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1、通過水溶液法控制氧化鋅納米棒的生長(zhǎng)氧化鋅 氧化鋅是一種新型的直接寬禁帶半導(dǎo)體材料，室溫下的禁帶寬度達(dá)到3.37 eV，激子束縛結(jié)合能高達(dá)60 meV，具有潛在的、優(yōu)異的紫外光、藍(lán)綠光發(fā)射能力。目前，氧化鋅在紫外探測(cè)器、紫外半導(dǎo)體激光器、透明導(dǎo)電薄膜、氧化鋅異質(zhì)結(jié)、場(chǎng)發(fā)射、液晶顯示和稀磁半導(dǎo)體等方面具有廣泛的應(yīng)用前景。特別別是低維氧化鋅納米材料，不但具有大的比表面積，而且具有明顯的小尺寸效應(yīng)和量子尺寸效應(yīng)。因此，低維氧化鋅納米材料除了具有體材料的優(yōu)異特性外，還具有獨(dú)特的電學(xué)、光學(xué)和化學(xué)屬性。制備方法 一維納米氧化鋅通常的制備方法有水熱法、物理氣相沉積法、化學(xué)氣相沉積法、模板法、電化學(xué)沉積法等。但

2、這些方法工藝復(fù) 雜、能耗大、合成條件苛刻、難以大規(guī)模生產(chǎn)。 低溫溶液一步合成法具有合成純度高、工藝簡(jiǎn)單、污染小、低能耗、適合大批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn),在納米材料合成方面顯示出較大的優(yōu)勢(shì)。實(shí)驗(yàn)步驟六水合硝酸鋅六亞甲基四胺摩爾比1:160加熱攪拌1h室溫放置24h2x2cm硅基底70-90放置一段時(shí)間600環(huán)境下退火X射線衍射不同Zn2+濃度含有硅峰，證明基底的存在純度高，不含雜質(zhì)掃描電鏡棒排列、桿直徑和密度的增加生長(zhǎng)機(jī)理光致發(fā)光364nm紫外光強(qiáng)度與濃度無關(guān)結(jié)論氧化鋅成功地形成納米棒結(jié)構(gòu)。棒直徑隨著濃度的增加而增加。SAR計(jì)算是最高的濃度為0.01M，這意味著可以合成長(zhǎng)和薄的納米棒。通過固化劑HMTA在場(chǎng)的生長(zhǎng)過程和ZnO納米棒生長(zhǎng)機(jī)制的建議給出了化學(xué)方程式。室溫下的光致發(fā)光在0.005 M的

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