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文檔簡介

1、一、硼擴散工藝原理(液態(tài)源)目前,液態(tài)源硼擴散常用:硼酸三甲酯B(CH3O)3,硼酸三丙酯,三溴化硼B(yǎng)(B2)3,無水硼酸三甲酯B(CH3O)3,為無色透明液體,在室溫下揮發(fā)形成,具有較高真氣壓,硼酸三甲酯遇水易分解,升成硼酸和甲醇。B(CH3O)+3H2O=H3BO3+3(CH3OH)B(CH3O)500C以上B2O3+CO2+H2O+C2B2O3+3Si=3SiO2+4B硼酸三甲酯在高溫(500C以上)能夠分解出三氧化二硼(B2O3),而三氧化二硼在900C左右又能與硅片起反應,生成硼原子,并沉積在硅片表面,這就是預沉積過程;沉積后在基區(qū)窗口表面上生成具有色彩的硼硅玻璃。二、硼擴散裝置:硼

2、再分布:當爐溫升到預定溫度(1180C以后)通干O220分鐘,排除管道內空氣,同時加熱水浴瓶,是水浴溫度達到設定溫度值950C,一切就緒后,即可將正片和陪片一起裝入石英舟推入爐子恒溫區(qū),先通5分鐘干氧,在改通30分鐘濕氧,最后通5分鐘干氧,時間到即可把硅片拉出石英管,倒在銅塊上淬火,防止慢降溫時,金從硅體中析出。一、磷擴散工藝原理5POC13>600C3PC15+P2O52P2O5+5Si=5SiO2+4P4PCI5+5O2過量O22P2O5+6CI24PCI3+3O2過量O22P2O5+6Cl2磷預沉積時,一般通N2為2080ml/分,O2為2040ml/分,O2可通過,也可不

3、通過源。二、磷擴散裝置磷擴散源POCI3是無色透明有窒息性氣味的毒性液體,要求擴散系統密封性好,源瓶進出口兩端最好用聚四氟乙烯或聚氯乙烯管道連接。若用其他塑料管或乳膠管連接易被腐蝕,就需要經常更換。接口處最好用封口膠,由系統流出氣體應通過排風管排到室外,不要泄漏在室內。源瓶要嚴加密封,切勿讓濕氣進入源瓶。因為三氯氧磷吸水汽而變質,做擴散溫度上不去。2POCI3+3H2O=P2O5+5HCI發(fā)現三氟氧磷出現淡黃色就不能使用。一、磷沉積工藝條件:爐溫:1050C氣體流量:小N2為2080ml/分小O2為2040ml/分大N2為500ml/分源溫:0C二、磷再分布工藝條件:爐溫:950C1000CO

4、2流量:500ml/分水溫:95C三、高溫短時間磷擴散:1、磷預沉積:爐溫:1200C擴散源:POCl3大N2流量300ml/分小N2流量:70ml/分O2流量:85ml/分擴散時間:45分鐘(通源)+3分鐘(關源)2、磷再分布(三次氧化)爐溫:900CO2流量:500ml/分氧化時間:15分(濕O2)+10分(干O2)四、HCI拋光:當爐溫1180C時,HCI/N2=1.1%,N2流量為400ml/分情況下,拋光30分鐘。五、磷合金工藝文件:合金溫度:500C570C,合金時間:1020分鐘。(例如:在550C下通源5分鐘,通N210分鐘)六、箱法銻擴散:(雙極型半導體集成電路)配源:Sb2

5、O3:SiO2=1:4駅片1、硅片清洗2、配源3、源脫水:將配好的源平鋪在石英箱底上,蓋上石英蓋(不得蓋得很緊,留點縫口,這樣可減少合金點)放在爐口預熱5分鐘,推入恒溫區(qū)脫水20分鐘(爐溫:1220C氣體流量:1000ml/分+普N2300ml/分)4、裝置5、擴散:爐溫為1200C,氣體流量同上,爐溫穩(wěn)定后,把裝好的石英箱放在爐口預熱5分鐘,再推入恒溫區(qū)擴散2.5小時,到時通干O25分鐘,再把石英箱拉至爐口冷卻,當溫度降到室溫時,取出硅片。七、固態(tài)氮化硼擴散:爐溫:1050CO2流量:300ml/分氮化硼源制備固態(tài)氮化硼制備1、氮化硼活化與試片:爐溫:950C通O2氣30分鐘2、基區(qū)硼預沉積

6、:爐溫:960CN2流量:500ml/分沉積時間:30分鐘3、基區(qū)硼再分布:爐溫:1140C水浴溫度:95CO2:500ml/分再分布時間:7分鐘(干O2)+30分鐘(濕O2)+20分鐘(干O2)八、固一固擴散:<p>九、磷擴散:0E正氧北化0.V.°1燒結:小功率晶體管:銀漿燒結工藝燒結石英管一般通N2保護,或抽真空10-210-3托。裝好片的底座,放在鉬舟上推入石英管,先在爐口預燒數分鐘,去除銀漿中氣泡,然后推入恒溫區(qū),溫度為350C400C,時間約20分鐘,然后慢慢降溫取出。2、金錫合金燒結:通H2或抽真空10-3托,燒結溫度為:420C450C,恒溫20分鐘,拉至爐口自然冷卻,金一硅低于其熔點370C,燒結溫度冷卻反應高于此。3、焊接引線:鋁絲退火一般在H2或真空中進行,而金絲在高純N2或真空中退火,退火溫度為400C450C,恒溫1520分鐘,自然冷卻。4、封裝:晶體圭寸裝:玻璃管殼圭寸裝、金屬管殼圭寸裝和塑料圭

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