻雜信息，網(wǎng)格產(chǎn)生的輸出文件

60、，該文件中包含了摻雜信息，網(wǎng)格信息和電極定義信息。信息和電極定義信息。2022-3-7浙大微電子72/117(1) File 該文件定義部分指定了完成器件模擬所需要的輸入文件該文件定義部分指定了完成器件模擬所需要的輸入文件和輸出文件。和輸出文件。 File * input files: Grid =“500vdmos_final_fps.tdr” * output files: Plot =“BV_des.dat” Current =“BV_des.plt” Output =“BV_des.log” 2022-3-7浙大微電子73/117(2) Electrode 該電極定義部分用來定義該電極