標準解讀

《GB/T 20230-2022 磷化銦單晶》作為對《GB/T 20230-2006 磷化銦單晶》的更新,主要在以下幾個方面進行了調整和完善:

  1. 技術指標的優(yōu)化:新標準對磷化銦單晶的純度、晶體結構、位錯密度等關鍵性能指標提出了更嚴格的要求,反映了技術進步帶來的產(chǎn)品質量提升。這些變化旨在滿足更高精度和可靠性的應用需求。

  2. 檢測方法的更新:隨著分析技術和儀器的發(fā)展,新標準引入了更先進的檢測手段和分析方法,用于評估磷化銦單晶的物理、化學性質。這包括但不限于更精確的光譜分析、電子顯微鏡觀測技術等,以確保測試結果的準確性和可重復性。

  3. 生產(chǎn)流程和質量控制的規(guī)范:2022版標準對磷化銦單晶的制備工藝流程、原材料選擇、生長環(huán)境控制等方面給出了更具體和細致的規(guī)定,旨在促進生產(chǎn)過程的標準化和規(guī)范化,提高成品率和一致性。

  4. 環(huán)保與安全要求:考慮到環(huán)境保護和生產(chǎn)安全的重要性,新版標準加入了關于生產(chǎn)過程中廢棄物處理、有害物質管控以及員工健康保護的相關要求,體現(xiàn)了可持續(xù)發(fā)展的理念。

  5. 術語和定義的修訂:為了與國際標準接軌并適應行業(yè)發(fā)展的最新趨勢,新標準對部分專業(yè)術語和定義進行了修訂或新增,提高了標準的通用性和適用范圍。

  6. 標準適用范圍的明確:對磷化銦單晶的應用領域和規(guī)格種類進行了更加清晰的界定,幫助生產(chǎn)商和用戶更好地理解和執(zhí)行標準內容,促進了市場的規(guī)范化發(fā)展。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2022-03-09 頒布
  • 2022-10-01 實施
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文檔簡介

ICS29045

CCSH.83

中華人民共和國國家標準

GB/T20230—2022

代替GB/T20230—2006

磷化銦單晶

Indiumphosphidesinglecrystal

2022-03-09發(fā)布2022-10-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T20230—2022

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件代替磷化銦單晶與相比除結構調整和編輯性

GB/T20230—2006《》,GB/T20230—2006,

改動外主要技術變化如下

,:

更改了適用范圍見第章年版的第章

a)(1,20061);

增加了術語和定義一章見第章

b)“”(3);

更改了磷化銦單晶錠的牌號表示方法見年版的

c)(4.1,20063.1);

增加了磷化銦單晶拋光片的牌號表示方法見

d)(4.2);

更改了磷化銦單晶錠電學性能的要求見年版的

e)(5.1.1,20063.2.2);

增加了型非摻磷化銦單晶錠的電學性能要求見

f)n(5.1.1);

刪除了磷化銦單晶錠晶向以及其他晶向供需雙方協(xié)商確定的規(guī)定見年版的

g)<111>(20063.2.3);

增加了磷化銦單晶錠位錯密度的要求見

h)(5.1.3);

刪除了磷化銦單晶錠無孿晶線的要求見年版的

i)(20063.2.4);

刪除了磷化銦單晶錠直徑的要求見年版的

j)(20063.2.5);

更改了磷化銦單晶拋光片位錯密度的要求見年版的

k)(5.2.1,20063.3.1);

增加了磷化銦單晶拋光片表面取向及基準標記的要求見

l)(5.2.2);

增加了直徑磷化銦單晶拋光片的幾何參數(shù)要求見

m)150.0mm(5.2.3);

更改了磷化銦單晶拋光片厚度總厚度變化翹曲度總指示讀數(shù)的要求見年版

n)、、、(5.2.3,2006

3.3.2);

更改了磷化銦單晶拋光片表面質量的要求見年版的

o)(5.2.4,20063.3.3);

增加了磷化銦單晶拋光片表面顆粒的要求見

p)(5.2.5);

刪除了磷化銦單晶拋光片晶向的要求見年版的

q)(20063.3.5);

更改了試驗方法見第章年版的第章

r)(6,20064);

更改了組批檢驗項目取樣及檢驗結果的判定見第章年版的第章

s)、、(7,20065);

更改了標志的要求見年版的

t)(8.1,20066.1);

更改了包裝的要求見年版的

u)(8.2,20066.2、6.3);

更改了隨行文件的要求見年版的

v)(8.5,20066.5);

增加了訂貨單內容見第章

w)(9);

增加了規(guī)范性附錄磷化銦單晶位錯密度的測試方法見附錄

x)“”(A)。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位中國電子科技集團公司第十三研究所云南鑫耀半導體材料有限公司廣東先導

:、、

微電子科技有限公司有研國晶輝新材料有限公司有色金屬技術經(jīng)濟研究院有限責任公司

、、。

本文件主要起草人孫聶楓李曉嵐王陽劉惠生惠峰李素青朱劉王書杰邵會民周鐵軍

:、、、、、、、、、、

史艷磊付莉杰王博張曉丹姜劍王宇

、、、、、。

本文件于年首次發(fā)布本次為第一次修訂

2006,。

GB/T20230—2022

磷化銦單晶

1范圍

本文件規(guī)定了磷化銦單晶的牌號技術要求試驗方法檢驗規(guī)則標志包裝運輸貯存和隨行文

、、、、、、、

件及訂貨單內容

。

本文件適用于制作光電微電器件用的磷化銦單晶錠及磷化銦單晶拋光片

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

半導體單晶晶向測定方法

GB/T1555

計數(shù)抽樣檢驗程序第部分按接收質量限檢索的逐批檢驗抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計劃

非本征半導體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法

GB/T4326

硅片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T6618

硅拋光片表面質量目測檢驗方法

GB/T6624

硅片參考面結晶學取向射線測試方法

GB/T13388X

半導體材料術語

GB/T14264

硅拋光片表面顆粒測試方法

GB/T19921

硅片切口

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