原子結(jié)構(gòu)與鍵合

1、原子結(jié)構(gòu)與鍵合一、決定材料性質(zhì)最為本質(zhì)的內(nèi)在因素：組成材料各元素原子結(jié)構(gòu)：原子原子間相互作用，相互結(jié)合：鍵合原子或分子在空間的排列：晶體結(jié)構(gòu)原子集合體的形貌特征：顯微組織二、原子是化學(xué)變化中的最小微粒。原子結(jié)構(gòu)直接影響原子間的結(jié)合方式。三、鍵的形成：在凝聚狀態(tài)下，原子間距離十分接近，便產(chǎn)生了原子間的作用力，使原子結(jié)合在一起，就形成了鍵。鍵分為一次鍵和二次鍵：一次鍵結(jié)合力較強(qiáng)，包括離子鍵、共價鍵和金屬鍵。二次鍵結(jié)合力較弱，包括范德華鍵和氫鍵?；旌湘I對于大多數(shù)晶體而言，它們的鍵并不單純屬于上述五種中的某一種，而具有某種綜合性。換言之，許多晶體存在混合鍵。四、范德華力、氫鍵和共價鍵的對比范德華力氫鍵

2、共價鍵概念分子間普遍存在的作用力已經(jīng)與電負(fù)性很強(qiáng)的原子形成共價鍵的氫原子與另一分子中電負(fù)性很強(qiáng)的原子之間的作用力原子之間通過共用電子對形成的化學(xué)鍵存在范圍分子之間分子間或分子內(nèi)氫原子與電負(fù)性很強(qiáng)的N、O、F之間相鄰原子之間強(qiáng)度微弱較弱很強(qiáng)對物質(zhì)的影響熔沸點(diǎn)溶解性、熔沸點(diǎn)主要影響化學(xué)性質(zhì)五、石墨（共價鍵、金屬鍵和范德瓦爾斯力的混合鍵）1. C原子的三個價電子組成 sp2雜化軌道，分別與最近鄰的三個C原子形成三個共價鍵，在同一平面內(nèi)互成120°，使碳原子形成六角平面網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。2. 第四個價電子未參與雜化，自由的在整個層內(nèi)活動，具有金屬鍵的特點(diǎn)。（石墨是一種良導(dǎo)體，可做電極等）3. 層與層

3、之間以范德瓦爾斯力結(jié)合。（結(jié)合力弱，所以石墨質(zhì)地疏松，在層與層之間可插入其它物質(zhì)，制成石墨插層化合物）。六、晶體、準(zhǔn)晶，非晶體 晶體中原子的排列是有序的，即原子按某種特定方式在三維空間內(nèi)呈周期性規(guī)則重復(fù)排列，有固定的熔點(diǎn)。而非晶體內(nèi)部原子的排列是無序的。準(zhǔn)晶體，亦稱為“準(zhǔn)晶”， 是一種介于晶體和非晶體之間的固體。準(zhǔn)晶體具有與晶體相似的長程有序的原子排列；但是準(zhǔn)晶體不具備晶體的平移對稱性。七、彌散強(qiáng)化彌散強(qiáng)化指一種通過在均勻材料中加入硬質(zhì)顆粒的一種材料的強(qiáng)化手段。是指用不溶于基體金屬的超細(xì)第二相(強(qiáng)化相)強(qiáng)化的金屬材料。第二相一般為高熔點(diǎn)的氧化物或碳化物、氮化物，其強(qiáng)化作用可保持到較高溫度，既可

4、顯著提高合金強(qiáng)度和硬度，又可使塑性和韌性下降不大，并且顆粒越細(xì)小，越呈彌散均勻分布，強(qiáng)化效果越好。第二章晶體結(jié)構(gòu)1.晶體的基本概念: 晶體(Crystal)就是原子（或離子、分子、原子集團(tuán)）在三維空間呈有規(guī)律、周期性、重復(fù)排列的固體。2、晶界：晶粒之間的交界面。晶粒越細(xì)小，晶界面積越大。3、非晶體的基本概念:非晶體不具有上述特征。在非晶體中原子（或分子、離子）無規(guī)則地堆積在一起。4、晶體學(xué)(crystallography)的基本知識空間點(diǎn)陣：由幾何點(diǎn)做周期性的規(guī)則排列所形成的三維陣列。陣點(diǎn)：空間點(diǎn)陣中的點(diǎn)。它是純粹的幾何點(diǎn)，各點(diǎn)周圍環(huán)境相同。晶格：描述晶體中原子排列規(guī)律的空間格子。晶胞：空間點(diǎn)

5、陣中具有代表性的基本單元。同一空間點(diǎn)陣可因選取方式不同而得到不相同的晶胞。晶格常數(shù): 為了描述晶胞的形狀和大小，通常采用交于一點(diǎn)的三條棱邊的邊長及棱間夾角等六個點(diǎn)陣系數(shù)來表達(dá)。晶系，晶面與晶向，晶帶軸，間隙5、晶面，晶向6、fcc和hcp都是密排結(jié)構(gòu)，而bcc則是比較“開放”的結(jié)構(gòu)；fcc和hcp金屬中的八面體間隙大于四面體間隙，故這些金屬中的間隙元素的原子必位于八面體間隙 ；fcc和hcp晶體中的八面體間隙遠(yuǎn)大于bcc中的八面體或四面體間隙,因而間隙原子在fcc和hcp中的溶解度往往比在bcc中的大得多；題：分別寫出立方晶系中110和100晶面族包括的晶面7.原子半徑：晶胞中原子密度最大方向

6、上相鄰原子間距的一半晶胞原子數(shù)：一個晶胞內(nèi)所包含的原子數(shù)目。配位數(shù)：指晶體結(jié)構(gòu)中，與任一原子最近鄰且等距離的原子數(shù)目。致密度：晶胞中原子本身所占的體積百分?jǐn)?shù)。8、單位面積晶面上的原子數(shù)稱晶面原子密度。單位長度晶向上的原子數(shù)稱晶向原子密度。原子密度最大的晶面或晶向稱密排面或密排方向。9、在體心立方晶格中，原子密度最大的晶面為110；原子密度最大的晶向為<111>。 在面心立方晶格中, 密排面為111, 密排方向為<110>密排面數(shù)量密排方向數(shù)量體心立方晶格1106<111>4面心立方晶格1114<110>6密排六方晶格六方底面1底面對角線3體心立方

7、致密度：0.68 面心立方0.74 密排六方0.74第三章晶體缺陷1、缺陷的含義：通常把晶體點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)中周期性勢場的畸變稱為晶體的結(jié)構(gòu)缺陷。理想晶體：質(zhì)點(diǎn)嚴(yán)格按照空間點(diǎn)陣排列。實際晶體：存在著各種各樣的結(jié)構(gòu)的不完整性。2、分類方式：幾何形態(tài)：點(diǎn)缺陷、線缺陷、面缺陷、體缺陷等形成原因：熱缺陷、雜質(zhì)缺陷、非化學(xué)計量缺陷等3、點(diǎn)缺陷：缺陷尺寸處于原子大小的數(shù)量級上，即三維方向上缺陷的尺寸都很小。包括：空位，間隙質(zhì)點(diǎn)，錯位原子或離子，外來原子或離子（雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)），雙空位等復(fù)合體。點(diǎn)缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫動力學(xué)過程等有關(guān)。4線缺陷：指在一維方向上偏離理想晶體中的周期性、規(guī)則性排列所產(chǎn)生的

8、缺陷，即缺陷尺寸在一維方向較長，另外二維方向上很短。如各種位錯。線缺陷的產(chǎn)生及運(yùn)動與材料的韌性、脆性密切相關(guān)。5、面缺陷：又稱為二維缺陷，是指在二維方向上偏離理想晶體中的周期性、規(guī)則性排列而產(chǎn)生的缺陷，即缺陷尺寸在二維方向上延伸，在第三維方向上很小。如晶界、表面、堆積層錯、鑲嵌結(jié)構(gòu)等。面缺陷的取向及分布與材料的斷裂韌性有關(guān)。6、體缺陷：在三維方向上尺寸都比較大的缺陷。例如，固體中包藏的雜質(zhì)、沉淀和空洞等。7、點(diǎn)缺陷平衡濃度：通過熱力學(xué)分析，在絕對零度以上的任何溫度，晶體中最穩(wěn)定的狀態(tài)是含有一定濃度的點(diǎn)缺陷的狀態(tài)，這個濃度稱為該溫度下晶體中點(diǎn)缺陷的平衡濃度。經(jīng)熱力學(xué)推導(dǎo)： C = n/N = A

9、exp（U/kT） C與T、U之間呈指數(shù)關(guān)系。T上升、C升高。8、位錯的基本類型刃型位錯，螺型位錯，混合位錯9、位錯的運(yùn)動位錯的運(yùn)動有兩種基本形式：滑移和攀移在一定的切應(yīng)力的作用下，位錯在滑移面上受到垂至于位錯線的作用力。當(dāng)此力足夠大，足以克服位錯運(yùn)動時受到的阻力時，位錯便可以沿著滑移面移動，這種沿著滑移面移動的位錯運(yùn)動稱為滑移。 刃型位錯的位錯線還可以沿著垂直于滑移面的方向移動，刃型位錯的這種運(yùn)動稱為攀移。10、螺型位錯：在滑移時，螺型位錯的滑移方向與位錯線垂直，也與柏氏矢量垂直。對于螺型位錯，位錯線與柏氏矢量平行，故它的滑移不限于單一的滑移面上。對于螺型位錯，由于所有包含位錯線的晶面都可成

10、為其滑移面，因此，當(dāng)某一螺型位錯在原滑移面上運(yùn)動受阻時，有可能從原滑移面轉(zhuǎn)移到與之相交的另一滑移面上去繼續(xù)滑移，這一過程稱為交滑移。如果交滑移后的位錯再轉(zhuǎn)回原滑移面平行的滑移面上繼續(xù)運(yùn)動，稱雙交滑移。11、第四章固體材料中原子的擴(kuò)散1、擴(kuò)散的分類擴(kuò)散(diffusion): 在一個相內(nèi)因分子或原子的熱激活運(yùn)動導(dǎo)致成分混合或均勻化的分子動力學(xué)過程。（1）根據(jù)有無濃度變化自擴(kuò)散：原子經(jīng)由自己元素的晶體點(diǎn)陣而遷移的擴(kuò)散。(如金屬的晶粒長大：無濃度變化。)互擴(kuò)散：原子通過進(jìn)入對方元素晶體點(diǎn)陣而導(dǎo)致的擴(kuò)散。（有濃度變化）（2）根據(jù)擴(kuò)散方向下坡擴(kuò)散：原子由高濃度處向低濃度處進(jìn)行的擴(kuò)散。上坡擴(kuò)散：原子由低濃

11、度處向高濃度處進(jìn)行的擴(kuò)散。（3）根據(jù)是否出現(xiàn)新相原子擴(kuò)散：擴(kuò)散過程中不出現(xiàn)新相。反應(yīng)擴(kuò)散：由之導(dǎo)致形成一種新相的擴(kuò)散。2、固態(tài)擴(kuò)散的條件： （1）溫度足夠高； （2）時間足夠長； （3）擴(kuò)散原子能固溶； （4）具有驅(qū)動力：具有化學(xué)位梯度。3、菲克第一定律：當(dāng)固體中存在著成分差異時，原子將從濃度高處向濃度低處擴(kuò)散，擴(kuò)散中原子的通量與質(zhì)量濃度梯度成正比。 穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散J: 擴(kuò)散通量(mass flux), kg/(m2·s)D: 擴(kuò)散系數(shù)(diffusivity), m2/s: 質(zhì)量濃度，kg/m3 : 濃度梯度菲克第二定律：在擴(kuò)散過程中某點(diǎn)的濃度隨時間的變化率與濃度分布曲線在該點(diǎn)的二階導(dǎo)數(shù)

12、成正比。4、上坡擴(kuò)散：物質(zhì)從低濃度區(qū)向高濃度區(qū)擴(kuò)散，擴(kuò)散的結(jié)果提高了濃度梯度，這種擴(kuò)散稱為“上坡擴(kuò)散” 。從熱力學(xué)分析可知，擴(kuò)散的驅(qū)動力并不是濃度梯度 ，而應(yīng)是化學(xué)勢梯度 ，由此不僅能解釋通常的擴(kuò)散現(xiàn)象，也能解釋“上坡擴(kuò)散”等反?，F(xiàn)象。決定組元擴(kuò)散的基本因素是化學(xué)勢梯度，不管是上坡擴(kuò)散還是下坡擴(kuò)散，其結(jié)果總是導(dǎo)致擴(kuò)散組元化學(xué)勢梯度的減小，直至化學(xué)勢梯度為零。5、可能的擴(kuò)散機(jī)制 1、易位：兩個質(zhì)點(diǎn)直接換位2、環(huán)形擴(kuò)散：同種質(zhì)點(diǎn)的環(huán)狀遷移3、準(zhǔn)間隙擴(kuò)散：從間隙位到正常位，正常位質(zhì)點(diǎn)到間隙4、間隙擴(kuò)散：質(zhì)點(diǎn)從一個間隙到另一個間隙5、空位擴(kuò)散：質(zhì)點(diǎn)從正常位置移到空位6、影響擴(kuò)散的因素：1、溫度2、固溶

13、體類型3、晶體結(jié)構(gòu)4、晶體缺陷5、應(yīng)力作用6、化學(xué)成分7、多種擴(kuò)散的含義 體積擴(kuò)散(Db): (晶格擴(kuò)散，本征擴(kuò)散) 界面擴(kuò)散(Dg): 晶界擴(kuò)散液相少時主要 相界擴(kuò)散液相多時主要 表面擴(kuò)散(DS)8、反應(yīng)擴(kuò)散：通過擴(kuò)散而形成新相的現(xiàn)象稱為反應(yīng)擴(kuò)散，也稱為相變擴(kuò)散。 反應(yīng)擴(kuò)散包括兩個過程：一是擴(kuò)散過程；一是界面上達(dá)到一定濃度即發(fā)生相變的反應(yīng)過程。 反應(yīng)擴(kuò)散取決于兩個因素：反應(yīng)速度：若由反應(yīng)控制，則反應(yīng)擴(kuò)散層厚度與時間呈直線關(guān)系原子擴(kuò)散速度 ： 若由原子擴(kuò)散控制，則反應(yīng)擴(kuò)散厚度與時間呈拋物線關(guān)系。反應(yīng)擴(kuò)散的特點(diǎn)：二元系擴(kuò)散層中不存在兩相共存區(qū)，且在相界面的濃度是突變的；三元系擴(kuò)散層中不存在三相共

14、存區(qū)因為擴(kuò)散的驅(qū)動力是化學(xué)位梯度；而多相共存的條件為化學(xué)位相等。9、燒結(jié)燒結(jié)過程如下：將壓實的粉末加熱到高溫，在初期，相互接觸的顆粒開始逐漸形成頸的連接燒結(jié)初期主要是表面擴(kuò)散，后期主要是晶界擴(kuò)散。燒結(jié)速率主要取決于兩個因素： 末原材料的顆粒粗細(xì)；原子的擴(kuò)散速率，這決定于溫度。第五章相平衡相圖原理1、相圖是表示材料成分、溫度、壓力及其狀態(tài)之間關(guān)系的幾何圖形，故相圖又被稱之為狀態(tài)圖2、相平衡：相與相之間的轉(zhuǎn)變稱為相變。若多相體系的各相中每種物質(zhì)的濃度不隨時間而變，或者說多相體系中各相的相對量不隨時間而變，則體系達(dá)到相平衡。相平衡是一個動態(tài)平衡。3、由一種元素或化合物構(gòu)成的晶體稱為單組元晶體或純晶體

15、，該體系稱為單元系。 從一種相到另一種相的轉(zhuǎn)變稱為相變。由液相至固相的轉(zhuǎn)變稱為凝固；如凝固后的固體為晶體，稱為結(jié)晶。由不同固相之間的轉(zhuǎn)變稱為固態(tài)相變4、相變相變：指當(dāng)外界條件如溫度、壓力等發(fā)生變化時，物相在某一特定條件下發(fā)生的突變。相變表現(xiàn)為：從一種結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪环N結(jié)構(gòu)?；瘜W(xué)成分的不連續(xù)變化。物質(zhì)物理性能的突變。5、氣體，不論有多少種氣體混合，只有一個氣相 液體，按其互溶程度可以組成一相、兩相或三相共存。 固體，一般有一種固體便有一個相。兩種固體粉末無論混合得多么均勻，仍是兩個相（固體溶液除外，它是單相） 相圖（phase diagram） 表達(dá)多相體系的狀態(tài)如何隨溫度、壓力、組成等強(qiáng)度性質(zhì)變

16、化而變化的圖形，稱為相圖。6、熱力學(xué)平衡條件：1。熱平衡條件2. 壓力平衡條件3. 相平衡條件4. 化學(xué)平衡條件7、自由度（degrees of freedom） 確定平衡體系的狀態(tài)所必須的獨(dú)立強(qiáng)度變量的數(shù)目稱為自由度，用字母 f 表示。這些強(qiáng)度變量通常是壓力、溫度和濃度等。8、如果已指定某個強(qiáng)度變量，除該變量以外的其它強(qiáng)度變量數(shù)稱為條件自由度，用 表示。例如：指定了壓力， 指定了壓力和溫度，9、獨(dú)立組分?jǐn)?shù)定義：，在平衡體系所處的條件下，能夠確保各相組成所需的最少獨(dú)立物種數(shù)稱為獨(dú)立組分?jǐn)?shù)。它的數(shù)值等于體系中所有物種數(shù) S 減去體系中獨(dú)立的化學(xué)平衡數(shù)R，再減去各物種間的濃度限制條件R'。

17、相律：f =C P + 2， 相律是相平衡體系中揭示相數(shù)P ，獨(dú)立組分?jǐn)?shù)C和自由度 f 之間關(guān)系的規(guī)律，可用上式表示。式中2通常指T，p兩個變量。相律最早由Gibbs提出，所以又稱為Gibbs相律。10、建立相圖的方法：1。計算法2.熱分析法11. 對于二元相圖，影響狀態(tài)的因素只有第二組元的濃度和溫度兩個參數(shù)。所以對于二元相圖，是以橫坐標(biāo)表示成分，縱坐標(biāo)表示溫度的溫度成分平面圖形。第六章材料的凝固1.凝固：物質(zhì)由液態(tài)轉(zhuǎn)變成固態(tài)的過程。2.結(jié)晶：晶體物質(zhì)由液態(tài)轉(zhuǎn)變成固態(tài)的過程；物質(zhì)中的原子由近程有序排列向遠(yuǎn)程有序排列的過程。3.凝固：物質(zhì)從液態(tài)到固態(tài)的轉(zhuǎn)變過程。若凝固后的物質(zhì)為晶體，則稱之為結(jié)晶

18、。凝固過程影響后續(xù)工藝性能、使用性能和壽命。凝固是相變過程，可為其它相變的研究提供基礎(chǔ)。4.液態(tài)金屬的結(jié)構(gòu)起伏是凝固形核的基礎(chǔ)5. 液態(tài)金屬的結(jié)構(gòu)的定性分析：根據(jù)：相變吸熱鍵斷裂推斷：熔化吸熱少量金屬鍵斷裂推論：液態(tài)金屬相對于固態(tài)金屬，原子配位數(shù)降低，或原子平均間距有限增大。6. 熔化過程體積變化率小，僅35；金屬熔化時熵Sm（無序程度）明顯增加；微觀結(jié)構(gòu)分析證明液態(tài)金屬中還存在短程有序7. 液態(tài)金屬的結(jié)構(gòu)長程無序，但存在短程有序；原子熱運(yùn)動強(qiáng)烈，導(dǎo)致局部的原子有序排列不斷地變化，不斷消失又不斷生成，“此起彼伏”。液態(tài)金屬中這種結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定的現(xiàn)象稱為結(jié)構(gòu)起伏或相起伏。 可推斷：液態(tài)金屬中的原子堆

19、垛并非完全混亂的，而是在許多微小區(qū)域內(nèi)存在著與固態(tài)金屬中的原子排列近似的原子集團(tuán)，這種結(jié)構(gòu)稱為近程規(guī)則排列或晶胚。8. 凝固過程包含：形核和長大兩個基本階段。金屬的結(jié)晶包括晶核（晶體核心）的形成和晶核長大（晶體生長）兩個基本過程。9. 均勻形核：(勻質(zhì)形核，自發(fā)形核）新相晶核是在母相中均勻地生成的，即晶核由液相中的一些原子團(tuán)直接形成，不受雜質(zhì)粒子或外表面的影響。這種晶核是在液相內(nèi)部結(jié)構(gòu)起伏的基礎(chǔ)上形成的。 特點(diǎn)：液相內(nèi)各處同時形核，單位體積內(nèi)形成的晶核數(shù)相同10. 非均勻形核：（異質(zhì)形核，非自發(fā)形核）新相優(yōu)先在母相中存在的異質(zhì)處形核，即依附于液相中的雜質(zhì)或外來表面形核。是在固體夾雜或容器壁等現(xiàn)

20、成表面上形成的。實際的形核過程都是非均勻形核11.形核率：形核率N：單位時間、單位體積內(nèi)形成的晶核數(shù)。當(dāng)晶胚長成臨界r*，有兩種可能：A繼續(xù)長大 B重溶消失從理論上講：臨界晶胚只要增加一個原子，就成為穩(wěn)定長大的晶核；臨界晶胚失去一個原子，則重溶消失。12非均勻形核液體金屬中常夾有一些固體粒子，它們與液體金屬之間有現(xiàn)成的界面；另外，金屬結(jié)晶時總要與器壁接觸，如鑄模的模壁。非自發(fā)晶核就是在這些現(xiàn)成的界面上形成的。非均勻形核借助于模壁、雜質(zhì)、自由表面等處形核，降低了形核功。13. 影響晶體生長的主要因素：（1）熱力學(xué)因素：液-固界面前沿的溫度 動態(tài)過冷度：晶核長大所需的界面過冷度。（2）液-固界面結(jié)

21、構(gòu)（3）對合金來說，還與液-固界面前沿合金成分和性質(zhì)有關(guān)。14. 液-固界面的構(gòu)造粗糙界面：界面固相一側(cè)的點(diǎn)陣位置只有約50%被固相原子所占據(jù)，形成坑坑洼洼、凹凸不平的界面結(jié)構(gòu)。光滑界面：界面固相一側(cè)的點(diǎn)陣位置幾乎全部為固相原子所占滿，只留下少數(shù)空位或臺階，從而形成整體上平整光滑的界面結(jié)構(gòu)。15. 光滑界面：宏觀上看為彎折小平面狀，微觀上液固界線分明，無過渡層粗糙界面：宏觀平滑，微觀上看存在幾個原子層厚的過渡層，高低不平16. 形核之后晶體生長成什么形態(tài)，取決于：固-液界面的微觀結(jié)構(gòu)界面前沿液相中的溫度分布情況。17. 晶粒的數(shù)量與形核率及長大速度有關(guān)：形核率高，晶粒越多（細(xì)）；長大速度越高，

22、晶粒越少（粗）。18.非均勻形核時的溶質(zhì)再分配：1.固相無擴(kuò)散，成分不均勻；液相完全混合（充分?jǐn)U散，混合均勻），成分均勻（正常凝固），2.固相無擴(kuò)散，成分不均勻; 液相完全不混合（非正常凝固）3.固相無擴(kuò)散，成分不均勻；液相部分混合，成分不均勻（非正常凝固）19. 成分過冷: 合金在不平衡凝固時，液固界面前沿的液相中形成溶質(zhì)富集層，因富集層中各處的合金成分不同，具有不同的熔點(diǎn)，造成液固前沿的液相處于不同的過冷狀態(tài)。這樣，過冷度既與實際溫度分布有關(guān)，又與溶質(zhì)分布有關(guān)，此即“成分過冷”。20. 成分過冷度很小或沒有成分過冷，平直界面； 成分過冷度較大時，胞狀晶； 成分過冷度很大時，樹枝晶。21.

23、鑄態(tài)組織缺陷：1.縮孔2.氣孔3.夾雜4.裂紋5.偏析22.凝固技術(shù)的應(yīng)用： 1.定向凝固：原理：單一方向散熱獲得柱狀晶。通過控制冷卻方式，鑄件從一端開始凝固，按一定方向逐步向另一端發(fā)展的結(jié)晶過程。 2.單晶制備：基本原理：根據(jù)結(jié)晶理論，制備單晶的基本要求是液體結(jié)晶時只存在一個晶核，要嚴(yán)格防止另外形核。制備方法：尖端形核法和垂直提拉法 3區(qū)域提純： 4.快速凝固技術(shù)：第十章：材料的變形與回復(fù)再結(jié)晶 1、單晶體的塑性變形：單晶受力后，在它晶面上可以分解出平行于晶面和垂直于晶面的兩個分量，前者稱為切應(yīng)力，后者稱為正應(yīng)力。切應(yīng)力產(chǎn)生塑性形變而正應(yīng)力不產(chǎn)生塑性形變。 滑移，孿生，扭折2、滑移 滑移系： 晶體中的滑移只能沿一定的晶面和該面上一定的晶體學(xué)方向進(jìn)行，我們將其稱為滑移面和滑移方向 滑移面和滑移方向往往是晶體中原子最密排的晶面和晶向，這是由于最密排面的面間距最大，因而點(diǎn)陣阻力最