晶體結(jié)構(gòu)基本規(guī)則_第1頁(yè)
晶體結(jié)構(gòu)基本規(guī)則_第2頁(yè)
晶體結(jié)構(gòu)基本規(guī)則_第3頁(yè)
晶體結(jié)構(gòu)基本規(guī)則_第4頁(yè)
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1、晶體結(jié)構(gòu)基本規(guī)則晶體結(jié)構(gòu)基本規(guī)則一、原子和離子半徑一、原子和離子半徑二、球體緊密堆積原理二、球體緊密堆積原理三、配位多面體規(guī)則三、配位多面體規(guī)則四、哥希密德結(jié)晶化學(xué)定律四、哥希密德結(jié)晶化學(xué)定律五、鮑林規(guī)則五、鮑林規(guī)則一、原子和離子半徑一、原子和離子半徑n在晶體結(jié)構(gòu)中,原子和離子的大小,特別是相在晶體結(jié)構(gòu)中,原子和離子的大小,特別是相對(duì)大小具有重要的幾何意義。對(duì)大小具有重要的幾何意義。n原子和離子是由原子核和核外電子所組成的。原子和離子是由原子核和核外電子所組成的。它們能占據(jù)一定的空間(體積)。如果將這個(gè)它們能占據(jù)一定的空間(體積)。如果將這個(gè)空間視為球形的話,球的半徑應(yīng)為原子或離子空間視為球形

2、的話,球的半徑應(yīng)為原子或離子的半徑。的半徑。1.絕對(duì)半徑和有效半徑絕對(duì)半徑和有效半徑n絕對(duì)半徑絕對(duì)半徑:按量子力學(xué)的觀點(diǎn),選出一個(gè)人為的電子云界面,從而可以計(jì)算出各種原子或離子的半徑,此值稱為原子或離子的絕對(duì)半徑(理論半徑)。n有效半徑:有效半徑:由實(shí)驗(yàn)方法得到的原子或離子半徑稱為原子或離子的有效半徑??衫斫鉃樵踊螂x子鍵合時(shí)它們之間各自存在的其他原子或離子不能入侵的作用力范圍。2.類型:類型:n共價(jià)半徑共價(jià)半徑:同種元素的兩個(gè)原子以共價(jià)單鍵結(jié)合時(shí),其核間距的一半稱為該原子的共價(jià)半徑。n金屬半徑金屬半徑:金屬單質(zhì)晶格中,兩相鄰原子核間距離的一半稱為該原子的金屬半徑。n范德華半徑范德華半徑:當(dāng)兩

3、原子間未形成其他化學(xué)鍵而僅存在范德華作用時(shí),相鄰兩原子核間距的一半稱為范德華半徑。3.規(guī)律規(guī)律1)對(duì)于同種元素的原子半徑而言,共價(jià)半徑總小對(duì)于同種元素的原子半徑而言,共價(jià)半徑總小于金屬半徑和范德華半徑,且范德華半徑存在于金屬半徑和范德華半徑,且范德華半徑存在較大的可能變化的范圍。較大的可能變化的范圍。2)對(duì)于同種元素的離子半徑而言,陽(yáng)離子半徑小對(duì)于同種元素的離子半徑而言,陽(yáng)離子半徑小于原子半徑,陰離子半徑大于原子半徑。于原子半徑,陰離子半徑大于原子半徑。3)同一周期的元素中,在周期表的水平方向上,同一周期的元素中,在周期表的水平方向上,原子和離子半徑隨原子序數(shù)的增大而減小。同原子和離子半徑隨原

4、子序數(shù)的增大而減小。同一族元素,即周期表垂直方向上,原子、離子一族元素,即周期表垂直方向上,原子、離子半徑隨元素周期表的增大而增大。半徑隨元素周期表的增大而增大。4)從周期表的左上方到右下方的對(duì)角線方向上,從周期表的左上方到右下方的對(duì)角線方向上,原子和離子的半徑相近原子和離子的半徑相近。5)鑭系和錒系元素中,其原子和離子半徑在總的鑭系和錒系元素中,其原子和離子半徑在總的趨勢(shì)上,隨原子序數(shù)的增加而逐漸縮小,這種趨勢(shì)上,隨原子序數(shù)的增加而逐漸縮小,這種現(xiàn)象稱為現(xiàn)象稱為鑭系、錒系收縮鑭系、錒系收縮。6)同種元素,電價(jià)相同的情況下,原子和離子半同種元素,電價(jià)相同的情況下,原子和離子半徑隨配位數(shù)的增高而

5、增大。徑隨配位數(shù)的增高而增大。二、緊密堆積原理二、緊密堆積原理 構(gòu)成晶體的質(zhì)點(diǎn)(原子和離子)都被看成球狀。構(gòu)成晶體的質(zhì)點(diǎn)(原子和離子)都被看成球狀。這些球狀質(zhì)點(diǎn)按一定規(guī)律排列形成晶體。在晶體這些球狀質(zhì)點(diǎn)按一定規(guī)律排列形成晶體。在晶體結(jié)構(gòu)中,質(zhì)點(diǎn)之間趨向于盡可能的相互靠近以占結(jié)構(gòu)中,質(zhì)點(diǎn)之間趨向于盡可能的相互靠近以占有最小空間及達(dá)到內(nèi)能最小。由于離子鍵、金屬有最小空間及達(dá)到內(nèi)能最小。由于離子鍵、金屬鍵無(wú)方向性和無(wú)飽和性,鍵無(wú)方向性和無(wú)飽和性,金屬原子或離子之間的金屬原子或離子之間的相互結(jié)合,可視為球體的緊密堆積相互結(jié)合,可視為球體的緊密堆積,從而可用球,從而可用球體的緊密堆積原理對(duì)其進(jìn)行分析。體

6、的緊密堆積原理對(duì)其進(jìn)行分析。 1、等大球體的最緊密堆積、等大球體的最緊密堆積n等大球體在一個(gè)平面內(nèi)的最緊密堆積只有一種方式。此時(shí)每個(gè)球體周圍有六個(gè)球圍繞,并在球體之間形成兩套數(shù)目相等、指向相反(向上記做U,向下記做D)的弧線三角形空隙,兩種空隙相間分布。n為了獲得最緊密堆積,堆積第二層時(shí)只有一種方式:第二層球體堆積于第一層空隙U或D之上(這兩種方式是等價(jià)的),但只能占據(jù)一半空隙位。n第三層堆積有兩種方式:第一種方式:第三層球的位置重復(fù)第一層球的位置,形成ABABAB的堆積方式;反復(fù)按U-D-U-D-U-D空隙的規(guī)律堆積球?qū)觧第二種方式:第三層球堆積在既不重復(fù)第一層也不重復(fù)第二層球的位置上,AB

7、CABCABC的交錯(cuò)堆積;反復(fù)按U-U-U-U-U-U空隙的規(guī)律堆積球?qū)觧由上述規(guī)律可知,若按ABABAB兩層重復(fù)一次的規(guī)律重復(fù)堆積,此時(shí)球體在空間的分布恰好與空間格子中的六方格子一致,故這種方式的堆積稱為六方六方最緊密堆積最緊密堆積(HCP)。n若按照ABCABCABC三層重復(fù)一次的規(guī)律堆積,則球體在空間的分布與空間格子中的面心立方格子一致。此種堆積方式稱為立方最緊立方最緊密堆積(密堆積(CCP)。)。15非最緊密堆積方式:體心立方非最緊密堆積方式:體心立方Chapter2 Structure of Materialsn六方最緊密堆積和立方最緊密堆積這兩種堆積方式是最常見(jiàn)的最緊密堆積方式。四

8、面體空隙:由四個(gè)球圍成的四面體空隙:由四個(gè)球圍成的八面體空隙:由六個(gè)球圍成的八面體空隙:由六個(gè)球圍成的2、兩種空隙、兩種空隙n在六方最緊密堆積及面方最緊密堆積中,球體之間仍有空隙,空隙占整個(gè)空間的25.95%。17fccR Ra aa aR R2424 n = 47405. 0)2/4()3/4(4)3/4(43333fccRRaR單位晶胞體積單位晶胞內(nèi)球體積Chapter2 Structure of Materials空間利用率的計(jì)算(立方最緊密堆積為例)(100)面對(duì)角線方向上三個(gè)球緊密接觸,假設(shè)球的半徑為R18hcpR Ra aa ac c238 n = 67405. 0)3(3812)

9、3/4(6)2321(6)3/4(633hcpRRRRaacRChapter2 Structure of Materials空間利用率的計(jì)算(六方最緊密堆積為例)四面體空隙和八面體空隙的數(shù)目與球體數(shù)目之間的關(guān)系(如圖)四面體空隙:Q與位于其下層的三個(gè)球;1-2-Q與下層的等大球; 3-4-Q與下層的等大球; 5-6-Q與下層的等大球;共形成4個(gè)四面體空隙。如在第三層上再放一層,則總共是8個(gè)四面體空隙。六方最緊密堆積-ABABAB面心立方最緊密堆積-ABCABC四面體空隙:Q與位于其下層的三個(gè)球;1-6-Q與下層的等大球; 5-4-Q與下層的等大球; 2-3-Q與下層的等大球;共形成4個(gè)四面體空

10、隙。如在第三層上再放一層,則總共是8個(gè)四面體空隙。四面體空隙和八面體空隙的數(shù)目與球體的數(shù)目之間的關(guān)系(如圖)八面體空隙:構(gòu)成D空隙的三個(gè)球與其下層的三個(gè)球一起分別形成3個(gè)八面體空隙,如在第三層上再放一層,則總共是6個(gè)八面體空隙。六方最緊密堆積-ABABAB面心立方最緊密堆積-ABCABC八面體空隙:構(gòu)成U空隙的三個(gè)球與其下層的三個(gè)球一起分別形成3個(gè)八面體空隙,如在第三層上再放一層,則總共是6個(gè)八面體空隙。結(jié)論:n兩種最緊密堆積方式中,每個(gè)球體周圍有6個(gè)八個(gè)八面體空隙和面體空隙和8個(gè)四面體空隙。個(gè)四面體空隙。n由于每個(gè)四面體空隙由4個(gè)球構(gòu)成,每個(gè)八面體空隙由6個(gè)球構(gòu)成,平均1個(gè)球有1個(gè)八面體空隙

11、,2個(gè)四面體空隙,所以 n個(gè)球有個(gè)球有n個(gè)八面體空隙,個(gè)八面體空隙,2n個(gè)四面體空隙個(gè)四面體空隙n最緊密堆積適用于金屬晶格和離子晶格n共價(jià)鍵有方向性和飽和性,其組成原子不能作最緊密堆積n某些金屬晶格和離子晶格中也可不呈最緊密堆積。(等徑球立方體心密堆積及簡(jiǎn)單立方堆積)n當(dāng)?shù)却笄蜃罹o密堆積體中的八面體和四面體空隙被大小相當(dāng)?shù)男∏蛱畛鋾r(shí),就構(gòu)成了非等大球的最緊密堆積,此時(shí)空隙率大大降低,密度大大增加。體心立方密堆積 68%fcc例、單質(zhì)Mn有一種同素異構(gòu)體為立方結(jié)構(gòu),其晶胞參數(shù)為632 pm,密度=7.26 g/cm3,原子半徑r=112 pm,計(jì)算Mn晶胞中有幾個(gè)原子,其空間占有率為多少?三、三

12、、 配位多面體規(guī)則配位多面體規(guī)則1、概念、概念。 2、各種晶體與配位數(shù)的關(guān)系、各種晶體與配位數(shù)的關(guān)系1)等大球體的最緊密堆積:配位數(shù)等大球體的最緊密堆積:配位數(shù)12(Cu)2)非等大球體的堆積:離子的配位數(shù)取決于離非等大球體的堆積:離子的配位數(shù)取決于離子的相對(duì)大小。表列出了陽(yáng)離子半徑和陰離子的相對(duì)大小。表列出了陽(yáng)離子半徑和陰離子半徑的比值與相應(yīng)的陽(yáng)離子的配位數(shù)。子半徑的比值與相應(yīng)的陽(yáng)離子的配位數(shù)。正負(fù)離子半徑比正負(fù)離子半徑比配位數(shù)配位數(shù)堆積結(jié)構(gòu)堆積結(jié)構(gòu) 8電子構(gòu)型。 2rze極化力是指一個(gè)離子對(duì)它周圍離子所產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度,它反映了離子極化其它離子的能力。離子極化力大小主要取決于: 離子的半徑越

13、小,極化力越大; 離子的電荷高,極化力大; 在半徑和電荷相近時(shí),離子的電子構(gòu)型也影響極化力,其大小次序是: 18,18+2電子 917電子 8電子構(gòu)型。離子極化對(duì)晶體結(jié)構(gòu)有明顯影響,可引起晶體結(jié)構(gòu)類型改變。AgClAgBrAgIAg+和X-的半徑之和1.23+1.72=2.951.23+1.88=3.111.23+2.13=3.36Ag+和X-的實(shí)測(cè)距離2.772.882.99極化靠近值0.180.230.37r+/r-值0.7150.6540.577理論結(jié)構(gòu)類型NaClNaClNaCl實(shí)際結(jié)構(gòu)類型NaClNaCl立方ZnS實(shí)際配位數(shù)6640.2250.414,4配位配位0.4140.732,

14、6配位配位五、鮑林法則(五、鮑林法則(Paulings rules) 1928年,鮑林在總結(jié)大量實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的基礎(chǔ)上,歸納和推引了關(guān)于離子晶格的五條規(guī)則。這些規(guī)則在晶體化學(xué)中具有重要的指導(dǎo)意義,人們稱這些規(guī)則為鮑林法則。n鮑林第一規(guī)則鮑林第一規(guī)則 在離子晶體中,正離子周圍在離子晶體中,正離子周圍形成一個(gè)負(fù)離子多面體,正負(fù)離子之間的距離形成一個(gè)負(fù)離子多面體,正負(fù)離子之間的距離取決于離子半徑之和,正離子的配位數(shù)取決于取決于離子半徑之和,正離子的配位數(shù)取決于正負(fù)離子半徑比。正負(fù)離子半徑比。(a)穩(wěn)定結(jié)構(gòu))穩(wěn)定結(jié)構(gòu) (b)穩(wěn)定結(jié)構(gòu))穩(wěn)定結(jié)構(gòu) (c)不穩(wěn)定結(jié)構(gòu))不穩(wěn)定結(jié)構(gòu)正負(fù)離子半徑比正負(fù)離子半徑比配位數(shù)配

15、位數(shù)堆積結(jié)構(gòu)堆積結(jié)構(gòu)0.7320.750.732,CaCa2+2+的配的配位數(shù)為位數(shù)為8 8,根據(jù)靜電鍵規(guī)則,每個(gè),根據(jù)靜電鍵規(guī)則,每個(gè)F F- -同時(shí)與同時(shí)與4 4個(gè)個(gè)CaCa2+2+形成靜形成靜電鍵,電鍵,F(xiàn) F- -在在CaCa2+2+的四面體中心。也可看成的四面體中心。也可看成CaCa2+2+做面心立方做面心立方最緊密堆積,最緊密堆積,F(xiàn) F- -填入全部的四面體空隙。填入全部的四面體空隙。實(shí)例:實(shí)例:螢石螢石:ThO2, CeO2, PrO2, UO2, ZrO2, HfO2, NpO2, PuO2, AmO2,CaF2, BaF2, PbF2半徑較大的半徑較大的4價(jià)正離子氧化物價(jià)正

16、離子氧化物和半徑較大的和半徑較大的2價(jià)正離子氟化價(jià)正離子氟化物的晶體傾向于形成這種結(jié)構(gòu)。物的晶體傾向于形成這種結(jié)構(gòu)。 61Chapter2 Structure of Materials62FluorsparChapter2 Structure of Materials結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)-性能關(guān)系性能關(guān)系nCaF2與與NaCl的性質(zhì)對(duì)比:的性質(zhì)對(duì)比:F半徑比半徑比Cl小,小,Ca2+半徑比半徑比Na+稍大,綜合電價(jià)和半徑兩因素,螢石中質(zhì)點(diǎn)間的鍵力比稍大,綜合電價(jià)和半徑兩因素,螢石中質(zhì)點(diǎn)間的鍵力比NaCl中的鍵力強(qiáng),反映在性質(zhì)上,螢石的硬度為莫氏中的鍵力強(qiáng),反映在性質(zhì)上,螢石的硬度為莫氏4級(jí),級(jí),熔點(diǎn)熔點(diǎn)1

17、410,密度,密度3.18,水中溶解度,水中溶解度0.002;而;而NaCl熔點(diǎn)熔點(diǎn)808,密度,密度2.16,水中溶解度,水中溶解度35.7。nCaF2晶體結(jié)構(gòu)中,晶體結(jié)構(gòu)中,8個(gè)個(gè)F-之間形成的八面體空隙都沒(méi)有被填之間形成的八面體空隙都沒(méi)有被填充,成為一個(gè)充,成為一個(gè)“空洞空洞”,結(jié)構(gòu)比較開(kāi)放,有利于形成負(fù)離,結(jié)構(gòu)比較開(kāi)放,有利于形成負(fù)離子填隙,也為負(fù)離子擴(kuò)散提供了條件。子填隙,也為負(fù)離子擴(kuò)散提供了條件。63Chapter2 Structure of Materials金紅石型結(jié)構(gòu)(金紅石型結(jié)構(gòu)(Rutile Structure)nTi4+離子的配位數(shù)是離子的配位數(shù)是6,形成,形成TiO6八面體。八面體。O2-離子的配位數(shù)離子的配位數(shù)是是3,形成,形成OTi3平面三角單元。晶胞中正負(fù)離子比為平面三角單元。晶胞中正負(fù)離子

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