第三章 門電路ppt課件

1、第三章第三章 門電路門電路現(xiàn)代數(shù)字集成電路，就是在半導(dǎo)體硅一類材料的芯片上，現(xiàn)代數(shù)字集成電路，就是在半導(dǎo)體硅一類材料的芯片上，用特殊工藝制造出大量晶體管，同時布上適當(dāng)?shù)倪B線，用特殊工藝制造出大量晶體管，同時布上適當(dāng)?shù)倪B線，再經(jīng)測試和封裝而成。再經(jīng)測試和封裝而成。數(shù)字集成電路中晶體管工作在開關(guān)狀態(tài)數(shù)字集成電路中晶體管工作在開關(guān)狀態(tài)模擬電路中晶體管工作在線性狀態(tài)模擬電路中晶體管工作在線性狀態(tài)3-1 晶體管的開關(guān)特性及反相器晶體管的開關(guān)特性及反相器二極管二極管三極管三極管一、二極管開關(guān)特性一、二極管開關(guān)特性正向閾值正向閾值對硅管約為對硅管約為0.70.8V對鍺管約為對鍺管約為0.3V1、二極管特點(diǎn)、

2、二極管特點(diǎn)二極管的近似特性曲線二極管的近似特性曲線導(dǎo)通區(qū)導(dǎo)通區(qū)：導(dǎo)通內(nèi)阻，約數(shù)十歐導(dǎo)通內(nèi)阻，約數(shù)十歐截止區(qū)截止區(qū)：反向內(nèi)阻，約數(shù)百歐反向內(nèi)阻，約數(shù)百歐反向擊穿區(qū)反向擊穿區(qū)：擊穿內(nèi)阻，約數(shù)歐擊穿內(nèi)阻，約數(shù)歐DRLFFVIFKFRVLI(1)(1)加正向電壓加正向電壓VFVF時，二極管導(dǎo)通，管壓降時，二極管導(dǎo)通，管壓降VDVD可忽略。二極可忽略。二極 管相當(dāng)于一個閉合的開關(guān)。管相當(dāng)于一個閉合的開關(guān)。 可見，二極管在電路中表現(xiàn)為一個受外加電壓可見，二極管在電路中表現(xiàn)為一個受外加電壓vivi控制的開關(guān)。當(dāng)外加電壓控制的開關(guān)。當(dāng)外加電壓vivi為一脈沖信號時，二極管為一脈沖信號時，二極管將隨著脈沖電壓的

3、變化在將隨著脈沖電壓的變化在“開態(tài)與開態(tài)與“關(guān)態(tài)之間轉(zhuǎn)換。關(guān)態(tài)之間轉(zhuǎn)換。LKVRRDLRVSRI(2)(2)加反向電壓加反向電壓VRVR時，二極管截止，反向電流時，二極管截止，反向電流ISIS可忽略。可忽略。 二極管相當(dāng)于一個斷開的開關(guān)。二極管相當(dāng)于一個斷開的開關(guān)。2、肖特基二極管、肖特基二極管肖特基二極管是一種專門肖特基二極管是一種專門設(shè)計(jì)的、開關(guān)時間極短的設(shè)計(jì)的、開關(guān)時間極短的二極管，開關(guān)時間二極管，開關(guān)時間trr僅為僅為100ps。另外，肖特基二極管的正向閾值電壓另外，肖特基二極管的正向閾值電壓Vth約為約為0.3V，也比，也比硅管的低硅管的低1、晶體管特性、晶體管特性二、二、 三極管三

4、極管(BJT)的開關(guān)特性的開關(guān)特性BESV0.70.8V 硅管硅管0.3V 鍺管鍺管兩個兩個PN結(jié)都是正偏的結(jié)都是正偏的0.3V0.1V0.8V0.3VCESV0.3V 硅管硅管0.1V 鍺管鍺管三極管飽和時：三極管飽和時：飽和晶體管的等效電路飽和晶體管的等效電路BCEBESVCESVBCE忽略飽和壓降忽略飽和壓降三極管截止時等效電路：三極管截止時等效電路：CBOICBECBE忽略忽略ICBO三、場效應(yīng)管三、場效應(yīng)管FET開關(guān)開關(guān)結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管J-FET）：用于分立的脈沖電路及）：用于分立的脈沖電路及 模擬集成電路模擬集成電路金屬氧化物半導(dǎo)體金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管場效應(yīng)管MOS-F

5、ET）：用于數(shù)字集成電路）：用于數(shù)字集成電路常用的常用的N溝道增強(qiáng)型溝道增強(qiáng)型MOS管構(gòu)成的反向器管構(gòu)成的反向器反向器的傳輸時延反向器的傳輸時延pdt不論是晶體管或是場效應(yīng)管的開關(guān)電路，當(dāng)計(jì)及分布電容及不論是晶體管或是場效應(yīng)管的開關(guān)電路，當(dāng)計(jì)及分布電容及管子的開關(guān)惰性后，電路的輸入、輸出波形都不可能躍變，管子的開關(guān)惰性后，電路的輸入、輸出波形都不可能躍變，而且輸出總是滯后于輸入。而且輸出總是滯后于輸入。反向器的平均時延為：反向器的平均時延為：2pLHpHLpdttt第二節(jié)第二節(jié) 早期門電路早期門電路一、二極管門電路一、二極管門電路二極管門電路的缺點(diǎn)：二極管門電路的缺點(diǎn)：1、與門的輸出低電平要上

6、浮、與門的輸出低電平要上浮0.7V, 而或門的輸出高電平要下移而或門的輸出高電平要下移0.7V 不利于實(shí)行多級邏輯運(yùn)算不利于實(shí)行多級邏輯運(yùn)算2、輸出缺乏驅(qū)動能力，負(fù)載的接入將、輸出缺乏驅(qū)動能力，負(fù)載的接入將 進(jìn)一步影響輸出電平進(jìn)一步影響輸出電平 改善的方法是改善的方法是 后面接一反向緩沖器后面接一反向緩沖器二、二極管晶體管邏輯門二、二極管晶體管邏輯門DTL）與門與門非門非門當(dāng)輸出當(dāng)輸出F為高電平時，后接的同類為高電平時，后接的同類DTL負(fù)載門不會對輸出負(fù)載門不會對輸出F高電平造成負(fù)擔(dān)，因?yàn)檫@時負(fù)載門的輸入二極管是截止的高電平造成負(fù)擔(dān)，因?yàn)檫@時負(fù)載門的輸入二極管是截止的缺點(diǎn)：因?yàn)轱柡凸艿南r間

7、長，門的傳輸時延大，可達(dá)缺點(diǎn)：因?yàn)轱柡凸艿南r間長，門的傳輸時延大，可達(dá)25ns無源上拉電無源上拉電阻輸出阻輸出三、電阻晶體管邏輯門三、電阻晶體管邏輯門RTL）或非門或非門非門非門無源上拉無源上拉電阻輸出電阻輸出無源上拉電阻輸出：無源上拉電阻輸出：輸出低電平時為低內(nèi)阻，輸出高電平時為高內(nèi)阻輸出低電平時為低內(nèi)阻，輸出高電平時為高內(nèi)阻因而，這類門在輸出高電平時負(fù)載能力差，能帶動同類門的因而，這類門在輸出高電平時負(fù)載能力差，能帶動同類門的數(shù)目少數(shù)目少3-3 晶體管晶體管邏輯門晶體管晶體管邏輯門TTL）早期門電路：由分立的晶體管和電阻、二極管等構(gòu)成，體積早期門電路：由分立的晶體管和電阻、二極管等構(gòu)成

8、，體積 較大，性能不夠理想較大，性能不夠理想混合集成電路：可以部分集成，體積有所縮小，性能得到混合集成電路：可以部分集成，體積有所縮小，性能得到 改進(jìn)改進(jìn)集成邏輯門：所有元器件，連同相應(yīng)布線，都可集成在一集成邏輯門：所有元器件，連同相應(yīng)布線，都可集成在一 小片硅芯片上，形成真正的集成邏輯門，即小片硅芯片上，形成真正的集成邏輯門，即 集成塊集成塊IC）1、標(biāo)準(zhǔn)型、標(biāo)準(zhǔn)型TTL門電路門電路TTL與非門的基本結(jié)構(gòu)與非門的基本結(jié)構(gòu)+VV12312312313DTR輸入級輸出級中間級T4Tc22R3b1BRc4Aoe211k1.6kVc2TCCVR（+5V）e24k130以以2輸入與非門輸入與非門（1/

9、4 7400)為代表為代表2、快速型和低功耗型、快速型和低功耗型TTL門電路門電路H-TTL及及L-TTL）改進(jìn)方法：改進(jìn)方法：（1）、降低電阻值改善）、降低電阻值改善 管子的開關(guān)速度管子的開關(guān)速度（2）、用達(dá)林頓對管）、用達(dá)林頓對管T3-T4代代 替替T4-D3管，使輸出高管，使輸出高 電平時內(nèi)阻進(jìn)一步減小，電平時內(nèi)阻進(jìn)一步減小， 增加了輸出拉電流增加了輸出拉電流H-TTLL-TTL（1省去了保護(hù)二極管省去了保護(hù)二極管 D1、D2（2增加了電阻值，使：增加了電阻值，使：kR401kR202 5003RkR124門的功耗降到門的功耗降到1mW,但傳輸時延卻延長到但傳輸時延卻延長到30ns 以上

10、以上3、肖特基型、肖特基型TTL門電路門電路S-TTL)利用肖特基管利用肖特基管SBD)作為抗飽和措施，推出了速度更快作為抗飽和措施，推出了速度更快的肖特基型的肖特基型TTL電路電路4、低功耗型肖特基門電路、低功耗型肖特基門電路LS-TTL）將多發(fā)射極管將多發(fā)射極管T1改改成由肖特基二極管成由肖特基二極管D1、D2組成的與邏組成的與邏輯電路，以提高與操輯電路，以提高與操作速度作速度增加電阻值，增加電阻值，以降低功耗以降低功耗添入添入D5、D6，D6:可加速可加速T5的通導(dǎo)過程的通導(dǎo)過程D5:縮短縮短T3的截止過程的截止過程LS-TTL門的功耗為門的功耗為2mW，傳輸時延只有，傳輸時延只有10n

11、s近來又出現(xiàn)了先進(jìn)的肖特基型近來又出現(xiàn)了先進(jìn)的肖特基型AS-TTL和和 先進(jìn)的低功耗肖特基型先進(jìn)的低功耗肖特基型ALS-TTL）5、高速型、高速型TTL門電路門電路F-TTL)新措施的目的是：保持高速，降低輸入端的電流，新措施的目的是：保持高速，降低輸入端的電流，提高了驅(qū)動能力提高了驅(qū)動能力速度同最快的速度同最快的S-TTL,功耗僅為功耗僅為S-TTL的五分之一的五分之一二、二、TTL門電路的外部特性及參數(shù)門電路的外部特性及參數(shù)1、電壓轉(zhuǎn)換特性、噪聲容限及傳輸時延、電壓轉(zhuǎn)換特性、噪聲容限及傳輸時延電壓轉(zhuǎn)換特性又稱為電壓傳輸特性，它就是門的輸出電壓電壓轉(zhuǎn)換特性又稱為電壓傳輸特性，它就是門的輸出電

12、壓隨輸入電壓變化的曲線隨輸入電壓變化的曲線)(0Ivfv 74系列不同類型的系列不同類型的TTL與非門的轉(zhuǎn)換特性與非門的轉(zhuǎn)換特性轉(zhuǎn)換區(qū)轉(zhuǎn)換區(qū)maxILV輸入信號的關(guān)門截止電平輸入信號的關(guān)門截止電平OFFVminIHV開門導(dǎo)通電平開門導(dǎo)通電平ONV轉(zhuǎn)換區(qū)轉(zhuǎn)換區(qū)門的輸入閾值電平門的輸入閾值電平Vth: 曲線轉(zhuǎn)折的中點(diǎn)所對應(yīng)的輸入電壓曲線轉(zhuǎn)折的中點(diǎn)所對應(yīng)的輸入電壓對對LS型約為型約為1.0V 對對S型約為型約為1.3V 對對F型約為型約為1.5V 對標(biāo)準(zhǔn)型約為對標(biāo)準(zhǔn)型約為1.4V各類各類74系列系列TTL電路輸入、輸出電平的極限值電路輸入、輸出電平的極限值電流參數(shù)：流入為正，流出為負(fù)電流參數(shù)：流入為

13、正，流出為負(fù)OFFVONVTTL的門與門之間的級聯(lián)，必須滿足：的門與門之間的級聯(lián)，必須滿足：前級輸出邏輯電平，一定要落在后級輸入邏輯電平允許范圍前級輸出邏輯電平，一定要落在后級輸入邏輯電平允許范圍之內(nèi)，如之內(nèi)，如LS-TTL0.5V高電平噪聲容限高電平噪聲容限minminIHOHNHVVV低電平噪聲容限低電平噪聲容限maxmaxOLILNLVVV0.5VTTL電路電路54系列：軍用品，系列：軍用品， 工作溫度范圍工作溫度范圍C1255574系列：民用品工業(yè)用）系列：民用品工業(yè)用） 工作溫度范圍工作溫度范圍CC700溫度會使各參數(shù)發(fā)生變化，但總的變化不會超出圖示溫度會使各參數(shù)發(fā)生變化，但總的變化

14、不會超出圖示區(qū)域范圍區(qū)域范圍傳輸時延傳輸時延 ，用來說明輸出波形相對于輸入波形延遲，用來說明輸出波形相對于輸入波形延遲的概念的概念pdt2pLHpHLpdttt2、輸入、輸出特性和扇出系數(shù)、輸入、輸出特性和扇出系數(shù)門的輸入特性：門輸入端的電流門的輸入特性：門輸入端的電流 隨輸入電壓隨輸入電壓 的變化的變化 關(guān)系關(guān)系IiIv)(IIvfi TTL與非門多余輸入端的處理與非門多余輸入端的處理一般不讓多余的輸入端懸空，容易拾取干擾信號，一般不讓多余的輸入端懸空，容易拾取干擾信號，造成邏輯功能混亂造成邏輯功能混亂TTL門電路的輸出特性門電路的輸出特性當(dāng)前級門輸出為高電平時，當(dāng)前級門輸出為高電平時，截止

15、截止導(dǎo)通導(dǎo)通拉電流拉電流拉電流越大拉電流越大輸出高電平越低輸出高電平越低當(dāng)前級門輸出為低電平時，當(dāng)前級門輸出為低電平時，淺飽和淺飽和截止截止灌電流灌電流隨著灌電流的增大，隨著灌電流的增大，輸出低電平略有上升輸出低電平略有上升扇出系數(shù)：扇出系數(shù)： （反映負(fù)載能力強(qiáng)弱）（反映負(fù)載能力強(qiáng)弱）定義：門電路驅(qū)動同類門的數(shù)目。定義：門電路驅(qū)動同類門的數(shù)目。低電平時的扇出系數(shù)低電平時的扇出系數(shù)maxmaxILOLOLIINmaxOLI驅(qū)動門最大輸出低電平電流灌電流）驅(qū)動門最大輸出低電平電流灌電流）maxILI負(fù)載門最大低電平輸入電流負(fù)載門最大低電平輸入電流高電平時的扇出系數(shù)高電平時的扇出系數(shù)maxmaxIH

16、OHOHIINmaxOHI驅(qū)動門最大輸出高電平電流拉電流）驅(qū)動門最大輸出高電平電流拉電流）maxIHI負(fù)載門最大高電平輸入電流負(fù)載門最大高電平輸入電流兩個值以絕對值較小的作為門電路的標(biāo)稱扇出系數(shù)兩個值以絕對值較小的作為門電路的標(biāo)稱扇出系數(shù)標(biāo)準(zhǔn)型：標(biāo)準(zhǔn)型：10 S型：型：10 LS型：型：20 F型：型：33電源及功耗電源及功耗電源中的電流尖峰，會對整個數(shù)字系統(tǒng)造成干擾，必須對電源中的電流尖峰，會對整個數(shù)字系統(tǒng)造成干擾，必須對電源總線添加去耦措施：串接高頻電感或并接去耦電容電源總線添加去耦措施：串接高頻電感或并接去耦電容門截止時的功耗：門截止時的功耗：CCCCHHVIP 門導(dǎo)通時的功耗：門導(dǎo)通時

17、的功耗：CCCCLLVIP 平均功耗：平均功耗：)(21LHPPP三、三、TTL門的其他輸出、輸入結(jié)構(gòu)門的其他輸出、輸入結(jié)構(gòu)TTL門電路的輸出結(jié)構(gòu)門電路的輸出結(jié)構(gòu)為標(biāo)準(zhǔn)的圖騰柱電路為標(biāo)準(zhǔn)的圖騰柱電路 (推拉式輸出級）推拉式輸出級）導(dǎo)通導(dǎo)通高電平高電平截止截止截止截止低電平低電平導(dǎo)通導(dǎo)通若把兩門的輸出端并接起來若把兩門的輸出端并接起來高電平高電平低電平低電平導(dǎo)通導(dǎo)通導(dǎo)通導(dǎo)通由于兩門的輸出均呈現(xiàn)低阻由于兩門的輸出均呈現(xiàn)低阻抗，并接后的電流抗，并接后的電流 , 將大大將大大超過晶體管的允許值，而使超過晶體管的允許值，而使芯片燒壞。芯片燒壞。故嚴(yán)禁故嚴(yán)禁TTL圖騰柱輸出端圖騰柱輸出端并接使用并接使用允

18、許輸出端并聯(lián)工作的集電極開路輸出和三態(tài)輸出結(jié)構(gòu)允許輸出端并聯(lián)工作的集電極開路輸出和三態(tài)輸出結(jié)構(gòu)1、集電極開路門、集電極開路門OC門）門）TTL 2輸入或非門輸入或非門OC門）：門）：74LS020.3V0.3V1V1V截止截止截止截止截止截止外接上拉電阻，外接上拉電阻，使輸出使輸出F為高電平為高電平高電平高電平低電平低電平反向反向?qū)▽?dǎo)通導(dǎo)通導(dǎo)通低電平低電平電路功能：或非門電路功能：或非門BAF2、三態(tài)輸出門、三態(tài)輸出門3S門門)三種輸出狀態(tài)三種輸出狀態(tài)高電平高電平低電平低電平高阻輸出狀態(tài)高阻輸出狀態(tài)使能端使能端選通端選通端01截止截止截止截止電路的工作狀態(tài)完全電路的工作狀態(tài)完全受受A的控制，

19、的控制，AF 0.3V1.0V截止截止截止截止高電平高電平使能端使能端選通端選通端01截止截止截止截止高電平高電平導(dǎo)通導(dǎo)通導(dǎo)通導(dǎo)通低電平低電平使能端使能端選通端選通端10導(dǎo)通導(dǎo)通截止截止高內(nèi)阻高內(nèi)阻1.0V導(dǎo)通導(dǎo)通1.0V截止截止截止截止截止截止三態(tài)輸三態(tài)輸出標(biāo)記出標(biāo)記三態(tài)門的用途：三態(tài)門的用途：可將多個三態(tài)門的輸出并接到一可將多個三態(tài)門的輸出并接到一條總線條總線BUS上，實(shí)現(xiàn)多路信上，實(shí)現(xiàn)多路信號的串行傳送號的串行傳送利用四總線緩沖器，將四利用四總線緩沖器，將四路并行輸入數(shù)據(jù)路并行輸入數(shù)據(jù)D1、D2、D3、D4，變成串行數(shù)據(jù)出，變成串行數(shù)據(jù)出現(xiàn)在總線上，只要四個使現(xiàn)在總線上，只要四個使能信號

20、能信號C1、C2、C3、C4輪流為低電平即可輪流為低電平即可多總線結(jié)構(gòu)：多總線結(jié)構(gòu)：當(dāng)當(dāng)C=0時，左緩沖器被使能，使數(shù)據(jù)時，左緩沖器被使能，使數(shù)據(jù)A1A4傳到相應(yīng)總線傳到相應(yīng)總線F1F4上上當(dāng)當(dāng)C=1時，右緩沖器被使能，使數(shù)據(jù)時，右緩沖器被使能，使數(shù)據(jù)B1B4傳到相應(yīng)總線傳到相應(yīng)總線F1F4上上三態(tài)總線只能使多路輸入信號按序輸出，保證同一總線上三態(tài)總線只能使多路輸入信號按序輸出，保證同一總線上的三態(tài)門中，任一時刻總只有一個三態(tài)門能正常操作，而的三態(tài)門中，任一時刻總只有一個三態(tài)門能正常操作，而其余三態(tài)門都應(yīng)該處于高阻狀態(tài)其余三態(tài)門都應(yīng)該處于高阻狀態(tài)3、施密特輸入結(jié)構(gòu)、施密特輸入結(jié)構(gòu)電路的轉(zhuǎn)換特性

21、具有高、低兩個閾值電路的轉(zhuǎn)換特性具有高、低兩個閾值 及及 ，即有高、低，即有高、低兩個輸入轉(zhuǎn)換電平。兩個輸入轉(zhuǎn)換電平。thVthV普通單閾值反相器普通單閾值反相器施密特特性反相器施密特特性反相器這種電路專為慢輸入波形轉(zhuǎn)換這種電路專為慢輸入波形轉(zhuǎn)換成邏輯信號而設(shè)計(jì)的成邏輯信號而設(shè)計(jì)的雙閾值的轉(zhuǎn)換特性，稱為回雙閾值的轉(zhuǎn)換特性，稱為回差特性，也叫施密特觸發(fā)特差特性，也叫施密特觸發(fā)特性性四、其它功能的四、其它功能的TTL門電路門電路TTL商品門還有與或非門和異或門等商品門還有與或非門和異或門等CDABF商品的與或非門還有商品的與或非門還有3-3-2-2輸入的輸入的74LS54及及4-3-2-2輸入的輸

22、入的74LS641、2-2輸入與或非門輸入與或非門2、TTL異或門異或門商品的異或門還有：商品的異或門還有：74LS86、74LS136(OC)及及74LS386五、集成電路的封裝五、集成電路的封裝3-4 發(fā)射極耦合邏輯門發(fā)射極耦合邏輯門ECL）ECL：射極開路輸出特性：射極開路輸出特性增添線或邏輯功能增添線或邏輯功能3-5 集成注入邏輯集成注入邏輯IIL或或I2L）3-6 金屬氧化物半導(dǎo)體邏輯金屬氧化物半導(dǎo)體邏輯MOSL）MOS邏輯門的許多性能指標(biāo)達(dá)到甚至超過了邏輯門的許多性能指標(biāo)達(dá)到甚至超過了TTL電路，尤其在電路，尤其在大規(guī)模集成電路領(lǐng)域中，更顯出其功耗低、集成度高等優(yōu)點(diǎn)大規(guī)模集成電路領(lǐng)

23、域中，更顯出其功耗低、集成度高等優(yōu)點(diǎn)NMOS門電路：門電路：CMOS門電路：門電路：全由全由NMOS管構(gòu)成的門電路管構(gòu)成的門電路由由NMOS管和管和PMOS管構(gòu)成的門電路管構(gòu)成的門電路所以輸出為低電平。所以輸出為低電平。一、一、 NMOS門電路門電路1NMOS非門非門邏輯關(guān)系：（設(shè)兩管的開啟電壓為邏輯關(guān)系：（設(shè)兩管的開啟電壓為VT1=VT2=4VVT1=VT2=4V，且，且gm1gm1gm2 gm2 ）（1 1當(dāng)輸入當(dāng)輸入ViVi為高電平為高電平8V8V時，時，T1T1導(dǎo)通，導(dǎo)通，T2T2也導(dǎo)通。因?yàn)橐矊?dǎo)通。因?yàn)間m1gm1gm2gm2，所以兩管的導(dǎo)通電阻所以兩管的導(dǎo)通電阻RDS1RDS1RD

24、S2RDS2，輸出電壓為：，輸出電壓為： VVVT(+12V)DDo1Ti2VVVTo2T(+12V)i1DDVVoR(310k)DD(100200k)DS2(+12V)DS1RV1DDDS2DS1DS1OLVRRRV（2 2當(dāng)輸入當(dāng)輸入ViVi為低電平為低電平0V0V時，時，2 2NMOSNMOS門電路門電路（1 1與非門與非門AL=ABVB1TDD3T(+12V)T2VVVTo2T(+12V)i1DD T1截止，截止，T2導(dǎo)通。導(dǎo)通。 VO=VDD-VT=8V =VOH ，即輸出為高電，即輸出為高電平。平。 所以電路實(shí)現(xiàn)了非邏輯。所以電路實(shí)現(xiàn)了非邏輯。0101BLA0011輸輸 入入1110輸出輸出 與非真與非真值表值表（2或非門或非門BVL=A+BADD(+12V)3T2TT10101BLA0011輸輸 入入1000輸出輸出 或非真值或非真值表表二、互補(bǔ)二、互補(bǔ)MOS反相器反相器CMOS）兩管互為負(fù)載，故稱為互補(bǔ)兩管互為負(fù)載，故稱為互補(bǔ)MOS電路，因此在電路中見電路，因此在電路中見不到電阻不到電阻4000及及14000系列，稱為標(biāo)準(zhǔn)系列，系列，稱為標(biāo)準(zhǔn)系列，VDD可選可選318VHC及及AC等系列，等系列，VDD則可選則可選26V對于轉(zhuǎn)換閾值對于轉(zhuǎn)換閾值Vth：對標(biāo)準(zhǔn)系列或?qū)?biāo)準(zhǔn)系列或HC高速系列及高速系列及AC先進(jìn)系列），先進(jìn)系列），都是都是0.5VDD