晶閘管,場(chǎng)效應(yīng)管

1、常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管常常 用用 電電 子子 元元 器器 件件 - -二極管二極管常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用場(chǎng)合？晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用場(chǎng)合？晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)命名？晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)命名？晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管表示符號(hào)？晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管表示符號(hào)？晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)？晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)？晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管的種類？晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管的種類？晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方法？晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方法？資訊：資訊：常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管 常用電子元器

2、件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管G P1P2N1N2常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管P1P2N1N2K GAKA T2T1_P2N1N2IGIAP1N1P2IKGPPNNNPAGK常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管 T1T2G2Bii 1BG22Ciii 在極短時(shí)間內(nèi)使兩在極短時(shí)間內(nèi)使兩個(gè)三極管均飽和導(dǎo)通，個(gè)三極管均飽和導(dǎo)通，此過程稱觸發(fā)導(dǎo)通。此過程稱觸發(fā)導(dǎo)通。211CCii 2BG21ii EGEA+_RGi2BiG21iG2i常用電子元器

3、件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管GEA+_R T1T2Gi2BiGi21Gi2EGG2Bii 1BG22Ciii 211CCii 2BG21ii 常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管 必須使可控硅陽(yáng)極電流減小必須使可控硅陽(yáng)極電流減小, ,直到直到正反饋正反饋效應(yīng)不能維效應(yīng)不能維持。持。 將陽(yáng)極電源斷開或者在晶閘管的將陽(yáng)極電源斷開或者在晶閘管的常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管 ( (1)1)反向阻斷：晶閘管加反向電壓（即陽(yáng)極反向阻斷：晶閘管加反向電壓（即陽(yáng)極a a接電源接電源負(fù)極，陰極負(fù)極，陰極b b接正極），

4、晶閘管不導(dǎo)通。接正極），晶閘管不導(dǎo)通。k+LUgsga-反向阻斷反向阻斷常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管k+LUgga-S正向阻斷正向阻斷(2)(2)正向阻斷：晶閘管加正向電壓（即陽(yáng)極正向阻斷：晶閘管加正向電壓（即陽(yáng)極a a接電源正極，陰極接電源正極，陰極b b接接負(fù)極），但開關(guān)負(fù)極），但開關(guān)S S斷開時(shí)，控制極斷開時(shí)，控制極g g無觸發(fā)電壓，燈不亮，說明晶無觸發(fā)電壓，燈不亮，說明晶閘管不導(dǎo)通。閘管不導(dǎo)通。常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管k+LUgga-S觸發(fā)導(dǎo)通觸發(fā)導(dǎo)通(3)(3)觸發(fā)導(dǎo)通：晶閘管加正向電壓，且開關(guān)觸發(fā)導(dǎo)通：

5、晶閘管加正向電壓，且開關(guān)S S閉合，即在閉合，即在控制極控制極g g加正向觸發(fā)電壓，燈亮，說明晶閘管導(dǎo)通。加正向觸發(fā)電壓，燈亮，說明晶閘管導(dǎo)通。常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管（4 4）導(dǎo)通后控制失去控制作用）導(dǎo)通后控制失去控制作用一旦晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通后，即使將開關(guān)一旦晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通后，即使將開關(guān)S S斷開，移去觸發(fā)電斷開，移去觸發(fā)電壓，晶閘管仍保持導(dǎo)通狀態(tài)。要使晶閘管斷開，必須在陽(yáng)壓，晶閘管仍保持導(dǎo)通狀態(tài)。要使晶閘管斷開，必須在陽(yáng)極和陰極之間外加反向電壓，或者將正向電壓降低到一定極和陰極之間外加反向電壓，或者將正向電壓降低到一定數(shù)值，使流過晶閘管的電流很小而關(guān)

6、斷。數(shù)值，使流過晶閘管的電流很小而關(guān)斷。k+LUgga-S導(dǎo)通后控制極失控導(dǎo)通后控制極失控常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管額定電壓額定電壓, ,用百位或千位數(shù)表示用百位或千位數(shù)表示取取UFRM或或URRM較小者較小者額定正向平均電流額定正向平均電流( (IF) 晶閘管晶閘管K P普通型普通型如如KP5-7表示表示額定正向平均電流為額定正向平均電流為5A, ,額定電壓為額定電壓為700V。常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管的主要參數(shù)有：晶閘管的主要參數(shù)有：（1

7、）正向阻斷峰值電壓）正向阻斷峰值電壓VFRM在控制極開路和正向阻斷的條件下，允許重復(fù)加在晶閘管在控制極開路和正向阻斷的條件下，允許重復(fù)加在晶閘管兩端的正向峰值電壓，稱為正向阻斷峰值電壓。兩端的正向峰值電壓，稱為正向阻斷峰值電壓。（2）反向阻斷峰值電壓）反向阻斷峰值電壓VRRM在控制極開路時(shí)，允許重復(fù)加在晶閘管上的反向峰值電壓，在控制極開路時(shí)，允許重復(fù)加在晶閘管上的反向峰值電壓，稱為反向阻斷峰值電壓。稱為反向阻斷峰值電壓。VFRM和和VRRM在數(shù)值上一般相近，統(tǒng)稱為晶閘管的阻斷峰在數(shù)值上一般相近，統(tǒng)稱為晶閘管的阻斷峰值電壓。通常把其中較小的那個(gè)數(shù)值作為該型號(hào)器件上的額定值電壓。通常把其中較小的那

8、個(gè)數(shù)值作為該型號(hào)器件上的額定電壓值，用電壓值，用VN表示。表示。由于瞬時(shí)過電壓也會(huì)使晶閘管損壞，因此晶閘管的額定電由于瞬時(shí)過電壓也會(huì)使晶閘管損壞，因此晶閘管的額定電壓壓VN應(yīng)選為正常工作峰值電壓的應(yīng)選為正常工作峰值電壓的1.52倍，以確保安全。例如，倍，以確保安全。例如，如果用市電如果用市電 220 V向一個(gè)晶閘管供電，則應(yīng)選用標(biāo)稱額定電壓向一個(gè)晶閘管供電，則應(yīng)選用標(biāo)稱額定電壓VN值為值為 468625 V的晶閘管為宜。的晶閘管為宜。常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管（3）額定正向平均電流）額定正向平均電流IF在規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)散熱條件和環(huán)境溫度（在規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)散熱條件

9、和環(huán)境溫度（40C）下，晶閘管的陽(yáng)極和陰）下，晶閘管的陽(yáng)極和陰極間允許連續(xù)通過的工頻正弦半波電流的平均值，稱為額定正向平均電極間允許連續(xù)通過的工頻正弦半波電流的平均值，稱為額定正向平均電流。流。由于晶閘管的過載能力小，選用晶閘管的額定正向平均電流時(shí)，至由于晶閘管的過載能力小，選用晶閘管的額定正向平均電流時(shí)，至少應(yīng)大于正常工作平均電流的少應(yīng)大于正常工作平均電流的1.52倍，以留有一定的余地。倍，以留有一定的余地。（4）維持電流）維持電流IH在室溫下，控制極開路時(shí)，維持晶閘管繼續(xù)導(dǎo)通所必須的最小電流，在室溫下，控制極開路時(shí)，維持晶閘管繼續(xù)導(dǎo)通所必須的最小電流，稱為維持電流。當(dāng)正向電流小于稱為維持電

10、流。當(dāng)正向電流小于IH值時(shí)，晶閘管就自行關(guān)斷。值時(shí)，晶閘管就自行關(guān)斷。IH值一般值一般為幾十至一百多毫安。為幾十至一百多毫安。（5）控制極觸發(fā)電壓）控制極觸發(fā)電壓VG、觸發(fā)電流、觸發(fā)電流IG在室溫下，陽(yáng)極加正向電壓為直流在室溫下，陽(yáng)極加正向電壓為直流6V時(shí)，使晶閘管由阻斷變?yōu)閷?dǎo)通時(shí)，使晶閘管由阻斷變?yōu)閷?dǎo)通所需要的最小控制極電壓和電流，稱為控制極觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流。所需要的最小控制極電壓和電流，稱為控制極觸發(fā)電壓和觸發(fā)電流。VG一般為一般為3.55V，IG約為幾十至幾百毫安。實(shí)際應(yīng)用時(shí)，加到控制極的觸約為幾十至幾百毫安。實(shí)際應(yīng)用時(shí)，加到控制極的觸發(fā)電壓和電流應(yīng)比額定值稍微大點(diǎn)，以保證可靠觸發(fā)。發(fā)

11、電壓和電流應(yīng)比額定值稍微大點(diǎn)，以保證可靠觸發(fā)。 常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管A1A2G應(yīng)用：燈光的控制，溫度的調(diào)整）應(yīng)用：燈光的控制，溫度的調(diào)整）常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管可以在可以在 400Hz400Hz以上頻率工作的晶閘管。視電流容量大以上頻率工作的晶閘管。視電流容量大小，其開通時(shí)間為小，其開通時(shí)間為4 48 8微秒，關(guān)斷時(shí)間為微秒，關(guān)斷時(shí)間為10106060微秒微秒。主要用于較高頻率的整流、逆變和變頻電路，如激。主要用于較高頻率的整流、逆變和變頻

12、電路，如激光電源，電脈沖加工電源的電路中）光電源，電脈沖加工電源的電路中） 常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管但可以通過在門極施加負(fù)脈沖使其關(guān)斷，因而屬于全但可以通過在門極施加負(fù)脈沖使其關(guān)斷，因而屬于全控型器件，它能彌補(bǔ)普通晶闡管一旦導(dǎo)通后，門極失控型器件，它能彌補(bǔ)普通晶闡管一旦導(dǎo)通后，門極失去控制作用的不足，能很方便地控制通和斷去控制作用的不足，能很方便地控制通和斷應(yīng)用：做無觸點(diǎn)開關(guān)。應(yīng)用：做無觸點(diǎn)開關(guān)。常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管門極可關(guān)斷晶閘管（門極可關(guān)斷晶閘管（Gate-Turn-Off ThyristorGTO）也

13、）也是晶閘管（是晶閘管（Thyristor）的一種派生器件，但可以通過在門）的一種派生器件，但可以通過在門極施加負(fù)脈沖使其關(guān)斷，因而屬于全控型器件；它和普通極施加負(fù)脈沖使其關(guān)斷，因而屬于全控型器件；它和普通晶閘管一樣，也是晶閘管一樣，也是PNPN四層結(jié)構(gòu)，外部引出三個(gè)極，陽(yáng)四層結(jié)構(gòu)，外部引出三個(gè)極，陽(yáng)極，陰極和門極；工作條件同普通晶閘管；其主要用于兆極，陰極和門極；工作條件同普通晶閘管；其主要用于兆瓦級(jí)以上的大功率場(chǎng)合。瓦級(jí)以上的大功率場(chǎng)合。 常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管萬(wàn)用表測(cè)試晶閘管萬(wàn)用表測(cè)試晶閘管1.晶閘管極性的判斷晶閘管極性的判斷對(duì)晶閘管的電極有的

14、可從外形封裝加以判斷。如外殼就對(duì)晶閘管的電極有的可從外形封裝加以判斷。如外殼就是陽(yáng)極，陰極引線比門極引線長(zhǎng)。是陽(yáng)極，陰極引線比門極引線長(zhǎng)。從外形無法判斷時(shí)，就可以用萬(wàn)用表判斷。從外形無法判斷時(shí)，就可以用萬(wàn)用表判斷。常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管 將萬(wàn)用表?yè)苤翆⑷f(wàn)用表?yè)苤罵 R* *1 1或或R R* *100100檔，分別測(cè)量各引腳檔，分別測(cè)量各引腳間的正反向電阻，如測(cè)得某兩引腳之間的電阻較大，間的正反向電阻，如測(cè)得某兩引腳之間的電阻較大，（約（約80K80K）左右，再將兩表筆對(duì)調(diào)，重新測(cè)這兩引腳）左右，再將兩表筆對(duì)調(diào)，重新測(cè)這兩引腳之間的電阻，如阻值較小（

15、大約之間的電阻，如阻值較?。ù蠹s2K2K）左右，這時(shí)黑）左右，這時(shí)黑表筆所接觸的引腳為門極表筆所接觸的引腳為門極G G，紅表筆所接觸的引腳為，紅表筆所接觸的引腳為陰極，剩余的一個(gè)引腳就是陽(yáng)極。陰極，剩余的一個(gè)引腳就是陽(yáng)極。 在測(cè)量中如正反向電阻都很大，則應(yīng)更換引腳在測(cè)量中如正反向電阻都很大，則應(yīng)更換引腳位置重新測(cè)量，直到出現(xiàn)上述的情況為止。位置重新測(cè)量，直到出現(xiàn)上述的情況為止。常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect TransistorField Effect Transistor縮寫縮寫(FET)(FET)）簡(jiǎn)

16、稱場(chǎng)效應(yīng)管）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管. .由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電, ,也稱為也稱為單極型晶體管單極型晶體管. .它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件. .特點(diǎn)特點(diǎn): :具有輸入電阻高（具有輸入電阻高（10000000010000000010000000001000000000）、）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)?、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)?、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn), ,現(xiàn)已成現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者. .常用電子元器件常用

17、電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管作用作用: :場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大. .由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高抗很高, ,因此耦合電容可以容量較小因此耦合電容可以容量較小, ,不必使用電解電容器不必使用電解電容器. .場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān). .場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換. .常用于常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換. .場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻

18、阻. .場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源. . 常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管MOS場(chǎng)效應(yīng)管有兩種場(chǎng)效應(yīng)管有兩種:常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管N基底基底 ：N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體PP兩邊是兩邊是P區(qū)區(qū)G(柵極柵極)S源極源極D漏極漏極一、結(jié)構(gòu)一、結(jié)構(gòu)1.5.1 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管:導(dǎo)電溝道導(dǎo)電溝道常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管NPPG(柵極柵極)S源極源極D漏極漏極N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)

19、管DGSDGS常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管PNNG(柵極柵極)S源極源極D漏極漏極P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管DGSDGS常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管:一、結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)一、結(jié)構(gòu)和電路符號(hào)PNNGSDP型基底型基底兩個(gè)兩個(gè)N區(qū)區(qū)SiO2絕緣層絕緣層導(dǎo)電溝道導(dǎo)電溝道金屬鋁金屬鋁GSDN溝道增強(qiáng)型溝道增強(qiáng)型常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管N 溝道耗盡型溝道耗盡型PNNGSD預(yù)埋了導(dǎo)預(yù)埋了導(dǎo)電溝道電溝道 GSD常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)

20、管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管NPPGSDGSDP 溝道增強(qiáng)型溝道增強(qiáng)型常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管P 溝道耗盡型溝道耗盡型NPPGSDGSD預(yù)埋了導(dǎo)電溝道預(yù)埋了導(dǎo)電溝道 常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)1性能參數(shù)性能參數(shù)（1）開啟電壓）開啟電壓UGS(th)和夾斷電壓和夾斷電壓UGS(off)它指它指uDS一定時(shí)，使漏極電流一定時(shí)，使漏極電流iD等于某一微小電流時(shí)柵、等于某一微小電流時(shí)柵、源之間所加的電壓源之間所加的電壓uGS，對(duì)于增強(qiáng)型，對(duì)于增強(qiáng)型MOS管稱為開啟電壓管稱為開啟電壓UGS(th)

21、，對(duì)于耗盡型，對(duì)于耗盡型MOS管稱為夾斷電壓管稱為夾斷電壓UGS(off)。（2）飽和漏極電流）飽和漏極電流IDSS它是耗盡型管子的參數(shù)，指工作在飽和區(qū)的耗盡型場(chǎng)效應(yīng)它是耗盡型管子的參數(shù)，指工作在飽和區(qū)的耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管在管在uGS0時(shí)的飽和漏極電流。時(shí)的飽和漏極電流。常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管（3）直流輸入電阻）直流輸入電阻RGS指漏、源極間短路時(shí)，柵、源之間所加直流電壓與柵極直指漏、源極間短路時(shí)，柵、源之間所加直流電壓與柵極直流電流之比。一般流電流之比。一般JFET的的RGS，而，而MOS管的管的RGS。（4）低頻跨導(dǎo)）低頻跨導(dǎo)(互導(dǎo)互導(dǎo))gm當(dāng)當(dāng)uD

22、S為某定值時(shí)，漏極電流為某定值時(shí)，漏極電流iD的變化量和引起它變化的的變化量和引起它變化的uGS變化量之比，即變化量之比，即 常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管2極限參數(shù)極限參數(shù)（1）最大漏極電流）最大漏極電流IDM IDM是指管子在工作時(shí)允許的最大漏極電流。是指管子在工作時(shí)允許的最大漏極電流。（2）最大耗散功率）最大耗散功率PDM 最大耗散功率最大耗散功率PDMuDS iD，其值受管子的最高工作溫，其值受管子的最高工作溫度的限制。度的限制。（3）漏源擊穿電壓）漏源擊穿電壓U（BR）DS 它是漏、源極間所能承受的最大電壓，即它是漏、源極間所能承受的最大電壓，即u

23、DS增大到使增大到使iD開始急劇上升開始急劇上升(管子擊穿管子擊穿)時(shí)的時(shí)的uDS值。值。（4）柵源擊穿電壓）柵源擊穿電壓U（BR）GS 它是指柵、源極間所能承受的最大電壓。它是指柵、源極間所能承受的最大電壓。uGS值超過此值值超過此值時(shí)，柵源間發(fā)生擊穿。時(shí)，柵源間發(fā)生擊穿。常用電子元器件常用電子元器件- -晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管晶閘管，場(chǎng)效應(yīng)管1.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極的判斷結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極的判斷2. 場(chǎng)效應(yīng)晶體管好壞的判斷場(chǎng)效應(yīng)晶體管好壞的判斷 先用先用MF10型萬(wàn)用表型萬(wàn)用表R*100K擋（內(nèi)置有擋（內(nèi)置有15V電池），電池），把負(fù)表筆（黑）接?xùn)艠O（把負(fù)表筆（黑）接?xùn)艠O（G），正表筆（紅）接源極），正表筆（紅）接源極（S）。給柵、源極之間充電，此時(shí)萬(wàn)用表指針有輕微）。給柵、源極之間充電，此時(shí)萬(wàn)用表指針有輕微偏轉(zhuǎn)。再該用萬(wàn)用表偏轉(zhuǎn)。再該用萬(wàn)用表R*1擋，將負(fù)表筆接漏極（擋，將負(fù)表筆接漏極（D），），正表筆接源極（正表筆接源極（S），萬(wàn)用表指示值若為幾歐姆，則說），萬(wàn)用表指示值若為幾歐姆，則說明場(chǎng)效應(yīng)管是好的。明場(chǎng)效應(yīng)管是好的。常