NAND FLASH 控制器

1、NAND FLASH 控制器K9F1208U0MNOR NAND 對(duì)比NORNAND容量1MB32MB16MB512MBXIP可片內(nèi)執(zhí)行不可擦除速度5s3ms寫(xiě)慢快讀快較快可靠性較高較低，需校驗(yàn)可擦除次數(shù)100001000001000001000000生命周期低，10%NAND10 NOR接口、體積與RAM相同I/O口訪問(wèn)控制隨機(jī)存儲(chǔ)串行訪問(wèn)編程簡(jiǎn)易度簡(jiǎn)單復(fù)雜，實(shí)現(xiàn)控制協(xié)議主要用途存放程序存放數(shù)據(jù)價(jià)格高低NAND FLASH 物理結(jié)構(gòu)：K9F1208U0MK9F1208U0M 引腳定義硬件接口電路傳輸所有命令字，地址，數(shù)據(jù)軟件控制協(xié)議基本流程指令，數(shù)據(jù)通過(guò)I/O口傳輸，每次一字節(jié)操作示例：寫(xiě)入

2、一頁(yè)數(shù)據(jù)就緒/忙碌數(shù)據(jù)線命令字：80h代表寫(xiě)入頁(yè)操作要寫(xiě)入的地址，寫(xiě)入的數(shù)據(jù)命令字：10h代表執(zhí)行寫(xiě)入命令字：70h查詢(xún)狀態(tài)狀態(tài)判斷必須在R/B狀態(tài)為低時(shí)執(zhí)行寫(xiě)入K9F1208U0M 命令字00h讀A區(qū),01h讀B區(qū)讀C區(qū)讀芯片序列號(hào)復(fù)位寫(xiě)入多頁(yè)寫(xiě)入復(fù)制多塊復(fù)制塊擦除多塊擦除K9F1208U0M 存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)列地址頁(yè)地址塊地址p 四個(gè)Planep 每個(gè)Plane 1024個(gè)塊p 每個(gè)塊32頁(yè)p 每頁(yè)512字節(jié)+16字節(jié)PLANE劃分注意：Plane內(nèi)的塊不是連續(xù)的。縱向組合Block 0Block 1Block 4092Plane 0Plane 0K9F1208U0M 地址格式 每頁(yè)512+16=

3、28+1+24 I/O線共8條，每次8位，固只能分兩次讀取 地址：A0 A7 聯(lián)合命令字確定上半部（00h），下半部（01h）列地址頁(yè)地址頁(yè)地址中： 每32頁(yè)一個(gè)塊，所以：A9 A13 為塊內(nèi)頁(yè)地址 每1024個(gè)塊組成一個(gè)Plane，A14 A25 為 Plane內(nèi)塊地址 共有4個(gè)Plane，A14 A15 為Plane地址地址格式：列地址地址格式：列地址+頁(yè)地址頁(yè)地址+Plane地址地址+塊地址塊地址注意：為什么沒(méi)有A8讀操作命令格式：命令格式：00h/01h+地址地址頁(yè)結(jié)構(gòu)：頁(yè)結(jié)構(gòu)：p一頁(yè)512+16字節(jié)，8位地址顯然不夠，至少需要三次讀取p每頁(yè)分為三個(gè)區(qū)，A:0255 B:256511

4、C：512527通過(guò)命令字確定讀取的是哪個(gè)區(qū)頁(yè)面區(qū)讀取顯然： 00h讀取前半?yún)^(qū)，相當(dāng)于A8=0 01h讀取前半?yún)^(qū)，相當(dāng)于A8=1讀操作時(shí)序:A,B區(qū)命令字地址，分四次傳輸數(shù)據(jù)輸出讀操作時(shí)序:C區(qū)有效地址數(shù)據(jù)：A0A3數(shù)據(jù)輸出從上半?yún)^(qū)開(kāi)始讀取從下半?yún)^(qū)開(kāi)始讀取數(shù)據(jù)由起始地址順序輸出？如何停止數(shù)據(jù)輸出使CE引腳變高數(shù)據(jù)讀取的編程正確的讀取數(shù)據(jù)，需要嚴(yán)格按照時(shí)序進(jìn)行正確的讀取數(shù)據(jù)，需要嚴(yán)格按照時(shí)序進(jìn)行編程過(guò)程：編程過(guò)程：p控制時(shí)序p根據(jù)時(shí)序?qū)崿F(xiàn)I/O口上的指令協(xié)議p核心：寄存器的配置和讀寫(xiě)相關(guān)寄存器相關(guān)寄存器寄存器寄存器功能功能NFCONF:配置寄存器，配置時(shí)序NFCMD:寄存器寫(xiě)入指令NFADD:寄

5、存器寫(xiě)入地址NFDATA:數(shù)據(jù)寄存器NFSTAT:狀態(tài)寄存器時(shí)序分析寄存器寄存器操作操作CLEALECEWERENFCONF:使能外部flashLNFCMD:寫(xiě)入控制字HLLLHNFADD:寫(xiě)入地址LHLLHNFDATA:讀取數(shù)據(jù)LLLHL當(dāng)執(zhí)行下列操作時(shí)，相應(yīng)的引腳狀態(tài)如下表自動(dòng)變換引腳狀態(tài)必須滿(mǎn)足如下?tīng)顟B(tài)才能執(zhí)行相應(yīng)的操作寄存器時(shí)序配置S3C2410時(shí)序NAND FLASH 時(shí)序值寄存器時(shí)序配置值：pTACLS=0pTWRPH0=3pTWRPH1=0程序編制原語(yǔ)NFCONF &= 0 x300; /使能使能NANDFLASH, CE置置0，配置時(shí)鐘，配置時(shí)鐘for(i=0; i10

6、; i+); /等待10個(gè)周期，確保就緒確保就緒NFCMD = 0 x00; /ALE置置0，CLE置置1，WE由低變高由低變高 /*寫(xiě)地址寫(xiě)地址*/ /ALE置置1，CLE置置0，WE由低變高由低變高NFADDR =A0A7;NFADDR = A9A16;NFADDR = A17A24; NFADDR = A25;/*讀取數(shù)據(jù)讀取數(shù)據(jù)*/*buf = NFDATANFCONF &= 0 x800 /關(guān)閉芯片，用于保護(hù)關(guān)閉芯片，用于保護(hù)NFCONNFCMD & NFADDRNFDATA & NFSATA & NFECC向FLASH寫(xiě)數(shù)據(jù)：NFDATA=*buf從

7、FLASH讀數(shù)據(jù)；*buf=NFDATA代表R/B狀態(tài)線的值寫(xiě)入頁(yè)命令格式：命令字：80地址數(shù)據(jù)命令字：10執(zhí)行寫(xiě)入命令字：70：讀取狀態(tài)根據(jù)狀態(tài)字執(zhí)行響應(yīng)操作寫(xiě)入時(shí)序圖命令字地址，分四次傳輸數(shù)據(jù)輸入命令字命令字寫(xiě)入程序編制原語(yǔ)NFCONF &= 0 x300；NFCMD = 0 x08; /*寫(xiě)地址寫(xiě)地址*/ NFADDR =A0A7;NFADDR = A9A16;NFADDR = A17A24; NFADDR = A25;/*寫(xiě)數(shù)據(jù)寫(xiě)數(shù)據(jù)*/NFDATA=*bufNFCMD = 0 x10; NFCMD = 0 x70h;判斷處理判斷處理NFCONF &= 0 x800；FOUR PALNE PAGE PROGRAM每個(gè)PALNE只能寫(xiě)一頁(yè)塊擦除命令格式：命令字：60塊地址：3周期命令字：D0執(zhí)行寫(xiě)入命令字：70：讀取狀態(tài)根據(jù)狀態(tài)字執(zhí)行響應(yīng)操作注意：地址只需要3個(gè)周期塊擦除時(shí)序60hD0h70h塊地址多塊擦除最多可重復(fù)4次頁(yè)拷貝命令