第二章 電磁場(chǎng)的基本規(guī)律1

1、第第 2 章章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)編寫編寫高等教育出版社高等教育出版社 & 高等教育高等教育電子音像電子音像出版社出版社 出版出版1 第第 2 章章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)編寫編寫高等教育出版社高等教育出版社 & 高等教育高等教育電子音像電子音像出版社出版社 出版出版2 2.1 電荷守恒定律電荷守恒定律2.2 真空中靜電場(chǎng)的基本規(guī)律真空中靜電場(chǎng)的基本規(guī)律2.3 真空中恒定磁場(chǎng)的基本規(guī)律真空中恒定磁場(chǎng)的基本規(guī)律2.4 媒質(zhì)的電磁特性媒質(zhì)的電磁特性2.5 電磁感應(yīng)定律和位移電流電磁感應(yīng)定律和位移電流2.6 麥克斯韋方程

2、組麥克斯韋方程組2.7 電磁場(chǎng)的邊界條件電磁場(chǎng)的邊界條件本章討論內(nèi)容本章討論內(nèi)容第第 2 章章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)編寫編寫高等教育出版社高等教育出版社 & 高等教育高等教育電子音像電子音像出版社出版社 出版出版32.6 麥克斯韋方程組麥克斯韋方程組VSVSJdd麥克斯韋方程組麥克斯韋方程組 宏觀電磁現(xiàn)象所遵循的基本規(guī)律，是電宏觀電磁現(xiàn)象所遵循的基本規(guī)律，是電 磁場(chǎng)的基本方程。磁場(chǎng)的基本方程。 2.6.1 麥克斯韋方程組的積分形式麥克斯韋方程組的積分形式SVSCSCSdVSDSBStBlEStDJlHd0dddd)(d第第 2 章章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)

3、與電磁波電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)編寫編寫高等教育出版社高等教育出版社 & 高等教育高等教育電子音像電子音像出版社出版社 出版出版4DBtBEtDJH02.6.2 麥克斯韋方程組的微分形式麥克斯韋方程組的微分形式麥克斯韋第一方程，表明傳導(dǎo)電麥克斯韋第一方程，表明傳導(dǎo)電流和變化的電場(chǎng)都能產(chǎn)生磁場(chǎng)流和變化的電場(chǎng)都能產(chǎn)生磁場(chǎng)麥克斯韋第二方程，表麥克斯韋第二方程，表明變化的磁場(chǎng)產(chǎn)生電場(chǎng)明變化的磁場(chǎng)產(chǎn)生電場(chǎng)麥克斯韋第三方程表明磁場(chǎng)是麥克斯韋第三方程表明磁場(chǎng)是無源場(chǎng)，磁感線總是閉合曲線無源場(chǎng)，磁感線總是閉合曲線麥克斯韋第四方程，麥克斯韋第四方程，表明電荷產(chǎn)生電場(chǎng)表明電荷產(chǎn)生電場(chǎng)第第 2 章章 電磁場(chǎng)

4、與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)編寫編寫高等教育出版社高等教育出版社 & 高等教育高等教育電子音像電子音像出版社出版社 出版出版52.6.3 媒質(zhì)的本構(gòu)關(guān)系媒質(zhì)的本構(gòu)關(guān)系 EDHBEJ)(0)()()(EHHtEEtEH代入麥克斯韋方程組中，有代入麥克斯韋方程組中，有0/EHEtHEtHE 限定形式的麥克斯韋方程限定形式的麥克斯韋方程（均勻媒質(zhì)）（均勻媒質(zhì)）各向同性線性媒質(zhì)的本構(gòu)關(guān)系為各向同性線性媒質(zhì)的本構(gòu)關(guān)系為第第 2 章章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)編寫編寫高等教育出版社高等教育出版社 & 高等教育高等教育電子音像電子音像出版社出版社

5、 出版出版6q 時(shí)變電場(chǎng)的激發(fā)源除了電荷以外，還有變化的磁場(chǎng)；而時(shí)變時(shí)變電場(chǎng)的激發(fā)源除了電荷以外，還有變化的磁場(chǎng)；而時(shí)變磁場(chǎng)的激發(fā)源除了傳導(dǎo)電流以外，還有變化的電場(chǎng)。電場(chǎng)和磁場(chǎng)的激發(fā)源除了傳導(dǎo)電流以外，還有變化的電場(chǎng)。電場(chǎng)和磁場(chǎng)互為激發(fā)源，相互激發(fā)磁場(chǎng)互為激發(fā)源，相互激發(fā)。q 時(shí)變電磁場(chǎng)的電場(chǎng)和磁場(chǎng)不時(shí)變電磁場(chǎng)的電場(chǎng)和磁場(chǎng)不再相互獨(dú)立，而是相互關(guān)聯(lián)，再相互獨(dú)立，而是相互關(guān)聯(lián)，構(gòu)成一個(gè)整體構(gòu)成一個(gè)整體 電磁場(chǎng)。電磁場(chǎng)。電場(chǎng)和磁場(chǎng)分別是電磁場(chǎng)的電場(chǎng)和磁場(chǎng)分別是電磁場(chǎng)的兩個(gè)分量。兩個(gè)分量。q 在離開輻射源（如天線）的無源空間中，電荷密度和電流密在離開輻射源（如天線）的無源空間中，電荷密度和電流密度矢

6、量為零，電場(chǎng)和磁場(chǎng)仍然可以相互激發(fā)，從而在空間形度矢量為零，電場(chǎng)和磁場(chǎng)仍然可以相互激發(fā)，從而在空間形成電磁振蕩并傳播，這就是電磁波。成電磁振蕩并傳播，這就是電磁波。第第 2 章章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)編寫編寫高等教育出版社高等教育出版社 & 高等教育高等教育電子音像電子音像出版社出版社 出版出版7q 在無源空間中，兩個(gè)旋度方程分別為在無源空間中，兩個(gè)旋度方程分別為tDHtBE, 可以看到兩個(gè)方程的右邊相差一個(gè)負(fù)號(hào)，而正是這個(gè)負(fù)號(hào)可以看到兩個(gè)方程的右邊相差一個(gè)負(fù)號(hào)，而正是這個(gè)負(fù)號(hào)使得電場(chǎng)和磁場(chǎng)構(gòu)成一個(gè)相互激勵(lì)又相互制約的關(guān)系。當(dāng)磁場(chǎng)使得電場(chǎng)和磁場(chǎng)構(gòu)成一個(gè)相

7、互激勵(lì)又相互制約的關(guān)系。當(dāng)磁場(chǎng)減小時(shí)，電場(chǎng)的旋渦源為正，電場(chǎng)將增大；而當(dāng)電場(chǎng)增大時(shí)，減小時(shí)，電場(chǎng)的旋渦源為正，電場(chǎng)將增大；而當(dāng)電場(chǎng)增大時(shí)，使磁場(chǎng)增大，磁場(chǎng)增大反過來又使電場(chǎng)減小。使磁場(chǎng)增大，磁場(chǎng)增大反過來又使電場(chǎng)減小。第第 2 章章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)編寫編寫高等教育出版社高等教育出版社 & 高等教育高等教育電子音像電子音像出版社出版社 出版出版8麥克斯韋方程組麥克斯韋方程組時(shí)變場(chǎng)時(shí)變場(chǎng)靜態(tài)場(chǎng)靜態(tài)場(chǎng)緩變場(chǎng)緩變場(chǎng)迅變場(chǎng)迅變場(chǎng)電磁場(chǎng)電磁場(chǎng)(EM)準(zhǔn)靜電場(chǎng)準(zhǔn)靜電場(chǎng)(EQS)準(zhǔn)靜磁場(chǎng)準(zhǔn)靜磁場(chǎng)(MQS)靜磁場(chǎng)靜磁場(chǎng)(MS)0t0t0tD0tB小結(jié)小結(jié)： 麥克斯韋

8、方程適用范圍麥克斯韋方程適用范圍：一切宏觀電磁現(xiàn)象。：一切宏觀電磁現(xiàn)象。靜電場(chǎng)靜電場(chǎng)(ES)恒定電場(chǎng)恒定電場(chǎng)(SS)第第 2 章章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)編寫編寫高等教育出版社高等教育出版社 & 高等教育高等教育電子音像電子音像出版社出版社 出版出版9cmmddsin()ddcos()uiCCUtttCUt=msin()UtDEd 解解：( 1 ) 導(dǎo)線中的傳導(dǎo)電流為導(dǎo)線中的傳導(dǎo)電流為忽略邊緣效應(yīng)時(shí)，間距為忽略邊緣效應(yīng)時(shí)，間距為d 的兩平行板的兩平行板之間的電場(chǎng)為之間的電場(chǎng)為E = u / d ，則，則 msinuUt 例例 2.6.1 正弦交流電壓源正弦

9、交流電壓源 連接到平行板電容器連接到平行板電容器的兩個(gè)極板上，如圖所示。的兩個(gè)極板上，如圖所示。(1) (1) 證明電容器兩極板間的位移電流證明電容器兩極板間的位移電流與連接導(dǎo)線中的傳導(dǎo)電流相等；與連接導(dǎo)線中的傳導(dǎo)電流相等；(2)(2)求導(dǎo)線附近距離連接導(dǎo)線為求導(dǎo)線附近距離連接導(dǎo)線為r 處的磁場(chǎng)強(qiáng)度。處的磁場(chǎng)強(qiáng)度。CPricu平行板電容器與交平行板電容器與交流電壓源相接流電壓源相接第第 2 章章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)編寫編寫高等教育出版社高等教育出版社 & 高等教育高等教育電子音像電子音像出版社出版社 出版出版10d2cHlrH與閉合線鉸鏈的只有導(dǎo)線中的

10、傳導(dǎo)電流與閉合線鉸鏈的只有導(dǎo)線中的傳導(dǎo)電流 ，故得，故得cmcos()iC Utm2cos()rHCUt ( 2 ) 以以 r 為半徑作閉合曲線為半徑作閉合曲線C，由于連接導(dǎo)線本身的軸對(duì)稱，由于連接導(dǎo)線本身的軸對(duì)稱性，使得沿閉合線的磁場(chǎng)相等，故性，使得沿閉合線的磁場(chǎng)相等，故mdd0mcddcos()cos()SSUDiJSSt SC Utitd式中的式中的S0為極板的面積，而為極板的面積，而0SCd為平行板電容器的電容。為平行板電容器的電容。則極板間的位移電流為則極板間的位移電流為mcos()2CUHe Hetr第第 2 章章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)編寫編寫高等教

11、育出版社高等教育出版社 & 高等教育高等教育電子音像電子音像出版社出版社 出版出版11 例例 2.6.2 在無源在無源 的電介質(zhì)的電介質(zhì) 中，若已知中，若已知電場(chǎng)強(qiáng)度矢量電場(chǎng)強(qiáng)度矢量 ，式中的，式中的E0為振幅、為振幅、為角為角頻率、頻率、k為相位常數(shù)。試確定為相位常數(shù)。試確定k與與 之間所滿足的關(guān)系，之間所滿足的關(guān)系，并求與并求與 相應(yīng)的其他場(chǎng)矢量。相應(yīng)的其他場(chǎng)矢量。(00)J、(0)mcos() V/mxEe Etkz 解解： 是電磁場(chǎng)的場(chǎng)矢量，應(yīng)滿足麥克斯韋方程組。因此，利是電磁場(chǎng)的場(chǎng)矢量，應(yīng)滿足麥克斯韋方程組。因此，利用麥克斯韋方程組可以確定用麥克斯韋方程組可以確定 k 與與

12、之間所滿足的之間所滿足的關(guān)系，以及與關(guān)系，以及與 相應(yīng)的其相應(yīng)的其他他場(chǎng)矢量。場(chǎng)矢量。EEmmcos()sin()xyyyEeeEtkze kEtkzzz mcos()ykEBetkz對(duì)時(shí)間對(duì)時(shí)間 t 積分，得積分，得()xyzxxBEeeee Etxyz E第第 2 章章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)編寫編寫高等教育出版社高等教育出版社 & 高等教育高等教育電子音像電子音像出版社出版社 出版出版12BH=DE2msin()xyzyxxxyzeeeHk EHeetkzxyzzHHH msin()xxxDDeeEtkztt DHt由由22k mcos()ykEHe

13、tkzmcos()xDeEtkz以上各個(gè)場(chǎng)矢量都應(yīng)滿足麥克斯韋方程，將以上得到的以上各個(gè)場(chǎng)矢量都應(yīng)滿足麥克斯韋方程，將以上得到的 H 和和 D代入式代入式第第 2 章章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)編寫編寫高等教育出版社高等教育出版社 & 高等教育高等教育電子音像電子音像出版社出版社 出版出版13 2.7 電磁場(chǎng)的邊界條件電磁場(chǎng)的邊界條件 什么是電磁場(chǎng)的邊界條件什么是電磁場(chǎng)的邊界條件? ? 為什么要研究邊界條件為什么要研究邊界條件? ?ne媒質(zhì)媒質(zhì)1 1媒質(zhì)媒質(zhì)2 2 如何討論邊界條件如何討論邊界條件? ? 實(shí)際電磁場(chǎng)問題都是在一定的物理空實(shí)際電磁場(chǎng)問題都是在一

14、定的物理空間內(nèi)發(fā)生的，該空間中可能是由多種不同間內(nèi)發(fā)生的，該空間中可能是由多種不同媒質(zhì)組成的。邊界條件就是不同媒質(zhì)的分媒質(zhì)組成的。邊界條件就是不同媒質(zhì)的分界面上的電磁場(chǎng)矢量滿足的關(guān)系，是在不界面上的電磁場(chǎng)矢量滿足的關(guān)系，是在不同媒質(zhì)分界面上電磁場(chǎng)的基本屬性。同媒質(zhì)分界面上電磁場(chǎng)的基本屬性。物理物理：由于在分界面兩側(cè)介質(zhì)的特性參由于在分界面兩側(cè)介質(zhì)的特性參 數(shù)發(fā)生突變，場(chǎng)在界面兩側(cè)也發(fā)數(shù)發(fā)生突變，場(chǎng)在界面兩側(cè)也發(fā) 生突變。麥克斯韋方程組的微分生突變。麥克斯韋方程組的微分 形式在分界面兩側(cè)失去意義，必形式在分界面兩側(cè)失去意義，必 須采用邊界條件。須采用邊界條件。數(shù)學(xué)數(shù)學(xué)：麥克斯韋方程組是微分方程組

15、，其：麥克斯韋方程組是微分方程組，其 解是不確定的，邊界條件起定解的解是不確定的，邊界條件起定解的 作用。作用。 麥克斯韋方程組的積分形式在不同媒麥克斯韋方程組的積分形式在不同媒質(zhì)的分界面上仍然適用，由此可導(dǎo)出電磁質(zhì)的分界面上仍然適用，由此可導(dǎo)出電磁場(chǎng)矢量在不同媒質(zhì)分界面上的邊界條件。場(chǎng)矢量在不同媒質(zhì)分界面上的邊界條件。第第 2 章章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)編寫編寫高等教育出版社高等教育出版社 & 高等教育高等教育電子音像電子音像出版社出版社 出版出版14SVSCSCSdVSDSBStBlEStDJlHd0dddd)(d2.7.1 邊界條件一般表達(dá)式邊界條

16、件一般表達(dá)式SnnnSnDDeBBeEEeJHHe)(0)(0)()(21212121ne媒質(zhì)媒質(zhì)1 1媒質(zhì)媒質(zhì)2 2 分界面上的電荷面密度分界面上的電荷面密度 分界面上的電流面密度分界面上的電流面密度第第 2 章章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)編寫編寫高等教育出版社高等教育出版社 & 高等教育高等教育電子音像電子音像出版社出版社 出版出版15 邊界條件的推證邊界條件的推證 （1 1） 電磁場(chǎng)量的法向邊界條件電磁場(chǎng)量的法向邊界條件令令h 0，則由，則由S1D2Dne媒質(zhì)媒質(zhì)1 1媒質(zhì)媒質(zhì)2 2hPSdSVDSdV12n()SDDeSS即即n12()SeDD同理同

17、理 ，由，由d0SBS 在兩種媒質(zhì)的交界面上任取一在兩種媒質(zhì)的交界面上任取一點(diǎn)點(diǎn)P，作一個(gè)包圍點(diǎn)，作一個(gè)包圍點(diǎn)P 的扁平圓柱的扁平圓柱曲面曲面S，如圖表示。，如圖表示。n12()0eBB1n2nBB或或1n2nSDD或或第第 2 章章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)編寫編寫高等教育出版社高等教育出版社 & 高等教育高等教育電子音像電子音像出版社出版社 出版出版16（2）電磁場(chǎng)量的切向邊界條件電磁場(chǎng)量的切向邊界條件12()SHHlJN l 在介質(zhì)分界面兩側(cè)，選取如圖所示的小環(huán)路，令在介質(zhì)分界面兩側(cè)，選取如圖所示的小環(huán)路，令h 0，則則由由l1H2Hne媒質(zhì)媒質(zhì)1 1

18、媒質(zhì)媒質(zhì)2 2Nhd() dCSDHlJSt故得故得n12()SeHHJnlN e l n12()eHHN l1t2tSHHJ或或n12()0eEE同理得同理得1t2tEE或或1212n()() ()HHlHHNel 第第 2 章章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)編寫編寫高等教育出版社高等教育出版社 & 高等教育高等教育電子音像電子音像出版社出版社 出版出版17 兩種理想介質(zhì)分界面兩種理想介質(zhì)分界面上的邊界條件上的邊界條件n12n12n12n12()0()0()0()0eeeeDDBBEEHH2.7.2 兩種常見的情況兩種常見的情況 在兩種理想介質(zhì)分在兩種理想介質(zhì)

19、分界面上，通常沒有電荷界面上，通常沒有電荷和電流分布，即和電流分布，即JS0、S0，故，故 的法向分量連續(xù)的法向分量連續(xù)D 的法向分量連續(xù)的法向分量連續(xù)B 的切向分量連續(xù)的切向分量連續(xù)E 的切向分量連續(xù)的切向分量連續(xù)Hne媒質(zhì)媒質(zhì)1 1媒質(zhì)媒質(zhì)2 2 、 的法向分量連續(xù)的法向分量連續(xù)DBne媒質(zhì)媒質(zhì)1 1媒質(zhì)媒質(zhì)2 2 、 的切向分量連續(xù)的切向分量連續(xù)EH第第 2 章章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)編寫編寫高等教育出版社高等教育出版社 & 高等教育高等教育電子音像電子音像出版社出版社 出版出版182. 理想導(dǎo)體表面上的邊界條件理想導(dǎo)體表面上的邊界條件nnnn00

20、SSeDeBeEeHJ 理想導(dǎo)體表面上的邊界條件理想導(dǎo)體表面上的邊界條件 設(shè)媒質(zhì)設(shè)媒質(zhì)2為理想導(dǎo)體，則為理想導(dǎo)體，則E2、D2、H2、B2均為零，故均為零，故 理想導(dǎo)體理想導(dǎo)體：電導(dǎo)率為無限大的導(dǎo)電媒質(zhì)：電導(dǎo)率為無限大的導(dǎo)電媒質(zhì) 特征特征：電磁場(chǎng)不可能進(jìn)入理想導(dǎo)體內(nèi)：電磁場(chǎng)不可能進(jìn)入理想導(dǎo)體內(nèi)理想導(dǎo)體理想導(dǎo)體DSJH理想導(dǎo)體表面上的電荷密度等于理想導(dǎo)體表面上的電荷密度等于 的法向分量的法向分量D理想導(dǎo)體表面上理想導(dǎo)體表面上 的法向分量為的法向分量為0 0B理想導(dǎo)體表面上理想導(dǎo)體表面上 的切向分量為的切向分量為0 0E理想導(dǎo)體表面上的電流密度等于理想導(dǎo)體表面上的電流密度等于 的切向分量的切向分量

21、H第第 2 章章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)編寫編寫高等教育出版社高等教育出版社 & 高等教育高等教育電子音像電子音像出版社出版社 出版出版19 例例2.7.1 z 0 區(qū)域的媒質(zhì)參數(shù)為區(qū)域的媒質(zhì)參數(shù)為 。若媒質(zhì)。若媒質(zhì)1中的電場(chǎng)中的電場(chǎng)強(qiáng)度為強(qiáng)度為101010、202025200、881( , )60cos(15 105 )20cos(15 105 )V/mxE z tetztz82( , )cos(15 1050 )V/mxEz te Atz媒質(zhì)媒質(zhì)2 2中的電場(chǎng)強(qiáng)度為中的電場(chǎng)強(qiáng)度為（1）試確定常數(shù)）試確定常數(shù)A的值的值;（2）求磁場(chǎng)強(qiáng)度）求磁場(chǎng)強(qiáng)度 和和

22、 ； （3 3）驗(yàn)證）驗(yàn)證 和和 滿足邊界條件。滿足邊界條件。),(1tzH),(2tzH),(1tzH),(2tzH 解解: :（1）這是兩種電介質(zhì)的分界面，在分界面這是兩種電介質(zhì)的分界面，在分界面z = 0處，有處，有881(0, )60cos(15 10 )20cos(15 10 )xEtett880cos(15 10 )V/mxet82(0, )cos(15 10 )V/mxEte At第第 2 章章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)編寫編寫高等教育出版社高等教育出版社 & 高等教育高等教育電子音像電子音像出版社出版社 出版出版20利用兩種電介質(zhì)分界面上電場(chǎng)

23、強(qiáng)度的切向分量連續(xù)的邊界條件利用兩種電介質(zhì)分界面上電場(chǎng)強(qiáng)度的切向分量連續(xù)的邊界條件1111111xyEHEetz 8801300sin(15 105 ) 100sin(15 105 )yetztz 78781012( , )2 10 cos(15 105 )10 cos(15 105 ) A/m3yH z tetztz 80V/mA 得到得到將上式對(duì)時(shí)間將上式對(duì)時(shí)間 t 積分，得積分，得 （2）由）由 ，有，有111HEt ), 0(), 0(21tEtE第第 2 章章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)編寫編寫高等教育出版社高等教育出版社 & 高等教育高等教育電子音

24、像電子音像出版社出版社 出版出版2178204( , )10cos(15 105 )A/m3yHz tetz78781078012(0, )2 10cos(15 10 )10cos(15 10 )3410cos(15 10 )A/m3yyHtettet78204(0, )10cos(15 10 )A/m3yHtet可見，在可見，在z = 0處，磁場(chǎng)強(qiáng)度的切向分量是連續(xù)的，因?yàn)樵诜纸缑嫣帲艌?chǎng)強(qiáng)度的切向分量是連續(xù)的，因?yàn)樵诜纸缑嫔希ㄉ希▃ = 0）不存在面電流。）不存在面電流。 （3）z = 0時(shí)時(shí)222HEt 同樣，由同樣，由 ，得，得第第 2 章章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波電子科技大學(xué)電

25、子科技大學(xué)編寫編寫高等教育出版社高等教育出版社 & 高等教育高等教育電子音像電子音像出版社出版社 出版出版22試問關(guān)于試問關(guān)于1區(qū)中的區(qū)中的 和和 能求得出嗎？能求得出嗎？1E1D 解解 根據(jù)邊界條件，只能求得邊界面根據(jù)邊界條件，只能求得邊界面z0 處的處的 和和 。1D1E由由 ，有，有0)(21EEen11101125(3)(2 )(5 )0zxxyyzzxyzzyxxyee Ee Ee EeyexezeEyeEx則得則得xEyEyx5,211V/m)3(522zezeyeEzyx1區(qū)區(qū)2區(qū)區(qū)xyz電介質(zhì)與自由空間的電介質(zhì)與自由空間的分界面分界面O105 例例 2.7.2 如圖所示，如圖所示，1區(qū)的媒質(zhì)參數(shù)為區(qū)的媒質(zhì)參數(shù)為 、 、 2區(qū)的媒質(zhì)參數(shù)為區(qū)的媒質(zhì)參數(shù)為 。若已知自由空間的電。若已知自由空間的電場(chǎng)強(qiáng)度為場(chǎng)強(qiáng)度為202020、10,10第第 2 章章 電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波電子科技大學(xué)電子科技大學(xué)編寫編寫高等教