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1、NAND FLASH 控制器K9F1208U0MNOR NAND 對(duì)比NORNAND容量1MB32MB16MB512MBXIP可片內(nèi)執(zhí)行不可擦除速度5s3ms寫(xiě)慢快讀快較快可靠性較高較低,需校驗(yàn)可擦除次數(shù)100001000001000001000000生命周期低,10%NAND10 NOR接口、體積與RAM相同I/O口訪問(wèn)控制隨機(jī)存儲(chǔ)串行訪問(wèn)編程簡(jiǎn)易度簡(jiǎn)單復(fù)雜,實(shí)現(xiàn)控制協(xié)議主要用途存放程序存放數(shù)據(jù)價(jià)格高低NAND FLASH 物理結(jié)構(gòu):K9F1208U0MK9F1208U0M 引腳定義硬件接口電路傳輸所有命令字,地址,數(shù)據(jù)軟件控制協(xié)議基本流程指令,數(shù)據(jù)通過(guò)I/O口傳輸,每次一字節(jié)操作示例:寫(xiě)入
2、一頁(yè)數(shù)據(jù)就緒/忙碌數(shù)據(jù)線命令字:80h代表寫(xiě)入頁(yè)操作要寫(xiě)入的地址,寫(xiě)入的數(shù)據(jù)命令字:10h代表執(zhí)行寫(xiě)入命令字:70h查詢(xún)狀態(tài)狀態(tài)判斷必須在R/B狀態(tài)為低時(shí)執(zhí)行寫(xiě)入K9F1208U0M 命令字00h讀A區(qū),01h讀B區(qū)讀C區(qū)讀芯片序列號(hào)復(fù)位寫(xiě)入多頁(yè)寫(xiě)入復(fù)制多塊復(fù)制塊擦除多塊擦除K9F1208U0M 存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)列地址頁(yè)地址塊地址p 四個(gè)Planep 每個(gè)Plane 1024個(gè)塊p 每個(gè)塊32頁(yè)p 每頁(yè)512字節(jié)+16字節(jié)PLANE劃分注意:Plane內(nèi)的塊不是連續(xù)的。縱向組合Block 0Block 1Block 4092Plane 0Plane 0K9F1208U0M 地址格式 每頁(yè)512+16=
3、28+1+24 I/O線共8條,每次8位,固只能分兩次讀取 地址:A0 A7 聯(lián)合命令字確定上半部(00h),下半部(01h)列地址頁(yè)地址頁(yè)地址中: 每32頁(yè)一個(gè)塊,所以:A9 A13 為塊內(nèi)頁(yè)地址 每1024個(gè)塊組成一個(gè)Plane,A14 A25 為 Plane內(nèi)塊地址 共有4個(gè)Plane,A14 A15 為Plane地址地址格式:列地址地址格式:列地址+頁(yè)地址頁(yè)地址+Plane地址地址+塊地址塊地址注意:為什么沒(méi)有A8讀操作命令格式:命令格式:00h/01h+地址地址頁(yè)結(jié)構(gòu):頁(yè)結(jié)構(gòu):p一頁(yè)512+16字節(jié),8位地址顯然不夠,至少需要三次讀取p每頁(yè)分為三個(gè)區(qū),A:0255 B:256511
4、C:512527通過(guò)命令字確定讀取的是哪個(gè)區(qū)頁(yè)面區(qū)讀取顯然: 00h讀取前半?yún)^(qū),相當(dāng)于A8=0 01h讀取前半?yún)^(qū),相當(dāng)于A8=1讀操作時(shí)序:A,B區(qū)命令字地址,分四次傳輸數(shù)據(jù)輸出讀操作時(shí)序:C區(qū)有效地址數(shù)據(jù):A0A3數(shù)據(jù)輸出從上半?yún)^(qū)開(kāi)始讀取從下半?yún)^(qū)開(kāi)始讀取數(shù)據(jù)由起始地址順序輸出?如何停止數(shù)據(jù)輸出使CE引腳變高數(shù)據(jù)讀取的編程正確的讀取數(shù)據(jù),需要嚴(yán)格按照時(shí)序進(jìn)行正確的讀取數(shù)據(jù),需要嚴(yán)格按照時(shí)序進(jìn)行編程過(guò)程:編程過(guò)程:p控制時(shí)序p根據(jù)時(shí)序?qū)崿F(xiàn)I/O口上的指令協(xié)議p核心:寄存器的配置和讀寫(xiě)相關(guān)寄存器相關(guān)寄存器寄存器寄存器功能功能NFCONF:配置寄存器,配置時(shí)序NFCMD:寄存器寫(xiě)入指令NFADD:寄
5、存器寫(xiě)入地址NFDATA:數(shù)據(jù)寄存器NFSTAT:狀態(tài)寄存器時(shí)序分析寄存器寄存器操作操作CLEALECEWERENFCONF:使能外部flashLNFCMD:寫(xiě)入控制字HLLLHNFADD:寫(xiě)入地址LHLLHNFDATA:讀取數(shù)據(jù)LLLHL當(dāng)執(zhí)行下列操作時(shí),相應(yīng)的引腳狀態(tài)如下表自動(dòng)變換引腳狀態(tài)必須滿(mǎn)足如下?tīng)顟B(tài)才能執(zhí)行相應(yīng)的操作寄存器時(shí)序配置S3C2410時(shí)序NAND FLASH 時(shí)序值寄存器時(shí)序配置值:pTACLS=0pTWRPH0=3pTWRPH1=0程序編制原語(yǔ)NFCONF &= 0 x300; /使能使能NANDFLASH, CE置置0,配置時(shí)鐘,配置時(shí)鐘for(i=0; i10
6、; i+); /等待10個(gè)周期,確保就緒確保就緒NFCMD = 0 x00; /ALE置置0,CLE置置1,WE由低變高由低變高 /*寫(xiě)地址寫(xiě)地址*/ /ALE置置1,CLE置置0,WE由低變高由低變高NFADDR =A0A7;NFADDR = A9A16;NFADDR = A17A24; NFADDR = A25;/*讀取數(shù)據(jù)讀取數(shù)據(jù)*/*buf = NFDATANFCONF &= 0 x800 /關(guān)閉芯片,用于保護(hù)關(guān)閉芯片,用于保護(hù)NFCONNFCMD & NFADDRNFDATA & NFSATA & NFECC向FLASH寫(xiě)數(shù)據(jù):NFDATA=*buf從
7、FLASH讀數(shù)據(jù);*buf=NFDATA代表R/B狀態(tài)線的值寫(xiě)入頁(yè)命令格式:命令字:80地址數(shù)據(jù)命令字:10執(zhí)行寫(xiě)入命令字:70:讀取狀態(tài)根據(jù)狀態(tài)字執(zhí)行響應(yīng)操作寫(xiě)入時(shí)序圖命令字地址,分四次傳輸數(shù)據(jù)輸入命令字命令字寫(xiě)入程序編制原語(yǔ)NFCONF &= 0 x300;NFCMD = 0 x08; /*寫(xiě)地址寫(xiě)地址*/ NFADDR =A0A7;NFADDR = A9A16;NFADDR = A17A24; NFADDR = A25;/*寫(xiě)數(shù)據(jù)寫(xiě)數(shù)據(jù)*/NFDATA=*bufNFCMD = 0 x10; NFCMD = 0 x70h;判斷處理判斷處理NFCONF &= 0 x800;FOUR PALNE PAGE PROGRAM每個(gè)PALNE只能寫(xiě)一頁(yè)塊擦除命令格式:命令字:60塊地址:3周期命令字:D0執(zhí)行寫(xiě)入命令字:70:讀取狀態(tài)根據(jù)狀態(tài)字執(zhí)行響應(yīng)操作注意:地址只需要3個(gè)周期塊擦除時(shí)序60hD0h70h塊地址多塊擦除最多可重復(fù)4次頁(yè)拷貝命令
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