幾種用于IGBT驅(qū)動的集成芯片

1、幾種用于IGBT驅(qū)動的集成芯片2.1TLP250TOSHIBA公司生產(chǎn)在一般較低性能的三相電壓源逆變器中,各種與性能限制,通過檢測直流母線上流入逆變橋的直流如變頻器中的自動轉(zhuǎn)矩補償、轉(zhuǎn)差率補償?shù)?同時,果也可以用來完成對逆變單元中IGBT實現(xiàn)過流保護此在這種逆變器中,對IGBT驅(qū)動電路的要求相比照擬也比擬低.這種類型的驅(qū)動芯片主要有東芝公司生夏普公司生產(chǎn)的PC923等等.這里主要針對TLP250做一TLP250包含一個GaAlAs光發(fā)射二極管和一個集成光腳雙列封裝結(jié)構(gòu).適合于IGBT或電力MOSFET柵極驅(qū)動為TLP250的內(nèi)部結(jié)構(gòu)簡圖,表1給出了其工作時的真1電流相關(guān)的電流即可,這一檢測結(jié)等

2、功能.因簡單,本錢產(chǎn)的TLP250,介紹.探測器,8電路.圖2直表.TLP250的典型特征如下：1輸入閾值電流IF:5mA最大；2） 電源電流ICC:11mA最大；3） 電源電壓VCC:1035V;4） 輸出電流IO:±0.5A最??；5） 開關(guān)時間tPLH/tPHL:0.5s最大；6） 隔離電壓：2500Vpms最小.表2給出了TLP250的開關(guān)特性,表3給出了TLP250的推薦工作條件IIVfU的電氣特性符號,單9赭蟲某件品小M沿點上化桶延此一慮,4i,=mAIh口.上if"IIIf*d高一fttt1,1llrIm-+I5V'(>.pn.s輸出卜葉葉同J4-

3、L“=-15、輸出下降山間/口./=2(mq_-M)0V.品忠輸出酎共5/.-KihA-武制之仇找里l1一一軸】,工=25半.Lm=&0OV.設(shè)忠瑜出時兒r.I,A=11mA.式用雷把撥限口71|=.卬,T-25(1來開容壞電損瓷會陶效S4-k/O共me0/1作過個路超一旁應(yīng)接的不連供度注：使用TLP250時應(yīng)在管腳8和5間穩(wěn)定高增益線性放大器的工作,提關(guān)性能,電容和光耦之間的引線長圖3和圖4給出了TLP250的兩種典型的應(yīng)用電路在圖4中,TR1和TR2的選取與用于IGBT驅(qū)動的柵極電阻有直接的關(guān)系,例如,電源電壓為24V時,TR1和TR2的Icmax>24/Rg圖5給出了TLP

4、250驅(qū)動IGBT時,1200V/200A的IGBT上電流的實驗波形50A/104so可以看出,由于TLP250不具備過流保護功能,當(dāng)IGBT過流時,通過限制信號關(guān)斷IGBT,IGBT中電流的下降很陡,且有一個反向的沖擊.這將會產(chǎn)生很大的di/dt和開關(guān)損耗,而且對限制電路的過流保護功能要求很高.3rnr25tf；的白出支電.y：TLP250使用特點：1TLP250輸出電流較小,對較大功率IGBT實施驅(qū)動時,需要外加功率放大電路.2由于流過IGBT的電流是通過其它電路檢測來完成的,而且僅僅檢測流過IGBT的電流,這就有可能對于IGBT的使用效率產(chǎn)生一定的影響,比方IGBT在平安工作區(qū)時,有時出

5、現(xiàn)的提前保護等.3要求限制電路和檢測電路對于電流信號的響應(yīng)要快,一般由過電流發(fā)生到IGBT可靠關(guān)斷應(yīng)在10仙以內(nèi)完成.4當(dāng)過電流發(fā)生時,TLP250得到限制器發(fā)出的關(guān)斷信號,對IGBT的柵極施加一負(fù)電壓,使IGBT硬關(guān)斷.這種主電路的dv/dt比正常開關(guān)狀態(tài)下大了許多,造成了施加于IGBT兩端的電壓升高很多,有時就可能造成IGBT的擊穿.2.2EXB8.SeriesFUJIELECTRIC公司生產(chǎn)隨著有些電氣設(shè)備對三相逆變器輸出性能要求的提升及逆變器本身的原因,在現(xiàn)有的許多逆變器中,把逆變單元IGBT的驅(qū)動與保護和主電路電流的檢測分別由不同的電路來完成.這種驅(qū)動方式既提升了逆變器的性能,又提升

6、了IGBT的工作效率,使IGBT更好地在平安工作區(qū)工作.這類芯片有富士公司的EXB8.Series、夏普公司的PC929等.在這里,我們主要針對EXB8.Series做一介紹.EXB8.Series集成芯片是一種專用于IGBT的集驅(qū)動、保護等功能于一體的復(fù)合集成電路.廣泛用于逆變器和電機驅(qū)動用變頻器、伺服電機驅(qū)動、UPS、感應(yīng)加熱和電焊設(shè)備等工業(yè)領(lǐng)域.具有以下的特點：1不同的系列標(biāo)準(zhǔn)系列可用于到達10kHz開關(guān)頻率工作的IGBT,高速系列可用于到達40kHz開關(guān)頻率工作的IGBT.2內(nèi)置的光耦可隔離高達2500V/min的電壓.3單電源的供電電壓使其應(yīng)用起來更為方便.4內(nèi)置的過流保護功能使得I

7、GBT能夠更加平安地工作.5具有過流檢測輸出信號.6單列直插式封裝使得其具有高密度的安裝方式.常用的EXB8.Series主要有：標(biāo)準(zhǔn)系列的EXB850和EXB851,高速系列的EXB840和EXB841.其主要應(yīng)用場合如表4所示.口MMM)1M.RT的普助12mV【GRT的小動Wise144IWA<75A<30CA忸帶第州IABxMEX語1FAllbJOLXb«|高速招列1口型_EKH*KXItWtXBMl表EUK.rJnf的主要應(yīng)用增合注：1標(biāo)準(zhǔn)系列：驅(qū)動電路中的信號延遲04世s2高速系列：驅(qū)動電路中的信號延遲01.511s圖6給出了EXB8.Series的功能方框圖

8、.表5給出了EXB8.Series的電氣特性0表6給出了EXB8.Series工作時的推薦工作條件.表6EXB8.Series工作時的推薦工作條圖7給出了EXB8.Series的典型應(yīng)用電路用71HK4時再型應(yīng)用電色LRA'bH'EXB8.Series使用不同的型號,可以到達驅(qū)動電流高達400A,電壓高達1200V的各種型號的IGBT.由于驅(qū)動電路的信號延遲時間分為兩種：標(biāo)準(zhǔn)型EXB850、EXB851<4s區(qū)高速型EXB840、EXB841<1s,所以標(biāo)準(zhǔn)型的IC適用于頻率高達10kHz的開關(guān)操作,而高速型的IC適用于頻率高達40kHz的開關(guān)操作.在應(yīng)用電路的設(shè)計

9、中,應(yīng)注意以下幾個方面的問題：IGBT柵射極驅(qū)動電路接線必須小于1m；IGBT柵射極驅(qū)動電路接線應(yīng)為雙絞線；如想在IGB集電極產(chǎn)生大的電壓尖脈沖,那么增加IGBT柵極串聯(lián)電阻(Rg)即可；應(yīng)用電路中的電容C1和C2取值相同,對于EXB850和EXB840來說,取值為33仙F對于EXB851和EXB841來說,取值為47仙F該電容用來吸收由電源接線阻抗而引起的供電電壓變化.它不是電源濾波器電容.EXB8.Series的使用特點：1) EXB8.Series的驅(qū)動芯片是通過檢測IGBT在導(dǎo)通過程中的飽和壓降Uce來實施對IGBT的過電流保護的.對于IGBT的過電流處理完全由驅(qū)動芯片自身完成,對于電

10、機驅(qū)動用的三相逆變器實現(xiàn)無跳閘限制有較大的幫助.2) EXB8.Series的驅(qū)動芯片對IGBT過電流保護的處理采用了軟關(guān)斷方式,因此主電路的dv/dt比硬關(guān)斷時小了許多,這對IGBT的使用較為有利,是值得重視的一個優(yōu)點.3) EXB8.Series驅(qū)動芯片內(nèi)集成了功率放大電路,這在一定程度上提升了驅(qū)動電路的抗干擾水平.4) EXB8.Series的驅(qū)動芯片最大只能驅(qū)動1200V/300A的IGBT,并且它本身并不提倡外加功率放大電路,另外,從圖7中可以看出,該類芯片為單電源供電,IGBT的關(guān)斷負(fù)電壓信號是由芯片內(nèi)部產(chǎn)生的一5V信號,容易受到外部的干擾.因此對于300A以上的IGBT或者IGB

11、T并聯(lián)時,就需要考慮別的驅(qū)動芯片,比方三菱公司的M57962L等.圖8給出了EXB841驅(qū)動IGBT時,過電流情況下的實驗波形.可以看出,正如前面介紹過的,由于EXB8.Series芯片內(nèi)部具備過流保護功能,當(dāng)IGBT過流時,采用了軟關(guān)斷方式關(guān)斷IGBT,所以IGBT中電流是一個較緩的斜坡下降,這樣一來,IGBT關(guān)斷時的di/dt明顯減少,這在一定程度上減小了對限制電路的過流保護性能的要求.2.3M579.SeriesMITSUBISHI公司生產(chǎn)M579.Series是日本三菱公司為IGBT驅(qū)動提供的一種IC系列,表7給出了這種系列的幾種芯片的根本應(yīng)用特性其中有*者為芯片內(nèi)部含有Booster

12、電路.方在型速流較,典快電比似的用的來類時選要在M579.Series中,以M57962L為例做出一般的解釋.隨著逆變器功率的增大和結(jié)構(gòu)的復(fù)雜,驅(qū)動信號的抗干擾水平顯得尤為重要,比擬有效的方法就是提升驅(qū)動信號關(guān)斷IGBT時的負(fù)電壓,M57962L的負(fù)電源是外加的這點和EXB8.Series不同,所以實現(xiàn)起便.它的功能框圖和圖6所示的EXB8.Series功能框圖極為此不再贅述.圖9給出了M57962L在驅(qū)動大功率IGBT模塊電路圖.在這種電路中,NPN和PNP構(gòu)成的電壓提升電路晶體管tf0200ns,并且要有足夠的電流增益以承載需煮：115飛Zin的根本應(yīng)用特性町路保優(yōu)化應(yīng)用他陽出電量護電踴,

13、以下I201的13HlF的IC.HTM5WTIM5745SI孕,LM57yfi2lM57W81,"WIN£4(M)CJ4M):2粕£%<!M三tm在使用M57962L驅(qū)動大功率IGBT模塊時,應(yīng)注意以下三個方面的問題：1)驅(qū)動芯片的最大輸出電流峰值受柵極電阻Rg的最小值限制,例如,對于M57962L來說,Rg的允許值在5Q左右,這個值對于大功率的IGBT來說高了一些,且當(dāng)Rg較高時,會引起IGBT的開關(guān)上升時間td(on)、下降時間td(off)以及開關(guān)損耗的增大,在較高開關(guān)頻率(5kHz以上)應(yīng)用時,這些附加損耗是不可接受的.2)即便是這些附加損耗和較慢的

14、開關(guān)時間可以被接受,驅(qū)動電路的功耗也必須考慮,當(dāng)開關(guān)頻率高到一定程度時(高于14kHz),會引起驅(qū)動芯片過熱.3)驅(qū)動電路緩慢的關(guān)斷會使大功率IGBT模塊的開關(guān)效率降低,這是由于大功率IGBT模塊的柵極寄生電容相比照擬大,而驅(qū)動電路的輸出阻抗不夠低.還有,驅(qū)動電路緩慢的關(guān)斷還會使大功率IGBT模塊需要較大的吸收電容.以上這三種限制可能會產(chǎn)生嚴(yán)重的后果,但通過附加的Booster電路都可以加以克服,如圖9所示.從圖10(a)可以看出,在IGBT過流信號輸出以后,門極電壓會以一個緩慢的斜率下降.圖10(b)及圖10(c)給出了IGBT短路時的軟關(guān)斷過程(集電極一發(fā)射極之間的電壓uCE和集電極電流i

15、C的軟關(guān)斷波形)0引言隨著電力電子技術(shù)朝著大功率、高頻化、模塊化開展,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)已廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、電機限制以及要求快速、低損耗的領(lǐng)域中.IGBT是復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件,兼有MOSFE和GTR勺優(yōu)點：輸入阻抗高,驅(qū)動功率小,通態(tài)壓降小,工作頻率高和動態(tài)響應(yīng)快.目前,市場上5003000M8001800A的IGBT,因其耐高壓、功率大的特性,已成為大功率開關(guān)電源等電力電子裝置的首選功率器件.1驅(qū)動保護電路的原那么由于是電壓限制型器件,因此只要限制ICBT的柵極電壓就可以使其開通或關(guān)斷,并且開通時維持比擬低的通態(tài)壓降.研究說明,IGBT的平安工作區(qū)和開關(guān)特性

16、隨驅(qū)動電路的改變而變化.因此,為了保證IGBT可靠工作,驅(qū)動保護電路至關(guān)重要.IGBT驅(qū)動保護電路的原那么如下.(1)動態(tài)驅(qū)動水平強,能為柵極提供具有陡峭前后沿的驅(qū)動脈沖；(2)開通時能提供適宜的正向柵極電壓(1215V),關(guān)斷時可以提供足夠的反向關(guān)斷柵極電壓(一5V);(3)盡可能少的輸入輸出延遲時間,以提升工作效率；(4)足夠高的輸入輸出電氣隔離特性,使信號電路與柵極驅(qū)動電路絕緣；(5)出現(xiàn)短路、過流的情況下,具有靈敏的保護水平.目前,在實際應(yīng)用中,普遍使用驅(qū)動與保護功能合為一體的IGBT專用的驅(qū)動模塊.2集成驅(qū)動模塊為了解決IGBT的可靠驅(qū)動問題,世界上各廠家兀發(fā)出了眾多的IGBT集成驅(qū)

17、動模塊.如日本富士公司的EXB系列,三菱電機公司的M57系列,三社電機公司的GH系列,美國國際整流器公司的TR系列,Unitrode公司的UC37K列以及國產(chǎn)的HL系列.以下是幾種典型的集成驅(qū)動模塊.2.1 EXB841模塊的分析EX841高速驅(qū)動模塊為15腳單列直插式結(jié)構(gòu),采用高隔離電壓光耦合器作為信號隔離,內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如圖l所示,其工彳頻率可達40kHz,可以驅(qū)動400M600V以內(nèi)及300A/l200V的IGBT管,其隔離電壓可達2500AC/min,工作電源為獨立電源20±1V,內(nèi)部含有一5V穩(wěn)壓電路,為ICBT的柵極提供+15V的驅(qū)動電壓,關(guān)斷時提供一5V的偏置電壓,使其可靠

18、關(guān)斷.當(dāng)腳15和腳14有10mA電流通過時,腳3輸出高電平而使IGBT在1s內(nèi)導(dǎo)通；而當(dāng)腳15和腳14無電流通過時,腳3輸出低電平使IGBT關(guān)斷；假設(shè)ICBT導(dǎo)通時因承受短路電流而退出飽和,Vce迅速上升,腳6懸空,腳3電位在短路后約3.5ns后才開始軟降.圖1EXBS41內(nèi)部轉(zhuǎn)構(gòu)圖EXB841典型應(yīng)用圖如圖2所示,電容C1、C2用于吸收高頻噪音.當(dāng)腳3輸出脈沖的同時,通過快速二極管D1檢測IGBT的CE間的電壓.當(dāng)Vce>7V時,過流保護電流限制運算放大器,使其輸出軟關(guān)斷信號,在10仙s內(nèi)將腳3輸出電平降為Q因EXB841無過流自鎖功能,所以外加過流保護電路,一旦產(chǎn)生過流,可通過外接光

19、耦TLP521將過流保護信號輸出,經(jīng)過一定延時,以預(yù)防誤動作和保證進行軟關(guān)斷,然后由觸發(fā)器鎖定,實現(xiàn)保護.lOniA驅(qū)動信號152TLP5213圖2EXH841的典型應(yīng)用光耦合器p_軟關(guān)斷電路BO1-T缺點：EXB841過流保護閥值過高,Vce>7V時動作,此時已遠(yuǎn)大于飽和壓降；存在保護肓區(qū)；在實現(xiàn)止常關(guān)斷時僅能提供一5V偏壓,在開關(guān)頻率較高、負(fù)載過大時,關(guān)斷就顯得不可靠；無過流保護自鎖功能,在短路保護時其柵壓的軟關(guān)斷過程被輸入的關(guān)斷信號所打斷.2. 2M57962L模塊的分析M57962AL>一種14腳單列直捕式結(jié)構(gòu)的厚膜驅(qū)動模塊,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如圖3所示.它由光耦合器、接口電路、

20、檢測電路、定時復(fù)位電路以及門關(guān)斷電路組成,驅(qū)動功率大,町以驅(qū)動600A/600V及400A/l200V等系列IGBT模塊.04輸測電跳二二;圖3M57962L內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖M5796ALM有局速的輸入輸出隔離,絕緣電壓也可到達AC2500V/min；輸入電平與TTL電平兼容,適于單片機限制；內(nèi)部有定時邏輯短路保護電路,同時具有延時保護特性；采用雙電源供電方式,相對于EXB84l來說,雖然多使用一個電源.但IGBT可以更可靠地通斷.典型應(yīng)用圖如圖4所示.當(dāng)驅(qū)動信號通過腳14和腳13時,經(jīng)過高速光耦隔離,由M57962AL內(nèi)置接口電路傳輸至功率放大極,在M57962AL勺月卻5產(chǎn)生+15V開柵和一10

21、V關(guān)柵電壓,驅(qū)動IGBT通斷.當(dāng)腳1檢測到電壓為7V時,模塊認(rèn)定電路短路,立即通過光耦輸出關(guān)斷信號,使腳5輸出低電平,從而將IGBT的GE兩端置于負(fù)向偏置,可靠關(guān)斷.同時,輸出誤差信號使故障輸出端腳8為低電平,從而驅(qū)動外接的保護電路工作.延時23s后,假設(shè)檢測到腳13為高電平,那么M57962A映復(fù)工作.穩(wěn)壓管DZ1用于預(yù)防D1擊穿而損壞M57962ALRg為限流電阻,DZ2和DZ3起限幅作用,以保證可靠通斷.1111130(JINmm?2MJk!BIGmIfI-2圖4M57962LM型應(yīng)用比擬：與EXB841相比,M57962A要雙電源+15V,1OV射電,外周電路復(fù)雜.而正是由于M5796

22、2AlM輸出一10V的偏壓,使得IGBT可靠地關(guān)斷；另外,M57962AlM有過流保護自動閉鎖功能,并且軟關(guān)斷時間可外部調(diào)節(jié),而EXB84I的軟關(guān)斷時間無法調(diào)節(jié).所以M57962A慢EXB841更平安、可靠.2.3HL402模塊的分析HL402是17腳單列直插式結(jié)構(gòu),內(nèi)置有靜電屏蔽層的高速光耦合器實現(xiàn)信號隔離,抗干擾水平強,響應(yīng)速度快,隔離電壓高.它具有對IGBT進行降柵壓、軟關(guān)斷雙重保護功能,在軟關(guān)斷及降柵壓的同時能輸出報警信號,實現(xiàn)封鎖脈沖或分?jǐn)嘀骰芈返谋Ｗo.它輸出驅(qū)動電壓幅值高,正向驅(qū)動電壓可達1517V,負(fù)向偏置電壓可達1012V,因而可用來直接驅(qū)動容量為400A/600V及300A/

23、1200V以下的IGBT.HL402結(jié)構(gòu)圖如圖5所示.圖5中,VL1為帶靜電屏蔽的光耦合器,它用來實現(xiàn)與輸入信號的隔離.由于它具有靜電屏蔽,因而顯著提升了HL402抗共模干擾的水平.圖5中U1為脈沖放大器,S1、S2實現(xiàn)驅(qū)動脈沖功率放大,U2為降柵壓比擬器,正常情況下由于腳9輸入的IGBT集電極電壓VCE不高于U2的基準(zhǔn)電壓VREFU2不翻轉(zhuǎn),S3不導(dǎo)通,故從腳17和腳16輸入的驅(qū)動脈沖信號經(jīng)S2整形后不被封鎖.該驅(qū)動脈沖經(jīng)S2、S2放大后提供應(yīng)IGBT使其導(dǎo)通或關(guān)斷,一旦IGBT退飽和,那么腳9輸入集電極電壓給IGBT使其導(dǎo)通或關(guān)斷,并且腳9輸入的集電極電壓采樣信號VCE高于U2的基準(zhǔn)電壓V

24、REF比擬器U2翻轉(zhuǎn)輸出高電平,使S3導(dǎo)通,由穩(wěn)壓管DZ2將驅(qū)動器輸出的柵極電壓VGEW低到10V.此時,軟關(guān)斷定時器U3在降柵壓比擬器U2翻轉(zhuǎn)到達設(shè)定的時間后,輸出正電壓使S4導(dǎo)通,將柵極電壓軟關(guān)斷降到IGBT的柵射極門限電壓,給IGBT提供一個負(fù)的驅(qū)動電壓,保證IGBT可靠關(guān)斷.用5UI402雉構(gòu)圖HL402典型應(yīng)用圖如圖6所示.在實際電路中,C1、C2、C3C4需盡可能地靠近H1402的腳2、腳l、腳4安裝.為了預(yù)防高頻耦合及電磁干擾,由HL402輸出到被驅(qū)動IGBT柵射極的引線需要采用雙絞線或同軸電纜屏蔽線,具引線長度不超過1m月卻9和腳13接至IGBT集電極的引線必須分開走,不得與柵

25、極和發(fā)射極引線絞合,以免引起交叉干擾.光耦合器L1可輸入脈沖封鎖信號,當(dāng)L1導(dǎo)通時,HLA02輸出脈沖立即被封鎖至-10V.光耦合器L2提供軟關(guān)斷報警信號,它在軀動器軟關(guān)斷的同時導(dǎo)通光耦合器L3,提供降柵壓報警信號.使用中,通過調(diào)整電容器C5C6C7的值,可以將保護波形中的降柵壓延遲時間、降柵壓時間、軟關(guān)斷斜率時間調(diào)整至適宜的值.在高頻應(yīng)用時,為了預(yù)防IGBT受到屢次過電流沖擊,可在光耦合器L2輸出數(shù)次或1次報警信號后,將輸入腳16和腳17間的信號封鎖.1716131213109X751國6HL402典理應(yīng)用小結(jié)：以上三者中,M57962A曲HL402都采用陶瓷基片黑色包裝,EXB841采用覆

26、銅板黃色包裝,由于陶瓷基片的散熱性能和頻率特性比覆銅板好,HL402的負(fù)載水平和散熱性能最好,加之合理的布局設(shè)計,在三者中的工作頻率最高,保護功能最全,而EXB841和M57962AL都沒有降柵壓保護功能.另外,HL402和M57962ALS供負(fù)偏壓的穩(wěn)壓管,放于外部,既有靈活性又提升了可靠性,而EXB841的穩(wěn)壓管在內(nèi)部,經(jīng)常因穩(wěn)壓管的損壞而失效.因此,HL402憑借其優(yōu)越的性能可以彌補另外兩者的缺陷.2.4GH-039模塊的分析GH-039采用單列直插式12腳封裝,功耗低、工作中發(fā)熱很小,可以高密度使用它采用單電源工作,內(nèi)置高速光耦合器,帶有軟關(guān)斷過流保護電路,過流保護除閉鎖自身輸出外,還

27、給出供用戶使用的同步輸出端.它可以用來直接驅(qū)動300A/600V以下的IGBT模塊.其內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如圖7所示,工彳原理與EX街口M57系列模塊相類似,這里不再贅述.而與EX晾歹J和M57系列的模塊不同的是該模塊已含有保護后發(fā)送報警或動作信號的光耦合器,所以使用中不需要像EXBffiM57系列的模塊外接光耦合器,因而更加方便,其性能比EXB和M57系列的模塊在保護性能上更加優(yōu)越；在可靠性方面,由于GH-039是單電源供電,不能提供負(fù)偏壓,從而導(dǎo)致ICBT不能可靠地關(guān)斷.與HL402相比,CH-039保護功能還不完善,它也同EXB84儕口M57962AL樣無降柵壓彳護.因此,GH-039驅(qū)動模塊也是有缺陷的.GH-039典型接線圖如圖8所示.工作電源VCE26V;為了保持電壓穩(wěn)定,濾波電容器應(yīng)盡可能靠近GH-039模塊安裝和使用,且其電容值不能小于10仙F,并應(yīng)選用高質(zhì)量的電容；用入GH-039腳12與ICBT集電極之間的二極管D1,應(yīng)