中國電信LTE技術原理和網(wǎng)絡演進交流V1.1

1、HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 2HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 2Contents2LTE關鍵技術3CDMA向LTE的網(wǎng)絡演進1LTE技術背景與特征4LTE產(chǎn)業(yè)發(fā)展HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Pa

2、ge 3HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 3LTE需求背景需求背景n更高的速率更高的速率 從功能機到智能機從功能機到智能機 從人與人通信到機器與機器通信從人與人通信到機器與機器通信 從從Kbps到到Gbps3.19.314.775150300050100150200250300350DORADORBphase I3cDORBphase II3cLTE20MHzSISOLTE20MHz2*2MIMOLTE20MHz

3、4*4MIMOMbps25060601010100501001502002503001xDO ADO BLTELTE-ALTE-Bn更低的時延更低的時延msHISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 4HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 4HSPA+DL40MBps; UL10MbpsTD-HSDPA2.8MbpsTD-HSUPA2.2MbpsW

4、CDMA384KbpsHSDPA1.8/3.6MbpsHSDPA7.2MbpsHSUPA1.45.8Mbps300Mbps1GbpsLTE+LTE TDD1LTE TDD2LTE TDD（20M 2T2R）DL:150MbpsUL:75MbpsTD-HSPA+ DL:25.2MbpsUL:19.2MbpsEV-DO Rel. 0DL: 2.4MbpsUL:153.6kbpscdma2000 1x 153.6kbpsD0 Rel. ADL: 3.1MbpsUL: 1.8MbpsDo Rev B(Multi Carrier DO)DL：14.7MbpsUL: 5.4MbpsLTE FDD（20M

5、2T2R）DL:150MbpsUL:75MbpsGSM EDGE120KbpsGSM GERAN240K-2MbpsTD-SCDMA384Kbps關于關于2G/3G/4G2G/3G/4G 的爭論已經(jīng)結束的爭論已經(jīng)結束, , 所有移動技術都朝所有移動技術都朝著著滿足未滿足未來業(yè)務需求的方向發(fā)展，并且逐漸趨于一致！來業(yè)務需求的方向發(fā)展，并且逐漸趨于一致！當前主流技術向當前主流技術向LTELTE的演進的演進HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 5HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGI

6、ES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 5Page 5LTELTE相對相對3G3G的性能提升的性能提升OFDMOFDM與與MIMOMIMO技術是技術是LTELTE頻譜效率成倍提升的關鍵原因！頻譜效率成倍提升的關鍵原因！2*1.25 MHz2*20 MHz峰值峰值速率速率業(yè)務業(yè)務時延時延3.1Mbps150Mbps50倍倍更寬的頻譜更寬的頻譜多天線傳輸技術多天線傳輸技術更高的調(diào)制方式更高的調(diào)制方式MIMO增益：增益：2倍倍帶寬帶寬增益：增益：16倍倍調(diào)調(diào)制增益：制增益：1.5倍倍LTE：1.25MH

7、z20MHzLTE：1T2R2*2 MIMO16QAM64QAM扁平化網(wǎng)絡架構扁平化網(wǎng)絡架構取消基站控制器取消基站控制器60毫秒10毫秒6倍倍HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 6HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 6Contents2LTE關鍵技術1LTE技術背景與特征1LTE核心技術2SON3LTE與CDMA互操作技術4LTE新技術3

8、CDMA向LTE的網(wǎng)絡演進4LTE產(chǎn)業(yè)發(fā)展HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 7HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 7LTELTE核心技術核心技術OFDMAOFDMALTE核心技術不同用戶使用不同的頻率不同用戶使用一個載頻上的不同時隙所有用戶同時使用相同的頻率,通過不同的擴頻編碼來區(qū)分不同的用戶利用正交子載波組來實現(xiàn)并行傳輸戶，不同時頻資

9、源區(qū)分不同的用戶OFDMAOFDMA相對相對CDMACDMA的優(yōu)點的優(yōu)點p通過子載波交疊，提升頻譜效率p非常容易與MIMO技術相結合p頻域可以分為多個相互正交的子載波，支持頻域維度的鏈路自適應和多用戶調(diào)度，有效避免干擾OFDMAOFDMA限制限制對時域和頻域的同步要求高。OFDM的峰均比PAPR高。CDMA具有單載波特性，適用于窄帶系統(tǒng)（具有單載波特性，適用于窄帶系統(tǒng)（5MHz以下）以下）OFDM系統(tǒng)由獨立子載波構成，實現(xiàn)簡單，適用于大帶寬系統(tǒng)（系統(tǒng)由獨立子載波構成，實現(xiàn)簡單，適用于大帶寬系統(tǒng)（5MHz以上）以上）HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGI

10、ES CO., LTD.Page 8HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 8傳統(tǒng)的多載波頻分復用與傳統(tǒng)的多載波頻分復用與OFDMOFDM系統(tǒng)，載波交疊，但是載波間正交系統(tǒng)，載波交疊，但是載波間正交pOFDM 屬于調(diào)制復用技術，它把系統(tǒng)帶寬分成多個的相互正交的屬于調(diào)制復用技術，它把系統(tǒng)帶寬分成多個的相互正交的子載波，在多個子載波上并行數(shù)據(jù)傳輸。子載波，在多個子載波上并行數(shù)據(jù)傳輸。FreqF1F2F3F4F5F6F7Fr

11、eq F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7傳統(tǒng)的多載波頻分復用系統(tǒng)，載波間傳統(tǒng)的多載波頻分復用系統(tǒng)，載波間留有保護帶留有保護帶頻譜利用率高頻譜利用率高時域時域頻域頻域符號1 f1符號2 f2符號n fnHISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 9HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 9OFDM和OFDMA的關系在OFDMA系統(tǒng)，載波和時間被靈

12、活分配給不同用戶。占用資源多少取決于用戶的需求和系統(tǒng)調(diào)度結果。HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 10HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 10LTE的核心技術的核心技術MIMOLTE核心技術多天線技術MIMO多天線技術利用了多天線技術利用了“空間空間”信號維度，能夠提高傳輸速率信號維度，能夠提高傳輸速率n空間復用空間復用利用較大間距的天線

13、陣元之間或賦形波束之間的不相關性不相關性，向一個終端/基站并行發(fā)射多個數(shù)據(jù)流，提高系統(tǒng)峰值吞吐量提高系統(tǒng)峰值吞吐量n空間分集空間分集利用較大間距的天線陣元之間或賦形波束之間的不相關性不相關性，發(fā)射或接收一個數(shù)據(jù)流，避免單個信道衰落對整個鏈路的影響，提升鏈路可靠性提升鏈路可靠性UE1Layer 1, CW1, AMC1UE2Layer 2, CW2, AMC2MIMOcodewordUser1ModHISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 11HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIE

14、S CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 11FDDFDD下行下行MIMOMIMO增益增益DL 4x4 ,4x2 MIMO VS. 2x2 MIMO提升小區(qū)峰值吞吐率提升下行小區(qū)平均吞吐率提升小區(qū)邊緣吞吐量1017% Increase1530% IncreaseCell AverageThroughputCell EdgeThroughput2x2 MIMO4x2 MIMO4x4 MIMO35100% Increase2085% Increase Benefits Feature基站多天線發(fā)射。下行4

15、x2, 4x4 MIMO需要終端產(chǎn)業(yè)支持。HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 12HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 12 Benefits提升上行覆蓋.基站多天線接收對UE無特殊要求 Feature UL 1*4 MIMOUL 1*2 MIMOUL 1*8 MIMOUL 8Rx，4 Rx VS. 2 Rx35% Increase23%

16、IncreaseCell AverageThroughputCell Radius(256Kbps邊緣速率)2 Rx4 Rx71% Increase8 Rx48% up IncreaseFDDFDD上行上行MIMOMIMO增益增益HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 13HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 13上行多用戶虛擬上行多用戶虛擬M

17、IMO 上行多用戶虛擬MIMO1x2xkx11h21h12h22hkh2kh1eNodeB Benefits上行多用戶虛擬MIMO選擇信道相關性接近正交的用戶進行配對，在相同的時頻資源上傳輸數(shù)據(jù)，為小區(qū)增增加額外系統(tǒng)容量加額外系統(tǒng)容量.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 14HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 14各種各種MIMO適用的場

18、景適用的場景基站根據(jù)用戶的移動速度與信道質量選擇不同的MIMO模式 空間復用適用于無線信道較好的場景，可以提升網(wǎng)絡容量 發(fā)射分集適用于無線信道較差的場景，可以提升網(wǎng)絡覆蓋質量 用戶移動速度較低時，閉環(huán)MIMO可以更快速地進行調(diào)整；速度較高時，開環(huán)MIMO效果更佳 通過基站動態(tài)調(diào)整，自適應MIMO相對固定模式能夠提升網(wǎng)絡容量10%.自適應自適應 MIMOBenefitsDL:開環(huán)空間復用開環(huán)空間復用UL:多用戶虛擬多用戶虛擬MIMODL:開環(huán)發(fā)射分集開環(huán)發(fā)射分集UL:接收分集接收分集DL:閉環(huán)空間復用閉環(huán)空間復用UL:多用戶虛擬多用戶虛擬MIMODL:閉環(huán)發(fā)射分集閉環(huán)發(fā)射分集UL:接收分集接收分

19、集無線信道質量無線信道質量(SINR)Open LoopClosed Loop小區(qū)中心小區(qū)邊緣用戶移動速度用戶移動速度(km/h)HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 15HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 15LTE使用使用OFDM，沒有，沒有CDMA擴頻增益；使用硬切換，沒有軟切換增益，因此同頻干擾對性能擴頻增益；使用硬切換，沒有軟切換

20、增益，因此同頻干擾對性能影響較大，需要有效干擾協(xié)調(diào)技術保證性能。影響較大，需要有效干擾協(xié)調(diào)技術保證性能。干擾協(xié)調(diào)干擾協(xié)調(diào)LTE核心技術CoreCore擴頻擴頻增益可以抵抗部分干增益可以抵抗部分干擾擾CDMA技技術術，小區(qū)，小區(qū)內(nèi)用內(nèi)用戶間戶間干干擾嚴擾嚴重重OFDMA技技術術，小區(qū)內(nèi)，小區(qū)內(nèi)用用戶間戶間干干擾擾幾乎幾乎為為零零有控制器，支持有控制器，支持軟軟切切換換合并技合并技術術，相，相鄰鄰小區(qū)小區(qū)強強信號可以信號可以轉轉化化為為有用有用分支，分支，變變干干擾為擾為增益增益無控制器，不支持無控制器，不支持軟軟切切換換， ，相相鄰鄰小區(qū)信號造成干小區(qū)信號造成干擾擾LTE常用抗干擾技術p頻選pI

21、CIC靜態(tài)ICIC動態(tài)ICIC自適應ICICeICICp CoMPp CBTS CBTS CBSC eNodeB eNodeB HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 16HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 16頻選頻選背景背景LTE是寬頻譜系統(tǒng)，同一個UE在頻譜帶寬內(nèi)的信號質量可能存在較大差異，不同UE在相同頻譜區(qū)域的信號質量也可能存在較大

22、差異。原理原理利用以上信道特性，優(yōu)先在UE信號質量最好的頻譜調(diào)度，實現(xiàn)小區(qū)吞吐率最大化。FrequencySINRFrequencySINR頻選信道平坦信道UEnfrequencyUEnUEnUE1UEnUE2UE2UE1UE110981365612128665810111310111075910UE2UEnfrequencyfrequencyfrequency全全帶寬帶寬信號信號質質量分布量分布調(diào)調(diào)度度結結果果HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 17HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TEC

23、HNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 17ICIC具體可以劃分為靜態(tài)具體可以劃分為靜態(tài)ICIC、動態(tài)、動態(tài)ICIC、自適應、自適應ICIC（AICIC）和）和eICIC。p 靜態(tài)ICIC通過在網(wǎng)絡規(guī)劃時設定各小區(qū)的模式且各模式的邊緣頻帶大小固定不變，相鄰的小區(qū)模式盡量設置不同，目的是為了錯開相鄰小區(qū)的邊緣頻帶，減少干擾。ICICICIC的分類的分類p 動態(tài)ICIC也是通過網(wǎng)絡規(guī)劃各小區(qū)的模式，但各個模式的邊緣頻帶大小，可以根據(jù)小區(qū)間的負荷情況動態(tài)調(diào)整，使得邊緣頻帶的劃分更為靈活。C

24、ell 1Cell 2Cell 3FrequencyPowerFrequencyPowerFrequencyPower邊緣頻帶擴展邊緣頻帶壓縮邊緣頻帶壓縮HII和OI信息交互HII和OI信息交互HII和OI信息交互HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 18HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 18ICIC具體可以劃分為靜態(tài)具體可以劃分為靜態(tài)I

25、CIC、動態(tài)、動態(tài)ICIC、自適應、自適應ICIC（AICIC）和）和eICIC。干擾協(xié)調(diào)的分類（續(xù)）干擾協(xié)調(diào)的分類（續(xù)）p AICIC的邊緣頻帶大小也是固定不變的，與靜態(tài)ICIC類似，但各小區(qū)的模式不是人工規(guī)劃的，而是通過集中管理網(wǎng)元來統(tǒng)一管理和規(guī)劃，確保各相鄰小區(qū)的邊緣模式錯開效果更優(yōu)。p eICIC是針對HetNet網(wǎng)絡提出的，HetNet的引入增加了宏站和小站間的干擾。eICIC通過在時域上小站和宏站信號錯開來減少宏站對小站的干擾。小站和小站的干擾沿用宏站間的干擾協(xié)調(diào)方案。配置工具配置工具ICIC ICIC 配置配置傳統(tǒng)傳統(tǒng)ICICICICOSSOSSICIC ICIC 配置配置MRM

26、R測量測量自適應自適應ICICICIC(b)信號干擾(a)(c)(a) (a) 宏站UE受小站信號干擾(b) (b) 宏站UE上行信號干擾小站(c) (c) 小站信號干擾其他小站的UEMacro基于基于TDM 的的eICIC可以使更多可以使更多終終端接入微站，提升端接入微站，提升HetNet容量。容量。HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 19HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOL

27、OGIES CO., LTD.Page 19Contents2LTE關鍵技術1LTE技術背景與特征1LTE核心技術2SON3LTE與CDMA互操作技術4LTE新技術3CDMA向LTE的網(wǎng)絡演進4LTE產(chǎn)業(yè)發(fā)展HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 20HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 20縮短培訓周期縮短培訓周期最小化配置最小化配置LTE投

28、資效率投資效率簡化網(wǎng)絡管理簡化網(wǎng)絡管理網(wǎng)絡網(wǎng)絡KPI提升提升2G3GLTE網(wǎng)絡參數(shù)網(wǎng)絡參數(shù)2G-3G: 10倍倍3G-LTE: ?2G/3G: 35年年LTE: ?最大化網(wǎng)絡容量最大化網(wǎng)絡容量提升用戶體驗提升用戶體驗減少路測減少路測多制式網(wǎng)絡管理（多制式網(wǎng)絡管理（CDMA、LTE）多種站點形態(tài)應用（多種站點形態(tài)應用（Micro/Pico/Femto）網(wǎng)絡優(yōu)化周期網(wǎng)絡優(yōu)化周期n網(wǎng)絡初始部署階段：自規(guī)劃：自動網(wǎng)絡參數(shù)的生成自規(guī)劃：自動網(wǎng)絡參數(shù)的生成.自部署：自配置，自動軟件更新自部署：自配置，自動軟件更新.n網(wǎng)絡維護階段：自優(yōu)化：自優(yōu)化：ANR（自動鄰區(qū)發(fā)現(xiàn)）（自動鄰區(qū)發(fā)現(xiàn)）, MRO（切換優(yōu)化）

29、（切換優(yōu)化）, 負荷均衡，失效自動補償負荷均衡，失效自動補償.易維護：易維護：UE跟蹤，跟蹤， 告警管理，告警管理，KPI實時上報實時上報 LTELTE關鍵技術：關鍵技術：SONSONHISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 21HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 21LTELTE自動鄰區(qū)優(yōu)化自動鄰區(qū)優(yōu)化(ANR)(ANR)及及X2X2自建立：

30、解決鄰區(qū)和自建立：解決鄰區(qū)和eNBeNB接口管理困難接口管理困難OMCOMCNCL 更新報告New Cell3 PCI=3 GCI=17GCI: Global cell IDPCI: Physical Cell IDCell2PCI=5 GCI=27Cell1Cell1PCI=1 GCI=40ANR 策略1 上報newCell3 PCI2 Cell3 GCI請求3上報 Cell3 GCICell1鄰區(qū)關系列表Cell2 PCI=5 GCI=27Cell3 PCI=3 GCI=174 X2 自動建立，cell3標識為鄰區(qū)，增加cell3鄰區(qū)到cell1 鄰區(qū)關系列表5 5 更新NRT到網(wǎng)管nAN

31、R自動鄰區(qū)關系原理n2009年8月與德電完成全球首個ANR測試nANR價值 新建擴容，一個基站X2接口的數(shù)量等于6倍站點數(shù)，人工配置難度大， ANR自動獲取對端地址，自動建立連接，無需人工配置； 日常維護，海量鄰區(qū)無需人工維護德電子網(wǎng)2011年10月華為SON ANR特性全網(wǎng)商用切換成功率切換成功率自動添加鄰區(qū)數(shù)自動添加鄰區(qū)數(shù)第一圈91%74第二圈97%94傳統(tǒng)優(yōu)化傳統(tǒng)優(yōu)化ANRANR1.漏配檢測分析話統(tǒng)，路測UE測量2.漏配確認地圖，經(jīng)驗自動分析3.更新人工更新配置自動下發(fā)配置自配置自配置自優(yōu)化自優(yōu)化自維護自維護HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGI

32、ES CO., LTD.Page 22HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 22PCIPCI沖突檢測和自配置：簡化沖突檢測和自配置：簡化LTELTE空口參數(shù)配置空口參數(shù)配置0248MX0794MX0432MX0795MXCell4Cell7Cell6Cell5PCI=5 Cell0PCI=5Cell1Cell3Cell10Cell8UE Drive RouteeNB 上報沖突至OSSnPCI沖突檢測原理n2011年H

33、uawei-VDF LTE PCI沖突檢測測試0248MX0794MX0432MX0795MXCell4Cell7Cell6Cell5Cell0PCI=5Cell1Cell3Cell10Cell8UE Drive RouteCell0New PCI=2重新設置PCILTE 系統(tǒng)共有 PCI 504個, 鄰區(qū)之間PCI不能相同NCL: Neighbor Cell List of Cell1Cell3 PCI=5 CGI=25Cell2 PCI=5 CGI=173在NCL中發(fā)現(xiàn)PCI 沖突M2000Cell1PCI=3 CGI= 272 上報 Cell2 的CGI and PCI 4 上報鄰區(qū)PC

34、I 沖突Cell2PCI=5 CGI=17Cell3PCI=5 CGI=255輸出優(yōu)化PCI 建議CGI: Global cell IDPCI: Physical Cell ID自動優(yōu)化1發(fā)現(xiàn)新小區(qū)2的 PCI 和CGIn自優(yōu)化原則避開一、二階鄰區(qū)避開黑名單參照工參信息同站的主同步碼不同傳統(tǒng)優(yōu)化傳統(tǒng)優(yōu)化PCIPCI自優(yōu)化自優(yōu)化沖突發(fā)現(xiàn) 分析話統(tǒng)，路測 UE測量，自動分析重配置人工配置自動配置自配置自配置自優(yōu)化自優(yōu)化自維護自維護n價值：日常網(wǎng)優(yōu)場景PCI沖突快速發(fā)現(xiàn)自動優(yōu)化HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 23HIS

35、ILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 23移動魯棒性優(yōu)化移動魯棒性優(yōu)化(MRO)(MRO)：主動改善切換性能：主動改善切換性能切換過早切換過晚乒乓切換切換過早切換過早切換過晚切換過晚同頻鄰區(qū)A3太低A3太高異頻鄰區(qū)NAA2太低A4太高異系統(tǒng)NAA2太低B1太高切換次切換次數(shù)數(shù)成功切成功切換次數(shù)換次數(shù)RRC RRC 連接連接重建重建切換成切換成功比例功比例MRO MRO 算法關閉算法關閉路測 183537,5%路測 2826

36、25%MRO MRO 算法打開算法打開路測 183537,5%路測 2105550%路測 395455%路測 4106460%路測 586275%路測 6880100%0248MX0794MX0432MXCell4Cell7Cell8Cell6Cell5Cell0Cell1Cell3n2011年Huawei-VDF LTE MRO實測結果n移動魯棒性優(yōu)化原理：eNodeB智能判斷切換失敗的原因，通過自動優(yōu)化切換參數(shù)改善切換性能切換失敗的三種情況切換失敗原因分析傳統(tǒng)優(yōu)化傳統(tǒng)優(yōu)化MROMRO問題發(fā)現(xiàn)分析話統(tǒng)，投訴eNB自動統(tǒng)計發(fā)現(xiàn)優(yōu)化人工嘗試，路測自動優(yōu)化nMRO與傳統(tǒng)優(yōu)化相比可以自動發(fā)現(xiàn)切換問題

37、并優(yōu)化，減少日常網(wǎng)優(yōu)對最差區(qū)域的路測優(yōu)化工作自配置自配置自優(yōu)化自優(yōu)化自維護自維護HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 24HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 24最小化路測（最小化路測（MDTMDT）：實現(xiàn)全網(wǎng)、實時）：實現(xiàn)全網(wǎng)、實時“體檢體檢” 室內(nèi)覆蓋Node BIubOMC離線分析工具UE測量報告等統(tǒng)計數(shù)據(jù)RNCCN測量RSRP和RS

38、RQ、測量功率余量PH、測量位置信息與MDT概念類似，已應用于TDS現(xiàn)網(wǎng)采用全民路測，高效全面發(fā)現(xiàn)室分問題無需步測，節(jié)省資源，提升效率nMDT應用：TDS室分通道級弱覆蓋精準檢測nMDT原理：基于商用終端的測量報告優(yōu)化網(wǎng)絡NMSOMC MME HSS eNB基于小區(qū)級跟蹤基于信令跟蹤(跟蹤IMSI）UERAN EMSCN EMSnMDT價值： 為運營商通過商用終端收集無線網(wǎng)絡的動態(tài)波動過程提供可能為網(wǎng)絡優(yōu)化、分析、診斷過程提供全面的參考視圖，可部分替代人工路測與傳統(tǒng)路測相比減少80%日常網(wǎng)優(yōu)工作量，減少50%問題處理工作量自配置自配置自優(yōu)化自優(yōu)化自維護自維護HISILICON SEMICOND

39、UCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 25HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 25小區(qū)退服檢測和補償（小區(qū)退服檢測和補償（COD）：降低維護成本，最大補償退服影響）：降低維護成本，最大補償退服影響退服小區(qū)檢測退服小區(qū)檢測監(jiān)控監(jiān)控KPIKPIRRC建立異常ERAB建立異常掉話切換異常監(jiān)控監(jiān)控Sleeping cellSleeping cell無接入無活動用戶與歷史比較不正常退服

40、小區(qū)補償退服小區(qū)補償遷出用戶、禁止切入嘗試復位鄰區(qū)RF調(diào)整退服小區(qū)還原退服小區(qū)還原鄰區(qū)RF還原OMCn小區(qū)退服檢測和補償原理：日常運維，通過OMC監(jiān)控小區(qū)KPI和業(yè)務情況判斷是否存在退服小區(qū)，發(fā)現(xiàn)退服小區(qū)后進行用戶遷出和禁止切入策略，小區(qū)無法復位則通知eNodeB通過提升發(fā)射功率吸收退服小區(qū)用戶業(yè)務，最大限度減小小區(qū)退服對網(wǎng)絡的影響。eNodeBeNodeB自配置自配置自優(yōu)化自優(yōu)化自維護自維護HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 26HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES

41、CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 26Contents2LTE關鍵技術1LTE技術背景與特征1LTE核心技術2SON3LTE與CDMA互操作技術4LTE新技術3CDMA向LTE的網(wǎng)絡演進4LTE產(chǎn)業(yè)發(fā)展HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 27HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOG

42、IES CO., LTD.Page 27語音業(yè)務互操作背景現(xiàn)有的CDMA運營商演進到LTE后，面臨的問題： 1、繼續(xù)采用CDMA 1x網(wǎng)絡提供語音還是采用LTE提供語音？ 2、如果采用CDMA 1x網(wǎng)絡提供語音業(yè)務，LTE網(wǎng)絡提供數(shù)據(jù)業(yè)務，那么兩個網(wǎng)絡如何進行互操作？CDMA網(wǎng)絡CDMA+LTE重疊網(wǎng)絡互操作場景互操作場景互操作方案互操作方案方案說明方案說明語音業(yè)務互操作場景2RX方案語音采用1x承載，終端同時支持雙制式接收，單制式發(fā)送。當有語音呼叫時，用戶回落到1x網(wǎng)絡SVLTE語音采用1x承載，終端同時支持雙制式收雙發(fā)CSFB方案語音采用1x承載，當有語音呼叫時，用戶回落到1x網(wǎng)絡SRVC

43、C部署VOLTE，用于將LTE 的VOIP切換到1x網(wǎng)絡上互操作解決方案：HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 28HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 28語音業(yè)務互操作解決方案CSFB解決方案IWSSGW/PGWIPIP數(shù)據(jù)網(wǎng)絡數(shù)據(jù)網(wǎng)絡S102UE在CL重疊覆蓋區(qū)優(yōu)先駐留LTE網(wǎng)絡。 1xCS IWS為邏輯實體，將會集成在1x BSC中，

44、MME和IWS之間存在S102接口。當終端駐留在LTE網(wǎng)絡時，將通過IWS網(wǎng)元向1x MSC發(fā)起登記等過程。當UE發(fā)起語音呼叫時，UE將先向MME發(fā)起CSFB回落請求，然后再離開LTE網(wǎng)絡，來到cdma1x網(wǎng)絡進行語音業(yè)務。 當1x MSC發(fā)往終端的尋呼，將通過IWS下發(fā)到LTE網(wǎng)絡，由LTE網(wǎng)絡通知UE。說明：說明：IWSIWS可以集成在可以集成在BSCBSC，也，也可以獨立部署可以獨立部署MMEBSCCBTSeNB電路電路域語音網(wǎng)絡域語音網(wǎng)絡MSCHISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 29HISILICON SEM

45、ICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 29語音業(yè)務互操作解決方案：2RX，SVLTE1X VoiceLTE Data雙模終端雙模終端2Rx2Rx方案：方案：終端可以同時在CDMA和LTE接收數(shù)據(jù)，但同時只能在一個網(wǎng)絡發(fā)送數(shù)據(jù)。終端在LTE網(wǎng)絡激活時，利用其中一個接收機去1X網(wǎng)絡接收尋呼SVLTESVLTE方案：方案：終端可以同時在CDMA和LTE收發(fā)數(shù)據(jù)，也就是可以同時在1X進行語音，在LTE進行數(shù)據(jù)業(yè)務方案優(yōu)點：方案優(yōu)點：CDMACDMA和

46、和LTELTE網(wǎng)絡不需要做耦合。網(wǎng)絡不需要做耦合。方方案缺點：案缺點： 800M和2.6G存在三階互調(diào)干擾問題。 需要兩個射頻芯片，相對CSFB的成本會增加。 終端同時駐留兩個網(wǎng)絡，使用時間大約減少10%.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 30HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 30語音業(yè)務互操作解決方案： VoLTEeNB支持的關鍵支

47、持的關鍵VOLTE特性特性:v支持各種AMR的壓縮格式.vVOLTE優(yōu)化解決方案vIP頭壓縮v半靜態(tài)調(diào)度vTTI綁定收益收益:veNB提供空口的Qos質量. v5MHz帶寬大于200個用戶，10M帶寬大于400個用戶v利用TTI綁定提升邊緣區(qū)域的信號。eNBPDCP-RoHCPHYTTI BundlingMACSemi-persistent SchedulingRLC-UM ModeRRCMMEE-RANVoIP ServiceP-GWE2E Voice CallS-GWIP NetworkCS bearerHISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES

48、CO., LTD.Page 31HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 31LTELTE語音解決方案總結語音解決方案總結LTELTE承載語音承載語音(VoLTE)(VoLTE)CDMACDMA承載語音承載語音SVLTESVLTE（雙模雙待雙通）（雙模雙待雙通）e1xCSFBe1xCSFB（雙模單待單通）（雙模單待單通）SRVCCSRVCC（單射頻語音連續(xù)性）（單射頻語音連續(xù)性）備選備選方案方案 優(yōu)勢：無需網(wǎng)絡改造，支持

49、并發(fā)，語音感知最優(yōu)（不存在雙網(wǎng)反復重選問題） 代價：相對CSFB，手機終端需支持雙RF單元，耗電和成本略有增加 產(chǎn)業(yè)鏈：Vzw選擇雙待 電信：可通過C+LTE（FDD或TDD）雙芯片方案，降低對高通獨家芯片供應的依賴 優(yōu)勢：終端只需要單RF單元，只駐留LTE網(wǎng)絡，手機耗電減少，待機時間更長 代價：網(wǎng)絡側需新增IWS網(wǎng)元，不支持并發(fā)，存在在LTE邊界雙網(wǎng)反復重選問題 產(chǎn)業(yè)鏈：WCDMA陣營多選擇標準CSFB方案，CDMA陣營無商用案例LTE采用VoIP做語音，當終端離開LTE區(qū)域時，將VoIP切換到CDMA 1X 優(yōu)勢：通過VoLTE，LTE同時解決語音和數(shù)據(jù)業(yè)務，最終可以完全取代3G網(wǎng)絡 代價

50、：需要部署IMS，僅當LTE深度覆蓋比較好時才適用，否則頻繁切換，影響感知 產(chǎn)業(yè)鏈：屬于LTE長期技術演進方向，短期產(chǎn)業(yè)鏈不成熟終端側初期終端側初期可以可以選擇選擇SVLTESVLTE方案，網(wǎng)絡改造最小方案，網(wǎng)絡改造最小+ +終端感知最優(yōu)。網(wǎng)絡側需要考慮海外終端感知最優(yōu)。網(wǎng)絡側需要考慮海外CSFBCSFB終端漫入需求終端漫入需求HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 32HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORH

51、UAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 32LTE關鍵技術CL數(shù)據(jù)業(yè)務互操作Hot spot /Dense UrbanUrban /Sub UrbanRuralcdmacdmacdmacdmaLTELTELTE部署時一個逐漸的過程，首先在城市熱點地區(qū)成片覆蓋，然后再在郊區(qū)覆蓋，部署時一個逐漸的過程，首先在城市熱點地區(qū)成片覆蓋，然后再在郊區(qū)覆蓋，當當UE從從LTE覆蓋區(qū)移動到郊區(qū)覆蓋時，若覆蓋區(qū)移動到郊區(qū)覆蓋時，若UE正在正在LTE網(wǎng)絡進行數(shù)據(jù)業(yè)務，將會發(fā)生網(wǎng)絡進行數(shù)據(jù)業(yè)務，將會發(fā)生LTE到到EVDO的切換。的切換。 當前協(xié)議定義了兩種切換方式，非優(yōu)化切換和優(yōu)化切換。其

52、中非優(yōu)化切換時延大約需要當前協(xié)議定義了兩種切換方式，非優(yōu)化切換和優(yōu)化切換。其中非優(yōu)化切換時延大約需要27秒，秒，優(yōu)化切換時延小于優(yōu)化切換時延小于300ms。HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 33HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 33LTE關鍵技術CL數(shù)據(jù)業(yè)務互操作優(yōu)化切換方優(yōu)化切換方案介紹：案介紹： MME和AN之間存在S101接口。

53、 SGW和HSGW之間存在S103接口。當UE駐留在LTE網(wǎng)絡時，將通過S101接口向目標eAN/HSGW發(fā)起eHRPD，PPP會話協(xié)商。 當UE從LTE網(wǎng)絡切換到eHRPD網(wǎng)絡時，UE將先通過S101接口向目標eAN請求分配資源，然后再切換。CDMACDMALTEANSGWMMEPGWHSGWIP Services IP Services network networkS103S101非優(yōu)化切換方非優(yōu)化切換方案介紹：案介紹： 不需要部署S101和S103接口。 當UE離開LTE覆蓋區(qū)時來到CDMA覆蓋區(qū)時，UE將被eNB重定向到eHRPD網(wǎng)絡，整個切換過程采用先斷后連的方式。HISILICO

54、N SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 34HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 34LTELTE數(shù)據(jù)互操作方案總結數(shù)據(jù)互操作方案總結具體選擇什么樣的解決方案，是由運營商具體選擇什么樣的解決方案，是由運營商LTELTE建網(wǎng)策略、規(guī)模等確定的建網(wǎng)策略、規(guī)模等確定的備選方案備選方案性能性能代價代價產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)鏈非優(yōu)化切換非優(yōu)化切換切換時間切換時間2-72-7秒，業(yè)秒

55、，業(yè)務中斷時間長，適合務中斷時間長，適合非實時業(yè)務非實時業(yè)務1、對終端無要求2、網(wǎng)絡側改造?。篍VDO網(wǎng)絡側升級支持eHRPD即可（PDSNHSGW）均支持優(yōu)化切換優(yōu)化切換切換時間切換時間300300毫秒，毫秒，業(yè)務，業(yè)務中斷時間業(yè)務，業(yè)務中斷時間短，適合實時類業(yè)務短，適合實時類業(yè)務1、對終端有要求。終端需要支持預注冊，業(yè)務通道先建后刪，實現(xiàn)業(yè)務連續(xù)切換；2、網(wǎng)絡側改造較大，需要新增網(wǎng)元接口S101（eAN-MME）和S103（HSGW-SGW）接口華為已經(jīng)率先支持p 由于由于LTELTE高頻段組網(wǎng)，深度覆蓋效果不及高頻段組網(wǎng)，深度覆蓋效果不及EVDOEVDO，需要，需要LTELTE與與EVD

56、OEVDO良好互操作，良好互操作，確保電信確保電信3G+4G3G+4G綜合競爭力最佳。（綜合競爭力最佳。（EVDOEVDO覆蓋優(yōu)勢覆蓋優(yōu)勢+LTE+LTE容量優(yōu)勢）容量優(yōu)勢）p EVDOEVDO網(wǎng)絡需要提前升級支持網(wǎng)絡需要提前升級支持eHRPDeHRPD，為引入，為引入LTELTE做好準備做好準備HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 35HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGI

57、ES CO., LTD.Page 35Contents2LTE關鍵技術1LTE技術背景與特征1LTE核心技術2SON3LTE與CDMA互操作技術4LTE新技術3CDMA向LTE的網(wǎng)絡演進4LTE產(chǎn)業(yè)發(fā)展HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 36HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 36標準演進：載波聚合標準演進：載波聚合1.1.LTE-ALT

58、E-A最大支持最大支持100MHz100MHz（5 5載波）捆綁，可進一步提載波）捆綁，可進一步提升單用戶峰值速率升單用戶峰值速率2.2.可支撐同頻段和異頻段捆綁可支撐同頻段和異頻段捆綁3.3.產(chǎn)業(yè)鏈：預計產(chǎn)業(yè)鏈：預計2013Q22013Q2以后會有以后會有終終端逐步支持兩端逐步支持兩載載波波CACA；但；但異異頻頻段段CACA載載波的兩兩波的兩兩組組合關系，需要有合關系，需要有對應對應需求的運需求的運營營商推商推動標動標準立準立項項，提前，提前牽牽引引產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)鏈載波聚合原理載波聚合原理（類似（類似EVDO RevBEVDO RevB）頻段頻段1 1頻段頻段2 2R10R10版本：版本：CA

59、CABand1(2100M)Band1(2100M)Band5 (800M)Band5 (800M)Band40(2400M) TDDBand40(2400M) TDDBand4(AWS)Band4(AWS)Band3(1800M)Band3(1800M)Band1(2100M)Band1(2100M)Band7(2600M)Band7(2600M)Band4(AWS)Band4(AWS)Band3(1800M)Band3(1800M)Band5(800M)Band5(800M)Band7(2600M)Band7(2600M)Band17(700M)Band17(700M)Band17(700

60、M)Band17(700M)注：注：R11R11標準還沒有凍標準還沒有凍結，結，CACA定義還在更新定義還在更新R11R11版本：版本：CACABand1(2100M)Band1(2100M)頻段內(nèi)：頻段間：p載波聚合 提升運營商競爭力提升運營商競爭力 整合零散頻譜，提升整合零散頻譜，提升頻譜利用效率頻譜利用效率HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.Page 37HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD.HISILICON SEMICONDUCTORHUAWEI TE