半導(dǎo)體污染及其防治研究

1、半導(dǎo)體污染及其防治研究趙佳炭【理科實(shí)臉班（地球系統(tǒng)科學(xué)與環(huán)境）171830047】摘要：隨半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展擴(kuò)大，半導(dǎo)體圓片生產(chǎn)過程中各種沾污雜質(zhì)問題嚴(yán)重影響了苴質(zhì)量，本文 介紹了半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中的各種雜質(zhì)以及對應(yīng)的去除的各種方法。同時(shí)根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的 環(huán)境污染問題，提出淸潔生產(chǎn)的預(yù)防措施。關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體：污染；防治引言：隨著半導(dǎo)體器件和大規(guī)模集成電路的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體制造業(yè)半導(dǎo)體被沾污以及制造過程中造成的環(huán) 境污染問題越發(fā)受到重視。晶片表面的顆粒和雜質(zhì)沾污會嚴(yán)重影響器件的質(zhì)量和成品率，而半導(dǎo)體工業(yè)涉 及到300多種不同性質(zhì)的原料和溶劑，英中大部分是有毒性和危險(xiǎn)性的物質(zhì)，半導(dǎo)體工業(yè)在

2、攀合人們帶來 財(cái)富的同時(shí)，也伴隨著對人類生存環(huán)境的危害。1. 半導(dǎo)體晶圓的污染源及清洗1.1四類雜質(zhì)污染物半導(dǎo)體制造中需要一些有機(jī)物和無機(jī)物參與完成，另外，由于工藝總是在凈化室中由人的參與進(jìn)行， 所以半導(dǎo)體圓片不可避免的被各種雜質(zhì)污染。根據(jù)污染物的來源、性質(zhì)等，大致可分為顆粒、有機(jī)物、金 屬離子和氧化物四大類。1.1.1顆粒顆粒主要是一些聚合物、光刻膠和蝕刻雜質(zhì)等。這類污染物通常主要依靠分子間作用力吸附在圓片表 面，影響器件光刻工序的幾何圖形的形成及電學(xué)參數(shù)。這類污染物主要通過物理或化學(xué)的方法逐漸減小其 與圓片表而的接觸而積將苴去除。1.1.2有機(jī)物有機(jī)物雜質(zhì)的來源比較廣泛，如人的皮膚油脂、細(xì)

3、菌、機(jī)械汕、真空脂、光刻膠、淸洗溶劑等。這類 污染物通常在圓片表面形成有機(jī)物薄膜阻止淸洗液到達(dá)圓片表而，導(dǎo)致圓片表而淸洗不徹底。這類污染物 的去除常常在涓洗工序的第一步進(jìn)行，主要使用硫酸和雙氧水等化學(xué)方法進(jìn)行處理。1.1.3金屬離子常見的金屬雜質(zhì)有鐵、銅、鋁、銘、鑄、鈦、鈉、鉀、鋰等，來源主要有：各種器皿、管道、化學(xué)試 劑，以及加工過程中形成金屬互連時(shí)，產(chǎn)生的金屬污染。這類雜質(zhì)的去除常采用化學(xué)方法通過形成金屬離 子的絡(luò)合物去除。1.1.4氧化物半導(dǎo)體圓片無露在含氧氣及水的環(huán)境下表而會形成自然氧化層。這層氧化薄膜會妨礙半導(dǎo)體制造的許 多工序，還包含某些金屬雜質(zhì)，在一左條件下，它們會形成電學(xué)缺陷。

4、這層氧化薄膜的去除常采用稀氫氟 酸浸泡完成。1.2 一般清洗順序吸附在半導(dǎo)體圓片表而上的雜質(zhì)可分為分子型、離子型和原子型三種。其中分子型雜質(zhì)和圓片表而間 的吸附力較弱，這類雜質(zhì)粒子比較容易淸除，它們多屬油脂類雜質(zhì)，具有疏水性的特點(diǎn)，可為半導(dǎo)體圓片 表面沾污的離子型和原子型雜質(zhì)提供掩蔽，不利于這兩類雜質(zhì)的去除，因此在半導(dǎo)體圓片進(jìn)行化學(xué)淸洗時(shí), 首先應(yīng)該淸除分子型雜質(zhì)。離子型和原子型吸附的雜質(zhì)其吸附力都較強(qiáng)，屬于化學(xué)吸附雜質(zhì)。在通常情況 下，由于原子型吸附雜質(zhì)的量較小，所以在化學(xué)淸洗時(shí)，一般先淸除離子型吸附雜質(zhì)，然后再淸除原子型 雜質(zhì)。最后用髙純?nèi)ルx子水進(jìn)行沖冼，再加溫烘干或甩干就可得到潔凈表而的

5、半導(dǎo)體圓片。因此，半導(dǎo)體圓片淸洗工藝的一般程序?yàn)椋喝シ肿觠去離子去原子T去離子水沖洗。另外，為去除 圓片表而的自然氧化層，需要增加一個(gè)稀氫氟酸浸泡步驟。所以，淸洗的思路是首先去除表面的有機(jī)沾污；然后溶解氧化層；最后再去除顆粒、金屬沾污，同時(shí) 使表而鈍化。13常用清洗方法半導(dǎo)體圓片的清洗常采用化學(xué)方法清洗?；瘜W(xué)淸洗是指利用各種化學(xué)試劑和有機(jī)溶劑與圓片表而的雜 質(zhì)及汕污發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或溶解作用，使雜質(zhì)脫附，然后用大量高純熱、冷去離子水沖洗，從而獲得潔凈表 面的過程。化學(xué)淸洗可分為濕法化學(xué)淸洗和干法化學(xué)淸洗，其中濕法化學(xué)淸洗仍處于主導(dǎo)地位。1.3.1濕法化學(xué)淸洗濕法化學(xué)淸洗主要包含溶液浸泡法、機(jī)械擦洗

6、法、超聲波淸洗、兆聲波淸洗、旋轉(zhuǎn)噴淋法等。（1）溶液浸泡法溶液浸泡法是將圓片浸泡在化學(xué)溶液中來達(dá)到淸除表而污染的一種方法。它是濕法化學(xué)淸洗中最常用 的一種方法。選用不同的溶液可以達(dá)到清除圓片表而不同類型的污染雜質(zhì)。通常這種方法不能徹底去凈圓 片表面的雜質(zhì)，所以在采用浸泡的同時(shí)常輔以加熱、超聲、攪拌等物理措施。（2）機(jī)械擦洗法機(jī)械擦洗常用來去除圓片表而的微?；蛴袡C(jī)殘?jiān)?，一般可分為手工擦洗和?機(jī)擦洗兩種方法。手工 擦洗是最簡單的一種擦洗方法，用不銹鋼銀子夾著浸有無水乙醇等有機(jī)溶劑的棉球，在圓片表而沿同一方 向輕擦，以去除蠟?zāi)?、灰塵、殘膠或苴它固體顆粒，這種方法易造成劃傷，污染嚴(yán)重。擦片機(jī)是利用機(jī)

7、械 旋轉(zhuǎn)，用軟羊毛刷或刷餛擦刷圓片表面，這種方法對圓片的劃傷大大減輕。而采用高壓擦片機(jī)由于無機(jī)械 磨擦，則不會劃傷圓片，而且可以淸除槽痕里的沾污。（3）超聲波淸洗超聲波淸洗是半導(dǎo)體工業(yè)中廣泛應(yīng)用的一種淸洗方法，其優(yōu)點(diǎn)是：涓洗效果好，操作簡單，對于復(fù)雜 的器件和容器也能清除。這種清洗方法是在強(qiáng)烈的超聲波作用下（常用的超聲波頻率為2040 kHz）,液體 介質(zhì)內(nèi)部會產(chǎn)生疏部和密部，疏部產(chǎn)生近乎真空的空腔泡，當(dāng)空腔泡消失的瞬間，其附近便產(chǎn)生強(qiáng)大的局 部壓力，使分子內(nèi)的化學(xué)鍵斷裂將晶圓表面的雜質(zhì)解。超聲淸洗對于淸除不溶性或難溶性焊劑殘?jiān)钣行?。?）兆聲波淸洗兆聲波淸洗不但具有超聲波淸洗的優(yōu)點(diǎn)，而且克

8、服了它的不足。兆聲波淸洗是由髙能（85OkHZ）頻振效 應(yīng)并結(jié)合化學(xué)涓洗劑的化學(xué)反應(yīng)對圓片進(jìn)行淸洗。在淸洗時(shí)，溶液分子在兆聲波的推動下作加速運(yùn)動（最大 瞬時(shí)速度可達(dá)到30 cms）,以高速的流體波連續(xù)沖擊圓片表面，使圓片表而附著的污染物和細(xì)小微粒被 強(qiáng)制除去并進(jìn)入到淸洗液中。在淸洗液中加入酸性表而活性劑，一方面是通過表而活性劑吸附作用，達(dá)到 去除拋光表面的顆粒和有機(jī)物的目的：列一方而通過表而活性劑螯合作用和酸性環(huán)境，達(dá)到去除拋光片表 面的金屬污染的目的。這種方法能同時(shí)起到機(jī)械擦片和化學(xué)淸洗兩種方法的作用。目前兆聲波淸洗方法已 成為拋光片淸洗的一種有效方法。（5）旋轉(zhuǎn)噴淋法旋轉(zhuǎn)噴淋法是利用機(jī)械方

9、法將圓片以較髙的速度旋轉(zhuǎn)，在旋轉(zhuǎn)過程中不斷向圓片表而噴淋液體（髙純 去離子水或其它淸洗液）以達(dá)到去除圓片表面雜質(zhì)的一種方法。這種方法利用圓片表而的沾污溶解于所噴 液體（或與其發(fā)生化學(xué)反應(yīng)溶解），同時(shí)利用高速旋轉(zhuǎn)的離心作用，使溶有雜質(zhì)的液體及時(shí)脫離圓片表而。 旋轉(zhuǎn)噴淋法既有化學(xué)淸洗、流體力學(xué)淸洗的優(yōu)點(diǎn)，又有高壓擦洗的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)這種方法還可以與甩干工序 結(jié)合在一起進(jìn)行，在采用去離子水噴淋淸洗一段時(shí)間后停止噴水，采用噴惰性氣體，同時(shí)還可通過提高旋 轉(zhuǎn)速度，增大離心力，使圓片表面快速脫水。1.3.2干法化學(xué)淸洗干法淸洗是指不采用溶液的淸洗技術(shù)。目前采用的干法淸洗技術(shù)有：等離子體淸洗技術(shù)、汽相淸洗技 術(shù)

10、、束流淸洗技術(shù)等。干法清洗的優(yōu)點(diǎn)是工藝簡單、無環(huán)境污染等，但成本較高，暫時(shí)使用范用不大。（1）等離子體淸洗技術(shù)等離子體涓洗常用于光刻膠的去除工藝中。在等離子體反應(yīng)系統(tǒng)中通入少量的氧氣，在強(qiáng)電場作用下, 使氧氣產(chǎn)生等離子體，迅速使光刻膠氧化成可揮發(fā)性氣體狀態(tài)物質(zhì)被抽走。這種淸洗技術(shù)在去膠工藝中具有操作方便、效率高、表面干凈、無劃傷、有利于確保產(chǎn)品的質(zhì)量等優(yōu) 點(diǎn)，而且它不用酸、堿及有機(jī)溶劑，沒有廢料處理和環(huán)境污染等問題，因此越來越受到人們重視。但它不 能去除碳和其它非揮發(fā)性金屬或金屬氧化物雜質(zhì)。（2）汽相淸洗技術(shù)汽相淸洗是指利用液體工藝中對應(yīng)物質(zhì)的汽相等效物與圓片表而的沾污物質(zhì)相互作用而達(dá)到去除雜

11、 質(zhì)目的的一種淸洗方法。例如CMOS工藝中圓片淸洗采用了汽相HF和水汽相互作用去除氧化物。通常含水的HF工藝必須附 加一個(gè)顆粒淸除過程，而采用汽相HF淸洗技術(shù)則不需要隨后的顆粒淸除過程。與含水HF工藝相比，其 最重要的優(yōu)點(diǎn)是HF的化學(xué)消耗小得多，而且淸洗效率更高。（3）束流淸洗技術(shù)束流淸洗技術(shù)指利用高能量的呈束流狀的物質(zhì)流與圓片表而的沾污雜質(zhì)發(fā)生相互作用而達(dá)到淸除圓 片表而雜質(zhì)的一種淸洗技術(shù)。常用的束流淸洗技術(shù)包括微集射朿流淸洗技術(shù)、激光束技術(shù)、冷凝噴霧等技 術(shù)。微集射朿流淸洗技術(shù)是目前最具有發(fā)展前途的新型在線圓片表而淸洗技術(shù)，它采用電流體力學(xué)噴射原 理，將毛細(xì)管中噴射出的淸洗液作用到圓片表面

12、，進(jìn)行圓片表而的顆粒和有機(jī)薄膜沾污的淸除。苴優(yōu)點(diǎn)是: 淸洗液消耗量很少，淸洗一個(gè)硅片可能只需要幾十微升的洗液，而且減少了二次污染的發(fā)生。2. 半導(dǎo)體制造業(yè)污染來源及其防治2.1半導(dǎo)體制造業(yè)污染半導(dǎo)體器件生產(chǎn)主要包括分立器件、集成電路及其封裝工藝。半導(dǎo)體生產(chǎn)可以分為晶體材料生產(chǎn)、晶 片制造和器件組裝三個(gè)階段，其中污染最嚴(yán)重的主要是晶片制造階段。污染物主要分為廢水、廢氣、固廢。 由表1可知各類污染物來源。芯片制造工藝流程：外來研磨后的硅片一淸洗一氧化一均膠一光刻一顯影一蝕刻一擴(kuò)散、離子注 入一化學(xué)氣相淀積一化學(xué)機(jī)械拋光一金屬化等。由圖1可見個(gè)過程產(chǎn)生的污染物。2.1.1廢水半導(dǎo)體制造及封裝測試的各

13、個(gè)工藝步驟都有大量的廢水產(chǎn)生。主要以酸堿廢水、含氟廢水、有機(jī)廢水 為主。（1）含氟廢水氫氟酸由于苴氧化性和腐蝕性成為氧化和刻蝕工藝中使用到的主要溶劑，工藝中含氟廢水主要來自芯 片制造過程中的擴(kuò)散工序及化學(xué)機(jī)械拋光工序。在對硅片及相關(guān)器皿的淸洗過程中也多次用到氫氟酸。所 有這些過程是在專用的蝕刻槽或淸洗設(shè)備中完成，因此含氟廢水可以做到獨(dú)立排放。按濃度可將其分為高 濃度含氟廢水和低度含氟廢水，一般髙濃度的含氟廢水濃度可達(dá)100-120OnIgi。大多數(shù)企業(yè)對這部分廢水 進(jìn)行回收利用，用于對水質(zhì)要求不是很髙的工序中。表1集成電路制造工藝污染物排放情況類別編號污染來源產(chǎn)生的主要污染物種類廢水酸、堿廢水

14、（以W農(nóng)示）WI硅片清洗堿性廢水、酸性廢水W2光刻廢顯影液W3濕法腐蝕含磷酸、硫酸廢水W4干法腐蝕氨水、硝酸、鹽酸廢水含氟廢水（以WF衣示）WFl硅片清洗含氫氟酸廢水WF2濕法腐蝕含氫氟酸廢水研磨廢水（以Wy農(nóng)示）Wy化學(xué)機(jī)械拋光（C>）CMP廢液廢氣酸性廢氣（以GS農(nóng)示）GSl硅片淸洗鹽酸（揮發(fā)）Gs2氧化HCL （二氧乙烷轉(zhuǎn)化）Gs3濕法腐蝕磷酸、硫酸（揮發(fā)）Gs4干法腐蝕硝酸、鹽酸（揮發(fā)）堿性廢氣（以GJ農(nóng)示）GJI硅片淸洗氨水揮發(fā)Gj2干法腐蝕氨水（揮發(fā)有機(jī)廢氣（以Gy農(nóng)示）Gyl硅片淸洗丙酮、異丙酮等有機(jī)溶劑廢氣Gy2干法腐蝕工藝廢氣（以Gg農(nóng)示）GgI離子注入摻雜氣體尾氣Gg

15、2干法腐蝕特殊氣體尾氣Gg3擴(kuò)散摻雜氣體尾氣Gg4化學(xué)氣相沉積（CVD）摻雜氣體尾氣固體廢物危險(xiǎn)廢物（以Sw衣示）SWI光刻光刻膠.EBRSw2濕法腐蝕EKCi般廢物（以S農(nóng)示Sl芯片檢測（3%）廢芯片表2生產(chǎn)廢氣排放源及組成表廢氣來源組成外延工序SiH4、SIHCl3、SiH2Cl2 SiCl4 v ASH3、B2H6 > PH3. HCk H2清洗工序H2SO4 H2O2. HNo3、HCk HF、HsPO4 NH4F NH4OH 等光刻工序異丙醇、醋酸丁酯、甲苯.Cl2、BCl3、C2FaX C3Fs CF4> SF6、HF、HCk NO、C3Hs> HBJ H2S等化

16、學(xué)機(jī)械拋光NH4OH > NH4Ch NH3、KOH、有機(jī)酸鹽化學(xué)氣相沉淀SiH4、SiH2Cbx SiCl4. SlF4、CF4 > B2H6. PH3、NF3. HCk HF、NHS擴(kuò)散、離了注入BFs > ASH3、PH3、H2、SiH4 > SiH2Ch. EBT3、BCZ BiH6金屬化工序SlHl BCb. AlCl3、TlCb、WF6、TlF4、SiF4 > AlF3、BF3、SFe 等原材料使用O2、N2、H2、C2H2CI2光刻膠、EBR、HMDS、顯影液BF3、PH3、AsH3SlUrry （研磨液）AK Ti、 WHF、NH3.H20 HCk

17、 有機(jī)溶劑、 純水濕法:BHF. HF. H3PO4.H2SO4 >H2O2. EKC270干法：CFd、CHF3、SF6、N2、 C2 HBr> Ar、C2F6、O2、BCb、 NH3H2O.丙酮、HCk HNO3、CO2摻雜氣體iH4 N2、 WF6、 TMB.TMP. TEOS、C2F6圖1集成電路制造工藝主要生產(chǎn)工序、材料消耗與污染物排放示意圖（2）酸堿廢水在集成電路制造過程中幾乎每道工序都要對芯片進(jìn)行清洗。目前，在集成電路制造過程中，硫酸和雙 氧水是使用最多的清洗液。同時(shí)，還會用到硝酸、鹽酸和氨水等酸堿試劑。制造工藝的酸堿廢水主要來自 芯片制造過程中的淸洗工序。在封裝工藝

18、中，芯片在電鍍和化學(xué)分析過程中采用酸堿溶液處理，處理后需 要用純水洗滌，產(chǎn)生酸堿洗滌廢水。此外，在純水站中也會用到氫氧化鈉和鹽酸等酸堿試劑對陰陽離子樹 脂進(jìn)行再生處理，產(chǎn)生酸堿再生廢水。酸堿廢氣洗滌過程中也會產(chǎn)生洗滌尾水。在集成電路制造企業(yè)中， 酸堿廢水水量特別大。（3）有機(jī)廢水由于生產(chǎn)工藝的不同，有機(jī)溶劑的使用量對于半導(dǎo)體行業(yè)而言具有很大的差距。但是作為淸洗劑，有 機(jī)溶劑仍然廣泛使用在制造封裝的務(wù)個(gè)環(huán)節(jié)上。部分溶劑則成為有機(jī)廢水排放。（4）其他廢水半導(dǎo)體生產(chǎn)過程的刻蝕工序等會大量使用氨水、氟化彼及用高純水涓洗，由此產(chǎn)生高濃度的含氨廢水 排放。在半導(dǎo)體封裝過程中需要使用電鍍工藝。芯片在電鍍后要

19、進(jìn)行清洗，該過程中會產(chǎn)生電鍍淸洗廢水。 由于電鍍中使用到一些金屬，因此電鍍淸洗廢水中會存在金屬離子的排放，如鉛、錫、礫、鋅、路等。 2.1.2廢氣由于半導(dǎo)體工藝對操作室淸潔度要求極髙,通常使用風(fēng)機(jī)抽取工藝過程中揮發(fā)的各類廢氣。因此半導(dǎo)體 行業(yè)廢氣排放具有排氣量大、排放濃度小的特點(diǎn)。廢氣排放也以揮發(fā)為主。這些廢氣排放主要可以分為四類：酸性氣體、堿性氣體、有機(jī)廢氣和有毒氣體。（1）酸堿廢氣酸堿廢氣主要來自于擴(kuò)散、CVD、CMP及刻蝕等工序，這些工序使用酸堿淸洗液對晶片進(jìn)行淸洗。 目前，在半導(dǎo)體制造工藝中使用最為普颯的淸洗溶劑為過氧化氫和硫酸的混合劑。這些工序中產(chǎn)生的廢氣 包括硫酸、氫氣酸、鹽酸、硝

20、酸及磷酸等酸性氣體，堿性氣體主要為氨氣。（2）有機(jī)廢氣有機(jī)廢氣主要來源于光刻、顯影、刻蝕及擴(kuò)散等工序，在這些工序中要用有機(jī)溶液（如異丙醇）對晶 片表面進(jìn)行淸洗，幷揮發(fā)產(chǎn)生的廢氣是有機(jī)廢氣的來源之一：同時(shí)，在光刻、刻蝕等過程中使用的光阻劑 （光刻膠）中含有易揮發(fā)的有機(jī)溶劑，如醋酸丁酯等，在晶片處理過程中揮發(fā)到大氣中，是有機(jī)廢氣產(chǎn)生 的又一來源。（3）有毒廢氣有毒廢氣主要來源于晶體外延、干法刻蝕及CVD等工序中，在這些工序中要使用到多種高純特殊氣 體對晶片進(jìn)行處理，如硅烷（S1H4）、磷烷（PH3）、四氟化碳（CFJ、硼烷、三氯化硼等，部分特殊氣 體具有毒害性、窒息性及腐蝕性。同時(shí)，在半導(dǎo)體制造的

21、干蝕刻、化學(xué)氣相沉積后的淸洗過程中，需要大量使用全氛化物（PFCS）氣體, 如NF3、C2F6. CF4、C3Fs. CHF3、SFe等，這些全氟化合物由于在紅外光區(qū)有很強(qiáng)的吸收，而且在大氣中 長期停留，一般認(rèn)為是造成全球溫室效應(yīng)主要來源。（4）封裝工藝廢氣與半導(dǎo)體制造工藝相比，半導(dǎo)體封裝工藝產(chǎn)生的廢氣較為簡單，主要是酸性氣體、環(huán)氧樹脂及粉塵。 酸性廢氣主要產(chǎn)生于電鍍等工藝：烘烤廢氣則產(chǎn)生于晶粒粘貼、封膠后烘烤過程；劃片機(jī)在晶片切割過程 中，產(chǎn)生含微量矽塵的廢氣。2.1.3環(huán)境污染問題針對半導(dǎo)體行業(yè)出現(xiàn)的環(huán)境污染問題，需要解決的主要有：（1）光刻工藝中空氣污染物及揮發(fā)性有機(jī)物（VOCS）的大量

22、排放問題（2）等離子刻蝕和化學(xué)氣相沉積工藝中全氟化物（PFCS）的排放問題（3）生產(chǎn)中能量和水的大量消耗以及工人的安全保護(hù)問題（4）副產(chǎn)品的回收利用和污染監(jiān)測問題（5）封裝工藝中使用危險(xiǎn)化學(xué)物質(zhì)的問題2.2清潔生產(chǎn)半導(dǎo)體器件淸潔生產(chǎn)技術(shù)可以從原料、工藝和過程控制等方而提高。（1）改進(jìn)原料和能源。首先，應(yīng)嚴(yán)格材料的純度，減少雜質(zhì)和粒子的引入。英次，對進(jìn)廠元器件或半成品投入生產(chǎn)前進(jìn)行各種溫度、檢漏、振動、高壓電沖擊等試驗(yàn)。再者，嚴(yán)格輔助材料的純度。能源的淸潔生產(chǎn)可采用的技術(shù)相對較多。（2）優(yōu)化生產(chǎn)工藝。半導(dǎo)體行業(yè)本身通過工藝技術(shù)改進(jìn)，努力減少對環(huán)境的影響。比如集成電路淸洗技術(shù)，上世紀(jì)70年 代主要

23、使用有機(jī)溶劑淸洗晶片，到80年代開始使用硫酸等酸堿溶液對晶片進(jìn)行淸洗，直至90年代開發(fā)使 用等離子氧進(jìn)行淸洗的技術(shù)。在封裝方而，目前多數(shù)企業(yè)采用電鍍的工藝，會產(chǎn)生重金屬對環(huán)境的污染。 但I(xiàn)nt亡1在上海的封裝廠已不使用電鍍工藝，從而不存在重金屬對環(huán)境的影響。由此可以發(fā)現(xiàn)，半導(dǎo)體行業(yè) 在本身的發(fā)展過程中，正逐步通過工藝改進(jìn)、化學(xué)品替代等方式，減少對環(huán)境的影響，而這也遵循目前全 球提倡以環(huán)境為前提進(jìn)行工藝、產(chǎn)品設(shè)汁的發(fā)展趨勢。目前，更多的在開展一些局部的工藝改進(jìn)，包括：1）全氟化物PFCS氣體的替代和減量，如使用溫 室效應(yīng)低的PFCS氣體代替溫室效應(yīng)高的氣體，如改進(jìn)工藝流程，減少工藝中PFCS氣體的用量等：2)多 片淸洗改進(jìn)為單片淸洗以減少淸洗工藝中化學(xué)淸洗劑的用量。(3) 嚴(yán)格過程控制。二實(shí)現(xiàn)制造工藝自動化，可實(shí)現(xiàn)精確加工和批量生產(chǎn)，減少人工操作為主的髙出錯(cuò)率。二超凈工藝環(huán)境因素，大概有5%以下的成品率損失是由人和環(huán)境造成的。超凈工藝環(huán)境因素主要包 括空氣潔凈度、髙純水、圧縮空氣、CO