標準解讀

GB/T 20230-2006《磷化銦單晶》是中國關于磷化銦（InP）單晶材料的質(zhì)量標準。該標準詳細規(guī)定了磷化銦單晶的分類、技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸、儲存要求，旨在確保此類材料的質(zhì)量可控性與一致性，滿足半導體器件制造等行業(yè)的需求。以下是標準內(nèi)容的幾個關鍵點：

  1. 范圍：明確了本標準適用于半導體器件制備中使用的磷化銦單晶材料，包括其晶向、直徑、長度等基本規(guī)格。

  2. 規(guī)范性引用文件：列出了實施本標準時所直接引用或參考的其他標準文件，這些文件對于理解和執(zhí)行標準中的各項要求至關重要。

  3. 術語和定義：對標準中使用的一些專業(yè)術語進行了界定，幫助讀者準確理解標準內(nèi)容。

  4. 分類：根據(jù)磷化銦單晶的特性，如電阻率、摻雜類型等進行分類，便于用戶根據(jù)具體應用需求選擇合適的材料。

  5. 技術要求：

    • 化學組成：規(guī)定了磷化銦單晶中雜質(zhì)元素的最大允許含量，以保證材料的純度。
    • 物理性能：包括晶體結構、直徑、長度、位錯密度、晶片平整度等指標，確保材料的物理屬性滿足半導體器件加工及性能要求。
    • 電學性能：如電阻率、載流子濃度等，需符合特定范圍，以適應不同電子器件的設計需求。

  6. 試驗方法：詳細說明了如何通過各種測試手段來驗證單晶的各項技術指標，如X射線衍射分析晶體結構、四探針法測量電阻率等。

  7. 檢驗規(guī)則：規(guī)定了產(chǎn)品檢驗的程序、抽樣方法及合格判定準則，確保每批產(chǎn)品的質(zhì)量控制。

  8. 標志、包裝、運輸、儲存：為避免在后續(xù)處理和使用過程中材料受損，標準對產(chǎn)品的標識信息、包裝材料、運輸條件及儲存環(huán)境提出了具體要求。

該標準通過上述各部分內(nèi)容，構建了一套完整的磷化銦單晶質(zhì)量控制體系，指導生產(chǎn)、銷售及使用過程中的質(zhì)量管理和驗收工作，促進半導體材料產(chǎn)業(yè)的技術進步和產(chǎn)品質(zhì)量提升。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現(xiàn)行標準GB/T 20230-2022
  • 2006-04-21 頒布
  • 2006-10-01 實施
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文檔簡介

ICS29.045H83中華人民共和國國家標準GB/T20230—2006磷化單晶indiumphosphidesinglecrystal2006-04-21發(fā)布2006-10-01實施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國國家標準磷化銦單晶GB/T20230-2006中國標準出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：010)51299090、685220062006年10月第一版書號：155066·1-28063版權專有侵權必究舉報電話：010)68522006

GB/T20230—2006前本標準主要參考了SEMIM23-0302《磷化鋼單品拋光片》,結合我國實際情況進行編寫的本標準由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出本標準由信息產(chǎn)業(yè)部(電子)歸口。本標準起草單位：中國電子科技集團公司第十三研究所。本標準主要起草人：孫聶楓、周曉龍、孫同年。

GB/T20230—2006磷化銦單范圍本標準規(guī)定了·型、半絕緣型(Si)p型磷化鋼單品鍵及單品片的牌號、技術要求、試驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸、存等。本標準適用于高壓液封直拉法(HP-LEC)制備的磷化鋼單品材料(以下簡稱單品）規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標準,然而，鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本適用于本標準GB/T1550非本征半導體材料導電類型測試方法GB/T1555半導體單品品向測量方法GB/T2828(所有部分）計數(shù)抽樣檢驗程序GB/T4326非本征半導體單品霍耳遷移率和霍耳系數(shù)測量方法GB/T6618硅片厚度和總厚度變化測試方法GB/T13387電電子材料品片參考面長度測量方法SJ/T3244.1GaAs和InP材料霍耳遷移率和載流子濃度的測量方法SJ/T3245磷化銦單品位錯密度測量方法SJ/T3249.1半半絕緣砷化鏢和磷化銦體單品材料的電阻率測試方法要求3.1牌號磷化鋼單品的牌號表示方法為：HPLEC-InP-口（（表示晶向表表示導電類型，括號內(nèi)的元素符號表示摻雜劑表示磷化鋼單品表示高壓液封直拉法示例：HPLEC-InP-Si(Fe）（100).表示高壓液封直拉法摻鐵半絕緣(100)品向磷化銦單品。若單品不強調(diào)生長方法和摻雜劑，則相應部分可以省略3.2磷化銦單晶徒的特性3.2

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