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1、精選優(yōu)質文檔-傾情為你奉上第二章 光纖通信參考答案11. 半導體激光器發(fā)射光子的能量近似等于材料的禁帶寬度，已知GaAs材料的Eg=1.43eV，某一InGaAsP材料的Eg=0.96eV，求它們的發(fā)射波長。(eV是能量單位，表示一個電子在1伏特電壓差下所具有的能量)解： InGaAsP材料，12. 一半導體激光器，諧振腔長L=300m，工作物質的損耗系數=1mm-1，諧振腔兩端鏡面的反射率R1R2=0.33×0.33，求激光器的閾值增益系統(tǒng)th。若后鏡面的反射率提高到R2=1，求閾值時的增益以及閾值電流的變化。解： R2=1時，閾值電流變小13. 一半導體激光器，閾值電流， ， ，

2、注入幅度為90mA的階躍電流脈沖，求：瞬態(tài)過程中張弛震蕩的頻率和衰減時間；電光延遲時間解：震蕩的角頻率 衰減系數 ，衰減時間 電光延遲時間 16.對于雙異質結激光器，為自發(fā)復合的壽命時間，自發(fā)輻射速率。求解穩(wěn)態(tài)速率方程組，證明下列關系式是其穩(wěn)態(tài)解。（1）當 （2）當解：速率方程組為達到穩(wěn)態(tài)時，可以寫為其中， 和 分別表示電子密度和光子密度的穩(wěn)態(tài)值。時，受激復合與自發(fā)復合項相比較小，光場很弱，有，則有因此有時，有，當激光器激射以后，受激輻射占主導地位，通常很小，大約為 量級，因而可以忽略自發(fā)復合項，即有因此有表明激光器達到閾值以后，增益函數達到飽和，不再隨注入電流而變化。而增益函數的飽和說明腔內電子密度被鎖定在飽和值，因而使自發(fā)發(fā)射速率也達到飽和。時，因為g飽和，故有兩個式子相加并忽略自發(fā)復合項后，有將代入后得到 因此有1.已知某LD 的特征溫度為720K（開氏溫度），而且在20 0C 時，閾值電流Ith=

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