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文檔簡介
1、 國內(nèi)外集成電路標(biāo)準(zhǔn)體系國內(nèi)外集成電路標(biāo)準(zhǔn)體系摘 要 標(biāo)準(zhǔn)體系概念 1、國際標(biāo)準(zhǔn)體系 2、我國標(biāo)準(zhǔn)體系標(biāo)準(zhǔn)體系標(biāo)準(zhǔn)體系v 是對特定標(biāo)準(zhǔn)化對象按一定目標(biāo)進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)化活動(dòng)的依據(jù),是由許多現(xiàn)行的、正在制定的和將要制定的標(biāo)準(zhǔn)組合成的具有明確目的性、完整性、預(yù)見性及可行性、成文的概念系統(tǒng)v 標(biāo)準(zhǔn)化活動(dòng)基本是圍繞它,籌劃、論證、制定、貫徹、檢查和修訂v 結(jié)構(gòu)合理、層次清楚、互相協(xié)調(diào)、水平先進(jìn)、適應(yīng)需求的標(biāo)準(zhǔn)體系,以確保標(biāo)準(zhǔn)的時(shí)效性、配套性和權(quán)威性。IEC SC 47Av組織名稱:集成電路標(biāo)準(zhǔn)化( Standardization for integrated circuit)v工作包括:l 制定半導(dǎo)體和混合集
2、成電路國際標(biāo)準(zhǔn)l 主要包括產(chǎn)品質(zhì)量評定體系的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、總規(guī)范、分規(guī)范、族規(guī)范、空白詳細(xì)規(guī)范等半導(dǎo)體集成電路數(shù)字集成電路模擬集成電路接口集成電路半定制集成電路族規(guī)范、空白詳細(xì)規(guī)范混合集成電路產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境和機(jī)械試驗(yàn)方法(TC47)能力批準(zhǔn)和生產(chǎn)線認(rèn)證電磁兼容試驗(yàn)方法現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC 60748-1 :1997半導(dǎo)體器件 集成電路 第1部分:總則IEC 60748-2 :1997第2部分:數(shù)字集成電路IEC 60748-2-1:1991第2部分:數(shù)字集成電路 第1篇:雙極數(shù)字門電路(不包括未授權(quán)的門陣列)空白詳細(xì)規(guī)范IEC 60748-2-2:19
3、92第2篇:HCMOS數(shù)字集成電路 54/74HC,54/74HCT,54/74HCU,族規(guī)范IEC 60748-2-3:1992第3篇:HCMOS數(shù)字集成電路 54/74HC,54/74HCT,54/74HCU,空白詳細(xì)規(guī)范現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC 60748-2-4:1992第4篇:CMOS數(shù)字集成電路 4000B和4000UB族詳細(xì)規(guī)范IEC 60748-2-5:1992第5篇:CMOS數(shù)字集成電路 4000B和4000UB空白詳細(xì)規(guī)范IEC 60748-2-6:1991第6篇:微處理器空白詳細(xì)規(guī)范IEC 60748-2-7:1992第7篇:熔絲型可編程只讀存儲器空白
4、詳細(xì)規(guī)范IEC 60748-2-8:1993第8篇:靜態(tài)讀寫存儲器空白詳細(xì)規(guī)范IEC 60748-2-9:1994第9篇:紫外光可擦除電可編程只讀存儲器空白詳細(xì)規(guī)范現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC 60748-2-10:1994第10篇:動(dòng)態(tài)讀寫存儲器空白詳細(xì)規(guī)范IEC 60748-3:1986第3部分:模擬集成電路IEC 60748-3-1:1991第1篇:單片集成電路運(yùn)算放大器空白詳細(xì)規(guī)范IEC 60748-4:1997第4部分:接口集成電路IEC 60748-4-1:1993第1篇:DAC轉(zhuǎn)換器空白詳細(xì)規(guī)范IEC 60748-4-2:1993第2篇:ADC轉(zhuǎn)換器空白詳細(xì)規(guī)范I
5、EC 60748-4-3:2006第3篇:ADC轉(zhuǎn)換器動(dòng)態(tài)參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)IEC 60748-5:1997第5部分:半定制集成電路現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC 60748-11:1990第11部分:半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范,不包括混合集成電路IEC 60748-11-1:1992第1篇:內(nèi)部目檢IEC 60748-20:1988第20部分:膜和混合集成電路總規(guī)范IEC 60748-20-1:1994第1篇:內(nèi)部目檢IEC 60748-21:1997基于鑒定批準(zhǔn)的膜和混合集成電路分規(guī)范IEC 60748-21-1:1997空白詳細(xì)規(guī)范IEC 60748-22:1997基于能力批準(zhǔn)的膜和混合集
6、成電路分規(guī)范IEC 60748-22-1:1997空白詳細(xì)規(guī)范現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)號標(biāo)準(zhǔn)名稱IEC 60748-23-1:2002混合集成電路 生產(chǎn)線認(rèn)證 總規(guī)范IEC 60748-23-2:2002內(nèi)部目檢和特定試驗(yàn)IEC 60748-23-3:2002制造商自我評定表和報(bào)告IEC 60748-23-4:2002空白詳細(xì)規(guī)范IEC 60748-23-5:2003鑒定批準(zhǔn)程序IEC 61943:1999集成電路 制造線批準(zhǔn) 應(yīng)用指南IEC/TS 61944:2000集成電路 制造線批準(zhǔn) 驗(yàn)證試樣IEC/TS 61945:2000集成電路 制造線批準(zhǔn) 工藝和失效分析方法IEC 61964
7、:1999存儲器引出端配置圖61967-1(2002)集成電路 電磁發(fā)射測量 150kHz-1GHz 第1部分:通用條件和定義61967-1-1(2010)集成電路 電磁兼容測試方法 第1-1部分:通用條件和定義 近場掃描數(shù)據(jù)交換格式61967-2(2005)集成電路 電磁發(fā)射測量 150kHz1GHz 第2部分:輻射發(fā)射測量TEM小室和寬帶TEM小室法61967-3(2005)集成電路 電磁發(fā)射測量 150kHz1GHz 第3部分:輻射發(fā)射測量表面掃描法61967-4(2006)集成電路 電磁發(fā)射測量 150kHz1GHz 第4部分:傳導(dǎo)發(fā)射測量1/150直接耦合法61967-4-1(200
8、5)集成電路 電磁發(fā)射測量 150kHz1GHz 第4-1部分:傳導(dǎo)發(fā)射測量1/150直接耦合法的應(yīng)用指南61967-5(2003)集成電路 電磁發(fā)射測量 150kHz1GHz 第5部分:傳導(dǎo)發(fā)射測量工作臺法拉第籠法61967-6(2008)集成電路 電磁發(fā)射測量 150kHz1GHz 第6部分:傳導(dǎo)發(fā)射測量磁場探頭法IEC 61967-8(2011)集成電路 電磁發(fā)射測量 第8部分:輻射發(fā)射測量IC帶狀線法IEC 62132-1(2006)集成電路 電磁抗擾度測量 150kHz - 1GHz 第1部分:通用條件和定義IEC 62132-2(2010)集成電路 電磁抗擾度測量 第2部分:輻射抗
9、擾度測量TEM室和GTEM室法IEC 62132-3(2007)集成電路 電磁抗擾度測量 150kHz - 1GHz 第3部分:大電流注入(BCI)法IEC 62132-4(2006)集成電路 電磁抗擾度測量 150kHz - 1GHz 第4部分:射頻功率直接注入法IEC 62132-5(2005)集成電路 電磁抗擾度測量 150kHz - 1GHz 第5部分:法拉第籠工作臺法IEC 62132-8(2012)集成電路 電磁抗擾度測量 第8部分:輻射抗擾度測量IC帶狀線法IEC/TS 62215-2(2007)集成電路 脈沖抗擾度測量 第2部分:同步瞬態(tài)注入法IEC/TS 62228(2007
10、)集成電路 CAN收發(fā)器的EMC評估IEC/TS 62433-1(2011)集成電路的電磁兼容性建模第1部分:通用建模結(jié)構(gòu)IEC 62433-2(2008)集成電路的電磁兼容性建模第2部分:集成電路電磁干擾特性的仿真模型傳導(dǎo)發(fā)射模型(ICEM-CE)IEC/TR 62433-2-1(2010)集成電路的電磁兼容性建模第2-1部分:傳導(dǎo)發(fā)射的黑匣子建模理論現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)行有效標(biāo)準(zhǔn)目前工作重點(diǎn):生產(chǎn)線能力批準(zhǔn)和EMC測量方法。150kHz 1GHz EMC測量方法23個(gè)v 我國的集成電路標(biāo)準(zhǔn)化工作開始于20世紀(jì)70年代末v 由全國集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會負(fù)責(zé)我國標(biāo)準(zhǔn)體系我國標(biāo)準(zhǔn)體系標(biāo)準(zhǔn)體系框圖標(biāo)準(zhǔn)
11、體系框圖4-1-1-1 術(shù)語術(shù)語4-1-1-1-1集成電路術(shù)語GB/T 9178-19884-1-1-1-2膜集成電路和混合膜集成電路術(shù)語GB/T 12842-19914-1-1-1-3半導(dǎo)體集成電路封裝術(shù)語GB/T 14113-19934-1-1-2型號命名型號命名4-1-1-2-1半導(dǎo)體集成電路型號命名方法GB/T 3430-19894-1-1-2-2半導(dǎo)體集成電路文字符號 引出端功能符號GB/T 3431.2-19864-1-1-2-3集成電路存儲器引出端排列4-1-1通用基礎(chǔ)通用基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)4-1-1-3封裝外形封裝外形4-1-1-3-1半導(dǎo)體集成電路外形尺寸GB/T 7092-199
12、34-1-1-3-2膜集成電路和混合集成電路外形尺寸GB/T 15138-19944-1-1-3-3半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化 第5部分:用于集成電路載帶自動(dòng)焊(TAB)的推薦值GB/T 15879-19954-1-1-3-4半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化 第1部分:半導(dǎo)體器件圖形繪制SJ/Z 9021.1-19874-1-1-3-5半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化 第3部分:集成電路外形圖繪制總則SJ/Z 9021.3-19874-1-1-3-6半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化 第4部分:半導(dǎo)體器件封裝外形圖類型的劃分以及編號體系SJ/Z 9021.4-19874-1-1-3-7塑料有引線片式載體封裝引線框架規(guī)范GB/T1
13、6525-19964-1-1-3-8小外形封裝引線框架規(guī)范GB/T15878-19954-1-1-3-9塑料四面引線扁平封裝引線框架規(guī)范GB/T15876-19954-1-1-3-10蝕刻型雙列封裝引線框架規(guī)范GB/T15877-19954-1-1-3-11半導(dǎo)體集成電路 塑料雙列封裝沖制型引線框架規(guī)范GB/T14112-19984-1-1-4能力批準(zhǔn)能力批準(zhǔn)和生產(chǎn)線認(rèn)證和生產(chǎn)線認(rèn)證4-1-1-4-1集成電路生產(chǎn)線批準(zhǔn)和質(zhì)量管理程序4-1-1-4-2集成電路生產(chǎn)線批準(zhǔn)應(yīng)用指南4-1-1-4-3集成電路生產(chǎn)線批準(zhǔn) 論證工具4-1-1-4-4集成電路生產(chǎn)線批準(zhǔn) 工藝和失效分析方法4-1-1-5機(jī)械
14、和環(huán)機(jī)械和環(huán)境試驗(yàn)方法境試驗(yàn)方法4-1-1-5-1半導(dǎo)體器件 集成電路 第11部分:第1篇:半導(dǎo)體集成電路 內(nèi)部目檢GB/T19403.1-20034-1-1-5-2半導(dǎo)體器件 混合電路 內(nèi)部目檢4-1-1-5-3封裝引線電阻測試方法GB/T19248-20034-1-1-5-4封裝引線間電容和引線負(fù)載電容測試方法GB/T16526-19964-1-1-5-5半導(dǎo)體集成電路封裝結(jié)到外殼熱阻測試方法GB/T14862-1993-6、-7、-8。HAST、溫度循環(huán)、恒定加速度、機(jī)械沖擊。4-1-1-6電測試方法電測試方法4-1-1-6-1半導(dǎo)體集成電路時(shí)基電路測試方法的基本原理GB/T14030-
15、19924-1-1-6-2半導(dǎo)體集成電路模擬開關(guān)測試方法的基本原理GB/T14028-19924-1-1-6-3半導(dǎo)體集成電路 電壓調(diào)整器測試方法的基本原理GB/T4377-19964-1-1-6-4半導(dǎo)體集成電路 電壓比較器測試方法的基本原理GB/T6798-19964-1-1-6-5半導(dǎo)體集成電路模擬鎖相環(huán)測試方法的基本原理GB/T14031-19924-1-1-6-6半導(dǎo)體集成電路采樣/保持放大器測試方法的基本原理GB/T14115-19934-1-1-6-7半導(dǎo)體集成電路電壓/頻率和頻率/電壓轉(zhuǎn)換器測試方法的基本原理GB/T14114-19934-1-1-6-8半導(dǎo)體集成電路模擬乘法器
16、測試方法的基本原理GB/T 14029-19924-1-1-6-9半導(dǎo)體集成電路數(shù)字鎖相環(huán)測試方法的基本原理GB/T14032-19924-1-1-7電磁兼容測試方法電磁兼容測試方法4-1-2半導(dǎo)體集成電路半導(dǎo)體集成電路4-1-2-0半導(dǎo)體器件集成電路第11部分:半導(dǎo)體集成電路分規(guī)范(不包括混合電路)GB/T 12750-2006等同60748-114-1-2-1數(shù)字集成電路數(shù)字集成電路4-1-2-1-1半導(dǎo)體器件 集成電路 第2部分:數(shù)字集成電路GB/T17574-19984-1-2-1-2半導(dǎo)體器件 集成電路 第2部分:數(shù)字集成電路 第一篇 雙極型單片數(shù)字集成電路門電路(不包括自由邏輯陣列
17、)空白詳細(xì)規(guī)范GB/T5965-20004-1-2-1-3半導(dǎo)體器件 集成電路 第2部分:數(shù)字集成電路 第二篇:HCMOS數(shù)字集成電路54/74HCGB/T17023-19974-1-2-1-4半導(dǎo)體器件 集成電路 第2部分:數(shù)字集成電路 第三篇: HCMOS數(shù)字集成電路54/74HC,54/74HCT,54/74HCU系列空白詳細(xì)規(guī)范GB/T17024-19974-1-2-1-5半導(dǎo)體器件 集成電路 第2部分:數(shù)字集成電路 第四篇:CMOS數(shù)字集成電路4000B和4000UB系列族規(guī)范GB/T17572-19984-1-2-1-6半導(dǎo)體器件 集成電路 第2部分:數(shù)字集成電路 第五篇 :CMO
18、S數(shù)字集成電路4000B和4000UB系列空白詳細(xì)規(guī)范GB/T9424-19984-1-2-1-7半導(dǎo)體集成電路微處理器空白詳細(xì)規(guī)范 (可供認(rèn)證用)GB/T 7509-19874-1-2-1-8半導(dǎo)體集成電路雙極熔絲式可編程只讀存儲器空白詳細(xì)規(guī)范(可供認(rèn)證用)GB/T14119-19934-1-2-1-9半導(dǎo)體集成電路靜態(tài)讀/ 寫存儲器空白詳細(xì)規(guī)范(可供認(rèn)證用)GB/T 6648-19864-1-2-1數(shù)字集成電路數(shù)字集成電路4-1-2-1-10半導(dǎo)體器件 集成電路 第2-9部分:數(shù)字集成電路 紫外光擦除電可編程MOS只讀存儲器空白詳細(xì)規(guī)范GB/T 17574.9-20064-1-2-1-11
19、半導(dǎo)體器件 集成電路 第2-10部分:數(shù)字集成電路 集成電路動(dòng)態(tài)讀/寫存儲器空白詳細(xì)規(guī)范GB/T17574.10-20004-1-2-1-12半導(dǎo)體器件 集成電路 第2-11部分:數(shù)字集成電路 單電源集成電路電可擦可編程只讀存儲器 空白詳細(xì)規(guī)范GB/T 17574.11-20064-1-2-1-13半導(dǎo)體器件 集成電路 第2-12部分:數(shù)字集成電路 可編程邏輯器件(PLD)空白詳細(xì)規(guī)范4-1-2-1-14半導(dǎo)體器件 集成電路 第2-20部分:數(shù)字集成電路 低壓集成電路族規(guī)范GB/T 17574.20-20064-1-2-1-15半導(dǎo)體集成電路TTL電路系列和品種 PAL系列的品種GB/T141
20、29-19934-1-2-1-16邏輯數(shù)字集成電路 用于集成電路的I/O接口模塊規(guī)范4-1-2-2模擬集成電路模擬集成電路4-1-2-2-1半導(dǎo)體器件 集成電路 第3部分:模擬集成電路GB/T17940-2000等同60748-34-1-2-2-2半導(dǎo)體集成電路運(yùn)算放大器空白詳細(xì)規(guī)范 (可供認(rèn)證用)GB/T 9425-1988等效60748-3-14-1-2-2-3半導(dǎo)體集成電路 運(yùn)算放大器系列和品種GB/T 3436-19964-1-2-2-4半導(dǎo)體集成電路 電壓調(diào)整器系列和品種GB/T 4376-19944-1-2-3接口集成電路接口集成電路4-1-2-3-1半導(dǎo)體器件 接口集成電路等同6
21、0748-44-1-2-3-2半導(dǎo)體器件 集成電路 第4部分:接口集成電路 第一篇:線性數(shù)字/模擬轉(zhuǎn)換器(DAC)空白詳細(xì)規(guī)范GB/T18500.1-2001等同60748-4-14-1-2-3-3半導(dǎo)體器件 集成電路 第4部分:接口集成電路 第二篇:線性模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)空白詳細(xì)規(guī)范GB/T18500.2-2001等同60748-4-24-1-2-3-4半導(dǎo)體器件 接口集成電路 線路模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器動(dòng)態(tài)判據(jù)等同60748-4-34-1-2-4定制集成電路定制集成電路4-1-2-4-1半導(dǎo)體器件 集成電路 半定制電路GB/T 20515-2006等同60748-54-1-2-5半導(dǎo)體芯
22、片半導(dǎo)體芯片4-1-2-5-1半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)導(dǎo)則4-1-2-5-2半導(dǎo)體芯片探針測試一般程序4-1-2-5-3半導(dǎo)體芯片交付與應(yīng)用導(dǎo)則4-1-2-5-4半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品第5部分:關(guān)于電模擬信息的要求IEC 62258-5(2006)4-1-2-5-5半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品第6部分:關(guān)于熱模擬信息的要求IEC62258-6(2006)4-1-2-5-6半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品第3部分:在操作、包裝和貯存過程中良好行為推薦IEC 62258-3 Ed2(2010)4-1-2-5-7半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品第1部分:采購和使用要求IEC 62258-1 Ed2.0(2009)4-1-2-5-8半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品第4部分:芯片使用者和
23、供應(yīng)商調(diào)查表IEC/TR 62258-4 Ed2.04-1-2-5-9半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品第8部分:數(shù)據(jù)交換的EXPRESS格式IEC/TR 62258-84-1-2-5-10半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品第7部分:數(shù)據(jù)交換的XML格式IEC/TR 62258-74-1-2-5-11半導(dǎo)體芯片產(chǎn)品第2部分:互換數(shù)據(jù)格式IEC 62258-2 Ed2.0 (2011)4-1-2-6 IP核核4-1-2-6-1用于描述、選擇和轉(zhuǎn)讓的集成電路IP核屬性格式標(biāo)準(zhǔn)SJ/Z 11351-20064-1-2-6-2集成電路IP核測試數(shù)據(jù)交換格式和準(zhǔn)則規(guī)范SJ/Z 11352-20064-1-2-6-3集成電路IP核轉(zhuǎn)讓規(guī)范SJ/Z 11353-20064-1-2-6-4集成電路模擬/混合信號IP核規(guī)范SJ/Z 11354-20064-1-2-6-5集成電路IP/SoC功能驗(yàn)證規(guī)范SJ/Z 11355-20064-1-2-6-6片上總線屬性規(guī)范SJ/Z 11356-20064-1-2-6-7集成電路IP軟核、硬核的結(jié)構(gòu)、性能和物理建模規(guī)范SJ/Z 11357-20064-1-2-6-8集成電路
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