選修三--物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

1、選修三物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)2022-2022年真題(2022) 37.【化學(xué)一一選修三：物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】15分WA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含WA族元素的化合物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請(qǐng)答復(fù)以下問(wèn)題：(1) S單質(zhì)的常見(jiàn)形式為 S8,其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如以下列圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是;(2) 原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需要的最低能量，OS、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?;(3) Se的原子序數(shù)為 ，其核外 M層電子的排布式為 ;H2Se的酸性比H2S (填“強(qiáng)或“弱)。氣態(tài)SeO分子的立體構(gòu)型為

2、 , SO2-離子的立體構(gòu)型為;H 2SeO的K1和K>x 10-3 x 10-8, HbSeQ第一步幾乎完全電離，KaX 10-2，請(qǐng)根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋?zhuān)?HSeO和HSeQ第一步電離程度大于第二步電離的原因： HbSeQ比HbSeO酸性強(qiáng)的原因： 。(6)ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如以下列圖所示，其晶胞邊長(zhǎng)為 540.0pm，其密度為 ( 列式并計(jì)算)，a位置S2-離子與b位置 Zn2+離子之間的距離為 pm( 列式表示)。3 2 6 10【答案】：(1) sp ;(2) 0> S> Se；(3) 34, 3s 3p

3、3d(4) 強(qiáng)。平面三角型，三角錐形；(5) 第一步電離后生成的負(fù)離子較難再進(jìn)一步電離出帶正電荷的氫離子；HSeO和HSeO可表示成(HO)2SeO和(HO)2SeO。HSeO中的Se為+4價(jià)，而 HSeO中的Se為+6價(jià)，正電性 更高，導(dǎo)致Se-O-H中O的電子更向Se偏移，越易電離出 H+。4*(65+32 mol6 02xl_0Ismor,一 “ *- coil09*28JIQ9D2Sr(54OxJ0lflcm)J41gsin2【解析】：1因?yàn)镾8為環(huán)狀立體結(jié)構(gòu)，所以為SP3;(6) 第一問(wèn)我們常碰到，后面一問(wèn)要注意四個(gè)Zn2體內(nèi)的四個(gè)小立方體的中心，不在同一平面上，過(guò)b向上面作垂線，構(gòu)

4、成直 角三角形，兩邊分別為“2/4a 1/4a ，即可求出斜邊為"3/4a(a為晶胞邊長(zhǎng))。高考化學(xué)中往往不過(guò)分考查數(shù)學(xué)運(yùn)算的技巧，此次也算一種“創(chuàng)新吧。(2022)37 .化學(xué)一選修3 :物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)15分硅是重要的半導(dǎo)體材料，構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的根底。請(qǐng)答復(fù)以下問(wèn)題：1基態(tài)Si原子中，電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為 ，該能層具有的原子軌道數(shù)為 電子數(shù)為。2硅主要以硅酸鹽、 等化合物的形式存在于地殼中。3單質(zhì)硅存在與金剛石結(jié)構(gòu)類(lèi)似的晶體，其中原子與原子之間以相結(jié)合，其晶胞中共有8個(gè)原子，其中在面心位置奉獻(xiàn) 個(gè)原子。4單質(zhì)硅可通過(guò)甲硅烷 SiH4分解反響來(lái)制備。 工業(yè)上采用 Mg2Si和

5、NH4CI在液氨介質(zhì)中反響 制得SiH4，該反響的化學(xué)方程式為 。5碳和硅的有關(guān)化學(xué)鍵鍵能如下所示，簡(jiǎn)要分析和解釋以下有關(guān)事實(shí)：化學(xué)鍵C-CC HC- OSi SiS HSi O鍵能 /(kJ?mol-1356413336226318452硅與碳同族，也有系列氫化物，但硅烷在種類(lèi)和數(shù)量上都遠(yuǎn)不如烷烴多，原因是SiH4的穩(wěn)定性小于 CH4,更易生成氧化物，原因是 。6在硅酸鹽中，SiO4-四面體如以下列圖a通過(guò)共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類(lèi)結(jié)構(gòu)型式。圖b為一種無(wú)限長(zhǎng)單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根，其中Si原子的雜化形式為，Si與O的原子數(shù)之比為 ，化學(xué)式為 。37.化學(xué)一選修3:物質(zhì)結(jié)

6、構(gòu)與性質(zhì)15分1M942二氧化硅3共價(jià)鍵34Mg2Si + 4NH4CI = SiT + 4NH3 + 2MgCl25【CC鍵和CH鍵較強(qiáng)，所形成的烷烴穩(wěn)定。而硅烷中SiSi鍵和SH鍵的鍵能較低，易斷裂,導(dǎo)致長(zhǎng)鏈硅烷難以生成。CH鍵的鍵能大于 c O鍵，CH鍵比C O鍵穩(wěn)定。而SH鍵的鍵能卻遠(yuǎn)小于 SO鍵，所 以SiH鍵不穩(wěn)定而傾向于形成穩(wěn)定性更強(qiáng)的SiO鍵。6sp31 : 3SiOsW-(或 SiC3-)(2022)37 .【化學(xué)一選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】(15分)早期發(fā)現(xiàn)的一種天然二十面體準(zhǔn)晶顆粒由 Al、Cu、Fe三種金屬元素組成。答復(fù)以下問(wèn)題：(1) 準(zhǔn)晶是一種無(wú)平移周期序，但有嚴(yán)格準(zhǔn)

7、周期位置序的獨(dú)特晶體，可通過(guò)方法區(qū)分晶體、準(zhǔn)晶體和非晶體。(2) 基態(tài)Fe原子有個(gè)未成對(duì)電子，F(xiàn)e3+的電子排布式為 ?？捎昧蚯杌洐z驗(yàn)Fe3+,形成的配合物的顏色為 (3) 新制備的Cu(OH) 2可將乙醛(CH3CHO)氧化為乙酸，而自身復(fù)原成Cu2O,乙醛中碳原子的雜化軌道類(lèi)型為 , 1mol乙醛分子中含有的|鍵的數(shù)目為 。乙酸的沸點(diǎn)明顯高于乙醛，其主要原因是。CU20為半導(dǎo)體材料，在其立方晶胞內(nèi)部有4個(gè)氧原子，其余氧原子位于面心和頂點(diǎn)，那么該晶胞中有個(gè)銅原子。(4) Al單質(zhì)為面心立方晶體，其晶胞參數(shù)a =，晶胞中鋁原子的配位數(shù)為 。列式表示 Al單質(zhì)的密度 gem3(不必計(jì)算出結(jié)果)

8、37.【化學(xué)一一選修3:物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】(15分)(1) X射線衍射(2) 4; 1s22s22p63s23p63d5；血紅色(3) sp3、sp2; 6Na ； CH3COOH 存在分子間氫鍵；16(4) 12; ；6.022 10(0.405 10 )(2022)37、化學(xué)一一選修3 :物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)碳及其化合物廣泛存在于自然界中，答復(fù)以下問(wèn)題：形象化描述。在1處于一定空間運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的電子在原子核外出現(xiàn)的概率密度分布可用基態(tài)原子中，核外存在 對(duì)自旋相反的電子。2碳在形成化合物時(shí)，其鍵型以共價(jià)鍵為主，原因是 。3CS分子中，共價(jià)鍵的類(lèi)型有 , C原子的雜化軌道類(lèi)型是 ，寫(xiě)出兩個(gè)與CS2具有相同

9、空間構(gòu)型和鍵合形式的分子或離子4CO能與金屬Fe形成Fe(CO)s,該化合物熔點(diǎn)為253K,沸點(diǎn)為376K,其固體屬于 晶體。5貪有多種同素異形體，其中石墨烯與金剛石的晶體結(jié)構(gòu)如下列圖： 在石墨烯晶體中，每個(gè) C原子連接 個(gè)六元環(huán)，每個(gè)六元環(huán)占有 個(gè)C原子。 在金剛石晶體中，C原子所連接的最小環(huán)也為六元環(huán)，每個(gè)C原子連接故六元環(huán)，六元環(huán)中最多有個(gè)C原子在同一平面。答案：37.化學(xué)一一選修3 :物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(15分)(1) 電子云2(2) C有4個(gè)價(jià)電子且半徑小，難以通過(guò)得或失電子到達(dá)穩(wěn)定電子結(jié)構(gòu)(3) S 鍵和 n 鍵 spCC2、SCN (或 COS等)(4) 分子(5) 32124(20

10、22)37.化學(xué)一一選修3 :物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)15分鍺Ge是典型的半導(dǎo)體元素，在電子、材料等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。答復(fù)以下問(wèn)題：1基態(tài)Ge原子的核外電子排布式為 Ar，有個(gè)未成對(duì)電子。2Ge與C是同族元素，C原子之間可以形成雙鍵、叁鍵，但Ge原子之間難以形成雙鍵或叁鍵。從原子結(jié)構(gòu)角度分析，原因是。3比擬以下鍺鹵化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn)，分析其變化規(guī)律及原因 。GeCl4GeBr4Gel4熔點(diǎn)/C-26146沸點(diǎn)/C186約4004光催化復(fù)原 CO2制備CH4反響中，帶狀納米 Zn2GeO4是該反響的良好催化劑。Zn、Ge、O電負(fù)性由大至小的順序是。5Ge單晶具有金剛石型結(jié)構(gòu)，其中作用力是。微粒之間存在的6晶胞有兩個(gè)根本要素： 原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置，以下列圖為Ge單晶的晶胞，其中原子坐標(biāo)參數(shù) A為0,0,0；11 11B為一，0, ； C為，0。貝V D原子的坐標(biāo)參數(shù)為。2 2 2 2 晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀，Ge單晶的晶胞參數(shù) a=565.76 pm,其密度為 g-cm-