模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題課

1、模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)1.1. 在模擬集成放大電路中，二極管的作用是 _。（A A）保護(hù)（B B）電平移位（C C）溫度補(bǔ)償（D D）電壓放大答：A A、B B、C C2.2. 運(yùn)算放大器輸出接負(fù)載 RL,當(dāng)負(fù)載 RL變化時(shí)，要求負(fù)載 RL兩端電壓不變，運(yùn)算放大器采用 _負(fù)反饋。（A A）電壓并聯(lián)（B B）電流并聯(lián)（C C）電流串聯(lián)（D D）電壓串聯(lián)答：A A、D D3.3. 兩級(jí)放大器串接后需要改寬帶通，后級(jí)放大器應(yīng)置入 _電路。（A A）電壓并聯(lián)負(fù)反饋（B B）共基（C C）電流串聯(lián)負(fù)反饋（D D）共集答：A A、B B、D D4.4. 兩級(jí)放大器串接后需要改寬帶通，前級(jí)放大器應(yīng)置入 _電路。（

2、A A）電壓并聯(lián)負(fù)反饋（B B）共基（C C）電流串聯(lián)負(fù)反饋（D D）共集答: A A、D D5.5._共基電路高頻特性好的原因是_o(A A)密勒效應(yīng)低(B B)輸入電阻低(C C)電流串聯(lián)負(fù)反饋(D D) f fa高答：A A、B B6.6.共集電路高頻特性比共射電路好的原因是(C)(C)電流并聯(lián)負(fù)反饋(D D)和低答: A A7.7._摻雜濃度高的會(huì)引起 _擊穿， 摻雜濃度低的會(huì)引起 _擊穿。答：齊納、雪崩8.8.摻雜濃度低的半導(dǎo)體會(huì)引起雪崩擊穿的原因是反向電壓增高時(shí)，少子獲得能量高速運(yùn)動(dòng)，在空間電荷區(qū)與原子發(fā)生碰撞電離，使 _ 激增(A A)多子(B B)反向電流(C C)載流子(D

3、D)反向電壓答: B B(A(A)降低密勒效應(yīng)(B)(B) 輸出電阻低9.9._ 單級(jí)理想運(yùn)算放大器接成只有電壓并聯(lián)負(fù)反饋時(shí)，會(huì)應(yīng)用到 _ 概念(A A)虛斷(B(B)虛短(C(C)虛地(D(D) A A 為窮大答：A A、B B、C C、D D10.10. 單級(jí)理想運(yùn)算放大器接成只有電壓串聯(lián)負(fù)反饋時(shí)，不會(huì)應(yīng)用到_ 概念(A A)虛斷(B B)虛短(C C)虛地(D D)A A 為窮大答: C C11.11. 在實(shí)際工程運(yùn)用中，引入負(fù)反饋后，相位裕度和幅度裕度應(yīng)該滿(mǎn)足 _ 180180。，羽 dBdB( B B) 4545,0dB0dB(C C) 1010 ， 10dB10dB( D D) 4

4、545。，羽 5dB5dB答: B B1212 三極管共射放大電路引入電壓負(fù)反饋后，輸入電阻 _。(A A)增大(B B)減小(C C)也許增大，也許減小(D D)不變答: C C1313 電流源電路若置入共射差分放大電路的射極，起到的作用是 _o(A A)有源大負(fù)載(B B)恒流(C C)克服溫度漂移(D D)耦合答：A A、B B、C C、D D1414 下面哪些列出的半導(dǎo)體器件是有源器件 _。(A A)電流源(B B) MOSMOS 管(C C) TTLTTL 三極管(D D)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管答：B B、C C、D D1515 從伏安特性曲線(xiàn)觀(guān)察，下面哪些是有源器件 _。(A A)只要有一點(diǎn)

5、其導(dǎo)數(shù)為負(fù)(B B)導(dǎo)數(shù)處處為負(fù)(C C)只要有一點(diǎn)其導(dǎo)數(shù)為零(D D)導(dǎo)數(shù)處處為正答：A A、B B1616 在實(shí)際工程應(yīng)用中引入負(fù)反饋后電壓增益下降 2020 分貝，為保證系統(tǒng)穩(wěn)定,反饋系數(shù)至少要大于_。(A A) 0.010.01(B B) 0.10.1(C C) 1 1(D D) 2020答: B B1717 下列給出的電流源， _ 精度最高。(A A)威爾遜電流源(B B)比例電流源(C(C)鏡像電流源(D)(D) 精密電流源答: D D1818 下列給出了電路組成的有源負(fù)載，其中 _ 阻抗最大。(A A)威爾遜電流源(B B)增強(qiáng)型 MOSMOS 管(C C)耗盡型 MOSMOS

6、管(D D) CMOSCMOS 互補(bǔ)放大器答：A A1919 乙類(lèi)功率放大器和甲乙類(lèi)功率放大器的效率相比，乙類(lèi)(A A)等于(C C)小于(B B)大于(D D)根據(jù)具體情況判斷大于答: A A20.20.共集電極三極管放大電路帶寬比共射電路的寬的主要原因是(A A) K K 小(B B)輸入電阻小(C C)密勒電容小(D D)輸出電阻小答: A A1.圖 1 (a)和圖 1 ( b)是運(yùn)算放大器組成的算術(shù)運(yùn)算電路，試回答：(1)哪個(gè)電路輸入電阻高？哪個(gè)電路輸出電阻高？(2 ) 當(dāng)信號(hào)源電阻RS變化時(shí)，哪個(gè)輸出電壓穩(wěn)定性好？(3)當(dāng)負(fù)載電阻RL變化時(shí)，哪個(gè)輸出電壓穩(wěn)定？哪個(gè)輸出電流穩(wěn)定？(4)

7、求圖 1 (a)和圖 1 (b)Ausf、rif、rof。甲乙類(lèi)rof。(a)圖1(b)(5)去掉電路中的運(yùn)算放大器 Ai后，求圖 1 ( a)和圖 1 ( b)Ausf、fUBE*7UBEiciii2U1土 5 U2RiR2RUTUBEUOUOUTIn（1） 溫度穩(wěn)定性不好。解：（1） （a）電壓串聯(lián)負(fù)反饋，（b）電流并聯(lián)負(fù)反饋。（a）電路輸入電阻高，（b）電路輸出電阻高。（2） 當(dāng)信號(hào)源電阻RS變化時(shí)，（a）輸出電壓穩(wěn)定。（3） 當(dāng)負(fù)載電阻RL變化時(shí)，（a）輸出電壓穩(wěn)定，（b ）輸出電流穩(wěn)定。(4) (a)IiIfUS/R(UoUS)/R2；AUsfUO/US1R2/R；rif；rof 0

8、。(b)IiIfUS/(RIFS)UO/RL?R4/R2；AUsfUO/USRL/(RSR|)?R4/R2；rifRSR；rof。(5)IfUS/R (UoUS) /R2；AUsfUO/US1R2/ R1；rif；rof 0。(b)IiIfUS/(R1 RS)U/RL?(R4R2)/R2；AusfUO/USRL/(RSR)?(R4R2)/R4；rifRS冃；rof。2.圖 2 所是運(yùn)算放大器組成的運(yùn)算電路,（1） 溫度穩(wěn)定性能如何？（2） 輸出電壓U。的最大值是多少？ 解：電壓并聯(lián)負(fù)反饋血=R/ R? ；of=0。R= R2，試求U。、rf、rof。并問(wèn)UiU2ISR圖2O(2)UBE圖3解：

9、由運(yùn)算放大器 Ai可知，U+=RU2R3R4三極管集電極電流和基極電流之比為M3.試說(shuō)明圖 3 所示運(yùn)算放大器組成的電路功能，試求解：電流串聯(lián)負(fù)反饋|o、fof。rif=rof= IOICIE詈250mA由運(yùn)算放大器組成的電流源電路。4.圖 4 組成運(yùn)算放大電路中的試寫(xiě)出電路中三極管集電極電流和基極電流之比，并說(shuō)明電路功能。解：由運(yùn)算放大器 Ai可知，F(xiàn)44U2R3R4U+=三極管集電極電流和基極電流之比為：Ic UiUR2IBRi=R2，R3=R4，輸出串接一只電壓表讀出輸出電壓數(shù)據(jù)U。R4UiU24-&艮R4UiRi電路功能是M直測(cè)量電路。5.圖 5 組成運(yùn)算放大電路中的 換，試寫(xiě)

10、出電路中輸出發(fā)光二極管Ri=R2,R3=R4,輸出電壓UO接兩比較器輸入。三極管可以更Di和D2同時(shí)發(fā)光時(shí)，三極管M值的范圍，并說(shuō)明電路功能。A22UOR2RPR4圖5UccIV UCC，3V UOJULARIBUORU2R4&R4UIU22UI1UOU22 3RUOUOUIU2T3UiU22環(huán)在此范圍內(nèi)時(shí)，只有一個(gè)發(fā)光二極管Di或 D2發(fā)光。6.各個(gè)分解電路如圖 6 所示，已知晶體管3=100 ,rbei=3kQ,rbe2=2kQ,低3=1鈦Q，連接成三級(jí)放大器，使輸入電阻大(輸入電壓穩(wěn)定)接耦合電路。問(wèn)(1)連接成直接耦合電路后，其放大倍數(shù)和單級(jí)共射電路一樣，但高頻特 性比單級(jí)共射

11、電路要好，為什么？(2)為什么采用雙電源供電？解：(1)克服了密勒效應(yīng)。二極管 、穩(wěn)壓管交流分析時(shí)認(rèn)為短路，可求 輸入電阻、輸出電阻和放大倍數(shù)。(2 )保證輸入、輸出端的直流電位 為零，有合適的工作點(diǎn)。、輸出電阻小(帶負(fù)載能力強(qiáng))、放大倍數(shù)高的直RLUO0.2kQ7.晶體管放大電路如圖 7 所示，已知晶體管3100 ,rbe=2kQ。4 個(gè)節(jié)點(diǎn)如何連接，連接成 什么組態(tài)，分別滿(mǎn)足下述要求。(1) 要求電源電壓放大倍數(shù)Aus最大。(2) 要求輸出電壓UO-Us。(3) 要求輸出電壓UO Us。(4) 接負(fù)載R=1kQ時(shí)，UO|US|。(5) 同時(shí)獲得一對(duì)大小相等符號(hào)相反的輸出信號(hào)解：(1)接成射

12、極接地的共射極組態(tài)，端接， 輸出端，接地。rRBrbe=2kQAUSUOUsr RLiRsbe50雖然共基極放大倍數(shù)與共射放大倍數(shù)相同,輸入電阻小于共射，電源電壓放大倍數(shù)小于共射AusUOriRLUsri Rsrbe(1)RE放大倍數(shù)。(2)接成射極偏置電路的共射極組態(tài)，端接，輸出端，開(kāi)路。=RB(rbe+(1+3RE) =145kQ共射放大倍數(shù)明顯減小，輸入電阻增加，電源電壓放大倍數(shù)接近于共射放大倍數(shù)。(3)接成共集電極組態(tài)，端接，接直流電源或開(kāi)路，輸出端。RB/(展+(1+ RE)=145kQA Uor (1)RE1SUSFRsrbTP豆雖然從原理上講，共基極放大組態(tài)也能滿(mǎn)足要求，但輸入電

13、阻太小，電源電壓不能承受如此小的負(fù)載。(4)接成共集電極組態(tài)，端接，接直流電源或開(kāi)路，接負(fù)載RL為輸出端。D=RB/rbe+(1+3)(RE/RL)=63kQ吋(1 )RLriRsrbe(1) _雖然從原理上講，共基極放大組態(tài)也能滿(mǎn)足要求， 小的負(fù)載。(5) 端接，接反向輸出，接同相輸出8.分析圖 8 所示電路，畫(huà)出交流 等效電路，求出Au?；卮鹣铝袉?wèn)題。(1)畫(huà)出交流通路。(2)第一級(jí)反相傳輸系數(shù)的變化。(3)試分析電路的高頻特性，為什么？解:交流等效電路如圖 8-1 所示，圖 是CE-CB 組合電路。(1)共基極輸入電阻小，若作為負(fù)載 接到共射極的輸出，致使輸出電壓小， 所以反向傳輸系數(shù)變

14、大。(2)共射極負(fù)載電阻小，其增益就小,密勒效應(yīng)小，另外共基極輸入電阻低，導(dǎo)致每個(gè)電壓環(huán)路的截頻較大，所以適合高頻，并且穩(wěn)定性好，所以高頻特性好。9.分析圖 9 波特圖。(1) 引入負(fù)反饋后，問(wèn)臨界振蕩時(shí)，增益下降了多少分貝？(2) 從工程的角度，弓|入負(fù)反饋后，系統(tǒng)穩(wěn)定，增益最多下降多少分貝?(3)寫(xiě)出滿(mǎn)足工程應(yīng)用時(shí)，負(fù)反饋穩(wěn)定系統(tǒng)的增益函數(shù)A。AUSUoUS但輸入電阻太小，電源電壓不能承受如此，即分別接成共集電極和共射極。8O圖9解：(1 )弓1入負(fù)反饋后，臨界振蕩時(shí)，達(dá)到相移180 度時(shí)的增益為 40 分貝，因此增益下降40 分貝。(2)從工程的角度，弓I入負(fù)反饋后，系統(tǒng)穩(wěn)定，相位應(yīng)和1

15、800差 450,所以在 1350時(shí)的增益值 60 分貝，因此增益最多下降 20 分貝。10.分析圖 10 運(yùn)算放大電路的極間反饋的極性和組態(tài)，并計(jì)算深度負(fù)反饋情況下的閉環(huán)電 壓增益。解: (1)電阻 R、盡構(gòu)成極間反饋網(wǎng)絡(luò)。由于無(wú)電容，屬于交直流反饋。(2)信號(hào)和反饋電壓不在輸入的同一端子上，屬于串聯(lián)反饋。將輸出信號(hào)短路后，反饋 信號(hào)不存在，為電壓反饋。A2輸出為正，電阻R4上11.分析圖 11 運(yùn)算放大電路的電路功能，并計(jì)算輸入端的阻抗，若電容C改為電阻R后輸 入端的阻抗特性是什么？ 解: (1 )負(fù)反饋能力大于正反饋，工作穩(wěn)定，可分析得到。UiR2Ui 1jwC1U+=u-,If=5 u。R1jwCR