第一章 二極管

1、1第一章第一章 二極管及直流穩(wěn)壓電源二極管及直流穩(wěn)壓電源重點掌握：重點掌握：晶體二極管的伏安特性及主要參數(shù)，二極晶體二極管的伏安特性及主要參數(shù)，二極管典型應(yīng)用電路，直流穩(wěn)壓電源的結(jié)構(gòu)及原理管典型應(yīng)用電路，直流穩(wěn)壓電源的結(jié)構(gòu)及原理不要將注意力過多放在管子內(nèi)部，而以理解外特性為不要將注意力過多放在管子內(nèi)部，而以理解外特性為主主2二極管單向?qū)щ娦远O管單向?qū)щ娦裕ㄖ匾莆罩R）（重要掌握知識）3小功率小功率二極管二極管大功率大功率二極管二極管穩(wěn)壓穩(wěn)壓二極管二極管發(fā)光發(fā)光二極管二極管一、一、二二極極管管外外形形圖圖4二、二極管的二、二極管的伏安特性伏安特性開啟電壓開啟電壓Uon:硅管硅管0.5V，鍺管

2、鍺管0.1V導(dǎo)通電壓導(dǎo)通電壓: 硅管硅管0.60.8V,鍺管鍺管0.10.3V反向擊穿反向擊穿電壓電壓UBR)1( TUuSeIiUI5理想二極管：開啟電壓理想二極管：開啟電壓=0 V，導(dǎo)通壓降，導(dǎo)通壓降=0 V。二極管：開啟電壓二極管：開啟電壓=0 .5V，導(dǎo)通壓降，導(dǎo)通壓降 0.7V(硅二極管硅二極管)RLuiuouiuott1：二極管半波整流：二極管半波整流三、二極管應(yīng)用三、二極管應(yīng)用電路舉例62、 二極管與門電路二極管與門電路0V3VYABVCC=+5VD13k3kRD2&ABY=ABVAVBVY0V0V0V3V3V0V3V3V電壓功能表電壓功能表0.7V0.7V0.7V3.7

3、V硅管硅管 UD=0.7V73 3、 二極管或門電路二極管或門電路0V3VABYDD12R3k3kABY=A+B11電壓功能表電壓功能表VAVBVY0V0V0V3V3V0V3V3V0V2.3V2.3V2.3V硅管硅管 UD=0.7V8四、四、 二極管的主要參數(shù)二極管的主要參數(shù) 1. 最大整流電流最大整流電流 IF二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。2. 最高反向工作電壓最高反向工作電壓UR二極管工作時允許外加的最大反向電壓。通常二極管工作時允許外加的最大反向電壓。通常UR是擊穿是擊穿電壓電壓UBR的一半。的一半。3. 反向電流

4、反向電流IR4. 最高工作頻率最高工作頻率 fM指二極管加反向電壓且未擊穿時的反向電流。指二極管加反向電壓且未擊穿時的反向電流。二極管工作的上限頻率。二極管工作的上限頻率。二極管的應(yīng)用：二極管的應(yīng)用：主要利用它的單向?qū)щ娦?，?yīng)用于整流、限幅、保護等等。主要利用它的單向?qū)щ娦裕瑧?yīng)用于整流、限幅、保護等等。9半導(dǎo)體及半導(dǎo)體及PNPN結(jié)概述結(jié)概述（了解、理解知識）（了解、理解知識）10一、半導(dǎo)體基本知識一、半導(dǎo)體基本知識導(dǎo)體：導(dǎo)體： 容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體，金屬一般都是導(dǎo)體。容易導(dǎo)電的物質(zhì)稱為導(dǎo)體，金屬一般都是導(dǎo)體。 109cm半導(dǎo)體：半導(dǎo)體：導(dǎo)電特性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體導(dǎo)電特性介于

5、導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體, , 如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。如鍺、硅、砷化鎵和一些硫化物、氧化物等。 半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理不同于其它物質(zhì)，所以它具有不同于半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理不同于其它物質(zhì)，所以它具有不同于其它物質(zhì)的特點。例如：其它物質(zhì)的特點。例如： 當(dāng)受外界熱和光的作用時，它的導(dǎo)電能力明顯變化。當(dāng)受外界熱和光的作用時，它的導(dǎo)電能力明顯變化。 往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會使它的導(dǎo)電能力明顯往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，會使它的導(dǎo)電能力明顯改變改變。例如：室溫下，在純硅中。例如：室溫下，在純硅中摻摻入百萬分之一的硼，可以使入百萬分之一的硼，可以使硅的導(dǎo)電能力提高硅的導(dǎo)電能力提高5

6、050萬倍。萬倍。111 1 、本征半導(dǎo)體、本征半導(dǎo)體u結(jié)構(gòu)特點結(jié)構(gòu)特點GeSi通過一定的工藝過程，可以將半導(dǎo)體制成通過一定的工藝過程，可以將半導(dǎo)體制成晶體晶體?，F(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅現(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅(14)和鍺和鍺(32)，它，它們的最外層電子（價電子）都是四個。們的最外層電子（價電子）都是四個。本征半導(dǎo)體：本征半導(dǎo)體：純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。純凈的具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。+14284Si硅原子結(jié)構(gòu)示意圖+3228 18Ge鍺原子結(jié)構(gòu)示意圖鍺原子結(jié)構(gòu)示意圖4原子結(jié)構(gòu)示意圖原子結(jié)構(gòu)示意圖13在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點陣

7、，每個原在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點陣，每個原子都處在正四面體的中心，而四個其它原子位于四面體的頂點，子都處在正四面體的中心，而四個其它原子位于四面體的頂點，每個原子與其相臨的原子之間形成每個原子與其相臨的原子之間形成共價鍵共價鍵，共用一對價電子，共用一對價電子。硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu)：硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu)：+4+4表表示示除除去去價價電電子子后后的的正正離離子子14硅和鍺的共價鍵結(jié)構(gòu)硅和鍺的共價鍵結(jié)構(gòu)共價鍵共價鍵共用電子對共用電子對+4+4+4+4形成共價鍵后，每個原子的形成共價鍵后，每個原子的最外層電子是八個，構(gòu)成穩(wěn)最外層電子是八個，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。定結(jié)構(gòu)。共價鍵有很強的結(jié)合力，使共價鍵

8、有很強的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。原子規(guī)則排列，形成晶體。共價鍵中的兩個電子被緊緊共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為束縛在共價鍵中，稱為束縛束縛電子電子，常溫下束縛電子很難常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為脫離共價鍵成為自由電子自由電子，因此本征半導(dǎo)體中的自由電因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。導(dǎo)電能力很弱。15u本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理在絕對在絕對0度度（T=0K）和沒和沒有外界激發(fā)時有外界激發(fā)時, ,價電子完全被共價電子完全被共價鍵束縛著，本征半導(dǎo)體中沒價鍵束縛著，本征半導(dǎo)體中沒有可以運動的帶電粒子（即有可

9、以運動的帶電粒子（即載載流子流子），它的導(dǎo)電能力為），它的導(dǎo)電能力為 0，相當(dāng)于絕緣體。相當(dāng)于絕緣體。在常溫下，由于熱激發(fā)在常溫下，由于熱激發(fā), ,使一些價電子獲得足夠的能量使一些價電子獲得足夠的能量而脫離共價鍵的束縛，成為而脫離共價鍵的束縛，成為自自由電子由電子，同時共價鍵上留下一，同時共價鍵上留下一個空位，稱為個空位，稱為空穴空穴。l載流子、自由電子和空穴載流子、自由電子和空穴+4+4+4+4自由自由電子電子空穴空穴束縛電子束縛電子本征半導(dǎo)體中本征半導(dǎo)體中自由電子自由電子和和空穴空穴總是成對出現(xiàn)的，而且數(shù)量相總是成對出現(xiàn)的，而且數(shù)量相等，稱為等，稱為電子空穴對。電子空穴對。16本征半導(dǎo)體的

10、導(dǎo)電機理本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機理+4+4+4+4在電場力的作用下，自由電在電場力的作用下，自由電子作定向移動，空穴也會吸子作定向移動，空穴也會吸引附近的價電子來依次填補引附近的價電子來依次填補,結(jié)果相當(dāng)于空穴也作定向移結(jié)果相當(dāng)于空穴也作定向移動，而空穴的移動相當(dāng)于正動，而空穴的移動相當(dāng)于正電荷的移動，因此也可以認電荷的移動，因此也可以認為空穴是為空穴是載流子載流子。自由電子在運動過程中如果與自由電子在運動過程中如果與空穴相遇就會填補空穴而消失空穴相遇就會填補空穴而消失,稱為稱為復(fù)合復(fù)合；在一定的溫度下，；在一定的溫度下，熱激發(fā)產(chǎn)生的自由電子與空穴熱激發(fā)產(chǎn)生的自由電子與空穴對，與復(fù)合的自由電子與空穴

11、對，與復(fù)合的自由電子與空穴對數(shù)目相等，故達到對數(shù)目相等，故達到動態(tài)平衡動態(tài)平衡.本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度，在一定溫度下載流子的濃度，在一定溫度下,載流子的濃度是一定的，載流子的濃度是一定的，溫度溫度越高，載流子的濃度越高，越高，載流子的濃度越高，本本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強。本征半導(dǎo)體中電流由兩部分本征半導(dǎo)體中電流由兩部分組成：組成： 自由電子移動產(chǎn)生的自由電子移動產(chǎn)生的電流，電流， 空穴移動產(chǎn)生的電流空穴移動產(chǎn)生的電流自由電子自由電子和和空穴空穴都參與導(dǎo)電都參與導(dǎo)電+-電子和空穴的產(chǎn)生過程動畫演示電子和空穴的產(chǎn)生過程動畫演示182

12、2、雜質(zhì)半導(dǎo)體、雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加了。雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加了。P 型半導(dǎo)體：型半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中摻入三價元素在本征半導(dǎo)體中摻入三價元素(如硼如硼)構(gòu)成的雜質(zhì)半導(dǎo)體。構(gòu)成的雜質(zhì)半導(dǎo)體。N 型半導(dǎo)體：型半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中摻入五價元素在本征半導(dǎo)體中摻入五價元素( (如磷如磷) )構(gòu)成的雜質(zhì)半導(dǎo)體。構(gòu)成的雜質(zhì)半導(dǎo)體。19uN 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 多余電子因不受共價鍵的束縛成為多余電子因不受共價鍵的束縛成

13、為自由電子自由電子，同時磷原子同時磷原子就成為不能移動的帶正電的離子，稱為就成為不能移動的帶正電的離子，稱為施主原子。施主原子。 另外另外N 型半導(dǎo)體中還有少量的空穴，其濃度遠小于自由電型半導(dǎo)體中還有少量的空穴，其濃度遠小于自由電子的濃度，所以把自由電子稱為子的濃度，所以把自由電子稱為多數(shù)載流子多數(shù)載流子，空穴稱為空穴稱為少數(shù)載少數(shù)載流子，流子，簡稱簡稱多子多子和和少子少子。在本征半導(dǎo)體中摻入在本征半導(dǎo)體中摻入五價元素五價元素多余電子多余電子磷原子磷原子+N型硅表示型硅表示20uP 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 P 型半導(dǎo)體中空穴是型半導(dǎo)體中空穴是多數(shù)載流子多數(shù)載流子，電子是電子是少少數(shù)載流子數(shù)載流子。

14、當(dāng)附近硅原子的外層電子由于熱運動填補空穴時，硼原當(dāng)附近硅原子的外層電子由于熱運動填補空穴時，硼原子成為不可移動的負離子。硼原子稱為子成為不可移動的負離子。硼原子稱為受主原子受主原子。在本征半導(dǎo)體中摻入在本征半導(dǎo)體中摻入三價元素三價元素空穴空穴硼原子硼原子P型硅表示型硅表示N型半導(dǎo)體的形成過程型半導(dǎo)體的形成過程P型半導(dǎo)體的形成過程型半導(dǎo)體的形成過程23u雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示法P 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體+N 型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體雜質(zhì)雜質(zhì)型半導(dǎo)體多子和少子的移動都能形成電流。但型半導(dǎo)體多子和少子的移動都能形成電流。但由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是多子由于數(shù)量的關(guān)系，起導(dǎo)電作用的主要是

15、多子。近近似認為多子似認為多子濃度濃度與所摻雜質(zhì)濃度相等。與所摻雜質(zhì)濃度相等。24uPN 結(jié)的形成結(jié)的形成在同一片半導(dǎo)體基片上在同一片半導(dǎo)體基片上采用不同的摻雜工藝分采用不同的摻雜工藝分別制造別制造P 型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和N 型半導(dǎo)體，由于濃度的型半導(dǎo)體，由于濃度的不同，經(jīng)過載流子的不同，經(jīng)過載流子的擴擴散散，在它們的交界面處，在它們的交界面處就形成了就形成了PN 結(jié)。結(jié)。二、二、 PN PN 結(jié)結(jié)由于濃度差而產(chǎn)生的運動由于濃度差而產(chǎn)生的運動稱為稱為擴散運動擴散運動。25在電場力的作用下，載流子的運動稱為在電場力的作用下，載流子的運動稱為漂移運動漂移運動。隨著隨著擴散擴散運動的進行，空間電荷區(qū)

16、加寬，內(nèi)電場增強，運動的進行，空間電荷區(qū)加寬，內(nèi)電場增強，阻止擴散運動的進行，但有利于少子的阻止擴散運動的進行，但有利于少子的漂移漂移?？臻g電荷區(qū)，也稱耗盡層?？臻g電荷區(qū)中沒有載流子?？臻g電荷區(qū)，也稱耗盡層?？臻g電荷區(qū)中沒有載流子。P 區(qū)中的電子和區(qū)中的電子和 N 區(qū)中的空穴（都是少子），數(shù)量有限，區(qū)中的空穴（都是少子），數(shù)量有限，因此由它們形成的電流很小。因此由它們形成的電流很小。PN 結(jié)具有單向?qū)щ娦越Y(jié)具有單向?qū)щ娦援?dāng)擴散的多子和漂移的少子數(shù)目相等時，達到動態(tài)平衡，當(dāng)擴散的多子和漂移的少子數(shù)目相等時，達到動態(tài)平衡，形成形成PN 結(jié)。結(jié)。漂移運動漂移運動PN結(jié)形成過程動畫演示結(jié)形成過程動畫演

17、示27PN 結(jié)正向偏置結(jié)正向偏置P P 正正N N 負負, ,導(dǎo)通導(dǎo)通內(nèi)電場內(nèi)電場外電場外電場變薄變薄+REPN+-內(nèi)電場被削弱，多子內(nèi)電場被削弱，多子的擴散加強，能夠形的擴散加強，能夠形成較大的擴散電流。成較大的擴散電流。uPNPN結(jié)的單向?qū)щ娦越Y(jié)的單向?qū)щ娦韵蘖麟娮柘蘖麟娮鑀N結(jié)正偏動畫演示結(jié)正偏動畫演示29PN 結(jié)反向偏置結(jié)反向偏置P負負N 正，截止正，截止內(nèi)電場內(nèi)電場外電場外電場變寬變寬內(nèi)電場被加強，多子的內(nèi)電場被加強，多子的擴散受抑制。少子漂移擴散受抑制。少子漂移加強，但少子數(shù)量有限，加強，但少子數(shù)量有限，只能形成較小的反向電只能形成較小的反向電流。流。+NP+_RE反向反向 飽和電

18、流飽和電流PN 結(jié)具有單向?qū)щ娦?！結(jié)具有單向?qū)щ娦?！PN結(jié)反偏動畫演示結(jié)反偏動畫演示31三、二極管的識別和檢測三、二極管的識別和檢測1、識別、識別 認型號、辯正負認型號、辯正負第一部分第一部分第二部分第二部分第三部分第三部分第四部分第四部分第五部分第五部分用數(shù)字表示器用數(shù)字表示器件電極數(shù)目件電極數(shù)目用漢語拼音表示器件的用漢語拼音表示器件的材料和極性材料和極性用漢語拼音表示器件的類型用漢語拼音表示器件的類型符符號號意義意義符符號號意義意義符符號號意義意義符符號號意義意義23二極管二極管三極管三極管AN型，鍺材料型，鍺材料P普通管普通管D低頻大功率管低頻大功率管用數(shù)字表示用數(shù)字表示器件序號器件序號

19、用漢語拼音用漢語拼音表示規(guī)格號表示規(guī)格號BP型，鍺材料型，鍺材料V微波管微波管A高頻大功率管高頻大功率管CN型，硅材料型，硅材料W穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管T半導(dǎo)體閘流管半導(dǎo)體閘流管DP型，硅材料型，硅材料C參量管參量管Y體效應(yīng)器件體效應(yīng)器件APNP型，鍺材料型，鍺材料Z整流管整流管B雪崩管雪崩管BNPN型，鍺材料型，鍺材料L整流堆整流堆J階躍恢復(fù)管階躍恢復(fù)管CPNP型，硅材料型，硅材料S隧道管隧道管CS場效應(yīng)器件場效應(yīng)器件DNPN型，硅材料型，硅材料N阻尼管阻尼管BT半導(dǎo)體特殊器件半導(dǎo)體特殊器件E化合物材料化合物材料U光電器件光電器件FH復(fù)合管復(fù)合管K開關(guān)管開關(guān)管PINPIN型管型管X低頻小功低頻小功率管

20、率管JG激光管激光管G高頻小功高頻小功率管率管普通二極管：普通二極管：2*P*穩(wěn)壓二極管：穩(wěn)壓二極管：2*W*322、檢測、檢測u指針表指針表 歐姆檔（歐姆檔（R 1K） 看正向反向電阻值；看正向反向電阻值；u數(shù)字萬用表數(shù)字萬用表 二極管檔二極管檔 測測PN結(jié)正向反向壓降結(jié)正向反向壓降33作業(yè)：按照以下例圖進行仿真運行，測量變作業(yè)：按照以下例圖進行仿真運行，測量變壓器副邊、整流輸出電壓值各是多少，觀察壓器副邊、整流輸出電壓值各是多少，觀察輸出波形。輸出波形。34二極管整流應(yīng)用電路二極管整流應(yīng)用電路（重要掌握知識）（重要掌握知識）整流電路整流電路 將交流電壓轉(zhuǎn)變?yōu)槊}動的直流電壓。將交流電壓轉(zhuǎn)變?yōu)?/p>

21、脈動的直流電壓。 半波、全波、橋式和倍壓整流；半波、全波、橋式和倍壓整流； 單相和三相整流等。單相和三相整流等。 二極管的正向?qū)娮铻榱?，反向電阻為無窮大。二極管的正向?qū)娮铻榱?，反向電阻為無窮大。利用二極管的單向?qū)щ娦岳枚O管的單向?qū)щ娦詔 uDO u 負半周，負半周，VauC時，二極管導(dǎo)通，時，二極管導(dǎo)通，電源在給負載電源在給負載RL供電的供電的同時也給電容充電，同時也給電容充電， uC 增加，增加，uo= uC = u 。 CC+Cici +aDuoubRLio= uC 二極管承受的最高反向電壓為二極管承受的最高反向電壓為 UU22DRM uoU2U2u tO tOiout U2u

22、o tU2RLuo+ u1234ab+ +C u uC時，二極管導(dǎo)通，時，二極管導(dǎo)通，電源在給負載電源在給負載RL供電的供電的同時也給電容充電，同時也給電容充電， uC 增加，增加，uo= uC= u 。 CC u25)(3LTCR 一般取一般取(1) (1) 輸出電壓的脈動程度與平均值輸出電壓的脈動程度與平均值Uo與放電時間與放電時間 常數(shù)常數(shù)RLC有關(guān)。有關(guān)。 近似估算?。航乒浪闳。?Uo = 1. 2 U ( 橋式、全波）橋式、全波） Uo = 1. 0 U （半波）半波）U2 為了得到比較平直的輸出電壓為了得到比較平直的輸出電壓L uRLuo+C 濾波效果比濾波效果比LC濾波器更好，

23、濾波器更好，但二極管的沖擊但二極管的沖擊電流較大。電流較大。 比比 形形 LC 濾波器的體積濾波器的體積小、成本低。小、成本低。L uRLuo+C2+C1R uRLu+C2+C1 49作業(yè)：分別測量上次仿真電路中原邊、副邊、作業(yè)：分別測量上次仿真電路中原邊、副邊、整流、濾波、負載開路等各種情況下電壓值，整流、濾波、負載開路等各種情況下電壓值，并根據(jù)本次課驗證本次課中的計算公式。并根據(jù)本次課驗證本次課中的計算公式。50直流穩(wěn)壓電路直流穩(wěn)壓電路（掌握知識）（掌握知識）51u整流濾波后的直流電壓源的應(yīng)用問題？整流濾波后的直流電壓源的應(yīng)用問題？u解決方法？解決方法？52一、一、 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管U

24、IIZIZmax UZ IZUZ穩(wěn)壓二極管工作在二極管穩(wěn)壓二極管工作在二極管特性曲線的反向擊穿部分特性曲線的反向擊穿部分動態(tài)電阻：動態(tài)電阻：ZZIUZrrz 越小，曲線越陡越小，曲線越陡,穩(wěn)壓性能越好。穩(wěn)壓性能越好。符號和等效電路：符號和等效電路：（IZmin）使用時要加限流電阻使用時要加限流電阻穩(wěn)定電壓穩(wěn)定電壓穩(wěn)定電流穩(wěn)定電流53（2）穩(wěn)定電流穩(wěn)定電流IZ（3）額定功耗）額定功耗maxZZZMIUP穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù):（1）穩(wěn)定電壓穩(wěn)定電壓 UZ（5）溫度系數(shù)溫度系數(shù) 穩(wěn)壓值受溫度變化影響的系數(shù)。穩(wěn)壓值受溫度變化影響的系數(shù)。（4）動態(tài)電阻）動態(tài)電阻ZZIUZrUO =

25、UZ IR = IO + IZUIUZRL (IO ) IR 設(shè)設(shè)UI一定，負載一定，負載RL變化變化UO 基本不變基本不變 IR (IRR) 基本不變基本不變 UO (UZ ) IZ +UIRL+CIOUO+uIRRDZIz限流調(diào)壓限流調(diào)壓穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓電路ORIUUU 55穩(wěn)壓二極管的計算舉例：穩(wěn)壓二極管的計算舉例：P25UoIZILIRUIDZRRL5mA2 5mA, V,6maxmin ZZZIIU如圖所示電路，穩(wěn)壓管的如圖所示電路，穩(wěn)壓管的輸入電壓輸入電壓UI=10V，負載電阻，負載電阻RL=600，求限流電阻求限流電阻R的取值的取值范圍范圍。解：解：LZZZILZZIRRRUIUUI

26、IUUIU R II IZLR 01.04600/6610 ZZIIZIR-UUU ZOUU 56得得代入上式代入上式將將，mAImAIZZ25,5maxmin 22701. 0005. 0401. 04minmaxRIR 11401. 0025. 0401. 04maxminRIR限流電阻限流電阻R的取值范圍為的取值范圍為114 227 01.04 ZIR單片集成穩(wěn)壓電源，具有體積小單片集成穩(wěn)壓電源，具有體積小, ,可靠性高可靠性高, ,使使用靈活用靈活, ,價格低廉等優(yōu)點。價格低廉等優(yōu)點。最簡單的集成穩(wěn)壓電源只有輸入，輸出和公共最簡單的集成穩(wěn)壓電源只有輸入，輸出和公共引出端引出端,故稱之為三端集成穩(wěn)壓器。故稱之為三端集成穩(wěn)壓器。1. 分類分類兩位數(shù)字為輸出電壓值兩位數(shù)字為輸出電壓值三三端端穩(wěn)穩(wěn)壓壓器器輸出固定電壓輸出固定電壓輸出正電壓輸出正電壓78XX 輸出負電壓輸出負電壓79XX （1. 25 37 V 連續(xù)可調(diào)）連續(xù)可調(diào)）W78系列穩(wěn)壓器外形系列穩(wěn)壓器外形1輸入端輸入端2 公共端公共端3 輸出端輸出端W7900系列穩(wěn)壓器外形系列穩(wěn)壓器外形1 公共端公共端2