邢臺MOSFET功率器件項目可行性研究報告【模板范本】

1、泓域咨詢/邢臺MOSFET功率器件項目可行性研究報告目錄第一章 項目基本情況7一、 項目名稱及建設(shè)性質(zhì)7二、 項目承辦單位7三、 項目定位及建設(shè)理由8四、 報告編制說明9五、 項目建設(shè)選址10六、 項目生產(chǎn)規(guī)模11七、 建筑物建設(shè)規(guī)模11八、 環(huán)境影響11九、 項目總投資及資金構(gòu)成11十、 資金籌措方案12十一、 項目預(yù)期經(jīng)濟效益規(guī)劃目標12十二、 項目建設(shè)進度規(guī)劃13主要經(jīng)濟指標一覽表13第二章 公司基本情況16一、 公司基本信息16二、 公司簡介16三、 公司競爭優(yōu)勢17四、 公司主要財務(wù)數(shù)據(jù)19公司合并資產(chǎn)負債表主要數(shù)據(jù)19公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)19五、 核心人員介紹20六、 經(jīng)營宗旨2

2、2七、 公司發(fā)展規(guī)劃22第三章 項目投資背景分析24一、 MOSFET器件概述24二、 全球半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概況28三、 功率半導(dǎo)體行業(yè)概述29四、 積極融入國內(nèi)國際雙循環(huán)新發(fā)展格局30五、 集聚高質(zhì)量趕超發(fā)展新動力33第四章 行業(yè)、市場分析36一、 功率器件應(yīng)用發(fā)展機遇36二、 功率半導(dǎo)體市場規(guī)模與競爭格局40第五章 建筑工程可行性分析42一、 項目工程設(shè)計總體要求42二、 建設(shè)方案42三、 建筑工程建設(shè)指標44建筑工程投資一覽表44第六章 產(chǎn)品方案46一、 建設(shè)規(guī)模及主要建設(shè)內(nèi)容46二、 產(chǎn)品規(guī)劃方案及生產(chǎn)綱領(lǐng)46產(chǎn)品規(guī)劃方案一覽表46第七章 運營管理48一、 公司經(jīng)營宗旨48二、 公司的目

3、標、主要職責48三、 各部門職責及權(quán)限49四、 財務(wù)會計制度52第八章 發(fā)展規(guī)劃分析56一、 公司發(fā)展規(guī)劃56二、 保障措施57第九章 法人治理結(jié)構(gòu)59一、 股東權(quán)利及義務(wù)59二、 董事61三、 高級管理人員66四、 監(jiān)事68第十章 安全生產(chǎn)分析71一、 編制依據(jù)71二、 防范措施74三、 預(yù)期效果評價76第十一章 環(huán)保方案分析77一、 環(huán)境保護綜述77二、 建設(shè)期大氣環(huán)境影響分析77三、 建設(shè)期水環(huán)境影響分析77四、 建設(shè)期固體廢棄物環(huán)境影響分析78五、 建設(shè)期聲環(huán)境影響分析78六、 環(huán)境影響綜合評價79第十二章 工藝技術(shù)設(shè)計及設(shè)備選型方案81一、 企業(yè)技術(shù)研發(fā)分析81二、 項目技術(shù)工藝分析

4、84三、 質(zhì)量管理85四、 設(shè)備選型方案86主要設(shè)備購置一覽表87第十三章 節(jié)能方案說明88一、 項目節(jié)能概述88二、 能源消費種類和數(shù)量分析89能耗分析一覽表89三、 項目節(jié)能措施90四、 節(jié)能綜合評價91第十四章 投資方案分析92一、 投資估算的編制說明92二、 建設(shè)投資估算92建設(shè)投資估算表94三、 建設(shè)期利息94建設(shè)期利息估算表95四、 流動資金96流動資金估算表96五、 項目總投資97總投資及構(gòu)成一覽表97六、 資金籌措與投資計劃98項目投資計劃與資金籌措一覽表99第十五章 項目經(jīng)濟效益評價101一、 基本假設(shè)及基礎(chǔ)參數(shù)選取101二、 經(jīng)濟評價財務(wù)測算101營業(yè)收入、稅金及附加和增值

5、稅估算表101綜合總成本費用估算表103利潤及利潤分配表105三、 項目盈利能力分析105項目投資現(xiàn)金流量表107四、 財務(wù)生存能力分析108五、 償債能力分析109借款還本付息計劃表110六、 經(jīng)濟評價結(jié)論110第十六章 項目風險分析112一、 項目風險分析112二、 項目風險對策114第十七章 項目綜合評價說明117第十八章 附表附件119主要經(jīng)濟指標一覽表119建設(shè)投資估算表120建設(shè)期利息估算表121固定資產(chǎn)投資估算表122流動資金估算表123總投資及構(gòu)成一覽表124項目投資計劃與資金籌措一覽表125營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表126綜合總成本費用估算表126固定資產(chǎn)折舊費估算表

6、127無形資產(chǎn)和其他資產(chǎn)攤銷估算表128利潤及利潤分配表129項目投資現(xiàn)金流量表130借款還本付息計劃表131建筑工程投資一覽表132項目實施進度計劃一覽表133主要設(shè)備購置一覽表134能耗分析一覽表134第一章 項目基本情況一、 項目名稱及建設(shè)性質(zhì)（一）項目名稱邢臺MOSFET功率器件項目（二）項目建設(shè)性質(zhì)本項目屬于新建項目二、 項目承辦單位（一）項目承辦單位名稱xx有限公司（二）項目聯(lián)系人龔xx（三）項目建設(shè)單位概況公司自成立以來，堅持“品牌化、規(guī)模化、專業(yè)化”的發(fā)展道路。以人為本，強調(diào)服務(wù)，一直秉承“追求客戶最大滿意度”的原則。多年來公司堅持不懈推進戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型和管理變革，實現(xiàn)了企業(yè)持續(xù)、健

7、康、快速發(fā)展。未來我司將繼續(xù)以“客戶第一，質(zhì)量第一，信譽第一”為原則，在產(chǎn)品質(zhì)量上精益求精，追求完美，對客戶以誠相待，互動雙贏。面對宏觀經(jīng)濟增速放緩、結(jié)構(gòu)調(diào)整的新常態(tài)，公司在企業(yè)法人治理機構(gòu)、企業(yè)文化、質(zhì)量管理體系等方面著力探索，提升企業(yè)綜合實力，配合產(chǎn)業(yè)供給側(cè)結(jié)構(gòu)改革。同時，公司注重履行社會責任所帶來的發(fā)展機遇，積極踐行“責任、人本、和諧、感恩”的核心價值觀。多年來，公司一直堅持堅持以誠信經(jīng)營來贏得信任。公司滿懷信心，發(fā)揚“正直、誠信、務(wù)實、創(chuàng)新”的企業(yè)精神和“追求卓越，回報社會” 的企業(yè)宗旨，以優(yōu)良的產(chǎn)品服務(wù)、可靠的質(zhì)量、一流的服務(wù)為客戶提供更多更好的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品及服務(wù)。公司將依法合規(guī)作為新形

8、勢下實現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展的基本保障，堅持合規(guī)是底線、合規(guī)高于經(jīng)濟利益的理念，確立了合規(guī)管理的戰(zhàn)略定位，進一步明確了全面合規(guī)管理責任。公司不斷強化重大決策、重大事項的合規(guī)論證審查，加強合規(guī)風險防控，確保依法管理、合規(guī)經(jīng)營。嚴格貫徹落實國家法律法規(guī)和政府監(jiān)管要求，重點領(lǐng)域合規(guī)管理不斷強化，各部門分工負責、齊抓共管、協(xié)同聯(lián)動的大合規(guī)管理格局逐步建立，廣大員工合規(guī)意識普遍增強，合規(guī)文化氛圍更加濃厚。三、 項目定位及建設(shè)理由2019年，中國IGBT分立器件市場中英飛凌排名第一，市占率為24.28%，前十大公司合計占比達到69.57%，中國廠商吉林華微電子、華潤微電子進入前十，市占率分別為4.71%、3.65%

9、。四、 報告編制說明（一）報告編制依據(jù)1、中華人民共和國國民經(jīng)濟和社會發(fā)展第十四個五年規(guī)劃和2035年遠景目標綱要；2、中國制造2025；3、建設(shè)項目經(jīng)濟評價方法與參數(shù)及使用手冊（第三版）；4、項目公司提供的發(fā)展規(guī)劃、有關(guān)資料及相關(guān)數(shù)據(jù)等。（二）報告編制原則本項目從節(jié)約資源、保護環(huán)境的角度出發(fā)，遵循創(chuàng)新、先進、可靠、實用、效益的指導(dǎo)方針。保證本項目技術(shù)先進、質(zhì)量優(yōu)良、保證進度、節(jié)省投資、提高效益，充分利用成熟、先進經(jīng)驗，實現(xiàn)降低成本、提高經(jīng)濟效益的目標。1、力求全面、客觀地反映實際情況，采用先進適用的技術(shù)，以經(jīng)濟效益為中心，節(jié)約資源，提高資源利用率，做好節(jié)能減排，在采用先進適用技術(shù)的同時，做好

10、投資費用的控制。2、根據(jù)市場和所在地區(qū)的實際情況，合理制定產(chǎn)品方案及工藝路線，設(shè)計上充分體現(xiàn)設(shè)備的技術(shù)先進，操作安全穩(wěn)妥，投資經(jīng)濟適度的原則。3、認真貫徹國家產(chǎn)業(yè)政策和企業(yè)節(jié)能設(shè)計規(guī)范，努力做到合理利用能源和節(jié)約能源。采用先進工藝和高效設(shè)備，加強計量管理，提高裝置自動化控制水平。4、根據(jù)擬建區(qū)域的地理位置、地形、地勢、氣象、交通運輸?shù)葪l件及安全，保護環(huán)境、節(jié)約用地原則進行布置；同時遵循國家安全、消防等有關(guān)規(guī)范。5、在環(huán)境保護、安全生產(chǎn)及消防等方面，本著“三同時”原則，設(shè)計上充分考慮裝置在上述各方面投資，使得環(huán)境保護、安全生產(chǎn)及消防貫穿工程的全過程。做到以新代勞，統(tǒng)一治理，安全生產(chǎn)，文明管理。（

11、二） 報告主要內(nèi)容1、確定生產(chǎn)規(guī)模、產(chǎn)品方案；2、調(diào)研產(chǎn)品市場；3、確定工程技術(shù)方案；4、估算項目總投資，提出資金籌措方式及來源；5、測算項目投資效益，分析項目的抗風險能力。五、 項目建設(shè)選址本期項目選址位于xx（待定），占地面積約71.00畝。項目擬定建設(shè)區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設(shè)施條件完備，非常適宜本期項目建設(shè)。六、 項目生產(chǎn)規(guī)模項目建成后，形成年產(chǎn)xxx件MOSFET功率器件的生產(chǎn)能力。七、 建筑物建設(shè)規(guī)模本期項目建筑面積80853.60，其中：生產(chǎn)工程57046.66，倉儲工程9005.58，行政辦公及生活服務(wù)設(shè)施8419.92，公共工程6381.44。

12、八、 環(huán)境影響項目建設(shè)擬定的環(huán)境保護方案、生產(chǎn)建設(shè)中采用的環(huán)保設(shè)施、設(shè)備等，符合項目建設(shè)內(nèi)容要求和國家、省、市有關(guān)環(huán)境保護的要求，項目建成后不會造成環(huán)境污染。本項目沒有采用國家明令禁止的設(shè)備、工藝，生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的污染物通過合理的污染防治措施處理后，均能達標排放，符合清潔生產(chǎn)理念。九、 項目總投資及資金構(gòu)成（一）項目總投資構(gòu)成分析本期項目總投資包括建設(shè)投資、建設(shè)期利息和流動資金。根據(jù)謹慎財務(wù)估算，項目總投資34527.37萬元，其中：建設(shè)投資27338.03萬元，占項目總投資的79.18%；建設(shè)期利息328.37萬元，占項目總投資的0.95%；流動資金6860.97萬元，占項目總投資的19.8

13、7%。（二）建設(shè)投資構(gòu)成本期項目建設(shè)投資27338.03萬元，包括工程費用、工程建設(shè)其他費用和預(yù)備費，其中：工程費用24022.72萬元，工程建設(shè)其他費用2608.32萬元，預(yù)備費706.99萬元。十、 資金籌措方案本期項目總投資34527.37萬元，其中申請銀行長期貸款13402.95萬元，其余部分由企業(yè)自籌。十一、 項目預(yù)期經(jīng)濟效益規(guī)劃目標（一）經(jīng)濟效益目標值（正常經(jīng)營年份）1、營業(yè)收入（SP）：65000.00萬元。2、綜合總成本費用（TC）：49614.14萬元。3、凈利潤（NP）：11269.31萬元。（二）經(jīng)濟效益評價目標1、全部投資回收期（Pt）：5.18年。2、財務(wù)內(nèi)部收益率：

14、25.43%。3、財務(wù)凈現(xiàn)值：26194.37萬元。十二、 項目建設(shè)進度規(guī)劃本期項目按照國家基本建設(shè)程序的有關(guān)法規(guī)和實施指南要求進行建設(shè)，本期項目建設(shè)期限規(guī)劃12個月。十四、項目綜合評價本期項目技術(shù)上可行、經(jīng)濟上合理，投資方向正確，資本結(jié)構(gòu)合理，技術(shù)方案設(shè)計優(yōu)良。本期項目的投資建設(shè)和實施無論是經(jīng)濟效益、社會效益等方面都是積極可行的。主要經(jīng)濟指標一覽表序號項目單位指標備注1占地面積47333.00約71.00畝1.1總建筑面積80853.601.2基底面積28399.801.3投資強度萬元/畝373.492總投資萬元34527.372.1建設(shè)投資萬元27338.032.1.1工程費用萬元2402

15、2.722.1.2其他費用萬元2608.322.1.3預(yù)備費萬元706.992.2建設(shè)期利息萬元328.372.3流動資金萬元6860.973資金籌措萬元34527.373.1自籌資金萬元21124.423.2銀行貸款萬元13402.954營業(yè)收入萬元65000.00正常運營年份5總成本費用萬元49614.146利潤總額萬元15025.757凈利潤萬元11269.318所得稅萬元3756.449增值稅萬元3000.8410稅金及附加萬元360.1111納稅總額萬元7117.3912工業(yè)增加值萬元23856.7813盈虧平衡點萬元22093.15產(chǎn)值14回收期年5.1815內(nèi)部收益率25.43%

16、所得稅后16財務(wù)凈現(xiàn)值萬元26194.37所得稅后第二章 公司基本情況一、 公司基本信息1、公司名稱：xx有限公司2、法定代表人：龔xx3、注冊資本：1100萬元4、統(tǒng)一社會信用代碼：xxxxxxxxxxxxx5、登記機關(guān)：xxx市場監(jiān)督管理局6、成立日期：2014-9-217、營業(yè)期限：2014-9-21至無固定期限8、注冊地址：xx市xx區(qū)xx9、經(jīng)營范圍：從事MOSFET功率器件相關(guān)業(yè)務(wù)（企業(yè)依法自主選擇經(jīng)營項目，開展經(jīng)營活動；依法須經(jīng)批準的項目，經(jīng)相關(guān)部門批準后依批準的內(nèi)容開展經(jīng)營活動；不得從事本市產(chǎn)業(yè)政策禁止和限制類項目的經(jīng)營活動。）二、 公司簡介公司滿懷信心，發(fā)揚“正直、誠信、務(wù)實

17、、創(chuàng)新”的企業(yè)精神和“追求卓越，回報社會” 的企業(yè)宗旨，以優(yōu)良的產(chǎn)品服務(wù)、可靠的質(zhì)量、一流的服務(wù)為客戶提供更多更好的優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品及服務(wù)。公司將依法合規(guī)作為新形勢下實現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展的基本保障，堅持合規(guī)是底線、合規(guī)高于經(jīng)濟利益的理念，確立了合規(guī)管理的戰(zhàn)略定位，進一步明確了全面合規(guī)管理責任。公司不斷強化重大決策、重大事項的合規(guī)論證審查，加強合規(guī)風險防控，確保依法管理、合規(guī)經(jīng)營。嚴格貫徹落實國家法律法規(guī)和政府監(jiān)管要求，重點領(lǐng)域合規(guī)管理不斷強化，各部門分工負責、齊抓共管、協(xié)同聯(lián)動的大合規(guī)管理格局逐步建立，廣大員工合規(guī)意識普遍增強，合規(guī)文化氛圍更加濃厚。三、 公司競爭優(yōu)勢（一）自主研發(fā)優(yōu)勢公司在各個細分領(lǐng)域深入

18、研究的同時，通過整合各平臺優(yōu)勢，構(gòu)建全產(chǎn)品系列，并不斷進行產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級，順應(yīng)行業(yè)一體化、集成創(chuàng)新的發(fā)展趨勢。通過多年積累，公司產(chǎn)品性能處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。公司多年來堅持技術(shù)創(chuàng)新，不斷改進和優(yōu)化產(chǎn)品性能，實現(xiàn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級。公司結(jié)合國內(nèi)市場客戶的個性化需求，不斷升級技術(shù)，充分體現(xiàn)了公司的持續(xù)創(chuàng)新能力。在不斷開發(fā)新產(chǎn)品的過程中，公司已有多項產(chǎn)品均為國內(nèi)領(lǐng)先水平。在注重新產(chǎn)品、新技術(shù)研發(fā)的同時，公司還十分重視自主知識產(chǎn)權(quán)的保護。（二）工藝和質(zhì)量控制優(yōu)勢公司進口大量設(shè)備和檢測設(shè)備，有效提高了精度、生產(chǎn)效率，為產(chǎn)品研發(fā)與確保產(chǎn)品質(zhì)量奠定了堅實的基礎(chǔ)。此外，公司是行業(yè)內(nèi)較早通過ISO9001質(zhì)量體系認證的企業(yè)

19、之一，公司產(chǎn)品根據(jù)市場及客戶需要通過了產(chǎn)品認證，表明公司產(chǎn)品不僅滿足國內(nèi)高端客戶的要求，而且部分產(chǎn)品能夠與國際標準接軌，能夠躋身于國際市場競爭中。在日常生產(chǎn)中，公司嚴格按照質(zhì)量體系管理要求，不斷完善產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)、檢驗、客戶服務(wù)等流程，保證公司產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性。（三）產(chǎn)品種類齊全優(yōu)勢公司不僅能滿足客戶對標準化產(chǎn)品的需求，而且能根據(jù)客戶的個性化要求，定制生產(chǎn)規(guī)格、型號不同的產(chǎn)品。公司齊全的產(chǎn)品系列，完備的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，能夠為客戶提供一站式服務(wù)。對公司來說，實現(xiàn)了對具有多種產(chǎn)品需求客戶的資源共享，拓展了銷售渠道，增加了客戶粘性。公司產(chǎn)品價格與國外同類產(chǎn)品相比有較強性價比優(yōu)勢，在國內(nèi)市場起到了逐步替代

20、進口產(chǎn)品的作用。（四）營銷網(wǎng)絡(luò)及服務(wù)優(yōu)勢根據(jù)公司產(chǎn)品服務(wù)的特點、客戶分布的地域特點，公司營銷覆蓋了華南、華東、華北及東北等下游客戶較為集中的區(qū)域，并在歐美、日本、東南亞等國家和地區(qū)初步建立經(jīng)銷商網(wǎng)絡(luò)，及時了解客戶需求，為客戶提供貼身服務(wù)，達到快速響應(yīng)的效果。公司擁有一支行業(yè)經(jīng)驗豐富的銷售團隊，在各區(qū)域配備銷售人員，建立從市場調(diào)研、產(chǎn)品推廣、客戶管理、銷售管理到客戶服務(wù)的多維度銷售網(wǎng)絡(luò)體系。公司的服務(wù)覆蓋產(chǎn)品服務(wù)整個生命周期，公司多名銷售人員具有研發(fā)背景，可引導(dǎo)客戶的技術(shù)需求并為其提供解決方案，為客戶提供及時、深入的專業(yè)技術(shù)服務(wù)與支持。公司與經(jīng)銷商互利共贏，結(jié)成了長期戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，公司經(jīng)銷網(wǎng)

21、絡(luò)較為穩(wěn)定，有利于深耕行業(yè)和區(qū)域市場，帶動經(jīng)銷商共同成長。四、 公司主要財務(wù)數(shù)據(jù)公司合并資產(chǎn)負債表主要數(shù)據(jù)項目2020年12月2019年12月2018年12月資產(chǎn)總額11048.538838.828286.40負債總額5394.774315.824046.08股東權(quán)益合計5653.764523.014240.32公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)項目2020年度2019年度2018年度營業(yè)收入48692.6138954.0936519.46營業(yè)利潤11615.669292.538711.74利潤總額10867.488693.988150.61凈利潤8150.616357.485868.44歸屬于母公司所有

22、者的凈利潤8150.616357.485868.44五、 核心人員介紹1、龔xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1961年出生，本科學(xué)歷，高級工程師。2002年11月至今任xxx總經(jīng)理。2017年8月至今任公司獨立董事。2、蘇xx，中國國籍，1976年出生，本科學(xué)歷。2003年5月至2011年9月任xxx有限責任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理；2003年11月至2011年3月任xxx有限責任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理；2004年4月至2011年9月任xxx有限責任公司執(zhí)行董事、總經(jīng)理。2018年3月起至今任公司董事長、總經(jīng)理。3、田xx，中國國籍，1977年出生，本科學(xué)歷。2018年9月至今歷任公司辦公室主任，

23、2017年8月至今任公司監(jiān)事。4、曾xx，1974年出生，研究生學(xué)歷。2002年6月至2006年8月就職于xxx有限責任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限責任公司銷售部副經(jīng)理。2011年3月至今歷任公司監(jiān)事、銷售部副部長、部長；2019年8月至今任公司監(jiān)事會主席。5、方xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1959年出生，大專學(xué)歷，高級工程師職稱。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技術(shù)顧問；2004年8月至2011年3月任xxx有限責任公司總工程師。2018年3月至今任公司董事、副總經(jīng)理、總工程師。6、白xx，中國國籍，1978年出生，本科學(xué)歷，中國注冊會計師。

24、2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司獨立董事。7、馮xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1958年出生，本科學(xué)歷，高級經(jīng)濟師職稱。1994年6月至2002年6月任xxx有限公司董事長；2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公司董事長；2016年11月至今任xxx有限公司董事、經(jīng)理；2019年3月至今任公司董事。8、侯xx，中國國籍，無永久境外居留權(quán)，1971年出生，本科學(xué)歷，中級會計師職稱。2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限責任公司財務(wù)經(jīng)理。2017年3月

25、至今任公司董事、副總經(jīng)理、財務(wù)總監(jiān)。六、 經(jīng)營宗旨依據(jù)有關(guān)法律、法規(guī)，自主開展各項業(yè)務(wù)，務(wù)實創(chuàng)新，開拓進取，不斷提高產(chǎn)品質(zhì)量和服務(wù)質(zhì)量，改善經(jīng)營管理，促進企業(yè)持續(xù)、穩(wěn)定、健康發(fā)展，努力實現(xiàn)股東利益的最大化，促進行業(yè)的快速發(fā)展。七、 公司發(fā)展規(guī)劃（一）戰(zhàn)略目標與發(fā)展規(guī)劃公司致力于為多產(chǎn)業(yè)的多領(lǐng)域客戶提供高質(zhì)量產(chǎn)品、技術(shù)服務(wù)與整體解決方案，為成為百億級產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)而努力奮斗。（二）措施及實施效果公司立足于本行業(yè)，以先進的技術(shù)和高品質(zhì)的產(chǎn)品滿足產(chǎn)品日益提升的質(zhì)量標準和技術(shù)進步要求，為國內(nèi)外生產(chǎn)商率先提供多種產(chǎn)品，為提升轉(zhuǎn)換率和品質(zhì)保證以及成本降低持續(xù)做出貢獻，同時通過與產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)質(zhì)客戶緊密合作，為公司

26、帶來穩(wěn)定的業(yè)務(wù)增長和持續(xù)的收益。公司通過產(chǎn)品和商業(yè)模式的不斷創(chuàng)新以及與產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)深度融合，建立創(chuàng)新引領(lǐng)、合作共贏的模式，再造行業(yè)新格局。（三）未來規(guī)劃采取的措施公司始終秉持提供性價比最優(yōu)的產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)的理念，充分發(fā)揮公司在技術(shù)以及膜工藝技術(shù)的扎實基礎(chǔ)及創(chuàng)新能力，為成為百億級產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)而努力奮斗。在近期的三至五年，公司聚焦于產(chǎn)業(yè)的研發(fā)、智能制造和銷售，在消費升級帶來的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整所需的領(lǐng)域積極布局。致力于為多產(chǎn)業(yè)的多領(lǐng)域客戶提供中高端技術(shù)服務(wù)與整體解決方案。在未來的五至十年，以蓬勃發(fā)展的中國市場為核心，利用中國“一帶一路”發(fā)展機遇，利用獨立創(chuàng)新、聯(lián)合開發(fā)、并購和收購等多種方法，掌握國際領(lǐng)先的

27、技術(shù)，使得公司真正成為國際領(lǐng)先的創(chuàng)新型企業(yè)。第三章 項目投資背景分析一、 MOSFET器件概述1、MOSFET器件MOSFET全稱金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，是一種可以廣泛使用在模擬與數(shù)字電路的場效應(yīng)晶體管。MOSFET器件具有高頻、驅(qū)動簡單、抗擊穿性好等特點，應(yīng)用范圍涵蓋通信、消費電子、汽車電子、工業(yè)控制、計算機及外設(shè)設(shè)備、電源管理等多個領(lǐng)域。2019年全球MOSFET器件市場需求規(guī)模達到84.20億美元，受疫情影響，2020預(yù)計市場規(guī)模下降至73.88億美元，但預(yù)計未來全球MOSFET器件市場將繼續(xù)保持平穩(wěn)回增，2024年市場規(guī)模有望恢復(fù)至77.02億美元。2019年全球MOSFET器件市場

28、中，英飛凌排名第一，市場占有率達到24.79%，前十大公司市場占有率達到74.42%。中國本土企業(yè)中，聞泰收購的安世半導(dǎo)體、中國本土成長起來的華潤微電子、揚杰科技進入前十，分別占比3.93%、3.09%和1.80%。根據(jù)Omdia的統(tǒng)計，2019年我國MOSFET器件市場規(guī)模為33.42億美元，2017年-2019年復(fù)合年均增長率為7.89%，高于功率半導(dǎo)體行業(yè)平均的增速。在下游的應(yīng)用領(lǐng)域中，消費電子、通信、工業(yè)控制、汽車電子占據(jù)了主要的市場份額，其中消費電子與汽車電子占比最高。在消費電子領(lǐng)域，主板、顯卡的升級換代、快充、Type-C接口的持續(xù)滲透持續(xù)帶動MOSFET器件的市場需求，在汽車電子

29、領(lǐng)域，MOSFET器件在電動馬達輔助驅(qū)動、電動助力轉(zhuǎn)向及電機驅(qū)動等動力控制系統(tǒng)，以及電池管理系統(tǒng)等功率變換模塊領(lǐng)域均發(fā)揮重要作用，有著廣闊的應(yīng)用市場及發(fā)展前景。2019年，中國MOSFET器件市場中，英飛凌排名第一，市占率達到24.95%，前十大公司市占率達到74.54%。中國本土企業(yè)中，華潤微電子、揚杰科技、聞泰收購的安世半導(dǎo)體和吉林華微電子進入前十，分別占比4.79%、3.34%、3.28%和2.93%。2、超級結(jié)MOSFET繼二十世紀五十年代起，真空管逐漸被固體器件替代，以硅材料為基礎(chǔ)的功率器件成為研究主流。二十世紀七十年代，用二氧化硅改善雙極性晶體管性能的功率MOSFET開始出現(xiàn)。隨著

30、功率器件在消費、醫(yī)藥、工業(yè)、運輸業(yè)中的廣泛應(yīng)用，能夠降低成本且提高系統(tǒng)效率的高性能功率器件的需求日漸提升。由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，因此在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大，難以滿足實際應(yīng)用需要，多次注入的超級結(jié)和深槽的超級結(jié)MOSFET結(jié)構(gòu)由此被提出。超級結(jié)MOSFET全稱超級結(jié)型MOSFET，是MOSFET結(jié)構(gòu)設(shè)計的先進技術(shù)。該結(jié)構(gòu)具備更好的導(dǎo)通特性，可以工作于更大的電流條件。通常情況下，高壓VDMOS采用平面柵結(jié)構(gòu)。由于擊穿電壓與N-外延層厚度成正比，因此要獲得更高的擊穿電壓需要更厚尺寸的外延層和更淡的摻雜濃度，導(dǎo)致其導(dǎo)通電阻和損耗隨著外延層厚度增加而急劇

31、增大，額定電流同步降低。超級結(jié)MOSFET的漂移區(qū)具有多個P柱，可以補償N區(qū)中的電荷。在器件關(guān)斷時，N型外延層和P柱相互耗盡，可以在N型外延層摻雜濃度比高壓VDMOS對應(yīng)的N外延濃度高很多時也可以有較高的耐受電壓；在器件導(dǎo)通時，N摻雜區(qū)作為導(dǎo)通時的電流通路。由此，超級結(jié)結(jié)構(gòu)兼具高耐壓特性和低電阻特性。由于超級結(jié)MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的增加而線性增加，對于相同的擊穿電壓和管芯尺寸，其導(dǎo)通電阻遠小于普通高壓VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速開關(guān)應(yīng)用中。相較于普通硅基MOSFET功率器件，高壓超級結(jié)MOSFET功率器件系更先進、更適用于大電流環(huán)境下的高性能功率器件。隨著5G通

32、訊、汽車電動化、高性能充電器等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，高壓超級結(jié)MOSFET將擁有更快的市場增速。根據(jù)Omdia和Yole的統(tǒng)計及預(yù)測，2020年與2025年硅基MOSFET的晶圓月出貨量（折合8英寸）分別為59.7萬片與73.9萬片，年均復(fù)合增長為4.3%。其中，超級結(jié)MOSFET由23.8萬片增長至35.1萬片，年均復(fù)合增長率為8.1%，增長速度約為普通硅基MOSFET功率器件的兩倍左右。3、IGBT器件概述IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是由雙極型三極管BJT和MOSFET組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率器件。IGBT具有電導(dǎo)調(diào)制能力，相對于MOSFET和雙極晶體管具有較強的正向電流傳導(dǎo)密度和低通態(tài)

33、壓降。IGBT被廣泛應(yīng)用于逆變器、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。隨著新能源汽車、通信、計算機、消費電子、汽車電子、航空航天、國防軍工等應(yīng)用需求增長，全球IGBT分立器件市場將持續(xù)擴大。根據(jù)Omdia的統(tǒng)計，2019年市場規(guī)模為16.03億美元，2017-2019年復(fù)合年均增長率為11.73%，2024年市場規(guī)模有望達到16.82億美元。2019年全球IGBT分立器件領(lǐng)域中，英飛凌銷售額排名第一，市占率高達30.22%，前十大公司合計占比達到75.42%，中國廠商中，吉林華微電子進入前十，市占率為2.41%。根據(jù)Omdia的統(tǒng)計，2017年我國IGBT分立器件市場規(guī)模為4.26億美

34、元，2019年為6.05億美元，對應(yīng)復(fù)合年均增長率為19.17%。IGBT是國家16個重大技術(shù)突破專項中的重點扶持項目，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”。在中低電壓領(lǐng)域，IGBT廣泛應(yīng)用于新能源汽車和白色家電中；在1700V以上的高電壓領(lǐng)域，IGBT廣泛應(yīng)用于軌道交通、清潔發(fā)電、智能電網(wǎng)等重要領(lǐng)域。2019年，中國IGBT分立器件市場中英飛凌排名第一，市占率為24.28%，前十大公司合計占比達到69.57%，中國廠商吉林華微電子、華潤微電子進入前十，市占率分別為4.71%、3.65%。我國IGBT產(chǎn)業(yè)起步較晚，未來進口替代空間巨大，目前在部分領(lǐng)域已經(jīng)實現(xiàn)了技術(shù)突破和國產(chǎn)化。此外，在新能源汽車領(lǐng)

35、域，IGBT是電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，隨著未來新能源汽車等新興市場的快速發(fā)展，IGBT產(chǎn)業(yè)將迎來黃金發(fā)展期。二、 全球半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概況半導(dǎo)體是電子產(chǎn)品的核心，信息產(chǎn)業(yè)的基石。半導(dǎo)體行業(yè)具有下游應(yīng)用廣泛、生產(chǎn)技術(shù)工序復(fù)雜、產(chǎn)品種類多、技術(shù)更新?lián)Q代快、投資高、風險大等特點，全球半導(dǎo)體行業(yè)具有一定的周期性，景氣周期與宏觀經(jīng)濟、下游應(yīng)用需求以及自身產(chǎn)能庫存等因素密切相關(guān)。根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易組織統(tǒng)計，全球半導(dǎo)體行業(yè)2019年市場規(guī)模達到4,123億美元，較2018年下降約12.1%。過去五年，隨著智能手機、平板電腦為代表的新興消費電子市場的快速發(fā)展，以及汽車電子、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)等科技產(chǎn)業(yè)的興

36、起，帶動了整個半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模增長。三、 功率半導(dǎo)體行業(yè)概述1、功率半導(dǎo)體介紹功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。近年來，隨著國民經(jīng)濟的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已從工業(yè)控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、變頻家電等諸多市場，市場規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)健增長態(tài)勢。功率半導(dǎo)體可以分為功率IC和功率分立器件兩大類，其中功率分立器件主要包括功率二極管、晶閘管、高壓晶體管、MOSFET、IGBT等產(chǎn)品。在功率半導(dǎo)體發(fā)展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)。20世紀60至70年代，晶閘管等半導(dǎo)體功率器件

37、快速發(fā)展。20世紀70年代末，平面型功率MOSFET發(fā)展起來。20世紀80年代后期，溝槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半導(dǎo)體功率器件正式進入電子應(yīng)用時代。20世紀90年代，超級結(jié)MOSFET逐步出現(xiàn)，打破了傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品的性能限制以滿足大功率和高頻化的應(yīng)用需求。對國內(nèi)市場而言，功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實現(xiàn)國產(chǎn)化，而功率MOSFET特別是超級結(jié)MOSFET、IGBT等高端分立器件產(chǎn)品由于其技術(shù)及工藝的復(fù)雜度，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間巨大。2、功率MOSFET的技術(shù)發(fā)展情況隨著社會電氣化程度的不斷提高，功率器件的性能也需要不斷提高以滿足更高的要求。對

38、于功率MOSFET而言，技術(shù)驅(qū)動的性能提升主要包括三個方面：更高的開關(guān)頻率、更高的功率密度以及更低的功耗。為了實現(xiàn)更高的性能指標，功率器件主要經(jīng)歷了工藝進步、器件結(jié)構(gòu)改進與使用寬禁帶材料等幾個方面的演進。在制造工藝上，線寬制程從10微米縮減至0.15-0.35微米，提升了功率器件的密度、品質(zhì)因數(shù)（FOM）以及開關(guān)效率。在器件結(jié)構(gòu)改進方面，功率器件經(jīng)歷了平面（Planar）、溝槽（Trench）、超級結(jié)（SuperJunction）等器件結(jié)構(gòu)的變化，進一步提高了器件的功率密度和工作頻率。在材料方面，新興的第三代半導(dǎo)體功率器件采用了碳化硅（SiC）、氮化鎵(GaN)材料，進一步提升了器件的開關(guān)特性

39、、降低了功耗，也改善了其高溫特性。四、 積極融入國內(nèi)國際雙循環(huán)新發(fā)展格局緊緊扭住擴大內(nèi)需戰(zhàn)略基點，加快釋放消費潛力，積極擴大有效投資，形成需求牽引供給、供給創(chuàng)造需求，內(nèi)需引領(lǐng)外需、外需促進內(nèi)需的協(xié)調(diào)發(fā)展局面。（一）深度融入大循環(huán)雙循環(huán)堅持供需兩端發(fā)力，把實施擴大內(nèi)需戰(zhàn)略同深化供給側(cè)結(jié)構(gòu)性改革有機結(jié)合起來，貫通生產(chǎn)、分配、流通、消費各環(huán)節(jié)，推動經(jīng)濟良性循環(huán)。發(fā)揮我市產(chǎn)業(yè)門類相對齊全的優(yōu)勢，聚焦京津石巨大消費市場，優(yōu)化供給結(jié)構(gòu)，改善供給質(zhì)量，提升供給體系對中高端市場需求的適配性。推動金融、房地產(chǎn)同實體經(jīng)濟均衡發(fā)展，實現(xiàn)上下游、產(chǎn)供銷有效銜接，促進農(nóng)業(yè)、制造業(yè)、服務(wù)業(yè)、能源資源等產(chǎn)業(yè)門類關(guān)系協(xié)調(diào)。破

40、除妨礙生產(chǎn)要素市場化配置和商品服務(wù)流通的體制機制障礙，降低全社會交易成本。完善內(nèi)外貿(mào)一體化調(diào)控體系，推進監(jiān)管體制、經(jīng)營資質(zhì)、質(zhì)量標準、檢驗檢疫、認證認可等相銜接，實施內(nèi)外貿(mào)產(chǎn)品同線同標同質(zhì)工程，以強大內(nèi)需市場吸引全球資源要素。優(yōu)化出口商品結(jié)構(gòu)、貿(mào)易方式，提升出口質(zhì)量，以優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品供給開拓國際市場空間。（二）加快基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)加快第五代移動通信、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)建設(shè)，推進5G網(wǎng)絡(luò)向縣（市、區(qū)）延伸。大力發(fā)展軌道交通，加快京雄商高鐵客運專線、邢和鐵路建設(shè)，加快推進邢和鐵路德龍鋼鐵專用線、邯黃鐵路威縣邢鋼專用線，開展邢衡、邢太、邢濟城際鐵路的前期研究。完善多層次公路網(wǎng)，啟動建設(shè)寧平高速、太行

41、山高速邢臺支線和邢衡高速南延支線，加快推進臨寧高速實施，實施邢州大道西延與邢衡高速連接工程。建設(shè)現(xiàn)代化機場設(shè)施，加快推進邢臺褡褳機場一期、二期項目，大力發(fā)展通用航空。推進綜合交通樞紐建設(shè)，發(fā)展智慧交通網(wǎng)。構(gòu)建綜合能源體系，加快清潔能源設(shè)施建設(shè)，謀劃實施寧晉巖鹽類地下儲氣庫、抽水蓄能電站項目。實施全市農(nóng)村水源置換工程。加強水利設(shè)施建設(shè)，加快青山水庫建設(shè)，推進大陸澤、寧晉泊蓄滯洪區(qū)安全工程建設(shè)。（三）積極擴大有效投資聚焦重點領(lǐng)域，突出精準投資，優(yōu)化投資結(jié)構(gòu)，保持投資快速增長，發(fā)揮政府投資撬動作用，統(tǒng)籌用好不同類型資金，加快補齊基礎(chǔ)設(shè)施、市政工程、農(nóng)業(yè)農(nóng)村、生態(tài)環(huán)保、公共衛(wèi)生等領(lǐng)域短板。激發(fā)民間投資

42、活力，大力發(fā)展民營經(jīng)濟，擴大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)投資。堅持項目為王、效率至上，大力推進項目“雙進雙產(chǎn)”，加強重點項目建設(shè)，形成在建一批、投產(chǎn)一批、儲備一批、謀劃一批的梯次滾動發(fā)展格局。（四）促進消費升級順應(yīng)居民消費升級趨勢，優(yōu)化供給結(jié)構(gòu)，增強消費預(yù)期，激發(fā)消費潛力，切實增強消費對經(jīng)濟增長拉動作用。有效擴大新供給，加快推動服裝、食品、自行車、汽車及零部件等縣域特色產(chǎn)業(yè)向高端、綠色、智能方向發(fā)展，加快推進邢東新區(qū)醫(yī)藥健康基地等6個國家級康養(yǎng)基地建設(shè)。培育發(fā)展新消費，激發(fā)消費新業(yè)態(tài)新熱點。大力發(fā)展“互聯(lián)網(wǎng)+社會服務(wù)”消費模式，以中心城市和縣城為重點，加快建設(shè)一批城市綜合體、夜間經(jīng)濟示范街區(qū)。營造消費好環(huán)境

43、，推進消費領(lǐng)域信用體系建設(shè)，規(guī)范消費市場行為。強化消費者權(quán)益保護，提升消費維權(quán)水平。五、 集聚高質(zhì)量趕超發(fā)展新動力堅持以申報省級綜合改革試驗市為契機，全面深化重點領(lǐng)域和關(guān)鍵環(huán)節(jié)改革，積極探索內(nèi)陸開放型經(jīng)濟發(fā)展的新路徑新模式，努力將我市打造成為京津冀東南門戶城市。（一）打造最優(yōu)營商環(huán)境。持續(xù)深化“放管服”改革，推進市場化法治化國際化便利化營商環(huán)境建設(shè)，加快“無證明城市”建設(shè)，推行“媽媽式”服務(wù)，最大程度優(yōu)化審批流程，推進更多政務(wù)服務(wù)事項“最多跑一次”“最多跑一地”。全面實施市場準入負面清單制度。健全企業(yè)家圓桌會議和領(lǐng)導(dǎo)干部包聯(lián)企業(yè)機制，建立親清政商關(guān)系。持續(xù)推進“信用邢臺”建設(shè)，完善社會信用體系

44、和企業(yè)誠信體系，健全失信行為認定、失信聯(lián)合懲戒、信用修復(fù)等機制，力爭城市綜合信用指數(shù)排名持續(xù)保持全國前30。（二）優(yōu)化資源要素配置方式全面落實“畝均論英雄”綜合評價機制，持續(xù)推行企業(yè)“234+1.5”的集約用地政策，加大“五未”土地處理力度，全面推進“標準地”供應(yīng)，打造“標準地”供應(yīng)的邢臺樣板。有序推進農(nóng)村用地管理制度改革，逐步建立城鄉(xiāng)統(tǒng)一的土地市場。全面推進資源要素差別化配置改革。推進投融資體制改革。加快推進國企改革。持續(xù)推廣普惠式金融。拓寬中小微企業(yè)、民營企業(yè)、科技型企業(yè)、個體工商戶等市場主體融資渠道。（三）提升開發(fā)區(qū)能級推進園區(qū)管理體制改革，加大園區(qū)放權(quán)力度，進一步強化園區(qū)自主發(fā)展職能。

45、推動園區(qū)財政核算改革、人事薪酬制度改革。創(chuàng)新園區(qū)運營模式，積極引入戰(zhàn)略投資者，促進園區(qū)跨越式發(fā)展。爭列冀中南國家內(nèi)陸開放型經(jīng)濟試驗區(qū)。強化招商的“大好高優(yōu)”導(dǎo)向，守牢“一高兩低”門檻，完善招商項目評估遴選機制。應(yīng)用推廣“湖邢結(jié)對招商”模式，全方位提升招商引資能力。健全項目建設(shè)管理機制，強化項目推進的考核監(jiān)督，完善重大項目進展情況調(diào)度及通報制度，建立縣（市、區(qū)）和部門項目建設(shè)“紅黑榜”。（四）借力京津打造高質(zhì)量趕超發(fā)展動力源加強與京津產(chǎn)業(yè)園區(qū)、科技園、企業(yè)、科研機構(gòu)等對接合作，打造京津中高端制造業(yè)轉(zhuǎn)移承接地。推進邢東新區(qū)、邢臺經(jīng)濟開發(fā)區(qū)、邢臺高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)、清河經(jīng)濟開發(fā)區(qū)、隆堯經(jīng)濟開發(fā)區(qū)、沙

46、河經(jīng)濟開發(fā)區(qū)、廣宗經(jīng)濟開發(fā)區(qū)和威縣順義產(chǎn)業(yè)園8個重點承接平臺建設(shè)。完善京津疏解轉(zhuǎn)移項目落地發(fā)展服務(wù)體系。推動與京津教育、醫(yī)療互聯(lián)互通。（五）融入全省、全國開放大格局推進與雄安新區(qū)、自由貿(mào)易試驗區(qū)、沿海地區(qū)等高開放度區(qū)域合作，建立與雄安新區(qū)產(chǎn)業(yè)聯(lián)動機制，支持邢臺經(jīng)濟開發(fā)區(qū)、邢東新區(qū)等申建河北省自貿(mào)試驗區(qū)邢臺聯(lián)動發(fā)展區(qū)。支持邢臺高新區(qū)爭創(chuàng)國家級高新區(qū)。加強與秦皇島、唐山和滄州地區(qū)港口、產(chǎn)業(yè)深度合作。打造石邢融合發(fā)展先行區(qū)，建立與邯鄲同城協(xié)作發(fā)展機制。推進與晉、魯相鄰地區(qū)交通設(shè)施互聯(lián)互通，加強與晉東相鄰地區(qū)生態(tài)聯(lián)合建設(shè)、旅游業(yè)一體發(fā)展。強化與魯西相鄰地區(qū)大運河百里生態(tài)文化景觀帶聯(lián)合開發(fā)。（六）放眼海

47、外打造國際合作新優(yōu)勢依托冀蒙俄、冀新歐等國際大通道，加強與“一帶一路”沿線國家和地區(qū)的貿(mào)易合作。全力提升外資外貿(mào)水平。推進利用外資供給側(cè)結(jié)構(gòu)性改革。打造一批出口優(yōu)勢領(lǐng)軍企業(yè)。積極參加“河北品牌全球行”等活動，支持企業(yè)建立海外采購中心、境外展示交易中心。第四章 行業(yè)、市場分析一、 功率器件應(yīng)用發(fā)展機遇受益于新能源汽車和5G產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，充電樁、5G通訊基站及車規(guī)級等市場對于高性能功率器件的需求將不斷增加，高壓超級結(jié)MOSFET為代表的高性能產(chǎn)品在功率器件領(lǐng)域的市場份額以及重要性將不斷提升。1、充電樁（1）發(fā)展機遇2020年，充電樁被列入國家七大“新基建”領(lǐng)域之一。2020年5月兩會期間，政府工

48、作報告中強調(diào)“建設(shè)充電樁，推廣新能源汽車，激發(fā)新消費需求、助力產(chǎn)業(yè)升級”。公安部交通管理局公布數(shù)據(jù)顯示，截至2020年6月新能源汽車保有量有417萬輛，與2019年年底相比增加36萬輛，增長率達到9.45%。伴隨新能源汽車保有量的高速增長，新能源充電樁作為配套基礎(chǔ)設(shè)施亦實現(xiàn)了快速增長，截止2019年12月，全國充電基礎(chǔ)設(shè)施累計數(shù)量為121.9萬個，其中公共樁51.6萬個，私人樁70.3萬個，充電場站建設(shè)數(shù)量達到3.6萬座。公共充電樁由政府機關(guān)等具有公共服務(wù)性質(zhì)的機構(gòu)置辦，服務(wù)對象面向所有電動汽車車主。2015年至2019年，全國公共充電樁的數(shù)量由5.8萬個增長至51.6萬個，復(fù)合年增長率達到了

49、72.9%。近幾年來，我國充電站同樣有快速發(fā)展，充電站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座，復(fù)合年增長率為140.64%。充電站密度越來越高，電動汽車車主充電便利性也得到了大幅改善?！靶禄ā睂Τ潆姌兜慕ㄔO(shè)驅(qū)動主要在以下幾方面：驅(qū)動公共樁建設(shè)提質(zhì)且區(qū)域均衡發(fā)展，直流樁占比將持續(xù)提升，省份間差異有望縮小。推動優(yōu)質(zhì)場站建設(shè)，完善配套設(shè)施申報流程辦理。推動小區(qū)、商場等停車位充電樁建設(shè)。促進對運營商的建設(shè)與充電運營流程支持。（2）超級結(jié)MOSFET功率器件迎來快速發(fā)展機遇充電樁按充電能力分類，以處理不同的用例場景。公共充電樁包括交流樁和直流樁，交流充電樁需要借助車載充電機，

50、充電速度較慢，一輛純電動汽車（普通電池容量）完全放電后通過交流充電樁充滿通常需要8個小時。直流充電樁俗稱“快充”，固定安裝在電動汽車外，與交流電網(wǎng)連接，通常僅需要不到2-3小時即可將一輛純電動汽車電池充滿。目前我國公共交流樁主要分為單相交流樁和三相交流樁。單相交流樁的建設(shè)更廣泛，對應(yīng)的充電功率分為3.5kW和7kW，其中，公共交流樁充電功率以7kW為主。三相交流樁的主要功率為21kW、40kW和80kW，但整體數(shù)量較少。從2016-2019年新增公共交流樁平均功率來看，平均功率基本保持在8.7kW上下。高端三相交流樁主要使用三相維也納輸入整流器（PowerFactorCorrection，“P

51、FC”），其中部分功率器件的領(lǐng)先解決方案使用了超級結(jié)MOSFET。公共直流充電樁一般輸入電壓為380V。根據(jù)2016-2019年新增公共直流樁平均功率數(shù)據(jù)，公共直流樁充電功率在逐漸提高。其中2017年上漲幅度最大，從69.23kW提高到91.65kW，而到了2019年雖然維持上漲趨勢，但由于目前市場的公共直流樁充電功率已經(jīng)基本上能夠滿足電動汽車的充電需求，故2019年新增公共直流樁平均充電功率小幅提高，達到115.76kW。預(yù)計未來新增的公共直流樁充電功率普遍在120kW左右。在公共直流充電樁所需的工作功率和電流要求下，其采用的功率器件以高壓MOSFET為主。超級結(jié)MOSFET因其更低的導(dǎo)通損

52、耗和開關(guān)損耗、高可靠性、高功率密度成為主流的充電樁功率器件應(yīng)用產(chǎn)品，具體應(yīng)用于充電樁的功率因數(shù)校正（PowerFactorCorrection，“PFC”）、直流-直流變換器以及輔助電源模塊等。超級結(jié)MOSFET將充分受益于充電樁的快速建設(shè)。據(jù)英飛凌統(tǒng)計，100kW的充電樁需要功率器件價值量在200-300美元，預(yù)計隨著充電樁的不斷建設(shè)，功率器件尤其是超級結(jié)MOSFET將迎來高速發(fā)展機遇。 2、5G基站（1）5G建設(shè)規(guī)模2020年12月15日在2021中國信通院ICT+深度觀察報告會上，工業(yè)和信息化部發(fā)言人指出，中國已累計建成5G基站71.8萬個，推動共建共享5G基站33萬個。2020年12月

53、28日，工信部部長肖亞慶在2021年全國工業(yè)和信息化工作會議上表示，2021年將有序推進5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)及應(yīng)用，加快主要城市5G覆蓋，推進共建共享，新建5G基站60萬個以上。（2）5G基站拉動功率半導(dǎo)體需求5G建設(shè)將從四個方面拉動功率半導(dǎo)體需求，包括：1）5G基站功率更高、建設(shè)更為密集，帶來更大的電源供應(yīng)需求；2）射頻端功率半導(dǎo)體用量提升；3）霧計算為功率半導(dǎo)體帶來增量市場；以及4）云計算拉動計算用功率半導(dǎo)體用量。MIMO即多進多出，指在發(fā)送端和接收端都使用多根天線、在收發(fā)之間構(gòu)成多個信道的天線系統(tǒng)，可以極大地提高信道容量。MassiveMIMO即大規(guī)模天線，可以在不增加頻譜資源和天線發(fā)送功率的情

54、況下，提升系統(tǒng)信道容量和信號覆蓋范圍。數(shù)量上，傳統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)天線的通道數(shù)為2/4/8個，而MassiveMIMO通道數(shù)可以達到64/128/256個。信號覆蓋維度上，傳統(tǒng)MIMO為2D覆蓋，信號只能在水平方向移動，不能在垂直方向移動，類似與平面發(fā)射。而MassiveMIMO的信號輻射狀是電磁波束，可以利用垂直維度空域。5G網(wǎng)絡(luò)主要部署在高頻頻段，即毫米波頻段（mmWave）。因接收功率與波長的平方成正比，毫米波的信號衰減嚴重，而發(fā)射功率又受到限制，所以5G網(wǎng)絡(luò)部署需要增加發(fā)射天線和接收天線的數(shù)量，使用MassiveMIMO技術(shù)。根據(jù)英飛凌的統(tǒng)計，傳統(tǒng)MIMO天線需要的功率半導(dǎo)體價值大約為25美元，而

55、過渡為MassvieMIMO天線陣列后，所需的MOSFET等功率半導(dǎo)體價值增加至100美元，達到原來的4倍。與云計算相比，霧計算所采用的架構(gòu)呈分布式，更接近網(wǎng)絡(luò)邊緣。霧計算將數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)處理和應(yīng)用程序集中在網(wǎng)絡(luò)邊緣的設(shè)備中，數(shù)據(jù)的存儲及處理更依賴本地設(shè)備，本地運算設(shè)備的增加帶動MOSFET用量提升。二、 功率半導(dǎo)體市場規(guī)模與競爭格局根據(jù)Omdia預(yù)測，2019年全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模約為464億美元，預(yù)計至2024年市場規(guī)模將增長至522億美元，2019-2024的年化復(fù)合增長率為2.4%。在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，國際廠商優(yōu)勢明顯，全球前十大功率半導(dǎo)體公司均為海外廠商，包括英飛凌（Infineon）、德州儀器（TexasInstruments）、安森美（ONSemiconductor）、意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）等。行業(yè)整體集中度較低，2019年以銷售額計的全球功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)英飛凌市場份額為13.49%，前十大企業(yè)市場份額合計為51.93%。目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈正在日趨完善，技術(shù)也正在