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1、電容觸摸屏初見端倪電阻式觸摸屏的出現(xiàn)電容屏的新時(shí)代1997年摩托羅拉PalmPilot掌上電腦出現(xiàn),電阻式觸摸屏,觸摸筆輸入,不精確2007年3月LG推出Parada多點(diǎn)電容式觸摸屏無需觸筆,精度好2007年6月至今蘋果推出多款iphone多點(diǎn)電容觸屏電容屏取得飛速的發(fā)展投射電容式(感應(yīng)電容式)投射電容式(感應(yīng)電容式) 采用1個(gè)或多個(gè)精心設(shè)計(jì)的、被蝕刻的ITO層,這些ITO層通過蝕刻形成多個(gè)水平和垂直電極。 該種觸摸屏的原理是:當(dāng)手指接觸觸摸屏?xí)r,手指作為導(dǎo)體,會(huì)和觸屏的 Sensor(ITO 導(dǎo)電層)形成外部電容,外部電容和 Sensor 自有的內(nèi)部電容形成并聯(lián)電路,改變內(nèi)部電容的容量。通過
2、高頻交流電檢測(cè)內(nèi)電容容量的改變,計(jì)算出觸摸點(diǎn)的位置。投射電容屏按檢測(cè)方式分為兩類: 自感電容和互感電容自感應(yīng)電容觸摸屏結(jié)構(gòu)互感應(yīng)電容觸摸屏結(jié)構(gòu)對(duì)于自感電容觸摸屏,手指接觸形成的外部電容將改變同一層 ITO 導(dǎo)電膜上,相鄰兩行(或兩列)間的電容;對(duì)于互電容觸摸屏,手指接觸形成的外部電容將改變不同層 ITO 導(dǎo)電膜之間,由于ITO 導(dǎo)電膜重疊形成的層間容,兩種檢測(cè)方式的控制 IC 不同。自電容觸摸屏的檢測(cè)過程是: 在同一層間相鄰的兩個(gè) ITO 導(dǎo)電條紋間加高頻交流電壓,同時(shí)檢測(cè)其電流,從一邊向另一邊掃描,電流異常的兩個(gè) ITO 導(dǎo)電條紋所在位置即為觸摸點(diǎn)的橫(縱坐標(biāo));互電容觸摸屏的檢測(cè)過程是:
3、下層 ITO 膜對(duì)地保持交流零電位,在上層 ITO 膜上加高頻交流電壓,同時(shí)檢測(cè)上下層各個(gè)縱、橫 ITO導(dǎo)電條紋的電流,電流異常者即對(duì)應(yīng)觸摸點(diǎn)的橫(縱)坐標(biāo)。目前主要有三種結(jié)構(gòu):-DITO(玻璃兩面鍍 ITO)、-SITO(玻璃的上表面鍍兩層 ITO)-FILM(ITO 鍍?cè)?PET 膜上),前兩者一般統(tǒng)稱為玻璃屏,后者稱為薄膜屏或 Film 屏。DITO 結(jié)構(gòu)中,玻璃的上下兩面分別是 top ITO 和 bottom ITO 層,top ITO 上面通過OCA(光學(xué)膠)與 cover lens(用于保護(hù)的鋼化玻璃,亦稱為蓋板玻璃)進(jìn)行貼合,bottom 下面通過 OCA 與液晶屏貼合。SIT
4、O 與 DITO 不同的是,兩層用于觸控檢測(cè)的ITO 層都在玻璃上表面,兩層之間有絕緣層。DITO 制造工藝復(fù)雜,但透光度、穩(wěn)定性好,適用于高端應(yīng)用,據(jù)了解,iPhone 采用的是 DITO 工藝;SITO 工藝較 DITO 簡(jiǎn)單,但穩(wěn)定性稍差,目前尚在持續(xù)改進(jìn)中;FILM 透光性較差,而且一般邊框較厚,美觀度不理想,但成本優(yōu)勢(shì)明顯。 DITO 工藝的難度主要在于:第一、工序繁瑣而復(fù)雜;第二、上下兩層 ITO 光刻對(duì)位精度極高;第三、生產(chǎn)過程中,玻璃的兩面都要保證高度清潔。DITO 對(duì)檢測(cè) IC 也有很高的要求,由于兩層 ITO 間距較大(相隔一層玻璃,而不是如同 SITO 僅相隔絕緣層),層間電容較小,檢測(cè)靈敏度高,但對(duì) IC 的精度要求也高。 SITO 工序的復(fù)雜度和精密度,都較 DITO 為低,因此成本較低,但有兩個(gè)弱點(diǎn):第一、兩層 ITO 先后光刻在玻璃的同一面,附著強(qiáng)度
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