離子鍍技術(shù)制備薄膜

1、離子鍍離子鍍l離子鍍的原理l離子鍍的特點(diǎn)l離子轟擊的作用l離子鍍的類型3.1 離化 PVD 技術(shù)l一、概念概念：通過將成膜材料高度電離化形成膜材料離子，從而其增加沉積動(dòng)能，并使之高化學(xué)活性狀態(tài)下沉積薄膜的技術(shù)。l二、出發(fā)點(diǎn)出發(fā)點(diǎn)：l 以其它手段激發(fā)沉積物質(zhì)粒子，然后使之與高度電離的等離子體交互作用 (類似 PECVD)，促使沉積粒子離化，使之既可被電場加速而獲得更高動(dòng)能，同時(shí)在低溫狀態(tài)下具有高化學(xué)活性。l三、基本特點(diǎn)基本特點(diǎn)：l 大多數(shù)是蒸發(fā)/濺射 (氣相物質(zhì)激發(fā)) 與 等離子體離化過程 (賦能、激活) 的交叉結(jié)合！l四、主要優(yōu)勢主要優(yōu)勢： 低溫沉積、甚至可以低溫外延生長； 薄膜性能 濺射 (

2、結(jié)合力、致密度)、沉積速率蒸發(fā) ( 濺射)； 可沉積化合物薄膜； 薄膜表面形貌、粗糙程度高度可控。 度均勻較高、薄膜較致密、厚濺射：速度慢、結(jié)合力厚度均勻性差較低、薄膜致密性差、蒸發(fā)：速度快、結(jié)合力五、沉積離子的轟擊作用沉積離子的轟擊作用：l1、對(duì)基片的作用： 物理/化學(xué)清潔作用； 形成注入型缺陷； 改變表面形貌及粗糙度； 改變局部化學(xué)成分； 破壞晶體結(jié)構(gòu)； 造成局部溫升。l2、對(duì)膜基界面的作用： 形成偽擴(kuò)散層 (沉積物/基體物質(zhì)的物理混合梯度層)； 輸入動(dòng)能，增強(qiáng)擴(kuò)散/形核，易于成膜； 界面致密化； 改善沉積粒子的繞射性，提高薄膜的均勻程度及其對(duì)基片表面復(fù)雜形狀的覆蓋能力。l六、主要沉積技術(shù)

3、分類主要沉積技術(shù)分類：），離子束沉積（），離子束輔助沉積（熱空心陰極蒸發(fā)離子鍍多弧離子鍍陰極電弧離子鍍真空蒸發(fā)離子鍍）離子鍍（Deposition BeamIon IBDDeposition Assisted BeamIon IBAD/PlatingIon 3.1 離化 PVD 技術(shù) 概念概念：離子鍍是在真空條件下，利用：離子鍍是在真空條件下，利用氣體放電氣體放電使氣使氣體或被體或被蒸發(fā)蒸發(fā)物質(zhì)部分離化，在氣體離子或被蒸發(fā)物物質(zhì)部分離化，在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)質(zhì)離子轟擊離子轟擊作用的同時(shí)把蒸發(fā)物或其反應(yīng)物沉積在作用的同時(shí)把蒸發(fā)物或其反應(yīng)物沉積在基片上?；稀?離子鍍把離子鍍把氣體的輝光放電、

4、等離子體技術(shù)與真氣體的輝光放電、等離子體技術(shù)與真空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)空蒸發(fā)鍍膜技術(shù)結(jié)合在一起，不僅明顯地提高了鍍結(jié)合在一起，不僅明顯地提高了鍍層的各種性能，而且大大地?cái)U(kuò)充了鍍膜技術(shù)的應(yīng)用層的各種性能，而且大大地?cái)U(kuò)充了鍍膜技術(shù)的應(yīng)用范圍。范圍。 近年來在國內(nèi)外都得到迅速發(fā)展。近年來在國內(nèi)外都得到迅速發(fā)展。 技術(shù)關(guān)鍵：技術(shù)關(guān)鍵：l1、膜材料的氣化激發(fā)：既可蒸發(fā)、也可濺射；l2、氣相粒子的離化：輸運(yùn)過程中必須路經(jīng)等離子體，并被離化！實(shí)現(xiàn)原理實(shí)現(xiàn)原理：l1、基片置于陰極，等離子體中的正離子轟擊基片并成膜。2、成膜時(shí)沉積物中約2040 %來自離化的膜材料離子，其余為原子。3、離化后的膜材料離子具有高化學(xué)活性和

5、高動(dòng)能，并轟擊基片對(duì)薄 膜的生長形成有利影響。4、形成的薄膜由于離子的轟擊作用，具有結(jié)合力高、低溫沉積、 表面形貌及粗糙度可控、可形成化合物等一系列優(yōu)點(diǎn)。離子鍍膜技術(shù)離子鍍膜技術(shù)q 離子鍍膜系統(tǒng)典型結(jié)構(gòu)離子鍍膜系統(tǒng)典型結(jié)構(gòu) 基片為陰極，蒸發(fā)源為陽極，基片為陰極，蒸發(fā)源為陽極，建立一個(gè)低壓氣體放電的等離建立一個(gè)低壓氣體放電的等離子區(qū)；子區(qū)； 鍍材被氣化后，蒸發(fā)粒子進(jìn)鍍材被氣化后，蒸發(fā)粒子進(jìn)入等離子區(qū)被電離，形成離子，入等離子區(qū)被電離，形成離子，被電場加速后淀積到基片上成被電場加速后淀積到基片上成膜；膜； 淀積和濺射同時(shí)進(jìn)行；淀積和濺射同時(shí)進(jìn)行；離子鍍膜技術(shù)離子鍍膜技術(shù)q 離子鍍膜的成膜條件離子鍍

6、膜的成膜條件淀積過程：淀積過程：濺射過程：濺射過程：41060ANnM316219100.63 10/1.6 10jjnj cmsjnnq 實(shí)現(xiàn)離子鍍膜的必要條件實(shí)現(xiàn)離子鍍膜的必要條件 造成一個(gè)氣體放電的空間；造成一個(gè)氣體放電的空間； 將鍍料原子將鍍料原子( (金屬原子或非金屬原子金屬原子或非金屬原子) )引進(jìn)引進(jìn)放電空間，使其部分離化。放電空間，使其部分離化。為淀積原子在基片表面的淀積速率；為淀積原子在基片表面的淀積速率；為薄膜質(zhì)量密度；為薄膜質(zhì)量密度；M M為淀積物質(zhì)的摩為淀積物質(zhì)的摩爾質(zhì)量；爾質(zhì)量；N NA A阿佛加德羅常數(shù)。阿佛加德羅常數(shù)。j是入射離子形成的電流密度是入射離子形成的電流

7、密度離子鍍的特點(diǎn)（與蒸發(fā)和濺射相比）PVD的三種基本鍍膜方法比較的三種基本鍍膜方法比較PVD的三種基本鍍膜方法比較的三種基本鍍膜方法比較離子鍍膜技術(shù)離子鍍膜技術(shù) 薄膜中的缺陷密度較高，薄膜與基片的過渡區(qū)較寬，薄膜中的缺陷密度較高，薄膜與基片的過渡區(qū)較寬，應(yīng)用中受到限制（特別是電子器件和應(yīng)用中受到限制（特別是電子器件和ICIC）。）。 由于高能粒子轟擊，基片溫度較高，有時(shí)不得不對(duì)由于高能粒子轟擊，基片溫度較高，有時(shí)不得不對(duì)基片進(jìn)行冷卻?；M(jìn)行冷卻。 薄膜中含有氣體量較高。薄膜中含有氣體量較高。高能離子轟擊的作用 在離子鍍過程中，基板及所形成膜層始終受到高能粒子（幾在離子鍍過程中，基板及所形成膜

8、層始終受到高能粒子（幾上百上百eV）的不斷轟擊的不斷轟擊2.1.4 離子鍍膜法使基板表面粗糙度增加使基板表面粗糙度增加污染物、氣體脫附污染物、氣體脫附起濺射、清洗作用起濺射、清洗作用影響影響1： 使基板和薄膜形成使基板和薄膜形成缺陷缺陷導(dǎo)致：點(diǎn)缺陷密度增加，膜層結(jié)構(gòu)甚至形成非晶態(tài)結(jié)構(gòu)導(dǎo)致：點(diǎn)缺陷密度增加，膜層結(jié)構(gòu)甚至形成非晶態(tài)結(jié)構(gòu)轟擊粒子轉(zhuǎn)移給晶格（基板）的能量：轟擊粒子轉(zhuǎn)移給晶格（基板）的能量：EtiEmmmmtit)(24E：入射粒子的能量：入射粒子的能量mi：入射粒子的質(zhì)量：入射粒子的質(zhì)量mt：靶原子質(zhì)量：靶原子質(zhì)量Et25eV 使晶格原子產(chǎn)生位移使晶格原子產(chǎn)生位移間隙間隙空位空位Et2

9、5eV 使晶格原子產(chǎn)生振動(dòng)使晶格原子產(chǎn)生振動(dòng) 發(fā)熱：發(fā)熱： 促進(jìn)原子擴(kuò)散促進(jìn)原子擴(kuò)散影響影響2：影響影響3：在膜在膜/基之間會(huì)形成明顯的過渡層基之間會(huì)形成明顯的過渡層原因：原因：a： 高能離子的滲透（注入）高能離子的滲透（注入）b： 被濺射出基板的原子部分反彈回基板表面與膜原子混合被濺射出基板的原子部分反彈回基板表面與膜原子混合c： 高能入射離子的級(jí)聯(lián)碰撞高能入射離子的級(jí)聯(lián)碰撞 部分基板原子向表面遷移部分基板原子向表面遷移d： 高能入射離子造成高缺陷密度，局部溫度升高，使擴(kuò)散速率增加高能入射離子造成高缺陷密度，局部溫度升高，使擴(kuò)散速率增加在膜在膜/基間形成一定厚度的緩變過渡層，基間形成一定厚度

10、的緩變過渡層， 可能形成新相可能形成新相緩變層的作用緩變層的作用提高膜層的附著性提高膜層的附著性提高膜層的硬度提高膜層的硬度提高膜層的抗磨損能力提高膜層的抗磨損能力提高膜層的抗氧化能力提高膜層的抗氧化能力提高膜層的抗腐蝕能力提高膜層的抗腐蝕能力表面改性表面改性可形成梯度薄膜層，可形成梯度薄膜層，組成簡便改性層組成簡便改性層影響影響4：氣體滲入膜層中氣體滲入膜層中 幾幾% 對(duì)膜層影響視材料而定，但可以通過淀積后立即真空熱處理去處絕大部分對(duì)膜層影響視材料而定，但可以通過淀積后立即真空熱處理去處絕大部分影響影響5：表面成分發(fā)生變化表面成分發(fā)生變化原因：原因：a： 膜系統(tǒng)內(nèi)各成分的濺射率不同膜系統(tǒng)內(nèi)各

11、成分的濺射率不同b： 高缺陷濃度與局部高溫會(huì)促進(jìn)擴(kuò)散作用（濃度擴(kuò)散，熱擴(kuò)散）高缺陷濃度與局部高溫會(huì)促進(jìn)擴(kuò)散作用（濃度擴(kuò)散，熱擴(kuò)散）c： 膜層的點(diǎn)缺陷易集中于表面附近區(qū)域膜層的點(diǎn)缺陷易集中于表面附近區(qū)域d： 促進(jìn)溶質(zhì)發(fā)生偏析并使小離子在表面富集（主要由于缺陷移動(dòng)問題）促進(jìn)溶質(zhì)發(fā)生偏析并使小離子在表面富集（主要由于缺陷移動(dòng)問題）影響影響6：對(duì)薄膜生長的影響對(duì)薄膜生長的影響特殊的薄膜生長過程：特殊的薄膜生長過程：a：形成形成“偽擴(kuò)散層偽擴(kuò)散層” 緩變擴(kuò)散層，改變了異質(zhì)材料的緩變擴(kuò)散層，改變了異質(zhì)材料的 相互結(jié)合相互結(jié)合混溶混溶匹配匹配熱應(yīng)力降低熱應(yīng)力降低b：提供更多的成核中心提供更多的成核中心表面清

12、洗作用表面清洗作用缺陷濃度缺陷濃度離子注入離子注入有利于成核有利于成核c：對(duì)膜的形態(tài)和結(jié)晶組分的影響對(duì)膜的形態(tài)和結(jié)晶組分的影響蒸發(fā)：存在幾何陰影效應(yīng)，常出現(xiàn)擇優(yōu)生長，易形成柱狀結(jié)構(gòu)蒸發(fā)：存在幾何陰影效應(yīng)，常出現(xiàn)擇優(yōu)生長，易形成柱狀結(jié)構(gòu) 離子的轟擊作用可離子的轟擊作用可降低陰影效應(yīng)降低陰影效應(yīng)離子鍍膜技術(shù)離子鍍膜技術(shù)離子鍍膜的整個(gè)過程中都存在著離子轟擊。離子鍍膜的整個(gè)過程中都存在著離子轟擊。q 離化率：是指被電離的原子數(shù)占全部蒸發(fā)原子的百分?jǐn)?shù)。離化率：是指被電離的原子數(shù)占全部蒸發(fā)原子的百分?jǐn)?shù)。 中性粒子的能量中性粒子的能量 離子的能量離子的能量 薄膜表面的能量活性系數(shù)薄膜表面的能量活性系數(shù)Wn

13、EiiiWn EiiiWWn En EWn E式中，式中， 單位時(shí)間在單位面積上所淀積的離子數(shù)；單位時(shí)間在單位面積上所淀積的離子數(shù)； 是蒸發(fā)是蒸發(fā)粒子的動(dòng)能；粒子的動(dòng)能； 是單位時(shí)間對(duì)單位面積轟擊的離子數(shù)；是單位時(shí)間對(duì)單位面積轟擊的離子數(shù)； 為為離子的平均能量。離子的平均能量。nEiniE23vvkTE iieUE 離子鍍膜技術(shù)離子鍍膜技術(shù)當(dāng)當(dāng) 遠(yuǎn)小于遠(yuǎn)小于 時(shí)，時(shí)，n Eiin E 離子鍍膜中的活化系離子鍍膜中的活化系數(shù)與離化率、基片加速電數(shù)與離化率、基片加速電壓、蒸發(fā)溫度等因素有關(guān)。壓、蒸發(fā)溫度等因素有關(guān)。32iiiiiin EeUnUnCn EkTnTn離子鍍膜技術(shù)離子鍍膜技術(shù)離子鍍膜技

14、術(shù)離子鍍膜技術(shù)q 濺射清洗濺射清洗 薄膜淀積前對(duì)基片的離子轟擊。將產(chǎn)生如下薄膜淀積前對(duì)基片的離子轟擊。將產(chǎn)生如下結(jié)果：結(jié)果： 濺射清洗作用濺射清洗作用 吸附氣體、各種污染物、氧化物吸附氣體、各種污染物、氧化物 產(chǎn)生缺陷和位錯(cuò)網(wǎng)產(chǎn)生缺陷和位錯(cuò)網(wǎng) 入射粒子傳遞給靶材原子的能量超過靶原子發(fā)生離位的入射粒子傳遞給靶材原子的能量超過靶原子發(fā)生離位的最低能量時(shí)，晶格原子將會(huì)離位并遷移到晶格的間隙位置上最低能量時(shí)，晶格原子將會(huì)離位并遷移到晶格的間隙位置上去，從而形成去，從而形成空位、間隙原子和熱激勵(lì)空位、間隙原子和熱激勵(lì)。轟擊粒子將大部分。轟擊粒子將大部分能量傳遞給基片使其能量傳遞給基片使其發(fā)熱發(fā)熱，增加淀

15、積原子在基片表面的擴(kuò)散，增加淀積原子在基片表面的擴(kuò)散能力，某些缺陷也可以發(fā)生能力，某些缺陷也可以發(fā)生遷移、聚集遷移、聚集成為位錯(cuò)網(wǎng)。成為位錯(cuò)網(wǎng)。 破壞表面晶格破壞表面晶格 離子轟擊產(chǎn)生的缺陷很穩(wěn)定的話，表面的晶體結(jié)構(gòu)離子轟擊產(chǎn)生的缺陷很穩(wěn)定的話，表面的晶體結(jié)構(gòu)就會(huì)被破壞而成為非晶態(tài)就會(huì)被破壞而成為非晶態(tài) 氣體摻入氣體摻入 不溶性氣體的摻入能力決定于遷移率、捕獲位置、不溶性氣體的摻入能力決定于遷移率、捕獲位置、基片溫度及淀積粒子的能量大小基片溫度及淀積粒子的能量大小 非晶材料捕集氣體的能力比晶體材料強(qiáng)。非晶材料捕集氣體的能力比晶體材料強(qiáng)。 表面成分改變表面成分改變 濺射率不同濺射率不同 表面形貌

16、變化表面形貌變化 表面粗糙度增大，濺射率改變表面粗糙度增大，濺射率改變 溫度升高溫度升高離子鍍膜技術(shù)離子鍍膜技術(shù)離子鍍膜技術(shù)離子鍍膜技術(shù)q 粒子轟擊對(duì)薄膜生長的影響粒子轟擊對(duì)薄膜生長的影響 影響薄膜的形態(tài)、晶體結(jié)構(gòu)、成分、物理性能相許多其它特性。影響薄膜的形態(tài)、晶體結(jié)構(gòu)、成分、物理性能相許多其它特性。 “ “偽擴(kuò)散層偽擴(kuò)散層”緩解了膜、基的不匹配程度，提高了薄膜緩解了膜、基的不匹配程度，提高了薄膜的附著力。的附著力。成核位置更多，核生長條件更好。減小了基片和膜層界面成核位置更多，核生長條件更好。減小了基片和膜層界面的空隙，提高了附著力。的空隙，提高了附著力。離子轟擊能消除柱狀晶粒，形成粒狀晶粒

17、結(jié)構(gòu)的顯微結(jié)構(gòu)離子轟擊能消除柱狀晶粒，形成粒狀晶粒結(jié)構(gòu)的顯微結(jié)構(gòu)影響薄膜的內(nèi)應(yīng)力。離子轟擊強(qiáng)迫原子處于非平衡位置，影響薄膜的內(nèi)應(yīng)力。離子轟擊強(qiáng)迫原子處于非平衡位置，使內(nèi)應(yīng)力增加。利用轟擊熱效應(yīng)或外部加熱減小內(nèi)應(yīng)力。使內(nèi)應(yīng)力增加。利用轟擊熱效應(yīng)或外部加熱減小內(nèi)應(yīng)力。 可提高金屬薄膜的疲勞壽命（成倍提高）?？商岣呓饘俦∧さ钠趬勖ǔ杀短岣撸ｋx子鍍膜技術(shù)離子鍍膜技術(shù)按薄膜材料氣化方式分類：按薄膜材料氣化方式分類：按原子或分子電離和激活方式分類：按原子或分子電離和激活方式分類： 電阻加熱、電子束加熱、高頻感應(yīng)加熱、陰極弧電阻加熱、電子束加熱、高頻感應(yīng)加熱、陰極弧光放電加熱等。光放電加熱等。 輝光放

18、電型、電子束型、熱電子型、電弧放電型、輝光放電型、電子束型、熱電子型、電弧放電型、以及各種離子源。以及各種離子源。 一般情況下，離于鍍膜設(shè)備要由一般情況下，離于鍍膜設(shè)備要由真空室、蒸發(fā)源真空室、蒸發(fā)源(或或氣源、濺射源等氣源、濺射源等)、高壓電源、離化裝置、放置基片的陰、高壓電源、離化裝置、放置基片的陰極極等部分組成。等部分組成。離子鍍膜技術(shù)離子鍍膜技術(shù) 直流二極型離子鍍直流二極型離子鍍 直流二極型離子鍍的直流二極型離子鍍的特征是利用二極間的輝光特征是利用二極間的輝光放電產(chǎn)生離子、并由基板放電產(chǎn)生離子、并由基板所加的負(fù)電壓對(duì)其加速。所加的負(fù)電壓對(duì)其加速。如右圖所示如右圖所示 蒸發(fā)蒸發(fā) + 二極

19、濺射二極濺射 電子束蒸發(fā)出成膜物質(zhì)氣相電子束蒸發(fā)出成膜物質(zhì)氣相粒子，路經(jīng)二極輝光放電系統(tǒng)粒子，路經(jīng)二極輝光放電系統(tǒng)形成形成 的等離子體，并部分離化，的等離子體，并部分離化，在基片負(fù)偏壓作用下被加速轟在基片負(fù)偏壓作用下被加速轟擊基片，形成薄膜的沉積。擊基片，形成薄膜的沉積。如圖所示如圖所示 電阻蒸發(fā)電阻蒸發(fā) + 三三極濺射極濺射 引入熱陰極（第三引入熱陰極（第三極）的作用：極）的作用： 發(fā)射更多發(fā)射更多電子，電子， 氣體離化率、氣體離化率、 等等離子體荷電密度離子體荷電密度離子鍍膜技術(shù)離子鍍膜技術(shù) （1）二陰極法中放電開始的氣壓為）二陰極法中放電開始的氣壓為10-2Torr左右，而左右，而多陰極

20、法為多陰極法為10-3Torr左右，可實(shí)現(xiàn)低氣壓下的離子鍍膜。真左右，可實(shí)現(xiàn)低氣壓下的離子鍍膜。真空度比二級(jí)型離子鍍的真空度大約高一個(gè)數(shù)量級(jí)。所以，空度比二級(jí)型離子鍍的真空度大約高一個(gè)數(shù)量級(jí)。所以，鍍膜質(zhì)量好，光澤致密鍍膜質(zhì)量好，光澤致密 （2） 二極型離子鍍膜技術(shù)中，隨著陰極電壓降低，放二極型離子鍍膜技術(shù)中，隨著陰極電壓降低，放電起始?xì)鈮鹤兊酶撸欢诙嚓帢O方式中，陰極電壓在電起始?xì)鈮鹤兊酶?；而在多陰極方式中，陰極電壓在200V就能在就能在10-3 Torr左右開始放電。左右開始放電。特點(diǎn)：特點(diǎn)：離子鍍膜技術(shù)離子鍍膜技術(shù) （3）在多陰極方式中，即使氣壓保持不變，只改變）在多陰極方式中，即使

21、氣壓保持不變，只改變作為熱電子發(fā)射源的燈絲電流，放電電流就會(huì)發(fā)生很大的作為熱電子發(fā)射源的燈絲電流，放電電流就會(huì)發(fā)生很大的變化，因此可通過改變輔助陰極變化，因此可通過改變輔助陰極(多陰極多陰極)的燈絲電流來控的燈絲電流來控制放電狀態(tài)。制放電狀態(tài)。 （4）由于主陰極）由于主陰極(基板基板)上所加維持輝光放電的電壓上所加維持輝光放電的電壓不高，而且多陰極燈絲處于基板四周，擴(kuò)大了陰極區(qū)、改不高，而且多陰極燈絲處于基板四周，擴(kuò)大了陰極區(qū)、改善了繞射性，減少了高能離子對(duì)工件的轟擊作用，避免了善了繞射性，減少了高能離子對(duì)工件的轟擊作用，避免了直流二極型離子鍍?yōu)R射嚴(yán)重、成膜粗糙、溫升高而難以控直流二極型離子鍍

22、濺射嚴(yán)重、成膜粗糙、溫升高而難以控制的弱點(diǎn)。制的弱點(diǎn)。離子鍍膜技術(shù)離子鍍膜技術(shù) 活性反應(yīng)離子鍍膜（活性反應(yīng)離子鍍膜（ARE）Activated Reactive Evaporation 在離子鍍膜基礎(chǔ)上，若導(dǎo)入與金屬蒸氣起反應(yīng)的氣體，在離子鍍膜基礎(chǔ)上，若導(dǎo)入與金屬蒸氣起反應(yīng)的氣體，如如O2、N2、C2H2、CH4等代替等代替Ar或摻入或摻入Ar之中，并用各之中，并用各種不同的放電方式使金屬蒸氣和反應(yīng)氣體的分子、原子激種不同的放電方式使金屬蒸氣和反應(yīng)氣體的分子、原子激活、離化、使其活化，促進(jìn)其間的化學(xué)反應(yīng)，在基片表面活、離化、使其活化，促進(jìn)其間的化學(xué)反應(yīng)，在基片表面就可以獲得化合物薄膜，這種方法

23、稱為活性反應(yīng)離子鍍法。就可以獲得化合物薄膜，這種方法稱為活性反應(yīng)離子鍍法。 由于各種離子鍍膜裝置都可以改裝成活性反應(yīng)離子鍍，由于各種離子鍍膜裝置都可以改裝成活性反應(yīng)離子鍍，因此，因此，ARE的種類較多。的種類較多。離子鍍膜技術(shù)離子鍍膜技術(shù)電子束熱電子束熱絲發(fā)射室絲發(fā)射室蒸發(fā)室蒸發(fā)室防止蒸發(fā)飛防止蒸發(fā)飛濺物進(jìn)入電濺物進(jìn)入電子槍工作室子槍工作室攔截一次電子，減攔截一次電子，減小對(duì)基片的轟擊小對(duì)基片的轟擊離子鍍膜技術(shù)離子鍍膜技術(shù)特點(diǎn)：特點(diǎn)： （1）電離增加了反應(yīng)物的活性，在溫度較低的情況下）電離增加了反應(yīng)物的活性，在溫度較低的情況下就能獲得附著性能良好的碳化物、氮化物薄膜。就能獲得附著性能良好的碳化

24、物、氮化物薄膜。 采用采用CVD法要加熱到法要加熱到1000左右，而左右，而ARE側(cè)法只需把側(cè)法只需把基片加熱到基片加熱到500左右。左右。 （2）可以在任何材料上制備薄膜，并可獲得多種化）可以在任何材料上制備薄膜，并可獲得多種化合物薄膜。合物薄膜。 （3）淀積速率高。）淀積速率高。 一般每分鐘可達(dá)幾個(gè)微米，最高一般每分鐘可達(dá)幾個(gè)微米，最高可達(dá)可達(dá)50 m。而且可以通過改變電子槍的功率、基片而且可以通過改變電子槍的功率、基片蒸蒸發(fā)源的距離、反應(yīng)氣體壓力等實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜生長速率的有效發(fā)源的距離、反應(yīng)氣體壓力等實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜生長速率的有效控制?？刂啤ｋx子鍍膜技術(shù)離子鍍膜技術(shù) （4） 調(diào)節(jié)或改變蒸發(fā)速率及反

25、應(yīng)氣體壓力可以十分方調(diào)節(jié)或改變蒸發(fā)速率及反應(yīng)氣體壓力可以十分方便地制取不同配比、不同結(jié)構(gòu)、不同性質(zhì)的同類化合物。便地制取不同配比、不同結(jié)構(gòu)、不同性質(zhì)的同類化合物。 （5）由于采用了大功率、高功率密度的電子束蒸發(fā)源，）由于采用了大功率、高功率密度的電子束蒸發(fā)源，幾乎可以蒸鍍所有金屬和化合物。幾乎可以蒸鍍所有金屬和化合物。 （6）清潔，無公害。）清潔，無公害。 ARE的缺點(diǎn)：的缺點(diǎn)：電予槍發(fā)出的高能電子除了加熱蒸發(fā)薄膜電予槍發(fā)出的高能電子除了加熱蒸發(fā)薄膜材料之外，同時(shí)還要用來實(shí)現(xiàn)對(duì)蒸氣以及反應(yīng)氣體的離化。材料之外，同時(shí)還要用來實(shí)現(xiàn)對(duì)蒸氣以及反應(yīng)氣體的離化。因此，因此，ARE法在低的沉積速率下，很難

26、維持等離子體。法在低的沉積速率下，很難維持等離子體。離子鍍膜技術(shù)離子鍍膜技術(shù) 射頻離子鍍膜技術(shù)射頻離子鍍膜技術(shù)三個(gè)區(qū)域：三個(gè)區(qū)域：（1）以蒸發(fā)源為中心的蒸發(fā)區(qū)；）以蒸發(fā)源為中心的蒸發(fā)區(qū)；（2）以線圈為中心的離化區(qū)；）以線圈為中心的離化區(qū)；（3）以基板為中心，使生成的離）以基板為中心，使生成的離子加速，并沉積在基板。子加速，并沉積在基板。 通過分別調(diào)節(jié)蒸發(fā)源功率、線圈的激通過分別調(diào)節(jié)蒸發(fā)源功率、線圈的激勵(lì)功率、基板偏壓等，可以對(duì)上述三個(gè)區(qū)勵(lì)功率、基板偏壓等，可以對(duì)上述三個(gè)區(qū)域進(jìn)行獨(dú)立的控制，由此可以在一定程度域進(jìn)行獨(dú)立的控制，由此可以在一定程度上改善膜層的物性。上改善膜層的物性。離子鍍膜技術(shù)離子鍍膜技術(shù) 綜上所述，射頻放電離子鍍具有下述特點(diǎn)：綜上所述，射頻放電離子鍍具有下述特點(diǎn)： a. 蒸發(fā)、離化、加速三種過程可分別獨(dú)立控制，離化蒸發(fā)、離化、加速三種過程可分別獨(dú)立控制，離化率靠射頻激勵(lì)，而不是靠加速直流電場，基板周圍不產(chǎn)生率靠射頻激勵(lì)，而不是靠加速直流電場，基板周圍不產(chǎn)生陰極暗區(qū)。陰極暗區(qū)。 b. 在在10-1-l0-3 Pa的較低工作壓力下也能穩(wěn)定放電，而且的較低工作壓