兩級CMOS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)1

1、1Analog and Mix-Signal Integrated Circuit Design-兩級兩級CMOS運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)運(yùn)算放大器設(shè)計(jì) 西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院劉簾曦劉簾曦西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)2CMOS運(yùn)算放大器的基本分類運(yùn)算放大器的基本分類西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)l單級差分運(yùn)算放大器（電流鏡做負(fù)載的差分放大器）單級差分運(yùn)算放大器（電流鏡做負(fù)載的差分放大器）l套筒式共源共柵套筒式共源共柵CMOS運(yùn)算放大器（單級）運(yùn)算放大器（單級）l折疊共源共柵折疊共源共柵CMOS運(yùn)算放大器（單級）運(yùn)算放大器（單級）l兩級兩級CMOS運(yùn)算放大器運(yùn)算放大器l

2、Rail-to-Rail CMOS運(yùn)算放大器運(yùn)算放大器lChopper CMOS運(yùn)算放大器運(yùn)算放大器3一、運(yùn)放的概念、組成與電路結(jié)構(gòu)一、運(yùn)放的概念、組成與電路結(jié)構(gòu)西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)l運(yùn)算放大器（簡稱運(yùn)放）是模擬電路和混合信號電路中最主要的電路模塊之一。將運(yùn)算放大器配以各種輔助電路，則可以實(shí)現(xiàn)對輸入信號的條件放大、微分、積分、求積、對數(shù)等運(yùn)算功能；l理論上說，運(yùn)放的差模電壓增益為無限大，輸入阻抗也是無限大，輸出阻抗為零，但實(shí)際的運(yùn)放的性能只能接近這些值 ；l運(yùn)放作為一種有足夠正向增益足夠正向增益的放大器，當(dāng)加上負(fù)反饋時，其閉環(huán)轉(zhuǎn)移函數(shù)與運(yùn)放增益無關(guān) ；4兩級兩級CMOS運(yùn)算放大器設(shè)

3、計(jì)運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)一、兩級運(yùn)放的概念、組成與電路結(jié)構(gòu)二、兩級運(yùn)放的頻率補(bǔ)償三、兩級運(yùn)放的一般設(shè)計(jì)方法四、兩級運(yùn)放的仿真和測試五、兩級運(yùn)放的版圖設(shè)計(jì)西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)5兩級兩級CMOS運(yùn)算放大器的提出運(yùn)算放大器的提出西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)l差分放大器可以稱為一級運(yùn)算放大器，其電路的增益由輸入對管的跨差分放大器可以稱為一級運(yùn)算放大器，其電路的增益由輸入對管的跨導(dǎo)與輸出阻抗的乘積來決定，因而一般都無法達(dá)到高的增益導(dǎo)與輸出阻抗的乘積來決定，因而一般都無法達(dá)到高的增益 ；l共源共柵結(jié)構(gòu)雖然在一定程度上提高了電路增益，但是卻限制了電路共源共柵結(jié)構(gòu)雖然在一定程度上提高了電路增益，但是卻

4、限制了電路的輸出擺幅的輸出擺幅 ；l提出兩級放大器的結(jié)構(gòu)。提出兩級放大器的結(jié)構(gòu)。6CMOS兩級運(yùn)算放大器的基本特性（性能指標(biāo)）兩級運(yùn)算放大器的基本特性（性能指標(biāo)）l直流開環(huán)增益（DC Open-Loop Gain） 70dBl單位增益帶寬（Unit-Gain Bandwidth） 5MHzl相位裕度（Phase Margin） 45 PM 75l失調(diào)電壓（Offset Voltage） VOS20mVl建立時間（Setting Time） TSET60dBl共模抑制比（CMRR） 60dBl輸出電壓擺幅（Output Voltage Swing） 1.5V（Rail-to-Rail：03.3V

5、）l芯片面積（Silicon Die Area）西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)7兩級兩級CMOS運(yùn)算放大器的基本結(jié)構(gòu)運(yùn)算放大器的基本結(jié)構(gòu)西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) lM1和和M2的寬長比相等，的寬長比相等，M3和和M4的寬長比相等的寬長比相等; l兩級運(yùn)放的電路具有兩個高阻節(jié)點(diǎn)兩級運(yùn)放的電路具有兩個高阻節(jié)點(diǎn)A和和B，這就是說電路存在兩個主極，這就是說電路存在兩個主極點(diǎn)，因而降低了運(yùn)放的相位裕度點(diǎn)，因而降低了運(yùn)放的相位裕度;l為了使運(yùn)放穩(wěn)定工作，通常在兩級運(yùn)放的第一級和第二級之間中加入為了使運(yùn)放穩(wěn)定工作，通常在兩級運(yùn)放的第一級和第二級之間中加入補(bǔ)償電容，即在補(bǔ)償電容，即在A點(diǎn)和點(diǎn)和B點(diǎn)之

6、間加入補(bǔ)償電容點(diǎn)之間加入補(bǔ)償電容Cc（Miller電容），通過電容），通過補(bǔ)償電容的反饋?zhàn)饔?，把兩個極點(diǎn)拉開。補(bǔ)償電容的反饋?zhàn)饔茫褍蓚€極點(diǎn)拉開。 （a） 無補(bǔ)償運(yùn)放無補(bǔ)償運(yùn)放 （b）有補(bǔ)償運(yùn)放）有補(bǔ)償運(yùn)放8密勒定理密勒定理西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) l式中， ，是所關(guān)心頻率下的小信號增益，通常為簡化計(jì)算，我們一般用低頻增益來代替AV，這樣可以使我們深入理解電路的頻率特性。 （a） （b）/VYXAVV121,11VVZZZZAA9二、兩級運(yùn)放的頻率補(bǔ)償二、兩級運(yùn)放的頻率補(bǔ)償西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)l運(yùn)放一般用在負(fù)反饋結(jié)構(gòu)中，在此結(jié)構(gòu)中，運(yùn)放一般用在負(fù)反饋結(jié)構(gòu)中，在此結(jié)構(gòu)中，相當(dāng)

7、高而又不確定相當(dāng)高而又不確定的開環(huán)增益和的開環(huán)增益和反饋一起作用，可以獲得一個很準(zhǔn)確的轉(zhuǎn)移函數(shù)，它是含有反饋參數(shù)的函數(shù)反饋一起作用，可以獲得一個很準(zhǔn)確的轉(zhuǎn)移函數(shù)，它是含有反饋參數(shù)的函數(shù) l下圖表示了一種通用的負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，圖中下圖表示了一種通用的負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，圖中A是放大器增益，通常是運(yùn)放的開環(huán)是放大器增益，通常是運(yùn)放的開環(huán)差分電壓增益，差分電壓增益，F(xiàn)是從運(yùn)放的輸出通過負(fù)反饋，回到輸入的轉(zhuǎn)移函數(shù)是從運(yùn)放的輸出通過負(fù)反饋，回到輸入的轉(zhuǎn)移函數(shù)l如果直流開環(huán)增益如果直流開環(huán)增益A(0)在在1000到到2000之間，而之間，而F(0)1，則前向增益在，則前向增益在0.999到到0.9995之間變化。如果

8、回路增益很高，則可用反饋網(wǎng)絡(luò)來精確控制前向轉(zhuǎn)之間變化。如果回路增益很高，則可用反饋網(wǎng)絡(luò)來精確控制前向轉(zhuǎn)移函數(shù)。這就是運(yùn)放的應(yīng)用原理。移函數(shù)。這就是運(yùn)放的應(yīng)用原理。 反饋系統(tǒng)反饋系統(tǒng) 10兩級兩級CMOS運(yùn)放的穩(wěn)定性分析運(yùn)放的穩(wěn)定性分析西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 反饋信號必須滿足一定的相位和幅值條件，以避免信號產(chǎn)生再生現(xiàn)反饋信號必須滿足一定的相位和幅值條件，以避免信號產(chǎn)生再生現(xiàn)象，即滿足下式：象，即滿足下式：（如果出現(xiàn)了再生，就可能使運(yùn)放產(chǎn)生振蕩（如果出現(xiàn)了再生，就可能使運(yùn)放產(chǎn)生振蕩 ） 1)(000jwLjwFjwA其中其中0定義為：定義為：0)()()(000jwLArgjwFjwAA

9、rg上述條件也等價為：上述條件也等價為：其中其中0定義為：定義為：000() ()()0dBdBdBArgA jwF jwArg L jw 000()1dBdBdBA jwF jwL jw11波特圖波特圖西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)1、幅頻曲線中，每經(jīng)過一個極點(diǎn)、幅頻曲線中，每經(jīng)過一個極點(diǎn)P(零點(diǎn)零點(diǎn)Z)，曲線斜率以，曲線斜率以-20dB/dec (+20dB/dec )變化。變化。2、相頻曲線中，相位在、相頻曲線中，相位在0.1P(0.1Z)處開始變化，每經(jīng)過一個極點(diǎn)處開始變化，每經(jīng)過一個極點(diǎn)P(零點(diǎn)零點(diǎn)Z)，相位變化，相位變化-45 (+45)，相位在，相位在10P(10Z)處變化處變

10、化-90 (+90)3、一般來講，極點(diǎn)、一般來講，極點(diǎn) (零點(diǎn)零點(diǎn))對相位的影響比對幅頻的影響要大一些。對相位的影響比對幅頻的影響要大一些。12兩級兩級CMOS運(yùn)放的穩(wěn)定性分析運(yùn)放的穩(wěn)定性分析西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)也就是說，穩(wěn)定性是由單位開環(huán)增益的相位值決定的，即由相位裕度決定。也就是說，穩(wěn)定性是由單位開環(huán)增益的相位值決定的，即由相位裕度決定。所以系統(tǒng)穩(wěn)定性的重要體現(xiàn)就是運(yùn)放的相位裕度較大，一般運(yùn)放的相位裕度所以系統(tǒng)穩(wěn)定性的重要體現(xiàn)就是運(yùn)放的相位裕度較大，一般運(yùn)放的相位裕度要求在要求在60o左右。左右。 13兩級運(yùn)放穩(wěn)定性的其他描述兩級運(yùn)放穩(wěn)定性的其他描述西安電子科技大學(xué)西安電子科技

11、大學(xué)兩級運(yùn)放設(shè)計(jì)中也有用其他參數(shù)來表征穩(wěn)定性，例如：建立時間或者轉(zhuǎn)換速率。兩級運(yùn)放設(shè)計(jì)中也有用其他參數(shù)來表征穩(wěn)定性，例如：建立時間或者轉(zhuǎn)換速率。14無補(bǔ)償兩級運(yùn)放的小信號模型無補(bǔ)償兩級運(yùn)放的小信號模型 西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)15無補(bǔ)償兩級運(yùn)放的小信號模型無補(bǔ)償兩級運(yùn)放的小信號模型 西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué) 無補(bǔ)償運(yùn)放的二階模型，為使結(jié)果通用，用角標(biāo)無補(bǔ)償運(yùn)放的二階模型，為使結(jié)果通用，用角標(biāo)I表示第一級的元件，角標(biāo)表示第一級的元件，角標(biāo)II代代表第二級的元件表第二級的元件;其中其中R（R）是從運(yùn)放的第一（二）級的輸出端）是從運(yùn)放的第一（二）級的輸出端“看到的看到的”與地之間的電

12、阻，與地之間的電阻，C（C）是從運(yùn)放地第一（二）級的輸出端）是從運(yùn)放地第一（二）級的輸出端“看到的看到的”與地之間的電容。與地之間的電容。 24524gdgdgsdbdbCCCCCC656gddbdbLCCCCC110( )( )()()()()mmouting R gRAVsVsssss 傳輸函數(shù)傳輸函數(shù) ：兩個極點(diǎn)的位置：兩個極點(diǎn)的位置： ,(|)(|)IIIIIdsdsIIIIIdsdsIIPPR CrrCR CrrC 2467111116有補(bǔ)償兩級運(yùn)放的小信號模型有補(bǔ)償兩級運(yùn)放的小信號模型西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)補(bǔ)償電容補(bǔ)償電容CC的作用是削弱主極點(diǎn)的影響而擴(kuò)大運(yùn)放的頻寬，由于

13、補(bǔ)償電容的作用是削弱主極點(diǎn)的影響而擴(kuò)大運(yùn)放的頻寬，由于補(bǔ)償電容CC的的引入，運(yùn)放的傳輸函數(shù)變?yōu)橐耄\(yùn)放的傳輸函數(shù)變?yōu)?2( )(1)( )1()()outmmCminCCmCCCVsg gR RsCgVss R CCR CCgR R Cs R RC CC CC C1mCpgR R CmCCCgCpC CC CC C兩個極點(diǎn)變?yōu)閮蓚€極點(diǎn)變?yōu)?17補(bǔ)償電容補(bǔ)償電容CC對兩級運(yùn)放的極點(diǎn)對兩級運(yùn)放的極點(diǎn)-零點(diǎn)的影響零點(diǎn)的影響西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)補(bǔ)償電容補(bǔ)償電容CC在右半平面（在右半平面（RHP）引入了）引入了一個零點(diǎn)一個零點(diǎn)Z mCgZC若若C CC C，且，且C C mCCCgCpC

14、CC CC C6mCmmCCLgCggpC CC CC CCC18三、兩級運(yùn)放的設(shè)計(jì)三、兩級運(yùn)放的設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)流程設(shè)計(jì)流程l用途和要求選擇和確定運(yùn)放的基本結(jié)構(gòu)，做出一個描述全部晶體管互連的圖；用途和要求選擇和確定運(yùn)放的基本結(jié)構(gòu)，做出一個描述全部晶體管互連的圖；l確定運(yùn)放的直流電流，并設(shè)計(jì)所有晶體管尺寸和無源器件大??；確定運(yùn)放的直流電流，并設(shè)計(jì)所有晶體管尺寸和無源器件大?。?仿真輔助優(yōu)化設(shè)計(jì)仿真輔助優(yōu)化設(shè)計(jì)l物理設(shè)計(jì)物理設(shè)計(jì) 晶體管的物理設(shè)計(jì)晶體管的物理設(shè)計(jì) 整體版圖設(shè)計(jì)整體版圖設(shè)計(jì) 寄生參數(shù)提取和后仿真寄生參數(shù)提取和后仿真 物理規(guī)則檢查和電氣規(guī)則檢查物理規(guī)則檢查和電氣規(guī)則檢查l制造與測試制造與測試

15、西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)19兩級運(yùn)放的設(shè)計(jì)方法西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)l設(shè)計(jì)運(yùn)放之前需要確定的條件設(shè)計(jì)運(yùn)放之前需要確定的條件1、基本條件：、基本條件： 工藝要求（工藝要求（VT，K，Cox等）；電源電壓、電流及其范圍；工作溫度和范圍；等）；電源電壓、電流及其范圍；工作溫度和范圍；2、電學(xué)參數(shù)要求、電學(xué)參數(shù)要求20兩級兩級CMOS運(yùn)算放大器的平衡條件運(yùn)算放大器的平衡條件 西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)l觀察兩級運(yùn)放，在觀察兩級運(yùn)放，在M1-M7中，只有中，只有M4是是無法保證其飽和的。無法保證其飽和的。l假設(shè)假設(shè)Vsg4=Vsg6，這樣電流鏡，這樣電流鏡M3和和M4完全完全對稱

16、了，而且確保了對稱了，而且確保了M4飽和。飽和。l而如果而如果Vsg4=Vsg6成立，那么：成立，那么：l另外，另外，l當(dāng)電路平衡時，當(dāng)電路平衡時，I5=2I4，且，且I6=I7，因此平因此平衡條件可以表述為：衡條件可以表述為：4646SSII5757SSII57462SSSS21兩級兩級CMOS運(yùn)算放大器的一些重要關(guān)系運(yùn)算放大器的一些重要關(guān)系 西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)22兩級兩級CMOS運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)步驟（運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)步驟（1） 1、設(shè)計(jì)步驟從選定電路中所用、設(shè)計(jì)步驟從選定電路中所用MOS器件的長度入手，此長度決定了溝道長度器件的長度入手，此長度決定了溝道長度調(diào)制參數(shù)，這是計(jì)算

17、增益必不可少的參數(shù)。選定了標(biāo)準(zhǔn)調(diào)制參數(shù)，這是計(jì)算增益必不可少的參數(shù)。選定了標(biāo)準(zhǔn)MOS晶體管器件長度晶體管器件長度后，下一步是確定最小補(bǔ)償電容后，下一步是確定最小補(bǔ)償電容CC，配置一個比配置一個比GB高高2.2倍的負(fù)載極點(diǎn)倍的負(fù)載極點(diǎn)P2可得可得到到60度的相位裕度度的相位裕度，即極點(diǎn)和零點(diǎn)的位置要求，即極點(diǎn)和零點(diǎn)的位置要求CC的最小值為的最小值為(設(shè)設(shè)Z10GB) 西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)LCCC22. 02、下一步，根據(jù)轉(zhuǎn)換速率的要求計(jì)算最小尾電流、下一步，根據(jù)轉(zhuǎn)換速率的要求計(jì)算最小尾電流I5，即即CCSRI5如果沒有給定轉(zhuǎn)換速率如果沒有給定轉(zhuǎn)換速率SR，則可以按建立時間，則可以按建

18、立時間TSET的要求來選值，并設(shè)輸出擺的要求來選值，并設(shè)輸出擺幅約為電源的一半，如此求得的幅約為電源的一半，如此求得的I5以后還可根據(jù)要求進(jìn)行修正。以后還可根據(jù)要求進(jìn)行修正。 23兩級兩級CMOS運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)步驟（運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)步驟（2）西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)3、用共模電壓范圍（高電平）來確定、用共模電壓范圍（高電平）來確定M3的寬長比，即的寬長比，即 2(min)1max03(max)353TTinDDVVVVKILW如果如果(W/L)3的值小于的值小于1，就必須增加此值并使，就必須增加此值并使W和和L乘積最小，這是為了減小了柵乘積最小，這是為了減小了柵區(qū)的面積，也減小了柵電

19、容。此電容會影響極點(diǎn)零點(diǎn)對，使相位裕度減小一點(diǎn)。區(qū)的面積，也減小了柵電容。此電容會影響極點(diǎn)零點(diǎn)對，使相位裕度減小一點(diǎn)。 4、從、從CC和和GB的表達(dá)式來確定輸入晶體管的跨導(dǎo)，可以用下面方程來計(jì)算跨導(dǎo)的表達(dá)式來確定輸入晶體管的跨導(dǎo)，可以用下面方程來計(jì)算跨導(dǎo)gm2CmCGBg2從而可直接求得輸入晶體管從而可直接求得輸入晶體管M2的寬長比的寬長比52222IKgLWm24兩級兩級CMOS運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)步驟（運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)步驟（3）西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)5、下面利用共模電壓范圍（低電平）計(jì)算、下面利用共模電壓范圍（低電平）計(jì)算M5的飽和電壓：的飽和電壓：(max)115(min)5Tin

20、DSVIVV若若VDS5100mV，則可能會使，則可能會使(W/L)5過大，這是不可接受的。若過大，這是不可接受的。若VDS50V，則，則說明所確定的共模范圍說明所確定的共模范圍CMR的技術(shù)規(guī)范太嚴(yán)了。為此，我們可以減小的技術(shù)規(guī)范太嚴(yán)了。為此，我們可以減小I5或增加或增加(W/L)1。注意，應(yīng)考慮條件改變后對前面設(shè)計(jì)步驟的影響。這樣反復(fù)迭代，直。注意，應(yīng)考慮條件改變后對前面設(shè)計(jì)步驟的影響。這樣反復(fù)迭代，直到獲得滿意的結(jié)果。到獲得滿意的結(jié)果。6、由求得的、由求得的VDS5得到得到(W/L)5為為 52555()2DSsatIWLKV7、要得到、要得到60度的相位裕度，應(yīng)假設(shè)負(fù)載極點(diǎn)位于度的相位裕

21、度，應(yīng)假設(shè)負(fù)載極點(diǎn)位于GB的的2.2倍處。由此及倍處。由此及p2關(guān)關(guān)系式，可求出跨導(dǎo)系式，可求出跨導(dǎo)gm6：CLmmCCgg262 . 225兩級兩級CMOS運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)步驟（運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)步驟（4）西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)計(jì)算計(jì)算I6：要根據(jù)輸出電壓最大值來調(diào)整要根據(jù)輸出電壓最大值來調(diào)整S6，保證保證M6飽和。飽和。 8、計(jì)算、計(jì)算S626兩級兩級CMOS運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)步驟（運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)步驟（5）西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)6755IWWLLI10、最后檢查運(yùn)放的總增益和運(yùn)放功耗：、最后檢查運(yùn)放的總增益和運(yùn)放功耗： 766425622IIggAmmV11、如果增益太低

22、，許多參數(shù)還要再做調(diào)整，例如減小、如果增益太低，許多參數(shù)還要再做調(diào)整，例如減小I5和和I6，增大，增大M6的寬的寬長比并減小長比并減小M2的寬長比等。的寬長比等。 9、運(yùn)放平衡時有：、運(yùn)放平衡時有：I6=I7，因此可得：，因此可得：可以據(jù)此檢查最小輸出電壓的要求?？梢該?jù)此檢查最小輸出電壓的要求。 12、仿真所有參數(shù)，檢驗(yàn)是否滿足設(shè)計(jì)之初的電學(xué)要求。、仿真所有參數(shù)，檢驗(yàn)是否滿足設(shè)計(jì)之初的電學(xué)要求。27運(yùn)放的性能與器件、電流之間的關(guān)系運(yùn)放的性能與器件、電流之間的關(guān)系西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)漏極電流漏極電流M1和和M2M3和和M4M6M7補(bǔ)償電容補(bǔ)償電容CCI5I7W/LLLW/LL增大直流

23、增益增大直流增益 1/21/21/21/2增大增大GB1/21/2增大增大RHP零點(diǎn)零點(diǎn)1/21/2增大增大SR增大增大 CL在完成以上計(jì)算和設(shè)計(jì)后，可以采用在完成以上計(jì)算和設(shè)計(jì)后，可以采用Spice仿真軟件進(jìn)行仿真驗(yàn)證。仿真軟件進(jìn)行仿真驗(yàn)證。 28四、兩級運(yùn)放的仿真和測試四、兩級運(yùn)放的仿真和測試西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)仿真是對設(shè)計(jì)的細(xì)化和驗(yàn)證，對精度的提高，對仿真是對設(shè)計(jì)的細(xì)化和驗(yàn)證，對精度的提高，對性能的優(yōu)化，是性能的優(yōu)化，是一個逐次逼近一個逐次逼近理想值的過程。理想值的過程。目前模擬信號的仿真工具是目前模擬信號的仿真工具是Hspice和和Spectre，仿，仿真方法主要是瞬態(tài)仿真

24、、直流掃描和交流掃描；真方法主要是瞬態(tài)仿真、直流掃描和交流掃描；l 直流仿真（直流仿真（DC）：直流分量與電路參數(shù)的關(guān)系）：直流分量與電路參數(shù)的關(guān)系l 瞬態(tài)瞬態(tài)仿真（仿真（TRAN）：時間與電路參數(shù)的關(guān)系）：時間與電路參數(shù)的關(guān)系l 交流仿真（交流仿真（AC）：頻率與電路參數(shù)的關(guān)系）：頻率與電路參數(shù)的關(guān)系29四、兩級運(yùn)放的仿真包含內(nèi)容四、兩級運(yùn)放的仿真包含內(nèi)容西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)對運(yùn)放的仿真主要包含以下方面的內(nèi)容：對運(yùn)放的仿真主要包含以下方面的內(nèi)容： 開環(huán)增益和相位裕度（開環(huán)增益和相位裕度（AV &PM） 共模輸入電壓范圍（共模輸入電壓范圍（VICMR） 失調(diào)電壓（失調(diào)電壓（VOS） 轉(zhuǎn)換速率（壓擺率轉(zhuǎn)換速率（壓擺率SR）和建立時間（）和建立時間（TSET） 共模抑制比和電源抑制比（共模抑制比和電源抑制比（CMRR&PSRR）30開環(huán)增益和相位裕度的仿真（開環(huán)增益和相位裕度的仿真（AC分析）分析）西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)31共模輸入電壓的仿真和測試（共模輸入電壓的仿真和測試（DC分析）分析）西安電子科技大學(xué)西安電子科技大學(xué)對輸入信號在0Vdd范圍內(nèi)進(jìn)行DC分析，測試輸出電壓能夠跟隨輸入電壓的的范圍，即為運(yùn)放的共模輸入范圍，這種方法