吉安功率半導體項目實施方案【范文參考】_第1頁
吉安功率半導體項目實施方案【范文參考】_第2頁
吉安功率半導體項目實施方案【范文參考】_第3頁
吉安功率半導體項目實施方案【范文參考】_第4頁
吉安功率半導體項目實施方案【范文參考】_第5頁
已閱讀5頁,還剩128頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、泓域咨詢/吉安功率半導體項目實施方案目錄第一章 行業(yè)、市場分析8一、 二極管、晶體管行業(yè)的基本情況8二、 行業(yè)基本情況10第二章 總論12一、 項目名稱及投資人12二、 編制原則12三、 編制依據(jù)13四、 編制范圍及內(nèi)容13五、 項目建設背景14六、 結(jié)論分析18主要經(jīng)濟指標一覽表20第三章 項目投資背景分析22一、 行業(yè)發(fā)展趨勢(機遇與挑戰(zhàn))22二、 MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)基本情況25三、 強化首位產(chǎn)業(yè)核心優(yōu)勢27四、 項目實施的必要性28第四章 建筑物技術(shù)方案29一、 項目工程設計總體要求29二、 建設方案30三、 建筑工程建設指標31建筑工程投資一覽表31第五章 建設內(nèi)容與產(chǎn)品方案33一

2、、 建設規(guī)模及主要建設內(nèi)容33二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)33產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表33第六章 法人治理35一、 股東權(quán)利及義務35二、 董事40三、 高級管理人員45四、 監(jiān)事47第七章 SWOT分析49一、 優(yōu)勢分析(S)49二、 劣勢分析(W)51三、 機會分析(O)51四、 威脅分析(T)52第八章 發(fā)展規(guī)劃60一、 公司發(fā)展規(guī)劃60二、 保障措施64第九章 勞動安全生產(chǎn)67一、 編制依據(jù)67二、 防范措施68三、 預期效果評價72第十章 人力資源配置分析74一、 人力資源配置74勞動定員一覽表74二、 員工技能培訓74第十一章 項目環(huán)境保護76一、 環(huán)境保護綜述76二、 建設期大氣環(huán)境影

3、響分析76三、 建設期水環(huán)境影響分析79四、 建設期固體廢棄物環(huán)境影響分析79五、 建設期聲環(huán)境影響分析80六、 環(huán)境影響綜合評價81第十二章 項目節(jié)能說明82一、 項目節(jié)能概述82二、 能源消費種類和數(shù)量分析83能耗分析一覽表84三、 項目節(jié)能措施84四、 節(jié)能綜合評價86第十三章 投資方案87一、 投資估算的依據(jù)和說明87二、 建設投資估算88建設投資估算表92三、 建設期利息92建設期利息估算表92固定資產(chǎn)投資估算表94四、 流動資金94流動資金估算表95五、 項目總投資96總投資及構(gòu)成一覽表96六、 資金籌措與投資計劃97項目投資計劃與資金籌措一覽表97第十四章 項目經(jīng)濟效益99一、

4、經(jīng)濟評價財務測算99營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表99綜合總成本費用估算表100固定資產(chǎn)折舊費估算表101無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表102利潤及利潤分配表104二、 項目盈利能力分析104項目投資現(xiàn)金流量表106三、 償債能力分析107借款還本付息計劃表108第十五章 招標方案110一、 項目招標依據(jù)110二、 項目招標范圍110三、 招標要求111四、 招標組織方式111五、 招標信息發(fā)布113第十六章 風險評估114一、 項目風險分析114二、 項目風險對策116第十七章 項目綜合評價說明119第十八章 附表附件121營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表121綜合總成本費用估算表121

5、固定資產(chǎn)折舊費估算表122無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表123利潤及利潤分配表124項目投資現(xiàn)金流量表125借款還本付息計劃表126建設投資估算表127建設投資估算表127建設期利息估算表128固定資產(chǎn)投資估算表129流動資金估算表130總投資及構(gòu)成一覽表131項目投資計劃與資金籌措一覽表132報告說明21世紀初期以來,隨著半導體芯片制程的發(fā)展,集成電路芯片呈現(xiàn)出小型化趨勢,線寬變窄,同時追求更高的集成度和更低的工作電壓,致使集成電路芯片變得更加敏感,極易受到靜電和浪涌沖擊,造成損壞。普通的TVS因性能、精度、靈敏度等方面的限制已無法滿足集成電路芯片發(fā)展中新提出的防靜電和浪涌沖擊的保護要求,于是

6、新型的具備漏電小、鉗位電壓低、響應時間快、抗靜電能力強且兼具防浪涌能力等特點的用于ESD(Electro-Staticdischarge,靜電放電)保護的TVS(以下簡稱為“ESD保護器件”)在近十幾年被開發(fā)出來并不斷創(chuàng)新、升級。普通的TVS二極管由單個PN節(jié)結(jié)構(gòu)形成,結(jié)構(gòu)單一,工藝簡單。ESD保護器件對結(jié)構(gòu)設計和工藝要求更高,結(jié)構(gòu)更加復雜,一般設計成多路PN結(jié)集成結(jié)構(gòu),采用多次外延、雙面擴結(jié)或溝槽設計。ESD保護器件能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護,代表著當前TVS的技術(shù)水平和發(fā)展方向。根據(jù)謹慎財務估算,項目總投資41436.75萬元,其中:建設投資33335.79萬元,占項目總投資

7、的80.45%;建設期利息360.79萬元,占項目總投資的0.87%;流動資金7740.17萬元,占項目總投資的18.68%。項目正常運營每年營業(yè)收入89100.00萬元,綜合總成本費用68723.12萬元,凈利潤14917.72萬元,財務內(nèi)部收益率28.21%,財務凈現(xiàn)值25711.62萬元,全部投資回收期4.92年。本期項目具有較強的財務盈利能力,其財務凈現(xiàn)值良好,投資回收期合理。項目建設符合國家產(chǎn)業(yè)政策,具有前瞻性;項目產(chǎn)品技術(shù)及工藝成熟,達到大批量生產(chǎn)的條件,且項目產(chǎn)品性能優(yōu)越,是推廣型產(chǎn)品;項目產(chǎn)品采用了目前國內(nèi)最先進的工藝技術(shù)方案;項目設施對環(huán)境的影響經(jīng)評價分析是可行的;根據(jù)項目財

8、務評價分析,經(jīng)濟效益好,在財務方面是充分可行的。本報告為模板參考范文,不作為投資建議,僅供參考。報告產(chǎn)業(yè)背景、市場分析、技術(shù)方案、風險評估等內(nèi)容基于公開信息;項目建設方案、投資估算、經(jīng)濟效益分析等內(nèi)容基于行業(yè)研究模型。本報告可用于學習交流或模板參考應用。第一章 行業(yè)、市場分析一、 二極管、晶體管行業(yè)的基本情況1、二極管、晶體管簡介半導體二極管是一種使用半導體材料制作而成的單向?qū)щ娦远似骷洚a(chǎn)品結(jié)構(gòu)比較簡單,一般為單個PN節(jié)結(jié)構(gòu),只允許電流從單一方向流過。自20世紀50年代面世至今,陸續(xù)發(fā)展出整流二極管、開關(guān)二極管、穩(wěn)壓二極管、肖特基二極管、TVS二極管等系列的二極管,廣泛應用于整流、穩(wěn)壓、

9、檢波、保護等電路中。二極管的應用領(lǐng)域涵蓋了消費類電子、網(wǎng)絡通訊、安防、工業(yè)等,是電子工程上用途最廣的電子元器件之一。晶體管是一種使用半導體材料制作而成的三端器件,具有放大、開關(guān)、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓或輸入電流控制輸出電流。晶體管根據(jù)結(jié)構(gòu)特點和功能主要分為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)和雙極性結(jié)型晶體管(Bipolarjunctiontransisto

10、r,BJT,俗稱三極管)。 2、二極管、晶體管行業(yè)的市場規(guī)模及競爭格局2018年全球二極管市場規(guī)模達63.93億美元,市場空間廣闊。根據(jù)中國電子信息產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計年鑒數(shù)據(jù),中國二極管銷量從2014年的2,856億只增長到了2018年的16,950億只。根據(jù)芯謀研究的有關(guān)數(shù)據(jù),2020年全球二極管營收前十大廠商中以歐、美、日廠商為主。晶體管主要分為雙極性結(jié)型晶體管(三極管)、MOSFET和IGBT。根據(jù)三種晶體管的市場規(guī)模估算,2019年,晶體管總的市場規(guī)模約為138.27億美元;2020年,晶體管總市場規(guī)模約為147.88億美元。由于雙極性結(jié)型晶體管存在功耗偏大等問題,隨著全球節(jié)能減排的推行,其市場

11、規(guī)??傮w趨于衰退,正在被MOSFET所取代;IGBT市場規(guī)模則以較高速度增長。市場競爭格局方面,三極管、MOSFET和IGBT三類產(chǎn)品的市場競爭格局有所不同。其中,全球三極管市場比較分散,MOSFET和IGBT市場集中度較高。3、二極管、晶體管行業(yè)的未來發(fā)展趨勢二極管的應用領(lǐng)域涵蓋了消費類電子、網(wǎng)絡通訊、安防、工業(yè)等,隨著市場的擴展而成長。二極管在部分細分領(lǐng)域的中高端產(chǎn)品,對技術(shù)創(chuàng)新要求較高,會隨著應用領(lǐng)域的技術(shù)要求不斷提升,推動產(chǎn)品的技術(shù)升級,尤其是在消費類電子領(lǐng)域。晶體管中,雙極性結(jié)型晶體管(三極管)是電流型功率開關(guān)器件,價格低、功耗大,在少數(shù)價格敏感、感性負載驅(qū)動等應用中還有一定需求,但

12、其正在被功率MOSFET替代。近二十年來,消費類電子、網(wǎng)絡通訊、工業(yè)、安防等領(lǐng)域?qū)β势骷碾妷汉皖l率要求越來越嚴格,MOSFET和IGBT逐漸成為主流。中國MOSFET、IGBT市場規(guī)模增長迅速。二、 行業(yè)基本情況半導體是指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體是整個信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展基石,是電子產(chǎn)品的核心組成部分。從應用領(lǐng)域看,半導體產(chǎn)品主要應用領(lǐng)域集中于PC、消費類電子、手機、汽車電子等領(lǐng)域。此外,隨著電子產(chǎn)品的升級,半導體在電子產(chǎn)品的含量將逐步提高,未來在下游電子產(chǎn)品市場需求增長的帶動下,半導體產(chǎn)業(yè)將保持較好的增長態(tài)勢。半導體器件是利用半導體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件

13、。功率半導體是對功率進行變頻、變壓、變流、功率放大及管理的半導體器件,不但實施電能的存儲、傳輸、處理和控制,保障電能安全、可靠、高效和經(jīng)濟的運行,而且將能源與信息高度地集成在一起。雖然功率半導體器件在電力電子裝置中的成本占比通常僅20%-30%,但是對設備的使用性能、過載能力、響應速度、安全性和可靠性影響極為重大,是決定其性價比的核心器件。在日常生活中,凡涉及發(fā)電、輸電、變電、配電、用電、儲電等環(huán)節(jié)的,均離不開功率半導體。功率半導體器件作為不可替代的基礎(chǔ)性產(chǎn)品,廣泛應用于國民經(jīng)濟建設的各個領(lǐng)域。從產(chǎn)品類型來看,功率半導體可以分為功率器件和功率IC。功率器件屬于分立器件,可進一步分為二極管、晶體

14、管、晶閘管等,其中二極管主要包括TVS二極管、肖特基二極管、整流二極管等,晶體管主要包括MOSFET、IGBT、雙極性晶體管等;功率IC屬于集成電路中的模擬IC,可進一步分為AC/DC、DC/DC、電源管理IC、驅(qū)動IC等。第二章 總論一、 項目名稱及投資人(一)項目名稱吉安功率半導體項目(二)項目投資人xxx投資管理公司(三)建設地點本期項目選址位于xxx(以最終選址方案為準)。二、 編制原則1、嚴格遵守國家和地方的有關(guān)政策、法規(guī),認真執(zhí)行國家、行業(yè)和地方的有關(guān)規(guī)范、標準規(guī)定;2、選擇成熟、可靠、略帶前瞻性的工藝技術(shù)路線,提高項目的競爭力和市場適應性;3、設備的布置根據(jù)現(xiàn)場實際情況,合理用地

15、;4、嚴格執(zhí)行“三同時”原則,積極推進“安全文明清潔”生產(chǎn)工藝,做到環(huán)境保護、勞動安全衛(wèi)生、消防設施和工程建設同步規(guī)劃、同步實施、同步運行,注意可持續(xù)發(fā)展要求,具有可操作彈性;5、形成以人為本、美觀的生產(chǎn)環(huán)境,體現(xiàn)企業(yè)文化和企業(yè)形象;6、滿足項目業(yè)主對項目功能、盈利性等投資方面的要求;7、充分估計工程各類風險,采取規(guī)避措施,滿足工程可靠性要求。三、 編制依據(jù)1、國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十三個五年計劃綱要;2、投資項目可行性研究指南;3、相關(guān)財務制度、會計制度;4、投資項目可行性研究指南;5、可行性研究開始前已經(jīng)形成的工作成果及文件;6、根據(jù)項目需要進行調(diào)查和收集的設計基礎(chǔ)資料;7、可行性研究與項目

16、評價;8、建設項目經(jīng)濟評價方法與參數(shù);9、項目建設單位提供的有關(guān)本項目的各種技術(shù)資料、項目方案及基礎(chǔ)材料。四、 編制范圍及內(nèi)容按照項目建設公司的發(fā)展規(guī)劃,依據(jù)有關(guān)規(guī)定,就本項目提出的背景及建設的必要性、建設條件、市場供需狀況與銷售方案、建設方案、環(huán)境影響、項目組織與管理、投資估算與資金籌措、財務分析、社會效益等內(nèi)容進行分析研究,并提出研究結(jié)論。五、 項目建設背景半導體二極管是一種使用半導體材料制作而成的單向?qū)щ娦远似骷洚a(chǎn)品結(jié)構(gòu)比較簡單,一般為單個PN節(jié)結(jié)構(gòu),只允許電流從單一方向流過。自20世紀50年代面世至今,陸續(xù)發(fā)展出整流二極管、開關(guān)二極管、穩(wěn)壓二極管、肖特基二極管、TVS二極管等系列

17、的二極管,廣泛應用于整流、穩(wěn)壓、檢波、保護等電路中。二極管的應用領(lǐng)域涵蓋了消費類電子、網(wǎng)絡通訊、安防、工業(yè)等,是電子工程上用途最廣的電子元器件之一。緊扣科技第一生產(chǎn)力、人才第一資源,完善區(qū)域創(chuàng)新體系,構(gòu)筑核心創(chuàng)新優(yōu)勢,努力在推進創(chuàng)新型城市建設上實現(xiàn)進位趕超,為經(jīng)濟社會高質(zhì)量發(fā)展提供堅實科技支撐。(一)推動關(guān)鍵核心技術(shù)創(chuàng)新突破緊盯國際國內(nèi)科技前沿,面向全市經(jīng)濟社會發(fā)展重大戰(zhàn)略需求,集聚創(chuàng)新資源,發(fā)揮企業(yè)主體作用和博士后工作站、院士工作站專業(yè)優(yōu)勢,加快關(guān)鍵核心技術(shù)突破。瞄準電子信息產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié),加快LED新型多功能集成封裝、射頻器件、顯示面板、柔性線路板、數(shù)字視頻和音頻等產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān),推

18、動半導體照明、5G天線、電子電路板、聲學產(chǎn)品等領(lǐng)域搶占國際國內(nèi)制高點。大力發(fā)展以中醫(yī)藥、醫(yī)療器械、化學藥、生物藥等為重點的生物醫(yī)藥大健康產(chǎn)業(yè),加快突破生產(chǎn)、加工、制造等核心關(guān)鍵技術(shù),提升產(chǎn)業(yè)鏈水平和競爭力。聚焦先進裝備制造業(yè)智能制造、服務型制造、綠色制造,重點突破中高檔金屬成形機床、特種環(huán)保電纜、汽車配件、輸配電設備、高性能液壓件等關(guān)鍵核心技術(shù)。緊跟國家新材料發(fā)展趨勢,加快突破新材料性能及成分控制、生產(chǎn)加工及應用等核心工藝技術(shù),力爭在稀貴金屬、硅基新材料、先進膜材料、碳酸鈣新材料和林化香料領(lǐng)域占據(jù)國內(nèi)制高點。(二)加快普遍應用技術(shù)供給升級堅持以人為本推進科技創(chuàng)新,加大民生科技創(chuàng)新供給,提升民生

19、領(lǐng)域整體服務水平。積極推進新型智慧城市建設,加快交通、水、電、氣以及通信、網(wǎng)絡等城市基礎(chǔ)設施的智慧化升級,推動建設全覆蓋的大數(shù)據(jù)網(wǎng)絡基礎(chǔ)設施和大數(shù)據(jù)中心,深化數(shù)據(jù)資源開發(fā)利用,實現(xiàn)城市資源配置等管理行為大數(shù)據(jù)支撐。加快富民產(chǎn)業(yè)良種選育、設施農(nóng)業(yè)、重大病蟲害防治、產(chǎn)品保鮮、儲運和精深加工、數(shù)字農(nóng)業(yè)和設施裝備等領(lǐng)域共性技術(shù)研究和集成示范,構(gòu)建高產(chǎn)、優(yōu)質(zhì)、高效、生態(tài)、安全的現(xiàn)代農(nóng)業(yè)技術(shù)體系。推動生態(tài)環(huán)保領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新,加強生態(tài)修復、秸桿綜合利用等方面的研發(fā)和技術(shù)攻關(guān),全面啟動生活垃圾分類處理。積極推進建筑節(jié)能技術(shù)應用,推廣采用安全高效保溫的新型墻體材料和新型綠色建材。加強公共安全與社會治理,重點針對生

20、產(chǎn)安全、社會治安、自然災害監(jiān)測與預警、突發(fā)事件處理等民生熱點問題,開展科技研究與新技術(shù)應用示范,運用現(xiàn)代科學技術(shù)提升城市管理水平,形成科學預測、有效防控與高效應急的公共安全技術(shù)體系。(三)構(gòu)筑創(chuàng)新人才優(yōu)勢按照“引育并重、高端引領(lǐng)、剛?cè)岵钡脑瓌t,大力實施“廬陵英才”計劃、T類人才政策和“雙百計劃”,主動對接國家和省級重大人才工程,建設高素質(zhì)、結(jié)構(gòu)合理的創(chuàng)新型人才隊伍。深化人才發(fā)展體制機制改革,建立健全市場化人才評價標準和機制,支持用人單位設立“人才飛地”,鼓勵通過顧問指導、掛職、兼職、技術(shù)咨詢、退休特聘、項目合作等多種形式,柔性引進急需緊缺人才。健全科技成果轉(zhuǎn)化機制,加快建設科技成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化

21、平臺和基地,支持研發(fā)設計、創(chuàng)業(yè)孵化、技術(shù)轉(zhuǎn)移、知識產(chǎn)權(quán)、科技服務等專業(yè)機構(gòu)發(fā)展。推進吉安高鐵新區(qū)打造高層次人才聚集區(qū)和科創(chuàng)中心。實施重點產(chǎn)業(yè)科技人才隊伍建設計劃,積極引進技術(shù)領(lǐng)軍人才和創(chuàng)新團隊,加快人工智能、大數(shù)據(jù)、區(qū)塊鏈等前沿領(lǐng)域人才引進,加強工程師隊伍建設,鼓勵支持企業(yè)引進工程、技術(shù)、研發(fā)、設計等領(lǐng)域工程師,推動關(guān)鍵行業(yè)、重點產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)飛躍式發(fā)展。積極吸引各類高素質(zhì)人口,特別是青年人才來吉創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)。大力弘揚勞模精神、勞動精神、工匠精神,加強技能人才隊伍建設,實施“金藍領(lǐng)”職業(yè)技能提升行動,加快推進產(chǎn)教融合實訓基地建設,打造一批符合吉安重大產(chǎn)業(yè)發(fā)展的高技能人才隊伍。(四)建設高水平創(chuàng)新平臺全面

22、優(yōu)化勞動、資本、土地、知識、技術(shù)、數(shù)據(jù)等要素配置,激發(fā)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)活力。強化創(chuàng)新要素開放合作,深化與泛珠三角區(qū)域、長江經(jīng)濟帶沿線省市科技合作,加強與北京、上海、粵港澳大灣區(qū)國家科技創(chuàng)新中心資源對接,尤其是吉安籍和本土人才對接,構(gòu)建科技創(chuàng)新自立自強高層次人才交流平臺。設立科技創(chuàng)新重大平臺專項基金,加強國內(nèi)外知名高校、大院大所科研合作。積極對接國家級“大院大所”,深化與清華大學在科技人才和基礎(chǔ)教育方面合作,推動共建中國工程院信息與電子學部吉安基地,加快推進電子信息產(chǎn)業(yè)研究院、智能農(nóng)機研究院、綠色食品研究院、金雞湖創(chuàng)新小鎮(zhèn)、泰和求是小鎮(zhèn)等重大創(chuàng)新平臺建設。探索設立“科創(chuàng)飛地”,打造跨省科技合作交流平臺。

23、大力培育高新技術(shù)企業(yè)、科技型中小企業(yè)和“專精特新”企業(yè)。支持創(chuàng)建一批國家技術(shù)創(chuàng)新中心(重點實驗室)和國家企業(yè)技術(shù)中心。加快構(gòu)建完整的科技金融生態(tài)體系,加強科技與金融的深度融合,著力培育發(fā)展科創(chuàng)企業(yè)創(chuàng)業(yè)投資基金,支持企業(yè)加大研發(fā)投入,構(gòu)建科技型獨角獸企業(yè)、瞪羚企業(yè)、高新技術(shù)企業(yè)、科技型中小企業(yè)四級全鏈條科技企業(yè)發(fā)展梯次結(jié)構(gòu)。六、 結(jié)論分析(一)項目選址本期項目選址位于xxx(以最終選址方案為準),占地面積約87.00畝。(二)建設規(guī)模與產(chǎn)品方案項目正常運營后,可形成年產(chǎn)xxx件功率半導體的生產(chǎn)能力。(三)項目實施進度本期項目建設期限規(guī)劃12個月。(四)投資估算本期項目總投資包括建設投資、建設期利

24、息和流動資金。根據(jù)謹慎財務估算,項目總投資41436.75萬元,其中:建設投資33335.79萬元,占項目總投資的80.45%;建設期利息360.79萬元,占項目總投資的0.87%;流動資金7740.17萬元,占項目總投資的18.68%。(五)資金籌措項目總投資41436.75萬元,根據(jù)資金籌措方案,xxx投資管理公司計劃自籌資金(資本金)26710.58萬元。根據(jù)謹慎財務測算,本期工程項目申請銀行借款總額14726.17萬元。(六)經(jīng)濟評價1、項目達產(chǎn)年預期營業(yè)收入(SP):89100.00萬元。2、年綜合總成本費用(TC):68723.12萬元。3、項目達產(chǎn)年凈利潤(NP):14917.7

25、2萬元。4、財務內(nèi)部收益率(FIRR):28.21%。5、全部投資回收期(Pt):4.92年(含建設期12個月)。6、達產(chǎn)年盈虧平衡點(BEP):30747.23萬元(產(chǎn)值)。(七)社會效益經(jīng)分析,本期項目符合國家產(chǎn)業(yè)相關(guān)政策,項目建設及投產(chǎn)的各項指標均表現(xiàn)較好,財務評價的各項指標均高于行業(yè)平均水平,項目的社會效益、環(huán)境效益較好,因此,項目投資建設各項評價均可行。建議項目建設過程中控制好成本,制定好項目的詳細規(guī)劃及資金使用計劃,加強項目建設期的建設管理及項目運營期的生產(chǎn)管理,特別是加強產(chǎn)品生產(chǎn)的現(xiàn)金流管理,確保企業(yè)現(xiàn)金流充足,同時保證各產(chǎn)業(yè)鏈及各工序之間的銜接,控制產(chǎn)品的次品率,贏得市場和打造

26、企業(yè)良好發(fā)展的局面。本項目實施后,可滿足國內(nèi)市場需求,增加國家及地方財政收入,帶動產(chǎn)業(yè)升級發(fā)展,為社會提供更多的就業(yè)機會。另外,由于本項目環(huán)保治理手段完善,不會對周邊環(huán)境產(chǎn)生不利影響。因此,本項目建設具有良好的社會效益。(八)主要經(jīng)濟技術(shù)指標主要經(jīng)濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積58000.00約87.00畝1.1總建筑面積109198.471.2基底面積34220.001.3投資強度萬元/畝367.342總投資萬元41436.752.1建設投資萬元33335.792.1.1工程費用萬元28738.892.1.2其他費用萬元3850.932.1.3預備費萬元745.972.2建設期利

27、息萬元360.792.3流動資金萬元7740.173資金籌措萬元41436.753.1自籌資金萬元26710.583.2銀行貸款萬元14726.174營業(yè)收入萬元89100.00正常運營年份5總成本費用萬元68723.12""6利潤總額萬元19890.29""7凈利潤萬元14917.72""8所得稅萬元4972.57""9增值稅萬元4054.85""10稅金及附加萬元486.59""11納稅總額萬元9514.01""12工業(yè)增加值萬元31711.47&qu

28、ot;"13盈虧平衡點萬元30747.23產(chǎn)值14回收期年4.9215內(nèi)部收益率28.21%所得稅后16財務凈現(xiàn)值萬元25711.62所得稅后第三章 項目投資背景分析一、 行業(yè)發(fā)展趨勢(機遇與挑戰(zhàn))1、全球經(jīng)濟發(fā)展態(tài)勢和電子系統(tǒng)產(chǎn)品市場將是帶動全球半導體市場發(fā)展的主要因素ICInsights發(fā)布的麥克林報告(McCleanReport2019)公布了最新的全球半導體市場與全球GDP總量增長的關(guān)系圖,指出全球經(jīng)濟增長狀況是影響全球半導體市場起伏的最主要因素,特別是2010年以后,全球半導體市場增長與全球GDP總量增長呈現(xiàn)高度相關(guān)性,2010-2018年的相關(guān)系數(shù)高達0.86。2016年

29、、2017年、2018年全球GDP總量增速分別為2.4%、3.1%、3.0%左右,而推動全球半導體市場增速分別達3.0%、25%、16%左右。ICInsights預測2019-2023年全球半導體市場增長與全球GDP總量增長的相關(guān)系數(shù)為0.93。ICInsights認為原因來自兩個,一是越來越多的兼并和收購事件導致主要半導體制造商和供應商數(shù)量減少,這是供應基礎(chǔ)的一個重大變化,也說明了該行業(yè)愈發(fā)成熟,這有助于促進全球GDP成長與半導體市場之間更密切的關(guān)聯(lián)性。二是消費者驅(qū)動的IC市場持續(xù)轉(zhuǎn)型。20年前大約60%的半導體市場是由商務應用程序推動、40%是由消費者應用程序驅(qū)動的,如今這兩者所占百分比已

30、經(jīng)互換。因此,隨著消費者為導向的環(huán)境推動電子系統(tǒng)銷售和半導體市場的作用愈顯重要。2、國家出臺多項政策驅(qū)動產(chǎn)業(yè)繁榮發(fā)展國家高度重視半導體行業(yè)發(fā)展,近年來出臺了多項扶持產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策,鼓勵技術(shù)進步。2014年6月,國務院發(fā)布國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要,以設計、制造、封裝測試以及裝備材料等環(huán)節(jié)作為集成電路行業(yè)發(fā)展重點,提出到2020年,集成電路產(chǎn)業(yè)與國際先進水平的差距逐步縮小,全行業(yè)銷售收入年均增速超過20%;到2030年,集成電路產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達到國際先進水平,一批企業(yè)進入國際第一梯隊,實現(xiàn)跨越發(fā)展。2014年9月24日,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司(簡稱“大基金一期”)正式設立;2019

31、年10月22日,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司(簡稱“大基金二期”)注冊成立。大基金一期和大基金二期重點投資集成電路芯片制造業(yè),兼顧芯片設計、封裝測試、設備和材料等產(chǎn)業(yè),實施市場化運作、專業(yè)化管理,充分展現(xiàn)了國家扶持半導體行業(yè)的信心,將大力促進行業(yè)增長。功率半導體作為半導體行業(yè)的重要組成部分,將大受裨益。國家的政策支持為行業(yè)創(chuàng)造了良好的政策環(huán)境和投融資環(huán)境,為功率半導體行業(yè)發(fā)展帶來了良好的發(fā)展機遇,促進行業(yè)發(fā)展的同時加速產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移進程,國內(nèi)功率半導體行業(yè)有望進入長期快速增長通道。3、下游終端產(chǎn)品的功能多樣化將增加功率器件的產(chǎn)品需求功率器件應用領(lǐng)域十分廣泛,下游終端產(chǎn)品類別繁多,隨著社

32、會發(fā)展和技術(shù)發(fā)展,下游終端產(chǎn)品對電能轉(zhuǎn)換效率、穩(wěn)定性、高壓大功率提出了更高的需求,產(chǎn)品設計將更加復雜化,產(chǎn)品功能將更加多樣化。下游終端產(chǎn)品的功能多樣化將增加功率器件的需求,促進功率器件的技術(shù)發(fā)展,促使功率器件朝著更高性能、更快速度、更小體積方向發(fā)展。4、新興產(chǎn)業(yè)需求和技術(shù)創(chuàng)新將引領(lǐng)半導體行業(yè)發(fā)展隨著汽車電子、智能制造、人工智能、5G、高端應用處理器、高性能計算、汽車駕駛輔助系統(tǒng)、虛擬貨幣等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展,相關(guān)IC產(chǎn)品將被更為廣泛地應用在各類智能移動終端、工業(yè)機器人、新能源汽車、可穿戴設備等新興產(chǎn)品中。這些需求將刺激我國IC產(chǎn)品的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展,對我國IC設計、制造企業(yè)帶來增長機遇。同時

33、,我國功率半導體企業(yè)一直緊跟國際先進技術(shù)發(fā)展,通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新不斷推動產(chǎn)品升級,并積極向中高端市場滲透,與國際廠商展開競爭。隨著計算機、網(wǎng)絡通信、智能家居、汽車電子等行業(yè)的技術(shù)發(fā)展和市場增長,我國功率半導體技術(shù)水平也將不斷提升,為國內(nèi)功率半導體相關(guān)企業(yè)贏得更多的發(fā)展機遇。5、市場空間巨大半導體產(chǎn)業(yè)是全球性產(chǎn)業(yè),全球產(chǎn)業(yè)景氣度是中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的大前提,但中國半導體產(chǎn)業(yè)的內(nèi)生力更值得關(guān)注。半導體行業(yè)發(fā)源于歐美,日韓及中國臺灣在產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移中亦建立了先進的半導體工業(yè)體系。中國半導體起步晚,但近年來,國家高度重視半導體行業(yè)的發(fā)展,不斷出臺多項鼓勵政策大力扶持包括功率半導體在內(nèi)的半導體行業(yè)。隨著國內(nèi)大

34、循環(huán)、國內(nèi)國際雙循環(huán)格局發(fā)展,國內(nèi)功率半導體產(chǎn)品需求繼續(xù)增加,國內(nèi)功率半導體設計企業(yè)不斷成長,未來發(fā)展空間巨大。根據(jù)顧問機構(gòu)InternationalBusinessStrategies(IBS)預測,到2030年中國的半導體市場供應將達到5,385億美元。2020-2030年中國市場的半導體供應量來自中國本土企業(yè)的比例將逐漸上升,到2030年將達到39.8%。預計到2030年,69%的消費量將來自中國本土公司,需求主要來自數(shù)據(jù)中心、消費電子、汽車、醫(yī)療等應用領(lǐng)域。二、 MOSFET產(chǎn)品的行業(yè)基本情況1、MOSFET簡介MOSFET問世于1980年左右,是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的

35、場效晶體管,用于將輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化,起到開關(guān)或放大等作用。隨著技術(shù)的發(fā)展,溝槽結(jié)構(gòu)MOSFET于1990年左右逐步研發(fā)成功。2008年,英飛凌(Infineon)率先推出屏蔽柵功率MOSFET。對國內(nèi)市場而言,MOSFET產(chǎn)品由于其技術(shù)及工藝的先進性,很大程度上仍依賴進口,國產(chǎn)化空間巨大。2、MOSFET的市場規(guī)模及競爭格局2019年全球MOSFET市場規(guī)模達76億美元,2016-2023年復合增速達5%;中國大陸MOSFET市場規(guī)模達36億美元,中國市場在全球占比約48%。2020年,全球MOSFET市場規(guī)模達80.67億美元,2021年在全球尤其是中國的5G基礎(chǔ)設施和5G

36、手機、PC及云服務器、電動汽車、新基建等市場推動下,全球MOSFET增速將以較高速度增長。預計2021年至2025年,MOSFET每年的增速將不低于6.7%,預計2025年將達到118.47億美元。根據(jù)有關(guān)數(shù)據(jù),2020年,全球MOSFET營收前十的廠商仍然以歐、美、日廠商為主,其中英飛凌以29.7%的市場份額遙遙領(lǐng)先,位居全球功率MOSFET市場第一,前2大廠商英飛凌和安森美營收之和占比為40.9%,前10大公司營收之和占比高達80.4%。3、MOSFET的未來發(fā)展趨勢近二十年來,各個領(lǐng)域?qū)β势骷碾妷汉皖l率要求越來越嚴格,MOSFET和IGBT逐漸成為主流,技術(shù)上MOSFET朝著低阻抗發(fā)

37、展。中國MOSFET市場規(guī)模增長迅速,據(jù)統(tǒng)計,2016年-2019年MOSFET市場的復合增長率為12.0%。MOSFET增速與全球功率器件增速接近,占據(jù)功率器件22%的市場份額,長期來看仍將保持重要地位。全球功率器件市場規(guī)模穩(wěn)步增長,MOSFET需求長期穩(wěn)定。三、 強化首位產(chǎn)業(yè)核心優(yōu)勢搶抓京九高鐵全面開通和京九電子信息產(chǎn)業(yè)帶建設機遇,堅定不移促進電子信息首位產(chǎn)業(yè)“點線面體網(wǎng)”融合發(fā)展,推動全域化布局、全要素支持、全鏈條提升。瞄準主攻方向集群發(fā)展,重點培育半導體照明、移動智能設備及終端、觸控顯示、電子電路、5G制造、新興信息六大細分產(chǎn)業(yè)集群,打造全鏈條全球商用LED產(chǎn)業(yè)基地、全球最大的LED照

38、明基地、全國中高端線路板生產(chǎn)基地、全國重要的智能聲學硬件制造基地、全省重要的智能終端配套基地。對接市場需求,增強基礎(chǔ)電子和發(fā)展集成電路能力,加快發(fā)展智能穿戴、智慧家居等消費類電子,提升產(chǎn)業(yè)整體優(yōu)勢。立足新發(fā)展格局提升產(chǎn)業(yè)鏈,積極承接國內(nèi)國際、沿海發(fā)達地區(qū)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移,抓住新產(chǎn)品新領(lǐng)域持續(xù)拓展和產(chǎn)品迭代升級的機遇,大力實施補鏈延鏈強鏈行動,在細分優(yōu)勢領(lǐng)域突破一批關(guān)鍵技術(shù),培育更多關(guān)鍵產(chǎn)品。優(yōu)化產(chǎn)業(yè)空間布局,重點以京九高鐵沿線的吉泰走廊國家電子信息產(chǎn)業(yè)基地為紐帶,以井岡山經(jīng)開區(qū)和吉安高新區(qū)兩個國家級園區(qū)為雙核,重點縣(市、區(qū))為陣地,統(tǒng)籌推進全市電子信息產(chǎn)業(yè)協(xié)同、有序、差異化發(fā)展。大力推進首位產(chǎn)業(yè)高質(zhì)

39、量跨越式發(fā)展,實施內(nèi)育外引培育產(chǎn)業(yè)龍頭方陣行動,形成百億企業(yè)梯隊,打造全國有影響力的電子信息產(chǎn)業(yè)示范基地和革命老區(qū)先進制造業(yè)發(fā)展示范區(qū)。四、 項目實施的必要性(一)提升公司核心競爭力項目的投資,引入資金的到位將改善公司的資產(chǎn)負債結(jié)構(gòu),補充流動資金將提高公司應對短期流動性壓力的能力,降低公司財務費用水平,提升公司盈利能力,促進公司的進一步發(fā)展。同時資金補充流動資金將為公司未來成為國際領(lǐng)先的產(chǎn)業(yè)服務商發(fā)展戰(zhàn)略提供堅實支持,提高公司核心競爭力。第四章 建筑物技術(shù)方案一、 項目工程設計總體要求(一)設計依據(jù)1、根據(jù)中國地震動參數(shù)區(qū)劃圖(GB18306-2015),擬建項目所在地區(qū)地震烈度為7度,本設計

40、原料倉庫一、罐區(qū)、流平劑車間、光亮劑車間、化學消光劑車間、固化劑車間抗震按8度設防,其他按7度設防。2、根據(jù)擬建建構(gòu)筑物用材料情況,所用材料當?shù)囟寄芙鉀Q。特殊建材(如:隔熱、防水、耐腐蝕材料)也可根據(jù)需要就地采購。3、施工過程中需要的的運輸、吊裝機械等均可在當?shù)亟鉀Q,可以滿足施工、設計要求。4、當?shù)亟ㄖ藴屎图夹g(shù)規(guī)范5、在設計中盡量優(yōu)先選用當?shù)氐胤綐藴蕡D集和技術(shù)規(guī)定,以及省標、國標等,因地制宜、方便施工。(二)建筑設計的原則1、應遵守國家現(xiàn)行標準、規(guī)范和規(guī)程,確保工程安全可靠、經(jīng)濟合理、技術(shù)先進、美觀實用。2、建筑設計應充分考慮當?shù)氐淖匀粭l件,因地制宜,積極結(jié)合當?shù)氐牟牧稀?gòu)件供應和施工條件,

41、采用新技術(shù)、新材料、新結(jié)構(gòu)。建筑風格力求統(tǒng)一協(xié)調(diào)。3、在平面布置、空間處理、構(gòu)造措施、材料選用等方面,應根據(jù)工程特點滿足防火、防爆、防腐蝕、防震、防噪音等要求。二、 建設方案(一)混凝土要求根據(jù)混凝土結(jié)構(gòu)耐久性設計規(guī)范(GB/T50476)之規(guī)定,確定構(gòu)筑物結(jié)構(gòu)構(gòu)件最低混凝土強度等級,基礎(chǔ)混凝土結(jié)構(gòu)的環(huán)境類別為一類,本工程上部主體結(jié)構(gòu)采用C30混凝土,上部結(jié)構(gòu)構(gòu)造柱、圈梁、過梁、基礎(chǔ)采用C25混凝土,設備基礎(chǔ)混凝土強度等級采用C30級,基礎(chǔ)混凝土墊層為C15級,基礎(chǔ)墊層混凝土為C15級。(二)鋼筋及建筑構(gòu)件選用標準要求1、本工程建筑用鋼筋采用國家標準熱軋鋼筋:基礎(chǔ)受力主筋均采用HRB400,箍

42、筋及其它次要構(gòu)件為HPB300。2、HPB300級鋼筋選用E43系列焊條,HRB400級鋼筋選用E50系列焊條。3、埋件鋼板采用Q235鋼、Q345鋼,吊鉤用HPB235。4、鋼材連接所用焊條及方式按相應標準及規(guī)范要求。(三)隔墻、圍護墻材料本工程框架結(jié)構(gòu)的填充墻采用符合環(huán)境保護和節(jié)能要求的砌體材料(多孔磚),材料強度均應符合GB50003規(guī)范要求:多孔磚強度MU10.00,砂漿強度M10.00-M7.50。(四)水泥及混凝土保護層1、水泥選用標準:水泥品種一般采用普通硅酸鹽水泥,并根據(jù)建(構(gòu))筑物的特點和所處的環(huán)境條件合理選用添加劑。2、混凝土保護層:結(jié)構(gòu)構(gòu)件受力鋼筋的混凝土保護層厚度根據(jù)混

43、凝土結(jié)構(gòu)耐久性設計規(guī)范(GB/T50476)規(guī)定執(zhí)行。三、 建筑工程建設指標本期項目建筑面積109198.47,其中:生產(chǎn)工程76379.04,倉儲工程14403.20,行政辦公及生活服務設施11777.55,公共工程6638.68。建筑工程投資一覽表單位:、萬元序號工程類別占地面積建筑面積投資金額備注1生產(chǎn)工程20532.0076379.049687.691.11#生產(chǎn)車間6159.6022913.712906.311.22#生產(chǎn)車間5133.0019094.762421.921.33#生產(chǎn)車間4927.6818330.972325.051.44#生產(chǎn)車間4311.7216039.60203

44、4.412倉儲工程7870.6014403.201518.732.11#倉庫2361.184320.96455.622.22#倉庫1967.653600.80379.682.33#倉庫1888.943456.77364.502.44#倉庫1652.833024.67318.933辦公生活配套2282.4711777.551844.283.1行政辦公樓1483.617655.411198.783.2宿舍及食堂798.864122.14645.504公共工程3422.006638.68610.86輔助用房等5綠化工程7940.20155.19綠化率13.69%6其他工程15839.8046.987

45、合計58000.00109198.4713863.73第五章 建設內(nèi)容與產(chǎn)品方案一、 建設規(guī)模及主要建設內(nèi)容(一)項目場地規(guī)模該項目總占地面積58000.00(折合約87.00畝),預計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積109198.47。(二)產(chǎn)能規(guī)模根據(jù)國內(nèi)外市場需求和xxx投資管理公司建設能力分析,建設規(guī)模確定達產(chǎn)年產(chǎn)xxx件功率半導體,預計年營業(yè)收入89100.00萬元。二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)本期項目產(chǎn)品主要從國家及地方產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策、市場需求狀況、資源供應情況、企業(yè)資金籌措能力、生產(chǎn)工藝技術(shù)水平的先進程度、項目經(jīng)濟效益及投資風險性等方面綜合考慮確定。具體品種將根據(jù)市場需求狀況進行必要的調(diào)整,各年

46、生產(chǎn)綱領(lǐng)是根據(jù)人員及裝備生產(chǎn)能力水平,并參考市場需求預測情況確定,同時,把產(chǎn)量和銷量視為一致,本報告將按照初步產(chǎn)品方案進行測算。產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表序號產(chǎn)品(服務)名稱單位單價(元)年設計產(chǎn)量產(chǎn)值1功率半導體件xxx2功率半導體件xxx3功率半導體件xxx4.件5.件6.件合計xxx89100.00隨著汽車電子、智能制造、人工智能、5G、高端應用處理器、高性能計算、汽車駕駛輔助系統(tǒng)、虛擬貨幣等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展,相關(guān)IC產(chǎn)品將被更為廣泛地應用在各類智能移動終端、工業(yè)機器人、新能源汽車、可穿戴設備等新興產(chǎn)品中。這些需求將刺激我國IC產(chǎn)品的技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展,對我國IC設計、制造企業(yè)帶來增長機遇。同

47、時,我國功率半導體企業(yè)一直緊跟國際先進技術(shù)發(fā)展,通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新不斷推動產(chǎn)品升級,并積極向中高端市場滲透,與國際廠商展開競爭。隨著計算機、網(wǎng)絡通信、智能家居、汽車電子等行業(yè)的技術(shù)發(fā)展和市場增長,我國功率半導體技術(shù)水平也將不斷提升,為國內(nèi)功率半導體相關(guān)企業(yè)贏得更多的發(fā)展機遇。第六章 法人治理一、 股東權(quán)利及義務股東按其所持有股份的種類享有權(quán)利,承擔義務;持有同一種類股份的股東,享有同等權(quán)利,承擔同種義務。股東為單位的,股東單位內(nèi)部對公司收購、出售資產(chǎn)、對外擔保、對外投資等事項的決策有相關(guān)規(guī)定的,公司不得以股東單位決策程序取代公司的決策程序,公司應依據(jù)公司章程及公司制定的相關(guān)制度確定決策程序。股

48、東單位可自行履行內(nèi)部審批流程后由其代表依據(jù)公司法、公司章程及公司相關(guān)制度參與公司相關(guān)事項的審議、表決與決策。1、公司股東享有下列權(quán)利:(1)依照其所持有的股份份額獲得股利和其他形式的利益分配;(2)依法請求、召集、主持、參加或者委派股東代理人參加股東大會并行使相應的表決權(quán);(3)對公司的經(jīng)營行為進行監(jiān)督,提出建議或者質(zhì)詢;(4)依照法律、行政法規(guī)及公司章程的規(guī)定轉(zhuǎn)讓、贈與或質(zhì)押其所持有的股份;(5)查閱公司章程、股東名冊、股東大會會議記錄、董事會會議決議、監(jiān)事會會議決議和財務會計報告;2、股東提出查閱前條所述有關(guān)信息或索取資料的,應當向公司提供證明其持有公司股份的種類以及持股數(shù)量的書面文件,公

49、司經(jīng)核實股東身份后按照股東的要求予以提供。但相關(guān)信息及資料涉及公司未公開的重大信息的情況除外。3、公司股東大會、董事會的決議內(nèi)容違反法律、行政法規(guī)的,股東有權(quán)請求人民法院認定無效。股東大會、董事會的會議召集程序、表決方式違反法律、行政法規(guī)或者本章程,或者決議內(nèi)容違反本章程的,股東有權(quán)自決議作出之日起60日內(nèi),請求人民法院撤銷。公司根據(jù)股東大會、董事會決議已辦理變更登記的,人民法院宣告該決議無效或者撤銷該決議后,公司應當向公司登記機關(guān)申請撤銷變更登記。4、公司股東承擔下列義務:(1)遵守法律、行政法規(guī)和本章程;(2)依其所認購的股份和入股方式繳納股金;(3)除法律、法規(guī)規(guī)定的情形外,不得退股;(

50、4)不得濫用股東權(quán)利損害公司或者其他股東的利益;不得濫用公司法人獨立地位和股東有限責任損害公司債權(quán)人的利益;5、持有公司5%以上有表決權(quán)股份的股東,將其持有的股份進行質(zhì)押的,應當自該事實發(fā)生當日,向公司作出書面報告。6、公司的股東或?qū)嶋H控制人不得占用或轉(zhuǎn)移公司資金、資產(chǎn)及其他資源。如果存在股東占用或轉(zhuǎn)移公司資金、資產(chǎn)及其他資源情況的,公司應當扣減該股東所應分配的紅利,以償還被其占用或者轉(zhuǎn)移的資金、資產(chǎn)及其他資源。控股股東發(fā)生上述情況時,公司應立即申請司法系統(tǒng)凍結(jié)控股股東持有公司的股份??毓晒蓶|若不能以現(xiàn)金清償占用或轉(zhuǎn)移的公司資金、資產(chǎn)及其他資源的,公司應通過變現(xiàn)司法凍結(jié)的股份清償。公司董事、監(jiān)

51、事、高級管理人員負有維護公司資金、資產(chǎn)及其他資源安全的法定義務,不得侵占公司資金、資產(chǎn)及其他資源或協(xié)助、縱容控股股東及其附屬企業(yè)侵占公司資金、資產(chǎn)及其他資源。公司董事、監(jiān)事、高級管理人員違反上述規(guī)定,給公司造成損失的,應當承擔賠償責任。造成嚴重后果的,公司董事會對于負有直接責任的高級管理人員予以解除聘職,對于負有直接責任的董事、監(jiān)事,應當提請股東大會予以罷免。公司還有權(quán)視其情節(jié)輕重對直接責任人追究法律責任。7、公司的控股股東、實際控制人及其他關(guān)聯(lián)方不得利用其關(guān)聯(lián)關(guān)系損害公司利益,不得占用或轉(zhuǎn)移公司資金、資產(chǎn)及其他資源。違反規(guī)定,給公司造成損失的,應當承擔賠償責任。公司的控股股東、實際控制人及其

52、控制的企業(yè)不得以下列任何方式占用公司資金、損害公司及其他股東的合法權(quán)益,不得利用其控制地位損害公司及其他股東的利益:(1)公司為控股股東、實際控制人及其控制的企業(yè)墊付工資、福利、保險、廣告等費用和其他支出;(2)公司代控股股東、實際控制人及其控制的企業(yè)償還債務;(3)有償或者無償、直接或者間接地從公司拆借資金給控股股東、實際控制人及其控制的企業(yè);(4)不及時償還公司承擔控股股東、實際控制人及其控制的企業(yè)的擔保責任而形成的債務;(5)公司在沒有商品或者勞務對價情況下提供給控股股東、實際控制人及其控制的企業(yè)使用資金;8、控股股東、實際控制人及其控制的企業(yè)不得在公司掛牌后新增同業(yè)競爭。9、公司股東、

53、實際控制人、收購人應當嚴格按照相關(guān)規(guī)定履行信息披露義務,及時披露公司控制權(quán)變更、權(quán)益變動和其他重大事項,并保證披露的信息真實、準確、完整,不得有虛假記載、誤導性陳述或者重大遺漏。公司股東、實際控制人、收購人應當積極配合公司履行信息披露義務,不得要求或者協(xié)助公司隱瞞重要信息。10、公司股東、實際控制人及其他知情人員在相關(guān)信息披露前負有保密義務,不得利用公司未公開的重大信息謀取利益,不得進行內(nèi)幕交易、操縱市場或者其他欺詐活動。11、通過接受委托或者信托等方式持有或?qū)嶋H控制的股份達到5%以上的股東或者實際控制人,應當及時將委托人情況告知公司,配合公司履行信息披露義務。12、公司控股股東、實際控制人及

54、其一致行動人轉(zhuǎn)讓控制權(quán)的,應當公平合理,不得損害公司和其他股東的合法權(quán)益。控股股東、實際控制人及其一致行動人轉(zhuǎn)讓控制權(quán)時存在下列情形的,應當在轉(zhuǎn)讓前予以解決:(1)違規(guī)占用公司資金;(2)未清償對公司債務或者未解除公司為其提供的擔保;(3)對公司或者其他股東的承諾未履行完畢;(4)對公司或者中小股東利益存在重大不利影響的其他事項。二、 董事1、公司設董事會,對股東大會負責。2、董事會由12人組成,其中獨立董事4名;設董事長1人,副董事長1人。3、董事會行使下列職權(quán):(1)負責召集股東大會,并向股東大會報告工作;(2)執(zhí)行股東大會的決議;(3)決定公司的經(jīng)營計劃和投資方案;(4)制訂公司的年度財

55、務預算方案、決算方案;(5)制訂公司的利潤分配方案和彌補虧損方案;(6)在股東大會授權(quán)范圍內(nèi),決定公司對外投資、收購出售資產(chǎn)、資產(chǎn)抵押、對外擔保事項、委托理財、關(guān)聯(lián)交易等事項;(7)決定公司內(nèi)部管理機構(gòu)的設置;(8)聘任或者解聘公司總裁、董事會秘書,根據(jù)總裁的提名,聘任或者解聘公司副總裁、財務總監(jiān)及其他高級管理人員,并決定其報酬事項和獎懲事項;擬訂并向股東大會提交有關(guān)董事報酬的數(shù)額及方式的方案;(9)制訂公司的基本管理制度;(10)制訂本章程的修改方案;(11)管理公司信息披露事項;(12)向股東大會提請聘請或更換為公司審計的會計師事務所;(13)聽取公司總裁的工作匯報并檢查總裁的工作;(14)決定公司因本章程規(guī)定的情形收購本公司股份事項;(15)法律、行政法規(guī)、部門規(guī)章或本章程授予的其他職權(quán)。公司董事會設立審計委員會,并根據(jù)需要設立戰(zhàn)略、提名、薪酬與考核等相關(guān)專門委員會。專門委員會對董事會負責,依照本章程和董事會授權(quán)履行職責,提案應當提交董事會審議決定。專門委員會成員全部由董事組成,其中審計委員會、提名委員會、薪酬與考核委員會中獨立董事占多數(shù)并擔任召集人,審計委員會的召集人為會計專業(yè)人士。董事會負責制定專門委員會工作規(guī)程,規(guī)范專門委員會的運作。4、公司董事會應當就注冊會計師對公司財務報告出具的非標準審計

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論