電力電子學(xué)-第三章

1、1第二章第二章 半導(dǎo)體電力開關(guān)器件半導(dǎo)體電力開關(guān)器件電力電子學(xué)電力電子學(xué)電力電子變換和控制技術(shù)（第三版）電力電子變換和控制技術(shù)（第三版）2第二章第二章 半導(dǎo)體電力開關(guān)器件半導(dǎo)體電力開關(guān)器件2.1 電力二極管2.2 雙極結(jié)型電力晶體管BJT2.3 晶閘管及其派生器件2.4 門極可關(guān)斷晶閘管GTO2.5 電力場效應(yīng)晶體管PMOSFET2.6 絕緣門極雙極型晶體管IGBT 2.7 MOS控制晶閘管MCT和集成門極換流晶閘管IGCT 2.8 半導(dǎo)體電力開關(guān)模塊和功率集成電路 PIC2.9 本章小結(jié)3第二章第二章 半導(dǎo)體電力開關(guān)器件半導(dǎo)體電力開關(guān)器件2.1 電力二極管2.2 雙極結(jié)型電力晶體管BJT2.

2、3 晶閘管及其派生器件2.4 門極可關(guān)斷晶閘管GTO2.5 電力場效應(yīng)晶體管PMOSFET2.6 絕緣門極雙極型晶體管IGBT 2.7 MOS控制晶閘管MCT和集成門極換流晶閘管IGCT 2.8 半導(dǎo)體電力開關(guān)模塊和功率集成電路 PIC2.9 本章小結(jié)42.1.1 半導(dǎo)體半導(dǎo)體PN結(jié)結(jié)2.1.2 半導(dǎo)體二極管基本半導(dǎo)體二極管基本 特性特性2.1.3 電力二極管電力二極管2.1.4 電力二極管的主要應(yīng)用電力二極管的主要應(yīng)用2.1 電力二極管52.1.1 半導(dǎo)體PN結(jié)電力二極管實物圖6在在4 4族元素本征半導(dǎo)族元素本征半導(dǎo)體硅中摻入體硅中摻入5 5族元素族元素( (砷、磷砷、磷) )。在在4 4族

3、元素本征半導(dǎo)族元素本征半導(dǎo)體硅中摻入體硅中摻入3 3族元素族元素( (硼、鋁硼、鋁) )。NN型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體P P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體5 5個價電子中的個價電子中的4 4個個與相鄰的硅原子組成與相鄰的硅原子組成共價鍵后，還多余一共價鍵后，還多余一個。個。3 3個價電子與相鄰的個價電子與相鄰的硅原子組成共價鍵，硅原子組成共價鍵，因缺少一個價電子，因缺少一個價電子，在晶體中產(chǎn)生一個空在晶體中產(chǎn)生一個空穴。穴。2.1.1 半導(dǎo)體PN結(jié)72.1.1 半導(dǎo)體PN結(jié)8擴(kuò)散運(yùn)動漂移運(yùn)動擴(kuò)散運(yùn)動阻擋層勢壘層PN結(jié)2.1.1 半導(dǎo)體PN結(jié)9漂移運(yùn)動擴(kuò)散運(yùn)動0，VGK 0，Ig0)，形成正反饋，形成正反饋，晶閘管迅

4、速斷晶閘管迅速斷通。通。2.3.1 逆阻型晶閘管SCR40Ic1REAAGKIgIc2Ib1IKIAIb2Ic0c02gA121()III正反饋過程的數(shù)量關(guān)系1c1AII2c2KIIAb01c1cIIIIccc201IIIA1 Ac02KIIIIKAgIII2.3.1 逆阻型晶閘管SCR可控開通可控開通關(guān)斷？關(guān)斷？強(qiáng)迫其電流IA(IC) 下降到維持電流以下通態(tài)時121 41c02gA121()III阻斷阻斷：Ig=0， 1、 2很小。流過很小。流過SCRSCR的電的電流約等于漏電流約等于漏電流。流。開通開通：足夠的足夠的I Ig g使發(fā)射極電流增大，使使發(fā)射極電流增大，使 1+ 21，IA ，

5、飽和導(dǎo)通飽和導(dǎo)通 。 IA實實際由外電路際由外電路決定決定。半控：半控： 從關(guān)斷到導(dǎo)通后從關(guān)斷到導(dǎo)通后, , 1+ 2趨近于趨近于1， Ig=0，仍有正反饋，維持導(dǎo)通；仍有正反饋，維持導(dǎo)通； 當(dāng)當(dāng)IAIH， 1、 2很小，正反饋無很小，正反饋無法維持，法維持， SCR恢復(fù)阻斷。恢復(fù)阻斷。2.3.1 逆阻型晶閘管SCR422.3.1 逆阻型晶閘管SCR432.3.1 逆阻型晶閘管SCR正向折轉(zhuǎn)導(dǎo)通高溫導(dǎo)通高電壓變化率導(dǎo)通l門極觸發(fā)導(dǎo)通門極觸發(fā)導(dǎo)通l光注入導(dǎo)通光注入導(dǎo)通晶閘管在什么時候關(guān)斷？晶閘管在什么時候關(guān)斷？ 強(qiáng)迫其電流強(qiáng)迫其電流 IA ( IC ) 減小到維持電流以下減小到維持電流以下442

6、.3.1 逆阻型晶閘管SCR(1) (1) 額定電壓額定電壓(2) (2) 額定電流額定電流(3) (3) 通態(tài)峰值電壓降通態(tài)峰值電壓降(4) (4) 浪涌電流浪涌電流(5) (5) 額定門極觸發(fā)電流和觸發(fā)電壓額定門極觸發(fā)電流和觸發(fā)電壓(6) (6) 維持電流維持電流(7) (7) 掣住電流掣住電流(8) (8) 開通時間和關(guān)斷時間開通時間和關(guān)斷時間(9) (9) 斷態(tài)電壓臨界上升率斷態(tài)電壓臨界上升率(10) (10) 開通電流臨界上升率開通電流臨界上升率 45(1) (1) 通態(tài)平均電流通態(tài)平均電流ITav ( (SCR額定電流的選取額定電流的選取) )2.3.1 逆阻型晶閘管SCR晶閘管在

7、環(huán)境溫度為40C和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，電阻性負(fù)載電路中，額定結(jié)溫時，所允許流過的工頻正弦半波電流的平均值。，有效值相等、發(fā)熱相同。Tavm01sind()2IIttmI2Tm01sind()2IIttm2ITfTavIKI平均電流平均電流有效值電流有效值電流波形系數(shù)波形系數(shù)mm21.57IIfdTav(1.5 2)1.57K II46 圖中畫斜線部分為一個2周期中晶閘管的電流波形。若各波形的最大值為Im=100A，試計算各波形電流的平均值Id1、Id2、Id3和電流有效值I1、I2、I3 。 若考慮二倍的電流安全裕量，選擇額定電流為100A的晶閘管能否滿足要求？2.3.1 逆阻型晶閘管SCR47

8、(2) (2) 維持電流維持電流IH (ON-OFF)晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通后，在室溫和門極開路條件下，減小陽極電流，使晶閘管維持導(dǎo)通所必需的最小電流。一般為十幾到幾十毫安，與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則IH越小。(3) (3) 擎住電流擎住電流IL (OFF-ON-ON)晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后，能維持導(dǎo)通所需的最小陽極電流。（要求正反饋進(jìn)行到一定深度。） 通常IL約為IH的24倍。(4) (4) 斷態(tài)重復(fù)平均電流斷態(tài)重復(fù)平均電流IDR和反向重復(fù)平均電流和反向重復(fù)平均電流IRR門極開路、額定結(jié)溫時，對應(yīng)斷態(tài)重復(fù)峰值電壓和反向重復(fù)峰值電壓時的平均漏電流。(5) (5) 浪涌電流浪涌電流ITS

9、M工頻正弦半周期內(nèi)所允許的最大過載峰值電流。持續(xù)時間更短則用I2t表示允許通過浪涌電流的能力。2.3.1 逆阻型晶閘管SCR48(1) (1) 斷態(tài)電壓臨界上升率斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt (V/us) 在額定結(jié)溫和門極開路條件下，使晶閘管保持?jǐn)鄳B(tài)所能承受的最大電壓上升率。2.3.1 逆阻型晶閘管SCRAGKN2P2N1P1J1J2J3GKA(2) (2) 通態(tài)電流臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率di/dt (A/us)在規(guī)定條件下，晶閘管用門極觸發(fā)導(dǎo)通時，晶閘管能夠承受而不致?lián)p壞的通態(tài)電流最大上升率。di/dt過大會局部過熱而使SCR損壞du/dt過大會使SCR誤導(dǎo)通49一、晶閘管的結(jié)構(gòu)一、晶

10、閘管的結(jié)構(gòu)SCR的符號、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的符號、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、P1N1P2N2四層三端器件四層三端器件二、晶閘管導(dǎo)通關(guān)斷條件二、晶閘管導(dǎo)通關(guān)斷條件 導(dǎo)通條件、半控特性、關(guān)斷方法導(dǎo)通條件、半控特性、關(guān)斷方法三、晶閘管的工作原理三、晶閘管的工作原理半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)：q 雙晶體管等效電路模型雙晶體管等效電路模型q 用雙晶體管等效電路模型解釋用雙晶體管等效電路模型解釋 正反饋過程正反饋過程q 恢復(fù)阻斷的方法恢復(fù)阻斷的方法2.3.1 逆阻型晶閘管SCR502.3.2 逆導(dǎo)型晶閘管RCT逆導(dǎo)晶閘管等值電路和符號逆導(dǎo)晶閘管等值電路和符號512.3.3 光控晶閘管LCT光控晶閘管符號及等值電路光控晶閘管符號及等值

11、電路52雙向晶閘管符號、等效電路和伏安特性雙向晶閘管符號、等效電路和伏安特性2.3.4 雙向晶閘管TRIAC53第二章第二章 半導(dǎo)體電力開關(guān)器件半導(dǎo)體電力開關(guān)器件2.1 電力二極管2.2 雙極結(jié)型電力晶體管BJT2.3 晶閘管及其派生器件2.4 門極可關(guān)斷晶閘管GTO2.5 電力場效應(yīng)晶體管PMOSFET2.6 絕緣門極雙極型晶體管IGBT 2.7 MOS控制晶閘管MCT和集成門極換流晶閘管IGCT 2.8 半導(dǎo)體電力開關(guān)模塊和功率集成電路 PIC2.9 本章小結(jié)54GTO符號及關(guān)斷原理圖符號及關(guān)斷原理圖GTO （Gate Turn Off Thyristor）為什么能靠反向觸發(fā)電流關(guān)斷？為什

12、么能靠反向觸發(fā)電流關(guān)斷？ T2的電流分配的電流分配系數(shù)較大；系數(shù)較大； T1、T2飽和深度飽和深度較淺較淺2.4 門極可關(guān)斷晶閘管GTO 55 2.4 門極可關(guān)斷晶閘管GTOM1、M2接收從控制系統(tǒng)輸入的高頻互補(bǔ)式方波電壓后，向接收從控制系統(tǒng)輸入的高頻互補(bǔ)式方波電壓后，向GTO輸出輸出+Ig觸觸發(fā)其開通，并使發(fā)其開通，并使C充電。充電。 要關(guān)斷已處于通態(tài)的要關(guān)斷已處于通態(tài)的GTO（M1、M2已無輸入信號）時，需觸發(fā)開通已無輸入信號）時，需觸發(fā)開通SCR，C放電形成放電形成- Ig ，關(guān)斷，關(guān)斷GTO56第二章第二章 半導(dǎo)體電力開關(guān)器件半導(dǎo)體電力開關(guān)器件2.1 電力二極管2.2 雙極結(jié)型電力晶體

13、管BJT2.3 晶閘管及其派生器件2.4 門極可關(guān)斷晶閘管GTO2.5 電力場效應(yīng)晶體管PMOSFET2.6 絕緣門極雙極型晶體管IGBT 2.7 MOS控制晶閘管MCT和集成門極換流晶閘管IGCT 2.8 半導(dǎo)體電力開關(guān)模塊和功率集成電路 PIC2.9 本章小結(jié)57 2.5 電力場效應(yīng)晶體管PMOSFET58N溝道結(jié)構(gòu)溝道結(jié)構(gòu)N溝道符號溝道符號P溝道符號溝道符號耗盡型外加PN結(jié)反向電壓控制場效應(yīng)晶體管柵源之間PN結(jié)耗盡層寬度耗盡層寬度變化來控制溝道電導(dǎo)，稱之為結(jié)型。2.5 電力場效應(yīng)晶體管PMOSFET59P溝道符號溝道符號N溝道符號溝道符號N溝道結(jié)構(gòu)溝道結(jié)構(gòu)耗盡型由于柵極由于柵極G與其余兩

14、個電極之間是絕與其余兩個電極之間是絕緣的，外加?xùn)?、源級之間的電場控制緣的，外加?xùn)?、源級之間的電場控制半導(dǎo)體中半導(dǎo)體中感應(yīng)電荷量的變化感應(yīng)電荷量的變化控制溝道控制溝道電導(dǎo)，因此稱之為絕緣柵型。電導(dǎo)，因此稱之為絕緣柵型。2.5 電力場效應(yīng)晶體管PMOSFET60反型層反型層耗盡型耗盡型當(dāng)柵極電壓為零時漏源極之間就存當(dāng)柵極電壓為零時漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，稱之為在導(dǎo)電溝道，稱之為耗盡型耗盡型。 柵極電壓大于零時才存在導(dǎo)電溝柵極電壓大于零時才存在導(dǎo)電溝道，稱之為道，稱之為增強(qiáng)型增強(qiáng)型。按導(dǎo)電溝道可分為按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和溝道和N溝道溝道功率功率MOSFET主要是主要是增強(qiáng)型絕緣柵增強(qiáng)型絕緣柵 N

15、溝道場效溝道場效應(yīng)晶體管應(yīng)晶體管2.5 電力場效應(yīng)晶體管PMOSFET61 2.5 電力場效應(yīng)晶體管PMOSFETP-MOSFET基本結(jié)構(gòu)、符號和外接電路基本結(jié)構(gòu)、符號和外接電路622.5 電力場效應(yīng)晶體管PMOSFET目前流行的結(jié)構(gòu)目前流行的結(jié)構(gòu) 具有垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散MOS結(jié)構(gòu)的N溝增強(qiáng)型VDMOS63PMOSFET的工況可用其轉(zhuǎn)移特性和輸出特性表述：的工況可用其轉(zhuǎn)移特性和輸出特性表述： 2.5 電力場效應(yīng)晶體管PMOSFET UGSUGSth時，可變電時，可變電阻區(qū)（阻區(qū)（導(dǎo)通狀態(tài)導(dǎo)通狀態(tài)）- -區(qū)域區(qū)域 當(dāng)當(dāng) UGDUGS-UDSUT時，飽和區(qū)（時，飽和區(qū)（恒流區(qū)恒流區(qū)，等效于晶體管的放大

16、區(qū)），等效于晶體管的放大區(qū)）- -區(qū)域區(qū)域 擊穿區(qū)：擊穿區(qū)：UDS增加到一定量，漏極增加到一定量，漏極PN擊穿，漏電流迅速增大擊穿，漏電流迅速增大- -區(qū)域區(qū)域642.5 電力場效應(yīng)晶體管PMOSFET652.5 電力場效應(yīng)晶體管PMOSFET是否可控驅(qū)動信號額定電壓額定電流工作頻率飽和壓降 BJT全控正電流較大中小P-MOSFET全控正電壓較小高大66第二章第二章 半導(dǎo)體電力開關(guān)器件半導(dǎo)體電力開關(guān)器件2.1 電力二極管2.2 雙極結(jié)型電力晶體管BJT2.3 晶閘管及其派生器件2.4 門極可關(guān)斷晶閘管GTO2.5 電力場效應(yīng)晶體管PMOSFET2.6 絕緣門極雙極型晶體管IGBT 2.7 MO

17、S控制晶閘管MCT和集成門極換流晶閘管IGCT 2.8 半導(dǎo)體電力開關(guān)模塊和功率集成電路 PIC2.9 本章小結(jié)672.6.1 工作原理工作原理2.6.2 靜態(tài)特性靜態(tài)特性2.6.3 擎住效應(yīng)擎住效應(yīng)2.6 絕緣門極雙極型晶體管IGBT682.6.1 工作原理P-MOSFETIGBT69IGBT比MOSFET多一層P+注入?yún)^(qū)，形成了一個大面積的P+N結(jié)，因此通流能力很強(qiáng)。等效電路符號IGBT是GTR與MOSFET組成的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，一個由MOSFET驅(qū)動的厚基區(qū)PNP晶體管。晶體管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻2.6.1 工作原理70與MOSFET基本相同，場控器件，通斷由柵射極電壓uGE決定。驅(qū)動uGE大于

18、開啟電壓UGE(th)時，MOSFET內(nèi)形成溝道，為晶體管提供基極電流，IGBT導(dǎo)通。導(dǎo)通通態(tài)壓降小。但通態(tài)壓降具有正溫度系數(shù)但通態(tài)壓降具有正溫度系數(shù)柵射極間施加反壓或不加信號時，MOSFET內(nèi)的溝道消失，晶體管的基極電流被切斷，IGBT關(guān)斷。關(guān)斷2.6.1 工作原理71l 靜態(tài)特性靜態(tài)特性 2.6.2 靜態(tài)特性l 三個區(qū)域：三個區(qū)域： 正向阻斷區(qū)、有源區(qū)和飽和區(qū)。正向阻斷區(qū)、有源區(qū)和飽和區(qū)。l uCE0時，反向阻斷工作狀態(tài)。時，反向阻斷工作狀態(tài)。72 開關(guān)速度高，開關(guān)損耗小。在電壓1000V以上時，開關(guān)損耗只有BJT的1/10，與P-MOSFET相當(dāng)； 相同電壓和電流定額時，安全工作區(qū)比BJ

19、T大，且具有耐脈沖電流沖擊能力； 通態(tài)壓降比P-MOSFET低，特別是在電流較大的區(qū)域； 輸入阻抗高，輸入特性與P-MOSFET類似； 與MOSFET和GTR相比，耐壓和通流能力還可以進(jìn)一步提高，同時保持開關(guān)頻率高的特點(diǎn)。 2.6.2 靜態(tài)特性732.6.2 靜態(tài)特性l寄生晶閘管等效電路寄生晶閘管等效電路導(dǎo)通時，Ic過大，使寄生晶體管導(dǎo)通，成為晶閘管狀態(tài)；關(guān)斷時，集射極電壓上升過快，電容充電電流大，也可能晶閘管狀態(tài)出現(xiàn)。742.6.3 擎住效應(yīng)什么是擎住效應(yīng)：什么是擎住效應(yīng)：q 集電極電流集電極電流iC過大過大；q 集電極電壓過高集電極電壓過高；q 關(guān)斷速度過快關(guān)斷速度過快；q Rbr上的電壓

20、過大，可使上的電壓過大，可使T2導(dǎo)通，使導(dǎo)通，使IGBT失去關(guān)斷能力失去關(guān)斷能力。產(chǎn)生擎住效應(yīng)的原因：產(chǎn)生擎住效應(yīng)的原因：752.6.3 擎住效應(yīng) 電壓控制開通和關(guān)斷，控制功率?。?雙極性導(dǎo)電，開關(guān)速度介于MOSFET和BJT之間； 電壓電流耐量介于BJT和GTO之間； 無二次擊穿現(xiàn)象，有擎住效應(yīng)； 最近20年，IGBT已得到廣泛應(yīng)用，3.3KV4.5KV/1200A1800A的器件已開始使用。76第二章第二章 半導(dǎo)體電力開關(guān)器件半導(dǎo)體電力開關(guān)器件2.1 電力二極管2.2 雙極結(jié)型電力晶體管BJT2.3 晶閘管及其派生器件2.4 門極可關(guān)斷晶閘管GTO2.5 電力場效應(yīng)晶體管PMOSFET2.

21、6 絕緣門極雙極型晶體管IGBT 2.7 MOS控制晶閘管MCT和集成門極換流晶閘管IGCT 2.8 半導(dǎo)體電力開關(guān)模塊和功率集成電路 PIC2.9 本章小結(jié)77晶閘管引入一對晶閘管引入一對MOSFET構(gòu)成了場控晶閘管構(gòu)成了場控晶閘管MCT(圖圖2.19) 開通開通P溝道的溝道的MOS管管使使MCT導(dǎo)通導(dǎo)通 開通開通N溝道的溝道的MOS管管使使MCT關(guān)斷關(guān)斷2.7 MOS控制晶閘管MCT和集成門極換流晶閘管IGCT 782.7 MOS控制晶閘管MCT和集成門極換流晶閘IGCT IGCT就是把就是把GTO芯片與反并聯(lián)二極管和芯片與反并聯(lián)二極管和門級驅(qū)門級驅(qū)動動電路集成在一起，再將其電路集成在一起

22、，再將其門級驅(qū)動器門級驅(qū)動器在外圍以在外圍以低電感方式連接成環(huán)狀的門電極。低電感方式連接成環(huán)狀的門電極。 優(yōu)點(diǎn)：電流大、電壓高，開關(guān)頻率比較高（比GTO大10倍），驅(qū)動功率小。 IGCT廣泛應(yīng)用于大功率電氣傳動、電力系統(tǒng)有源濾波、補(bǔ)償及直流輸電等電力變換系統(tǒng)中。79第二章第二章 半導(dǎo)體電力開關(guān)器件半導(dǎo)體電力開關(guān)器件2.1 電力二極管2.2 雙極結(jié)型電力晶體管BJT2.3 晶閘管及其派生器件2.4 門極可關(guān)斷晶閘管GTO2.5 電力場效應(yīng)晶體管PMOSFET2.6 絕緣門極雙極型晶體管IGBT 2.7 MOS控制晶閘管MCT和集成門極換流晶閘管IGCT 2.8 半導(dǎo)體電力開關(guān)模塊和功率集成電路

23、PIC2.9 本章小結(jié)802.8 半導(dǎo)體電力開關(guān)模塊和功率集成電路 PIC 把同類或不同類的一個或多個開關(guān)器件按一定的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)把同類或不同類的一個或多個開關(guān)器件按一定的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)連接并封裝在一起的開關(guān)器件組合體稱為電力電子開關(guān)模塊，連接并封裝在一起的開關(guān)器件組合體稱為電力電子開關(guān)模塊，它包括：它包括：二極管和晶閘管模塊二極管和晶閘管模塊 達(dá)林頓三極管功率模塊達(dá)林頓三極管功率模塊 MOSFET功率模塊功率模塊 IGBT模塊模塊( (AC-DC-AC變頻功率模塊變頻功率模塊) ) 功率集成電路功率集成電路PIC812.8 半導(dǎo)體電力開關(guān)模塊和功率集成電路 PIC822.8 半導(dǎo)體電力開關(guān)模塊和功率集

24、成電路 PIC832.8 半導(dǎo)體電力開關(guān)模塊和功率集成電路 PIC842.8 半導(dǎo)體電力開關(guān)模塊和功率集成電路 PIC852.8 半導(dǎo)體電力開關(guān)模塊和功率集成電路 PIC 如果將電力電子開關(guān)器件與電力電子變換器控制系統(tǒng)中的某些信息電子電路環(huán)節(jié)(如工作狀態(tài)和運(yùn)行參數(shù)的檢測、驅(qū)動信號的生成和處理，緩沖、故障保護(hù)和自診斷等)制作在一個整體芯片上，則稱為功率集成電路PIC(Power Integrated Circuit) 不同的功率集成電路PIC由于其側(cè)重的性能、要求不同。有以下幾種： 高壓集成電路HVIC(High Voltage IC) 智能功率集成電路SPIC(Smart Power IC) 智能功率模塊IPM(Intelligent Power Module)86第二章第二章 半導(dǎo)體電力開關(guān)器件半導(dǎo)體電力開關(guān)器件2.1 電力二極管2.2 雙極結(jié)型電力晶體管BJT2.3 晶閘管及其派生器件2.4 門極可關(guān)斷晶閘管GTO2.5 電力場效應(yīng)晶體管PMOSFET2.6 絕緣門極雙