SPICE的器件模型教材

1、SPICE的器件模型在介紹SPICE基礎知識時介紹了最復雜和重要的電路描述語句， 其中就包括元器 件描述語句。許多元器件（如二極管、晶體管等）的描述語句中都有模型關鍵字， 而電阻、電容、電源等的描述語句中也有模型名可選項，這些都要求后面配 以.MODE起始的模型描述語句，對這些特殊器件的參數做詳細描述。電阻、電 容、電源等的模型描述語句語句比較簡單， 也比較容易理解，在SPICE基礎中已 介紹，就不再重復了；二極管、雙極型晶體管的模型雖也做了些介紹，但不夠詳 細，是本文介紹的重點，以便可以自己制作器件模型；場效應管、數字器件的模 型過于復雜，太專業(yè)，一般用戶自己難以制作模型，只做簡單介紹。元器

2、件的模型非常重要，是影響分析精度的重要因素之一。但模型中涉及太多圖 表，特別是很多數學公式，都是在WORK編輯后再轉為JEPG圖像文件的，很繁 瑣和耗時，所以只能介紹重點。一、二極管模型：1.1 理想二極管的I-V特性：+ vd -qVdId = 1式e甘-1）其中：熱電壓=25 86xl0r絕對溫度 T=300K度向飽和電流其中：同為二極管的截面積 0卸為電子擴散系數 上不為空穴平均擴散長度%為本征我流子法度 門戶為空穴擴散系數 工種為自由電子擴散長度峪尸為自由電子速度N區(qū)的熱平衡值N/Ppq為空穴怖度P區(qū)的熱平衡值1.2 實際硅二極管的I-V特性曲線：折線監(jiān)毓療生、M楸牌魂嘔德蟋區(qū)(4S)

3、c區(qū)大螭注入良o串犍瞰題越反牖翰區(qū)(舒擊靈冬 和效直等因翎粘FE最區(qū)丹陽直流電流血二(e7F-l)Id = f(Vd) =KJ。6叫-1) + 13gmin 一1S +a gmin一空刖 BVi人e / t+萬-)%-5小吟舊WO-BV Vd -5題4Vd-BVVd 5匕口 q4 = q / + UQ1 3，E =，5 e ”PA反向區(qū): -5kT/q / / gark = h7 g的Is - Zp -e kT W I截止區(qū),二三一秣7/寸匕Iq + J 8E 一A T T PPR ls = ls PfPr Jr %-5kTtq+ 破一 1+門EC g的Pr)I Pr)，_上+13+ LJ魚！

4、得Q4展-父77弓1*CX/-J 1- f-l + VBE - 1 + VBC g.Rs)_ |_ 委e-I yy產盯 _ + LL. Lie認J 5a/皿,C -5kTf q3C ,1 q/C1市+十。h-1 +展-1 +?|噎wj Pr Iyj L、外)T +X d + ii+4 etc工-2iq1 )l + 丁EC 及 minI P愛J+建+1.Pf 卜或-2.1.4 Early 效應：基區(qū)寬度調制效應Ic A吃f為正向電壓Early效應修改電流方程：噓運-5kT.L q爐的 -5kTl q+ 1-TF _)2.1.5帶Rc、Re Rb的傳輸靜態(tài)模型:_cRd Ez夸Rc Rb Re的傳

5、輸靜態(tài)模型正向參數和反向參數是相對的，基極接法不變，而發(fā)射極和集電極互換所對應的 兩種狀態(tài)，分別稱為正向狀態(tài)和反向狀態(tài)，與此對應的參數就分別定義為正向參 數和反向參數。2.2Ebers-Moll大信號模型:工涉及的莓麴，CjjC7jr C飛%周營掰c憎W % Q FCCURYlT大信號模型-；lQbs avZ mt田8 drZ nH EgV 1為 72.3蠟+ gc（0）1-trBC必嗎十。子（。）穴d %產 產2L心 0) 1-V* BCmcGummel-Pool靜態(tài)模型:ES -5k*77守囁:.J -5以史774Qd代哀基區(qū)有M腦變數載癡子2.4Gummel-Pool大信號模型：拓撲結構

6、與Ebers-Moll大信號模型相同,非線性存儲元件電壓控制電容的方程也相同，涉及的菱數二Xk % ?邛 / X強 相關說明見附后的參數表)基極集電極分配電容：集電結電容分為兩部分Xac C尤為在內部基極節(jié)點與集電極之間的電容，(1- xc)cJC為在外部基極節(jié)點與集電極之間的電容片W在01間變ft，Cjc為基極-集電極間總電容，是高頻時的重要參數f y 口ZC (0)(1-_VCJC) 1-c. =rc J【。小o)Q-*%+陽.% 此外F) 冊)理想最大渡越時間丁尸=一2對了在1c低電流期Vee高電壓時4y = 12.5BJT晶體管模型總參數表:代號名稱默認值典型值單位IsIS飽和電瓶10

7、4ABF理想最大正向電福改大系數100100力BR皮向最大電流放大系數10.1抬尸NF正向南端發(fā)射系數11甩了NR反向電流發(fā)射系數1C2ISE (C2)基極，發(fā)射極漏飽和電流01000AC4ISC(C4)基極-集電極漏飽和電流01AA IKF(IK)正向膝點電流OS0.01A/依IKR脫向藤點電流co0.1AnllNE基極-發(fā)射極漏發(fā)射系數152內OCNC基極-集電極漏發(fā)射系數22力VAF(VA)正向EARLY電壓CO100V%VAR (VB)反向EJMIY電壓DO100V飛RC集電極電阻010QRE發(fā)射極電阻01GRB霧偏基極電陰0100QRBM大電流時是小基極電陰RB100Q建IRB基極電

8、阻下降為1總時的電流gATyTF理想正向渡越時間0O.ln3TTR理想反向渡越時間0lOns占FXTFTF隨偏置變化系數07VTFTF陵偏置Vbc變化的電壓參數8V/ITF影響TF的大電流參數0A*PTF在1/C2PITF）比時的超前相移0n/(5RadCjgCJE零偏B-E結耗軍電容02PF%VJEB-E結內建電勢0.750.7V公MJE (ME)E-E結梯度因子0 330.33QjcCJC零偏集電極PN結耗盡電容0lpF%VJC (PQB-C結內建電勢0.750.5V叫MJC(MQE-C結梯度因子0.330.33%CJS (CCS)零偏集電極-襯底PH結電容02PF/VJS (PS)襯底結

9、內建電勢0.75V啊MJS (MS)襯底造，梯度因子0cscXCJCB-C結耗盡電容連到基板內節(jié)點的百分數iFcFC正偏耗盡電容系數0 5*XTBBR. RF的溫度系數0XXT1 (PT)1S的溫度效應指數3EgEG禁帶寬度1 111.11w%KF你閃爍噪聲系數Q%AF1用閃爍噪聲指數11TT工作溫度2727r金屬氧化物半導體晶體管MOSFET型:2X飽和區(qū)IlLLi其他電子參數3.1 一級靜態(tài)模型：Shichman-Hodges模型但 2 L-2X門 、其中=襯底結的模型方程與二極管相似：3.2 二級靜態(tài)模型（大信號模型）：Meyer模型相關說明見附后的參數表3C 涉畫承&: 5 CjW M

10、j Mjsw Fc3.2.1 電荷存儲效應:積累區(qū)2%）C（?d =心附郎挑:（曝- 2海） /淳 囁*C 能-Cqx展一展一曦2（%-LAG.飽：吃莫 /寫 （匕+%）C0 UaJ出“。跖3.2.2PN結電容:展入時:1-生3.3 三級靜態(tài)模型:線性區(qū)電流Acs = # % -外方一 上3限嚷式中為=,雙+ F檢I2，2J2內一展短溝道效應的影響蘇賓/用+ 2次或加+聲士 /2% - /號+苴ra（2%，州）8.15xl0-2i 經驗公式b =歹一 仃地七雷溝道長度飽和區(qū)變化 %-1： =其中：尸=3.4 MOSFET型參數表：一級模型理論上復雜，有效參數少，用于精度不高場合，迅速粗略估計電

11、路二級模型可使用復雜程度不同的模型，計算較多，常常不能收斂三級模型精度與二級模型相同，計算時間和重復次數少，某些參數計算比較復雜四級模型BSIM適用于短溝道（3um）的分析，Berkley在1987年提出褓代號級名稱默式值典11值單位LL溝道長度DEFLmWW溝道寬度DEFWm%VTO1-3零偏閾值電壓11VKpKP1-3蹄導系數20u30uA/72YGAMMA1-3體效應系數00.35/】，22%PHI1-3表面電勢0.60.65VaLAMBDA12溝道長度調制系數00.02/TtoxTOX1-3氧化層厚度O.luO.lumNbNSUB1-3襯底捧雜濃度01x10+15-3 cmNs$NSS

12、23表面態(tài)密度0lxl0+1cm2MsNFS23快表面態(tài)密度01x10+1。砌2NeffNEFF2總溝道電荷系數15為XJ23（金屬的）結深0lum為1LD1-3描向擴散長度（懣和漏）00.8umTPG23柵材料類型+1 0 -111AoUO1-3載流子表面遷移率600700cm1 IV sAcUCRJT2遷移率下降時臨界電場1000010000V/cmUEXP2遷移率下降時臨界電場指數00.1AUTRA2遷移率下降時臨界電場系數00.5ViraxVMAX23我流子最大漂移速度050000mXrcXQC23溝道電荷對漏極的分配系數00.46DELTA3閾值電壓的溝道寬度效應系數01nETA3靜

13、態(tài)反饋系數（閾值電壓）01eTHETA1-3遷移率調制系數00.054AF1-3Uf閃爍煤聲指數11.2與KF1.3Uf閃爍噪聲系數01X10-26IsIS1-3襯底PN結飽和電流10fIfAJsJS1-3襯底PN結飽和電流密度0lOnA%PB1-3襯底PN結內建電勢0.80.75VCjCJ1-3襯底PN結零偏置單位面積電容020mF/w2MjMJ1-3襯底PN結電容梯度因子0.50.5CjswCJSW1-3零偏襯底電容/單位周邊長度0InF/mMjswMJSW1-3襯底周邊電容梯度因子0.330.33FcFC1-3正偏耗盡電容系數0.50.5CgboCGBO1-3G-B間覆蓋電容，單位溝道寬

14、度0200pF/m曝-V00，物一片W-噎 _/漢 /D 吟0展-。丸。 %s - % ，砧0 /麻 % 一 %”四、結型場效應晶體管 JFET模型：基于Shichman-Hodges模型4.1 N溝道JFET靜態(tài)模型：正向0% 二，成展-7）0+ 4喂）、%找匕第一9口）-入（1 + a喂）反向 o力二尸。附一片）共1十金嚷）似曝1y 7）十展（IT展）4.2 JFET大信號模型:其中牝產1- zraF*Q- Fc 產F3= 1- Fc（l + 幽）展Fc 我 獷卻二他四，電）員我%口之Fs網4.3 JFET模型參數表:代號名稱默認伯胭值單僮噎VTO閾值電壓彳夾斯電壓）2.0-2VBETA繆

15、導素數100u,1m月小4LAMBDA溝道長度調制系數0ioouRdRD漏極串聯電陰0100GRsRS源極串聯電阻01000步PB糊PN結內建電勢1.00 6VIsIS翱PN結幗和電流10f,lOfAmM糊FN結梯度因子0.5nN版PN結發(fā)射系數1“flCGD零偏GD間PN結電容0印FCGS零偏G-S間PN結電容0IpFFcFC正偏耗盡層電容系數0.5IT rorcVTOTCVTO溫度系數0v/ic川BBETATCEBETA溫度系數Q1/1 ootKfKF1用胃蛛啖聲系數Q%AFIff閃爍噪聲指數0五、GaAs MESFET型：分兩級模型（肖特基結作柵極）SGaAs MESFET型參數表:代號

16、名株或“值奧型值單位VTO閾值電壓C夾斷電JE ).2530VaALPHA飽和電壓參數ZQL50T.產BETA蹬導系數0.1lOuA/7qLAMBDA溝道長度調制系數0lOOpRgRG腿機串聯電阻0I0RdRD漏極串聯電阻010RsRS源極串聯電阻010IsIS跚PI4結飽和電流10fAmM冊FM結梯度因子0.5nN胡PN結發(fā)射系數1c的CGD零偏GH間PN結電容0IpFCGS零偏G6間PN鉆電容Fo件F瞑VBIWIPN結內建電勢1 00 5Vc DSCDSdS間電容00.3pFrTAU導電電流延遲時間0lOpsFcFC正偏耗盡電容系數0.5分近VTOTCVTO溫度系數QvrcBobBETAT

17、CEBETA溫度釐0i/ioorKfKF1身閃爍嗔聲系數po4AF1亞閃爍噪聲指數1六、數字器件模型：6.1 標準門的模型語句：.MODEL UGATE模型參數標準門的延遲參數:翔名稱熟認值單位TPLHMN保電平上升高電平,最小附間延遲0STPLHTY低電平上升高電平標度時間延遲0STPLHMX低電平上升高電平，量大時間延超0STPHLM4高電平下降低電平，最小時間延遲0STPHITY高電平下降低電平，標睢時間延遲0STPHLMX高電平下降低電平最大時間延遲03MHTYMXDLY延遲類型：。薪區(qū)值1星小值2典型值3最大值06.2 三態(tài)門的模型語句：.MODEL UTGATE膜型參數三態(tài)門的延遲

18、參數：翔名彝裁認值單位TPLHMN低電平上升高電平最小時間延遲0STPLHTY低電平上升高電平標睢附間延遲0STPLHMX保電平上升高電平.最大時間隨退0STPHLMN高電平下降低電平，最小時間延遲0STPHLTY高電平下降低電平，標睢時間延遲0STPHLMX高電平下降低電平.是大時同延遲0STPLZMN他電平上升到高阻上曷小時1旬延遲0STPLZTY他電平上升到Z （高阻，標桂時間延遲0STPLZMX他電平上升到Z （高阻、最大時間延遲0STPHZMN高電平下降到Z （高阻），最小時間延遲0STPHZTY高電平下降到Ef高阻），標準時間延遲0STPHZMX高電平下降到苫（高阻最大時間延遲0S

19、TPZLMNZ t高阻）下降到他電平，最小時間延遲0STPZiTYE（高阻）下降到低電平，標造時間延遲0STPZLMXZ（高阻）下降到低電平，最大時間延遲0STPZHMN1（高陰）上升到高電平，最小時間延遲0STPZHTY1高阻）上升到高電平，標準時間延遲0STPZHMXZ（高阻）上升到高電平，最大時間延遲0SMWTYMXDLY延遲類型：0默認值1是小值2典型值3是大值06.3 邊沿觸發(fā)器的模型語句：.MODEL UEFF 模型參數邊沿觸發(fā)器參數：JKFF nff preb,clrb,clkb,j*,k*,g*,gb*JK 觸發(fā)器，后沿觸發(fā)DFF nff preb,clrb,clk,d*,g*

20、,gb*D觸發(fā)器，前沿觸發(fā)邊沿觸發(fā)器時間參數:TPPCQLHMN最小延遲：p洲3肥lib觸發(fā)q/qb低變高0STFPCQLHTY典型延遲：preb/cbb觸發(fā)q/qjb低變高QSTPPOQLHMX最大延遲：prebfclifa觸發(fā)q/qb低變圖0STFFCQHLMN最少延遲：pr&b由此觸發(fā)q/qb高變低_0_3TPPOQHITY典型延遲：prebfclito觸發(fā)q/qb高變低0STFPOQHLMX最內延遲 pr&bc此觸度q/qb高變低Q5TWPCLMN最小延遲最小ptieb/clib低電平脈沖寬度QSTWPCUTY典型延遲：最小F啾曲低電平脈沖寬度QSTWPCLMX最大延遲：最小preb/

21、clib低電平脈沖寬度0STFCLKQLHMN最小延遲：cMlkb觸發(fā)q厘)低變高QSTPCLKQLHTY典型延遲 clk/clkb觸發(fā)q儂/娥高0STPCLKQLHMX最大延遲：cDJclkb觸發(fā)W爭低變高DSTPCLKQHLMN最小延遲i clk/clkb觸發(fā)q冷高變悵0STFCLKQHLTY典型延遲：clWclkb觸陵q她高度低0STPCLKQHLMX最大延遲：clk/clkb觸發(fā)q峰品幽氐0STWCLKLMN最小延遲：最小疝曲吐低電平脈沖寬度QSTWCLKETY典型延遲：最小(:皿Ihb保電平稱沖寬度QSTWCLKLMX最大延遲：最小clk/c吐低電平脈沖寬度0STWCLKHMN最小延

22、遲：最小clk/clKb高電平脈沖寬度QSTWCLKHTY典型延遲：最小疝小肋高電平脈沖寬度aSTWCLKHMX最大延遲：最小clk/clhb高電平脈沖寬度QSTSUDCLKMN建立：j/k/dto clk/clldb邊沿 , 最小值0STSUDCLKTY建立：j/k/dt。clk/cltb邊沿，典型值QSTSUDCLKMX建立：j/kMto clk/clldb邊沿 , 最大值0STSUPCCLKHMN建立：p隹b/tlib hi to clk/cLKb邊沿，量小值QSTSUFCCLKHTY建立：prebfclih hi to clk/cDda邊沿典型值0STSUPCCLKHMX建立:preb

23、fclxb hi to ell比Ikb邊沿，最大值QSTHDCLKMN保持：j/k/dafkrcllJclkb邊沿，量小值0STHDCUCTY保持：jMdkrclhtlkb邊沿，典型值QSTHDCLKMX保持：j/k/daftercMclkb邊沿，最大值0SMNTYMXDLY延遲類型：。默次值1最小值2典型值3最大值Q6.4 鐘控觸發(fā)器的模型語句：.MODEL UGFF膜型參數鐘控觸發(fā)器參數：SRFF nff preb,clrb,gate,s*,r*,q*,qb*SR 觸發(fā)器，時鐘高電平觸發(fā)D觸發(fā)器，時鐘DLTCH nff preb,clrb,gate,d*,g*,gb* 高電平觸發(fā)鐘控觸發(fā)器

24、時間參數:TPPCQLHMN最小延遲：FrebJchfa觸發(fā)qJqb低變高0STPPCQLHTY典型延遲:FitbJ汕觸發(fā)q/qb低變高0STPPCQLHMX最大延遲：preb/chb觸發(fā)qJqb低變高0STPPOQHLMN最小延遲：preb/cbb觸發(fā)qqb高變低0STPPCQHLTY典型延遲：prebklA觸發(fā)皿b高變低0STPPCQHLMX最大延遲：piebJclib觸發(fā):響b高變低03TWPCLMN最小延遲：最小pMJchb低電平脈沖寬度0S TWPCLTY典型延遲：最小F泅91擊低電平脈沖寬度05TWPCLMX最大延遲：最小preb/chb低電平脈沖寬度0STPOQLHMN最小延遲：

25、gate觸發(fā)q/qb低變高0STPGQLHTY典型延遲：儂赳觸發(fā)q/qb很變高0STPGQLHMX最大延遲：gate觸發(fā)q/qb低變高0S_TPGQHLMH最小延遲：尊赳觸發(fā)q/qb高變低0STPGQHLTY典型延遲：gate觸發(fā)q/qb高變低0STPGQHLMX)最大延遲：界赳觸發(fā)q/qb高變低0STPDQLHMN最小延遲：岳城1觸發(fā)q/qb低變高0STPDQLHTY典型延遲：s/r/d觸發(fā)qfqb f陵高0STPDQLHMX最大延遲：sMd觸發(fā)qfqh低變高g -_s_TPDQHLMH最小延遲：sfM觸發(fā)q何b高變悵0_sTPDQHETY典型延遲：苗（1觸發(fā)q/qb高變低IsTPDQHLM

26、X最大延遲：sfM觸發(fā)qfqb高火低0sTWGHMN最小延遲：最小率te高電平脈沖窗度0sTWGHTY典型延遲：最小的忸高電平脈沖寬度0sTWGHMX最大延遲：曷小畢也高電平脈沖寬度0sTSUDGMN建立：sfrfd Io尊怕邊沿，量小值0sTSUDGTY建立：sMd to穿也邊沿，典型值0sTSUDGMX建立：s/r/d Io尊怕邊沿，最大值0sTSUP8HMM建立-pneb/clib hi to gate邊沿 最小值o sTSUPCGHTY建立二preb/clib hi to酬后邊沿，典型值0sTSUPOGHMX建立.pneb/chb hi to gate邊沿 最大值0sTHDCLKMN保

27、持：s/r/d after clk/clkb邊沿最小值0sTHDCLKTY保持：sWd aft&r clk/clkb邊沿典型值0sTHDCLKMX保持二sM after clk/clkb邊沿最大值0sMNTYMXDiy延遲類型：口默認值1最小值2典型值3最大值06.5可編程邏輯陣列器件的語句:U (,) * # + FILE=+DATA=$ $MNTYMXDLY= +IOLEVEL=JEDEC格式文件的其中：列表PLAND馬隆列PLANDC每個輸入變量有同相端與反相端的與陣列PLOR.或降列PLORC每個輸入變量有同相端與反相端的或陣列PLXOR異或陣列PLXORC每個輸入變量有冏相簫與反相端

28、的異或陣列PLNAND與非陣列FLNANDC每個愉入變量有同相端與反相端的與三揖如PLNOR或非陣列PLNORC每個輸入變量有同相端與反相端的或三彈列PLMXOR同或陣列PLNXORC每個輸入變量有同相端與反相端的同或陣列名稱，含有陣列特定的編程數據JEDECC件指定時,DATA句數據可忽略是下列字母之一：B二進制 O八進制 X十六進制程序數據是一個數據序列，初始都為0PLD時間模型參數：TFLHMN低電平上升前電平，量小時同砥遲03TPLHTY低電平上升官電平，標準時間延遲0STPLHMX曝電平上升商電平最大時閽延遲0STPHLMN高電平下降低電平,最小時間延遲0STPHETY育電平下彈低電

29、乎 標準時間延遲0STPHLMX高電平下降低電平，最大時間延遲0SOFFSETJEDEC文件的第一臉入端地址和第一門的程序0COMPOFFSETJEDEC文件的第一輸入辰木踹地址和第一門的程序1IHSCALEJEDEC文件對每一個新輸入端地批囊tt的計裁1/2況即函即反卡目OUTSCALEJWEC文件對每一個新輸出端地址變化的計數Snpuis/2+(ffiinputs)td/同根反相MNTYMXDLY卷近遑指：0就認值1最小催2典型值3最大值0七、數字I/O接口子電路：數字電路與模擬電路連接的界面節(jié)點，SPICE自動插入此子電路子電路名(AtoDn和DtoAn)在I/O模型中定義，實現邏輯狀

30、態(tài)與電壓、阻抗之間的轉換。7.1 N模型：數字輸入N模型將邏輯狀態(tài)（10 X Z）轉換成相對應的o-高電平節(jié)點g接口節(jié)點低電平 節(jié)點電壓、阻抗。% K比是隨打闞變化的電阻，當數字信號的俄寄變化時，電阻懵基揩數費化， 電阻值的變化是由新狀態(tài)的開關時間決定的,C皿0動是固定電容口通富低電平節(jié)點和高電平節(jié)點混接相反的電壓選，電壓值與最高和最低邏輯電平值相關口由五用 尺四和連接的兩個電壓源工可以產生最蠹和量3電平之間的任一電壓和任一S抗的，附.數字模擬器的N模型語句：N +DGTLNET= IS=(initial state)數字文件的N模型語句：N .MODEL DINPUT (模型參數)+SIGN

31、AME= IS=(initial state)模型語句：模型參數表:翊1名秣默口值單位CDO電容連接到low level節(jié)點0FCHI電容連接到higli lev虱節(jié)點01F加 NAME狀態(tài)0特性縮寫S0TSW狀態(tài)0開關時間SSORLO狀態(tài)0電阻連接到low原用節(jié)點QS0RH1狀態(tài)0電阻連接到high level節(jié)點QS1NAME狀態(tài)1特性縮寫S1TSW狀志1開關時間SSIRLO狀態(tài)1電陰濕接到low原電節(jié)點GS1RHI狀布1電陰連接到high level節(jié)點0;S19NAME狀態(tài)19特性縮寫S19TSW狀態(tài)19開關時間SS19RLO狀態(tài)19電阻連接到low tevel節(jié)點口S19RHI狀態(tài)1

32、9電阻連接到high 1m 1節(jié)點GFILE數字輸入文件名FORMAT數字輸入文件格式1TME5TEP數字輸入文件步長InS接口 節(jié)點荽有年百壓定出態(tài)電決輸狀7.2 O模型：將模擬電壓轉換為邏輯狀態(tài)（10 X Z）,形成邏輯器件 的輸入級。LOAD由模型參數決正口每當時間等于時間步長TIMESTEP的整數倍時. 器件節(jié)點的狀態(tài)將被招入文件中.節(jié)點狀態(tài)由接口節(jié)點和參考節(jié)點之間的電壓值決定，將該電壓值與當前電壓序列進行比較，如果落在當前電壓序列中，則新狀態(tài)與原狀態(tài)相同；如果不在當前電 壓序列中，則從S0NAM吁始檢查，第一個含有該電壓值的電壓序列可確定為新 狀態(tài)。如果沒有電壓序列包含這個電壓值，則

33、新狀態(tài)為？（狀態(tài)未知）。數字模擬器的。模型語句：O +DGTLNET= 數字文件的。模型語句:O +SIGNAME=模型語句：.MODEL DOUTPUT 模型參數)模型參數表：鰥名稱默U值單位RLOAD電容il接到low kvel節(jié)點0QCLOAD電容連接到high Ml節(jié)點0FCHGONLZ。寫每個時間步長i寫新變化QS0NAME狀態(tài)。特性能寫SOVLO狀態(tài)0 low level電壓VS0VHI狀態(tài)0 high level電壓VS1NAME狀態(tài)1特性縮寫S1VLO狀態(tài)1 low level電壓VS1VHI狀態(tài)1 high level電壓V r.1 S b r r rS19NAME狀態(tài)19特

34、性縮”S19VLC狀態(tài)19 low leviel電壓VS19VHI狀態(tài)19慟協包電壓VFILE數字輸入文件名FORMAT數字輸入文件格式1TIMESTEP數字輸入文件步長insTIMESCALE數字輸入文件刻度1八、數學宏模型：作為電路功能塊或實驗儀器插入電路系統中，代替或模擬電 路系統的部分功能，有24種8.1 電壓加法器：基本運宣方程:匕睨片曦1 +質匕啟+自囁3 +等效電路方程:=比。0) +兀，。2) +總，(14)4-.8.2 電壓乘法器：6 , +。甘？卞/ U a 必 &崎 r一_JJO-o-T138.3 電壓除法器：VI O_-&口T“ CM 基本運算方程；% = 等效電路方程

35、：1(0%)=基本運篁方程：嘰 r等效電路方程：，。4)=/。0) 一(12E廣小嚀9十4)m力6 / %卜d咯T石皿 - Lq -rAC 7(10,12)=且 /(11,12) ，(1 3)r（13）=招八GH/J- l（GdV 當 RTOO時，工6m）4（GdV2）i）= &C ，口。詡巾 + & 中 U2） /3） = c r（10J12）/D /（】 LI 2）8.4 電壓平方：基本運算方程：囁8.5 理想變壓器：VCC Q. .0 VCCNl q N2等效電路 rV二，VCC O、O VCC方程：Z(F1) = (N2 /泗)網家吟 2(5*2)=頌 f N2) 1(左初1)8.6 電壓求平力根：方程曝鼠i,片+ot+RL1IR2Vsunce為零值電壓源，用作電流表原8.7三角波/正弦波轉換器：三角波峰-峰值為2V,其中C=PI/2嗓=匕岫加”+ P）El=Uin/（匕4）=?（Cl） = Cig = Cl, 乙 cos（皿 + dt耳1 二 匕4） B =1/（2） = 1/= 77（2加） Ci-1中4）=，噸。式3