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1、+-VHEHeFmFbIdBABZXY+-VHEHFmFeBbIdABdIBRVHHIBKVHH或HRHK 稱為霍爾系數(shù)霍爾系數(shù) 稱為霍爾元件的靈敏度霍爾元件的靈敏度，單位為mv / (mAT) 產(chǎn)生霍爾效應(yīng)的原因是電流作定向運動，帶電粒子即載流子產(chǎn)生霍爾效應(yīng)的原因是電流作定向運動，帶電粒子即載流子（N型半導(dǎo)體中的載流子是帶負(fù)電荷的電子，型半導(dǎo)體中的載流子是帶負(fù)電荷的電子，P型半導(dǎo)體中的型半導(dǎo)體中的載流子是帶正電荷的空穴）在磁場中所受到的洛侖茲力作用載流子是帶正電荷的空穴）在磁場中所受到的洛侖茲力作用而產(chǎn)生的而產(chǎn)生的。 jeVBBVeBVqFm式中V為電子的漂移運動速度，其方向沿X軸的負(fù)方向。

2、e為電子的電荷量。指向Y軸的負(fù)方向。 +- - -VHEHeFmFbIdBABZXY+- - -VHEHFmFeBbIdABjbVejeEEeEqFHHHHe0emFF0jbVejeVBHbVeeVBH即VBbVHnebdIV IBKdIBRIBnedVHHH1所以neRH1稱為霍爾系數(shù)霍爾系數(shù) nedKH1稱為霍爾元件的靈敏度霍爾元件的靈敏度 HHVBIKIBdVRHH電導(dǎo)率電導(dǎo)率 的測量的測量按圖按圖1所示，設(shè)所示，設(shè)A、C之間的距離為之間的距離為L，樣品的橫截面積為，樣品的橫截面積為S=bd，流經(jīng)樣品的電流為流經(jīng)樣品的電流為IS，在零磁場下，若測得，在零磁場下，若測得A、C間的電位差為間的電位差為VAC，可由下式求得。，可由下式求得。 SVLIACSne即即 ，測出值，測出值 即可求即可求 。|R|H嚴(yán)格地說，在半導(dǎo)體中載流子的漂移運動速度并不完全相同，考慮到載流子速度的統(tǒng)計分布，并認(rèn)為多數(shù)載流子的濃度與遷移率之積遠(yuǎn)大于少數(shù)載流子的濃度與遷移率之積，可得半導(dǎo)體霍爾系數(shù)的公式中還應(yīng)引入一個霍爾因子，即)(pernerRHHH或xyzI12I43BHINV1234abceHI RLV HV1（4）不等電勢差 不等電勢差是由于霍爾元件的材料本身不均勻，以及電壓輸入端引線在制作時不可能絕對對稱地焊接在霍爾片的兩側(cè)，如圖所示。因此，當(dāng)電流 流過霍爾元件時，在電極3、4間也具有電勢差，

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