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1、(1-1) 半導(dǎo)體及其特性模擬電路(1-2)第一章 半導(dǎo)體器件 1.1 半導(dǎo)體的基本知識(shí) 1.2 PN 結(jié)及半導(dǎo)體二極管 1.3 特殊二極管 1.4 半導(dǎo)體三極管 1.5 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(1-3)1.1 半導(dǎo)體的基本知識(shí)1.1.1 導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體導(dǎo)體:導(dǎo)體:自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為自然界中很容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體導(dǎo)體,金屬一般都是,金屬一般都是導(dǎo)體。導(dǎo)體。絕緣體:絕緣體:有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電,稱為有的物質(zhì)幾乎不導(dǎo)電,稱為絕緣體絕緣體,如橡皮、陶瓷、,如橡皮、陶瓷、塑料和石英。塑料和石英。半導(dǎo)體:半導(dǎo)體:另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間,另有一類物質(zhì)的導(dǎo)電特性處于導(dǎo)體和絕緣體之間
2、,稱為稱為半導(dǎo)體半導(dǎo)體,如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧,如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。化物等。(1-4)(1-5) 半導(dǎo)體半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì),所以它具有不同的導(dǎo)電機(jī)理不同于其它物質(zhì),所以它具有不同于其它物質(zhì)的特點(diǎn)。例如:于其它物質(zhì)的特點(diǎn)。例如: 當(dāng)受外界當(dāng)受外界熱和光熱和光的作用時(shí),它的導(dǎo)電能力明顯的作用時(shí),它的導(dǎo)電能力明顯變化。變化。 往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì),會(huì)使它的導(dǎo)電能力明往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì),會(huì)使它的導(dǎo)電能力明顯改變。顯改變。(1-6)1.1.2 本征半導(dǎo)體一、本征半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)GeSi通過一定的工藝過程,可以將半導(dǎo)體制成通過一定的工藝過程,可以
3、將半導(dǎo)體制成晶體晶體。現(xiàn)代電子學(xué)中,用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺,它們的最外層現(xiàn)代電子學(xué)中,用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺,它們的最外層電子(價(jià)電子)都是四個(gè)。電子(價(jià)電子)都是四個(gè)。(1-7)本征半導(dǎo)體:本征半導(dǎo)體:完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。在硅和鍺晶體中,原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點(diǎn)陣,每在硅和鍺晶體中,原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點(diǎn)陣,每個(gè)原子都處在正四面體的中心,而四個(gè)其它原子位于四面體個(gè)原子都處在正四面體的中心,而四個(gè)其它原子位于四面體的頂點(diǎn),每個(gè)原子與其相臨的原子之間形成的頂點(diǎn),每個(gè)原子與其相臨的原子之間形成共價(jià)鍵共價(jià)鍵,共用一,共用一對(duì)價(jià)電子。對(duì)價(jià)電子。
4、硅和鍺的晶硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu):體結(jié)構(gòu):(1-8)硅和鍺的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)共價(jià)鍵共用電子對(duì)+4+4+4+4+4表示除去價(jià)電子后的原子(1-9)共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中,稱為共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中,稱為束縛電子束縛電子,常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為自由電子自由電子,因此本征半,因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少,所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。導(dǎo)體中的自由電子很少,所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。形成共價(jià)鍵后,每個(gè)原子的最外層電子是八個(gè),構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。共價(jià)鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力,使原子規(guī)則排共價(jià)鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力,使原子規(guī)則排列,形成晶體列,形成晶體。+4
5、+4+4+4(1-10)二、本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理在絕對(duì)在絕對(duì)0度度(T=0K)和沒有外界激發(fā)時(shí)和沒有外界激發(fā)時(shí), ,價(jià)電子完全價(jià)電子完全被共價(jià)鍵束縛著,本征半導(dǎo)體中沒有可以運(yùn)動(dòng)的帶電粒被共價(jià)鍵束縛著,本征半導(dǎo)體中沒有可以運(yùn)動(dòng)的帶電粒子(即子(即載流子載流子),它的導(dǎo)電能力為),它的導(dǎo)電能力為 0,相當(dāng)于絕緣體。,相當(dāng)于絕緣體。在常溫下,由于熱激發(fā),使一些價(jià)電子獲得足夠在常溫下,由于熱激發(fā),使一些價(jià)電子獲得足夠的能量而脫離共價(jià)鍵的束縛,成為的能量而脫離共價(jià)鍵的束縛,成為自由電子自由電子,同時(shí)共價(jià),同時(shí)共價(jià)鍵上留下一個(gè)空位,稱為鍵上留下一個(gè)空位,稱為空穴空穴。1.載流子、自由電子和空穴(1-11)
6、+4+4+4+4自由電子空穴束縛電子(1-12)2.本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理+4+4+4+4在其它力的作用下,空穴吸引附近的電子來填補(bǔ),這樣的結(jié)果相當(dāng)于空穴的遷移,而空穴的遷移相當(dāng)于正電荷的移動(dòng),因此可以認(rèn)為空穴是載流子。動(dòng)態(tài)模型本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子,即本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子,即自由電子自由電子和和空穴空穴。(1-13)溫度越高,載流子的濃度越高。因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng),溫度是影響半導(dǎo)體性能的一個(gè)重要的外部因素,這是半導(dǎo)體的一大特點(diǎn)。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。本征半導(dǎo)體中電流由兩部分組成:本征半導(dǎo)體中電流由兩部分組成: 1. 自由電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流。自由電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流。 2. 空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流。空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流。本征半導(dǎo)體的應(yīng)用溫度檢測(cè)與控制(發(fā)動(dòng)機(jī)溫度、進(jìn)氣溫度);溫度檢
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