VOLTE-MOS質(zhì)量提升

1、SR調(diào)度周期和Drx參數(shù)試驗(yàn)報(bào)告1 .試驗(yàn)背景根據(jù)VoLTE網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量提升百日會(huì)戰(zhàn)的要求，為提升VoLTE®音DT測(cè)試指標(biāo)，提升用戶(hù)感知，對(duì)可能提升測(cè)試指標(biāo)的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行分析研究，找出適合于網(wǎng)絡(luò)需求的參數(shù)值，提升DT測(cè)試中各項(xiàng)指標(biāo)。目前的集團(tuán)的考核要求為:VOLTE接通率(%)VOLT即話(huà)率(%)呼叫建立時(shí)延MOS>=3占比()eSRVC頃功率(%)eSRVCCU換用戶(hù)面時(shí)延（ms）RTP丟包率>=97=<1=<4>=85>=97=<350=<>=98=<=<3>=90>=98=<300=<此次參

2、數(shù)試驗(yàn)主要是針對(duì)VoLTE語(yǔ)音DT測(cè)試指標(biāo)中的MOSf關(guān)的參數(shù)cellSrPeriod和drxProfile2drxLongCycle。2 .參數(shù)試驗(yàn)內(nèi)容及要求參數(shù)介紹和試驗(yàn)方案本次主要針對(duì)VoLTElT務(wù)專(zhuān)載QCI1的Drx相關(guān)參數(shù)、SR調(diào)度周期等參數(shù)進(jìn)行組合試驗(yàn)驗(yàn)證。修改參數(shù)如下:參數(shù)名稱(chēng)參數(shù)取值范圍是否會(huì)中斷業(yè)務(wù)備注cellSrPeriod5ms(0),10ms(1),20ms(2),40ms(3),80ms(4)需鎖小區(qū)SR周期qciTab1drxProfileIndex1(1),2否QCI1drx開(kāi)關(guān)drxProfile2drxLongCycle20ms(20),40ms(40)否D

3、R調(diào)期驗(yàn)證參數(shù)配置如下:參數(shù)名現(xiàn)網(wǎng)配置1配置2配置3配置4配置5配置6配置7配置8配置9cellSrPeriod80ms40ms(3)40ms(3)40ms(3)20ms(2)20ms(2)20ms(2)5ms(0)5ms(0)5ms(0)qciTab1/drxProfileIndex2221221221drxProfile2/drxLongCycle40ms40ms(40)20ms(20)不設(shè)置40ms(40)20ms(20)不設(shè)置40ms(40)20ms(20)不設(shè)置測(cè)試路線(xiàn)及測(cè)試規(guī)范根據(jù)地市優(yōu)化人員意見(jiàn)，選取平頂山如下區(qū)域進(jìn)行參數(shù)修改試驗(yàn)驗(yàn)證區(qū)域道路共涉及小區(qū)51個(gè)，D頻段13個(gè)，F(xiàn)頻段

4、38個(gè)平頂山VOLT參數(shù)試驗(yàn)站點(diǎn)測(cè)試規(guī)范及要求：VoLTE測(cè)試，每次通話(huà)時(shí)長(zhǎng)180秒，呼叫間隔30秒，分析不同參數(shù)下的指標(biāo)情況。3 .參數(shù)試驗(yàn)結(jié)果cellSrPeriod參數(shù)試驗(yàn)現(xiàn)網(wǎng)drxProfile2LongCycle主要為40m6本次選取drxProfile2LongCycle為40ms的配置1、4、7和現(xiàn)網(wǎng)配置的測(cè)試情況進(jìn)行對(duì)比分析，三次參數(shù)配置如下:參數(shù)名現(xiàn)網(wǎng)配置1配置4配置7cellSrPeriod80ms40ms(3)20ms(2)5ms(0)qciTabl/drxProfilelndex2222drxProfile2/drxLongCycle40ms40ms(40)40ms(4

5、0)40ms(40)Volte業(yè)務(wù)測(cè)試指標(biāo)參數(shù)名MOS均值占比RT屋包率RTP抖動(dòng)呼叫建立時(shí)延接通率掉話(huà)率IMS注冊(cè)成功率LTE覆蓋率(RSRP>=-110andSINR>=-3)平均RSRP平均SINR現(xiàn)網(wǎng)配置%100%配置1%100%配置4%100%配置7%100%配置1和現(xiàn)網(wǎng)對(duì)比%-配置4和現(xiàn)網(wǎng)對(duì)比%-配置7和現(xiàn)網(wǎng)對(duì)比%-測(cè)試配置1的抖動(dòng)比現(xiàn)網(wǎng)配置增長(zhǎng)的原因是：配置1有一次掉話(huà)，掉話(huà)原因是：衛(wèi)東區(qū)敬老院-L1越區(qū)覆蓋導(dǎo)致和安培中心-L1模3干擾，質(zhì)差掉話(huà)。說(shuō)明：橫軸括號(hào)中的數(shù)值分別為cellSrPeriod和drxProfile2/drxLongCycle的試驗(yàn)值測(cè)試對(duì)比結(jié)論

6、：1 .占比提升效果明顯：現(xiàn)網(wǎng)cellSrPeriod配置為80ms時(shí)測(cè)試占比為68%cellSrPeriod配置1為40ms時(shí)測(cè)試占比為cellSrPeriod配置4為20ms時(shí)測(cè)試占比為cellSrPeriod配置7為5ms時(shí)測(cè)試占比為100%相對(duì)現(xiàn)網(wǎng)參數(shù)配置，配置1、4、7分別比現(xiàn)網(wǎng)提升了%。/%2 .RTP5包率提升明顯：現(xiàn)網(wǎng)cellSrPeriod配置為80ms時(shí)測(cè)試RTPS包率為，cellSrPeriod配置1為40ms時(shí)測(cè)試RTP丟包率為，cellSrPeriod配置4為20msM測(cè)試RTPS包率為，cellSrPeriod配置7為5ms時(shí)測(cè)試RTFS包率為；相對(duì)現(xiàn)網(wǎng)參數(shù)配置，配

7、置1、4、7分別比現(xiàn)網(wǎng)提升了，；3 .呼叫建立時(shí)延提升明顯：現(xiàn)網(wǎng)cellSrPeriod配置為80ms時(shí)測(cè)試呼叫建立時(shí)延為，cellSrPeriod配置1為40ms時(shí)測(cè)試呼叫建立時(shí)延為，cellSrPeriod配置4為20ms時(shí)測(cè)試呼叫建立時(shí)延為，cellSrPeriod配置7為5ms時(shí)測(cè)試呼叫建立時(shí)延為；相對(duì)現(xiàn)網(wǎng)參數(shù)配置，配置1、4、7分別比現(xiàn)網(wǎng)提升了，；4 .RTP抖動(dòng)提升明顯：現(xiàn)網(wǎng)cellSrPeriod配置為80ms時(shí)測(cè)試RTP抖動(dòng)為，cellSrPeriod配置1為40msM測(cè)試RTP4動(dòng)為（受掉話(huà)影響出現(xiàn)波動(dòng)劣化），cellSrPeriod配置4為20ms時(shí)測(cè)試RT吶動(dòng)為，cell

8、SrPeriod配置7為5ms時(shí)測(cè)試RT吶動(dòng)為；5 .其他指標(biāo)正常無(wú)明顯異常變化：因無(wú)eSRVCCU換，eSRVCCU換成功率指標(biāo)不做列述。其他注冊(cè)成功率、覆蓋率、平均RSRP接通率等指標(biāo)變化不大，都在正常范圍內(nèi)波動(dòng)；6 .cellSrPeriod調(diào)整建議：從驗(yàn)證對(duì)比統(tǒng)計(jì)看，cellSrPeriod調(diào)度周期越小MOS/RT丟包/抖動(dòng)等指標(biāo)越好，但隨著網(wǎng)絡(luò)用戶(hù)的不斷增多對(duì)用戶(hù)調(diào)度會(huì)有一定影響，因此cellSrPeriod參數(shù)建議調(diào)整設(shè)置為20msdrxProfile2drxLongCycle參數(shù)試驗(yàn)本次選取cellSrPeriod參數(shù)試驗(yàn)設(shè)置為20ms時(shí)的Drx參數(shù)按配置4、5和6進(jìn)行對(duì)比分析，

9、三次參數(shù)配置如下：參數(shù)名配置4配置5配置6cellSrPeriod20ms(2)20ms(2)20ms(2)qciTab1/drxProfileIndex221drxProfile2/drxLongCycle40ms(40)20ms(20)不設(shè)置Volte業(yè)務(wù)測(cè)試指標(biāo)參數(shù)配置MOS均值占比RTP丟包率RTP4動(dòng)呼叫建立時(shí)延接通率掉話(huà)率IMS注冊(cè)成功率LTE覆蓋率(RSRP>=-110andSINR>=-3)平均RSRP平均SINR配置4%100%0%100%配置5%100%0%100%配置6%100%0%100%配置5和配置4對(duì)比%-配置6和配置4對(duì)比%-本次測(cè)試配置5出現(xiàn)正常的波

10、動(dòng)，導(dǎo)致丟包率和RTPM動(dòng)比配置4有所劣化說(shuō)明：橫軸括號(hào)中的數(shù)值分別為cellSrPeriod和drxProfile2/drxLongCycle的試驗(yàn)值測(cè)試對(duì)比結(jié)論：1 .占比/MOSi勻值提升明顯：現(xiàn)網(wǎng)drxProfile2drxLongCycle配置4為40ms測(cè)試占比為/MOS?值為，drxProfile2drxLongCycle配置5為20ms測(cè)試占比為/乂。母勻值為，drxProfile2drxLongCycle配置6為關(guān)閉drx測(cè)試占比為加。覲值為；2 .RTP丟包率/RTP抖動(dòng)略有波動(dòng)效果不明顯：現(xiàn)網(wǎng)drxProfile2drxLongCycle配置4為40ms測(cè)試RTP

11、4;包率為/RT*動(dòng)為，drxProfile2drxLongCycle配置5為20ms測(cè)試RTP®包率為/RT*動(dòng)為，drxProfile2drxLongCycle配置6為關(guān)閉drx測(cè)試RTP®包率為%/RTP4動(dòng)為；3 .其他指標(biāo)正常無(wú)明顯異常變化：其他注冊(cè)成功率、覆蓋率、平均RSRP接通率等指標(biāo)變化不大，都在正常范圍內(nèi)波動(dòng)；4 .drxProfile2drxLongCycle調(diào)整建議：從對(duì)比統(tǒng)計(jì)看，drxProfile2drxLongCycle越小MOS指標(biāo)越好，但關(guān)閉drx會(huì)導(dǎo)致UE終端的耗電量增加，因此drxProfile2drxLongCycle參數(shù)建議調(diào)整設(shè)置為

12、20ms參數(shù)組合指標(biāo)情況對(duì)本次修改的參數(shù)組合進(jìn)行總體的指標(biāo)對(duì)比，指標(biāo)如下:參數(shù)名現(xiàn)網(wǎng)配置配置1配置2配置3配置4配置5配置6配置7配置8配置9cellSrPeriod80ms(4)40ms(3)40ms(3)40ms(3)20ms(2)20ms(2)20ms(2)5ms(0)5ms(0)5ms(0)qciTabl/drxProfilelndex2221221221drxProfile2/drxLongCycle40ms(40)40ms(40)20ms(20)不設(shè)置40ms(40)20ms(20)不設(shè)置40ms(40)20ms(20)不設(shè)置MO弱值占比%100%RTP丟包率RTP抖動(dòng)呼叫建立時(shí)延

13、接通率100%100%100%100%100%100%100%100%100%100%掉話(huà)率%IMS注冊(cè)成功率100%100%100%100%100%100%100%100%100%100%LTE覆蓋率(RSRP>=-110andSINR>=-3)%99%平均RSRP平均SINR下面按照cellSrPeriod參數(shù)的設(shè)置劃分為4個(gè)區(qū)間，區(qū)間內(nèi)cellSrPeriod參數(shù)一致，drxProfile2/drxLongCycle參數(shù)分別為40,20和關(guān)閉，橫軸括號(hào)中的數(shù)值分別為cellSrPeriod和drxProfile2/drxLongCycle的值，對(duì)比分析如下:9種配置下MOS勻

14、值和MOS占比變化趨勢(shì)：MOS均值和MQ53.。占比由上圖可知：隨著cellSrPeriod的減小，每區(qū)間的MOS勻值分別為：、，MOS占比分別為：%配置1指標(biāo)異常）、%MO羽占比均呈提升趨勢(shì)；在區(qū)間內(nèi)，隨著drxProfile2drxLongCycle的減小或關(guān)閉，MOS口占比也基本呈提升趨勢(shì)；另外，配置7、8、9經(jīng)過(guò)多次驗(yàn)證測(cè)試，會(huì)有波動(dòng)的情況。9種配置下RTP丟包率和抖動(dòng)變化趨勢(shì)：RTP丟包率和*動(dòng)說(shuō)明：橫軸括號(hào)中的數(shù)值分別為cellSrPeriod和drxProfile2/drxLongCycle的試驗(yàn)值由上圖可知：隨著cellSrPeriod的減小，每區(qū)間的RTP丟包率均值分別為：%

15、抖動(dòng)分別為：，、，丟包率和抖動(dòng)值呈降低趨勢(shì)；在區(qū)間內(nèi)，隨著drxProfile2drxLongCycle的減小或關(guān)閉，丟包率和抖動(dòng)值也基本呈降低趨勢(shì);另外，配置7、8、9經(jīng)過(guò)多次驗(yàn)證測(cè)試，會(huì)有波動(dòng)情況。9種配置下呼叫建立時(shí)延變化趨勢(shì)：由上圖可知：隨著cellSrPeriod的減小，每區(qū)間的呼叫建立時(shí)延分別為：，、，呼叫建立時(shí)延呈減小趨勢(shì)；在區(qū)間內(nèi)，隨著drxProfile2drxLongCycle的減小或關(guān)閉，呼叫建立時(shí)延也基本呈減小趨勢(shì)；另外，配置7、8、9經(jīng)過(guò)多次驗(yàn)證測(cè)試，會(huì)有波動(dòng)。4.參數(shù)調(diào)整試驗(yàn)總結(jié)及建議試驗(yàn)總結(jié)1 .隨著cellSrPeriod參數(shù)的減小，MOS勻值、占比、丟包率、抖動(dòng)、呼叫建立時(shí)延等指標(biāo)呈改善提升趨勢(shì)。各種參數(shù)設(shè)置測(cè)試指標(biāo)對(duì)比：20ms對(duì)比40m65ms對(duì)比20msMOS占比分別提升%呼叫建立時(shí)延分別提升0%RTP丟包率分別提升,%參數(shù)設(shè)置為5ms每次指標(biāo)會(huì)有波動(dòng)。2 .隨著drxProfile2drxLongCycle參數(shù)的減小或關(guān)閉，MOS勻值、占比、丟包率、抖動(dòng)、呼叫建立時(shí)延呈改善提升趨勢(shì)。各種參數(shù)設(shè)置測(cè)試指標(biāo)對(duì)比：20ms對(duì)比40ms關(guān)閉drx對(duì)比20msiMOS占比分別提