Memory底層API使用說明

1、Memory底層API使用說明1. MemoryAPI接口函數(shù)E2P，commit_transactionAl|E2P_stream_open l|E2P_stream_flushE2P_writeI ”E2P_stream_write_u8/u16/u32l|E2P_stream_write_array11 E2P_stream_fill_arrayE2P_write_u8 E2P_write_u16 E2P_write_u32E2P_write_array E2P_fill_arraymem_write_u8 mem_write_u16 mem_write_u32 mem_write_ar

2、ray mem_fill_arraymem_write_u8_atomic mem_write_u16_atomic mem_write_u32_atomic mem_write_array_atomicE2P_read_u8/16/32/array>>RAM CACHEE2P_write_u8/16/32/array_atomicmem_read_u8 mem_read_u16 mem_read_u32 mem_read_array mem_array_compareRAMRAM_read_u8/16/32/ array> >RAM_write_u8/ u16/u32

3、 /arrayRAM_fill_arrayCode_read_u8/16/32/arrayCode_write_u8/16/32/arrayCode_write_u8/16/32/array_atomic ref_to_pointer_code底層Memory API讀寫函數(shù)如下圖所示:Data_table_init Data_a110c Data_free Data_AvailableCode table initCode_a110cByteCode_freeCodeCode_Availablertr_allocNativedtr_allocMethodrtrAvailabledtrAvai

4、lableADM.Manage關(guān)于Memory讀寫的方式，共有如下幾類：1.1 E2P_writeI最底層的Memory讀寫函數(shù)，它要考慮Flash的頁邊界對(duì)齊。1.2 E2P_stream_*使用：E2P_stream_open(destAddr);E2P_stream_write_u8/16/32/array或E2P_stream_fill_arrayE2P_stream_flush();Flash擦寫次數(shù)，提高寫Flash的效率。1.3 E2P_write_u8/u16/u32/arrayE2P_fill_array基于E2P_stream_*之上的函數(shù)集合，它是non-Atomic操作

5、，用于不考慮交易的非原子性情況。例如：卡初始化時(shí)機(jī)等。注意一點(diǎn)：當(dāng)E2P_write_array時(shí)，需要考慮源地址，源地址+len是否被緩存。1.4 E2P_read_u8/u16/u32/array從Flash中指定地址讀取數(shù)據(jù)。由于引入CacheTransaction機(jī)制，F(xiàn)lash中實(shí)際的數(shù)據(jù)可能是dirty的，這時(shí)就需要從Cache中讀取。在Memory接口圖中，能夠看出，該模塊左側(cè)為E2P或RAMCACHE個(gè)方塊，表示實(shí)際數(shù)據(jù)可能從E2P和RAMCACHE得到。A. 假如讀取的數(shù)據(jù)位于同一個(gè)sector內(nèi)，先從transactioncache中查找要讀取的地址是否已緩存，假如以緩存那

6、么為hit,否那么為miss。假如hit那么從cache中讀取，否那么從MEW讀取。B. 假如讀取的數(shù)據(jù)跨sector邊界，那么先要按sector拆分地址，分別按A步驟讀取部分?jǐn)?shù)據(jù)。再將數(shù)據(jù)組合。1.5 E2P_write_u8/u16/u32/array_atomicAtomic寫操作。該類函數(shù)實(shí)際并不寫Flash，它只是將要更新的內(nèi)容更新到Cache中去。等到Commit_transaction時(shí)候再將RAMCach井的數(shù)據(jù)更新到Flash中去。A假如要寫的數(shù)據(jù)處于同一個(gè)sector內(nèi)，先從transactioncache中查找要寫入的地址是否已緩存，假如hit，那么改寫緩存的數(shù)據(jù)。否那么

7、添加到transactioncache一個(gè)新的記錄。將數(shù)據(jù)內(nèi)容寫入。8 假如要寫入的數(shù)據(jù)跨sector邊界，那么先要按sector邊界拆分寫入的地址及數(shù)據(jù)長度，分別按A步驟寫入部分?jǐn)?shù)據(jù)。1.6 RAM_*該類函數(shù)提供了對(duì)RAM勺讀寫操作。1.7 Mem_write_u8/16/32/array這類函數(shù)依照地址判斷地址所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)介質(zhì)是如是E2P,那么用1.3中的對(duì)應(yīng)函數(shù)操作。1.8 Mem_write_u8/16/32/array_atomic這類函數(shù)依照地址判斷地址所對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)介質(zhì)是如是E2P,那么用1.5中的對(duì)應(yīng)函數(shù)操作。1.9 Code_*對(duì) Class 區(qū)的操作，這類函數(shù)造作的地址基本

8、上們調(diào)用了相應(yīng)的 1.3 和 1.5 中的函數(shù)。RAMm日E2P,假如是RAMIB么用1.6中的對(duì)應(yīng)函數(shù)操作， 假RAMm日E2P,假如是RAMIB么用1.6中的對(duì)應(yīng)函數(shù)操作， 假Ref 地址，不是絕對(duì)物理地址。它實(shí)際上是一組宏定義，他1.10 Class 區(qū)的治理函數(shù) Code_table_init Code_alloc Code_free Code_available1.11 Heap 區(qū)的治理函數(shù) Data_table_init Data_alloc Data_free Data_available初始化 Class 區(qū)內(nèi)存治理表從 Code 區(qū)分配一塊內(nèi)存空間刪除從Code 區(qū)分配的空間返回 Code 區(qū)可用的空間初始化Data 區(qū)內(nèi)存治理表從 Data 區(qū)分配一塊內(nèi)存空間刪除從 Data 區(qū)分配的空間返回 Data 區(qū)可用的空間1.12 RTR/DTR間的治理函數(shù)這類函數(shù)要緊對(duì)RTR/DTRS行操作。RTR/DTR的治理信息放在卡注冊(cè)表中。Rtr_allocRTR空間的分配函數(shù)Dtr_allocDTR空間的分配函數(shù)Rtr_available返