第6章S3C2440嵌入式系統(tǒng)(2016年3月15日)

1、第第6 6章章 S3C2440S3C2440嵌入式系統(tǒng)嵌入式系統(tǒng) 8 8學(xué)時學(xué)時本章主要內(nèi)容本章主要內(nèi)容1 1、S3C2440S3C2440綜述；綜述；2 2、S3C2440S3C2440的存儲控制器；的存儲控制器；3 3、NAND FlashNAND Flash控制器；控制器；4 4、時鐘和功率管理；、時鐘和功率管理；5 5、DMADMA；6 6、中斷控制器。、中斷控制器。共200頁1本章教學(xué)要求本章教學(xué)要求理解：理解：S3C2440S3C2440的存儲控制器，的存儲控制器，NAND NAND FlashFlash控制器，控制器，時鐘和功率管理，時鐘和功率管理，DMADMA，中斷控制器中斷控

2、制器等的工作原理及應(yīng)用等的工作原理及應(yīng)用。共200頁2掌握：掌握：S3C2440S3C2440的的組成及各部分主要完組成及各部分主要完成的功能成的功能。6.1 S3C24406.1 S3C2440綜述綜述 三星公司三星公司 推出的推出的 16/3216/32位位 RISC RISC 微微處理器處理器 S3C2440AS3C2440A，為手持設(shè)備和一般類，為手持設(shè)備和一般類型應(yīng)用提供了型應(yīng)用提供了 低價格低價格、低功耗、低功耗、高性能高性能 小型微控制器小型微控制器 的解決方案的解決方案。 S3C2440A S3C2440A 采用了采用了 ARM920T ARM920T 的內(nèi)核，的內(nèi)核，0.13

3、um0.13um 的的 CMOSCMOS 標(biāo)準(zhǔn)宏單元和存儲器單標(biāo)準(zhǔn)宏單元和存儲器單元。特別適合于對元。特別適合于對 成本成本 和和 功率功率 敏感型敏感型的應(yīng)用。它采用了新的總線架構(gòu)的應(yīng)用。它采用了新的總線架構(gòu) AMBAAMBA。Advanced Micro controller Advanced Micro controller Bus ArchitectureBus Architecture共200頁3 S3C2440AS3C2440A 的杰出的特點(diǎn)是：其核心處的杰出的特點(diǎn)是：其核心處理器理器(CPU)(CPU)是由是由 ARMARM公司公司 設(shè)計的設(shè)計的 16/32 16/32 位位 A

4、RM920T ARM920T 的的 RISCRISC 處理器。處理器。ARM920TARM920T 實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)了了 MMUMMU，AMBA BUS AMBA BUS 和和 Harvard Harvard 高速緩沖高速緩沖體系結(jié)構(gòu)構(gòu)。這一結(jié)構(gòu)具有獨(dú)立的體系結(jié)構(gòu)構(gòu)。這一結(jié)構(gòu)具有獨(dú)立的 16KB16KB指指令令Cache Cache 和和 16KB16KB數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)CacheCache。每個都是由。每個都是由具有具有 8 8字長字長 的行組成。通過提供一套完整的行組成。通過提供一套完整的通用系統(tǒng)外設(shè)，的通用系統(tǒng)外設(shè)，S3C2440AS3C2440A 減少減少 整體系整體系統(tǒng)成本統(tǒng)成本 和和 無需配置額外

5、的組件無需配置額外的組件。共200頁4 S3C2440AS3C2440A 集成了以下片上功能：集成了以下片上功能：（1 1）1.2V1.2V 內(nèi)核供電，內(nèi)核供電，1.8V/2.5V/3.3V1.8V/2.5V/3.3V存儲器供電，存儲器供電，3.3V3.3V 外部外部I/OI/O供電，具備供電，具備 16KB16KB的的I-Cache I-Cache 和和 16KB16KB的的D-Cache/MMUD-Cache/MMU微處理器；微處理器；（2 2）外部存儲控制器）外部存儲控制器(SDRAM (SDRAM 控制和片選控制和片選邏輯邏輯) )；（3 3）LCD LCD 控制器（控制器（最大支持最

6、大支持 4K4K色色STN STN 和和 256K256K色色TFTTFT）提供）提供1 1通道通道LCD LCD 專用專用DMADMA；共200頁5（5 5）3 3 通道通道UART(UART(IrDA1.0IrDA1.0，6464字節(jié)字節(jié)Tx Tx FIFOFIFO，6464字節(jié)字節(jié)Rx FIFORx FIFO) )；（6 6）2 2 通道通道SPISPI；（7 7）1 1 通道通道IIC-BUSIIC-BUS接口（多主支持）；接口（多主支持）；（8 8）1 1通道通道IIS-BUSIIS-BUS音頻編解碼器接口；音頻編解碼器接口；（9 9）AC97 AC97 解碼器接口；解碼器接口；（4

7、 4）通道）通道DMADMA并有外部請求引腳；并有外部請求引腳；共200頁6（1111）2 2端口端口USBUSB主機(jī)主機(jī)/1/1端口端口USBUSB設(shè)備（設(shè)備（1.1 1.1 版）；版）；（1212）4 4通道通道PWMPWM定時器定時器 和和 1 1通道內(nèi)部定通道內(nèi)部定時器時器 / / 看門狗定時器；看門狗定時器；（1313）8 8通道通道1010比特比特ADC ADC 和和 觸摸屏接口；觸摸屏接口；（1414）具有日歷功能的）具有日歷功能的RTCRTC；（1010）兼容）兼容SDSD主接口協(xié)議主接口協(xié)議1.01.0版版 和和 MMC MMC 卡協(xié)議卡協(xié)議2.112.11兼容版；兼容版；共

8、200頁7（1616）130130個通用個通用I/OI/O口口 和和 2424通道外部中通道外部中斷源；斷源；（1717）具有普通，慢速，空閑和掉電模式；）具有普通，慢速，空閑和掉電模式；（1818）具有）具有PLLPLL片上時鐘發(fā)生器。片上時鐘發(fā)生器。 下圖為下圖為S3C2440S3C2440的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖：的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖：（1515）相機(jī)接口（最大）相機(jī)接口（最大4096 4096 4096 4096像素像素的投入支持。的投入支持。2048 2048 2048 2048像素的投入，像素的投入，支持縮放）；支持縮放）；共200頁8共200頁96.1.16.1.1 S3C2440S3C2440信號

9、描述信號描述（1 1）管腳分配）管腳分配289289個引腳個引腳289289個引腳的個引腳的編號與功能編號與功能分配詳見數(shù)分配詳見數(shù)據(jù)手冊。據(jù)手冊。共200頁10（2 2）總線控制信號）總線控制信號 S3C2440S3C2440 總線控制具體信號引腳如下總線控制具體信號引腳如下表所示：表所示：信號信號I/OI/O類型類型描述描述OM1:0OM1:0I IOM1:0OM1:0在產(chǎn)品制造時可以將在產(chǎn)品制造時可以將S3C2440S3C2440設(shè)置為測試模設(shè)置為測試模式；它還決定式；它還決定nGCS0nGCS0的總線的寬度；的總線的寬度；接在該引腳上接在該引腳上的的上拉或下拉電阻決定了其在復(fù)位期間的邏

10、輯電平。上拉或下拉電阻決定了其在復(fù)位期間的邏輯電平。0000：NandNand-boot-boot；01:1601:16位；位；10:3210:32位；位；1111：測試模式：測試模式ADDR26:0ADDR26:0O OADDR26:0ADDR26:0是地址總線是地址總線，輸出對應(yīng)，輸出對應(yīng)bankbank區(qū)內(nèi)的要訪區(qū)內(nèi)的要訪問的地址。問的地址。DATA31:0DATA31:0I/OI/ODATA31:0DATA31:0是是數(shù)據(jù)總線數(shù)據(jù)總線，在讀取存儲器時，從該總，在讀取存儲器時，從該總線輸入數(shù)據(jù)，在寫存儲器時，在該總線上輸出數(shù)據(jù)。線輸入數(shù)據(jù)，在寫存儲器時，在該總線上輸出數(shù)據(jù)。該總線的寬度可

11、通過編程設(shè)定為該總線的寬度可通過編程設(shè)定為 8/16/328/16/32位位。共200頁11nGCSnGCS7:07:0O OnGCSnGCS7:07:0是通用片選，當(dāng)要訪問的存儲器位于某個是通用片選，當(dāng)要訪問的存儲器位于某個BANKBANK的地址區(qū)域時，那么該的地址區(qū)域時，那么該BANKBANK對應(yīng)的片選就會被對應(yīng)的片選就會被激活。操作周期的數(shù)量和激活。操作周期的數(shù)量和BANKBANK寬度的大小可以通過寬度的大小可以通過編程改變。編程改變。nWEnWEO OnWEnWE是寫使能，表示當(dāng)前總線周期是一個寫周期是寫使能，表示當(dāng)前總線周期是一個寫周期nOEnOEO OnOEnOE是輸出使能，表示當(dāng)

12、前總線周期是一個讀周期是輸出使能，表示當(dāng)前總線周期是一個讀周期nXBREQnXBREQI InXBREQnXBREQ總線占用請求，允許其他需要占用總線的總總線占用請求，允許其他需要占用總線的總線主控制器請求本地總線的控制權(quán)。線主控制器請求本地總線的控制權(quán)。BACKBACK信號被激信號被激活時表示總線控制請求被批準(zhǔn)了。活時表示總線控制請求被批準(zhǔn)了。nXBACKnXBACKO OnXBACKnXBACK是總線占用應(yīng)答，表示是總線占用應(yīng)答，表示S3C2440S3C2440同意交出當(dāng)?shù)赝饨怀霎?dāng)?shù)乜偩€的控制并轉(zhuǎn)移到其他總線主控制器?？偩€的控制并轉(zhuǎn)移到其他總線主控制器。nWAITnWAITI InWAI

13、TnWAIT是信號要求延長一個當(dāng)前總線周期，只有是信號要求延長一個當(dāng)前總線周期，只有nWAITnWAIT是低電平，當(dāng)前總線周期就沒有結(jié)束。如果是低電平，當(dāng)前總線周期就沒有結(jié)束。如果nWAITnWAIT信號沒有在系統(tǒng)中使用，必須用一個上拉電阻信號沒有在系統(tǒng)中使用，必須用一個上拉電阻接在接在nWAITnWAIT引腳上。引腳上。其它信號自學(xué)其它信號自學(xué)共200頁126.1.26.1.2 S3C2440 S3C2440 專用寄存器專用寄存器 下面給出下面給出 S3C2440S3C2440 部分專用寄存器：部分專用寄存器：（1 1）存儲器控制專用寄存器）存儲器控制專用寄存器寄存器名寄存器名 地址（大端）

14、地址（大端）地址（小端）地址（小端） ACC.ACC.單元單元讀讀/ /寫寫功能功能BWSCONBWSCON0X480000000X48000000W WR/WR/W總線寬度和等待控制總線寬度和等待控制BANKCON0BANKCON00X480000040X48000004W WR/WR/WBoot ROMBoot ROM控制控制BANKCON1BANKCON10X480000080X48000008W WR/WR/WBANK1BANK1控制控制BANKCON2BANKCON20X4800000C0X4800000CW WR/WR/WBANK2BANK2控制控制BANKCON3BANKCON3

15、0X480000100X48000010W WR/WR/WBANK3BANK3控制控制共200頁13寄存器名稱寄存器名稱 地址（大端）地址（大端）地址（小端）地址（小端） ACC.ACC.單元單元讀讀/ /寫寫功能功能BANKCON4BANKCON40X480000140X48000014W WR/WR/WBANK4BANK4控制控制BANKCON5BANKCON50X480000180X48000018W WR/WR/WBANK5BANK5控制控制BANKCON6BANKCON60X4800001C0X4800001CW WR/WR/WBANK6BANK6控制控制BANKCON7BANKCO

16、N70X480000200X48000020W WR/WR/WBANK7BANK7控制控制REFRESHREFRESH0X480000240X48000024W WR/WR/WDRAM/SDRAMDRAM/SDRAM刷新控制刷新控制BANKSIZEBANKSIZE0X480000280X48000028W WR/WR/W存儲器大小存儲器大小MRSRB6MRSRB60X4800002C0X4800002CW WR/WR/WSDRAMSDRAM的模式設(shè)置寄存器的模式設(shè)置寄存器MRSRB7MRSRB70X480000300X48000030W WR/WR/WSDRAMSDRAM的模式設(shè)置寄存器的模式

17、設(shè)置寄存器（2 2）其他專用寄存器）其他專用寄存器共200頁14 USB USB主設(shè)備控制器、主設(shè)備控制器、中斷控制器中斷控制器、DMADMA、時鐘與電源管理、時鐘與電源管理、LCDLCD控制器控制器、NAND NAND FlashFlash、串行口串行口、PWMPWM定時器、定時器、USBUSB從設(shè)備從設(shè)備、看門狗定時器、看門狗定時器、IISIIS、I/OI/O端口、端口、RTCRTC、A/DA/D轉(zhuǎn)換器、轉(zhuǎn)換器、SPISPI、SDSD接口接口。 S3C2440A S3C2440A 專用寄存器注釋：專用寄存器注釋：在小端模式下，必須使用小端地址；大在小端模式下，必須使用小端地址；大端模式下，

18、必須使用大端地址；端模式下，必須使用大端地址；共200頁15每個特殊寄存器必須按照推薦的方式進(jìn)每個特殊寄存器必須按照推薦的方式進(jìn)行操作；行操作；除了除了ADCADC寄存器，寄存器，RTCRTC寄存器和寄存器和UARTUART寄存寄存器外，其他寄存器都必須以字為單元（器外，其他寄存器都必須以字為單元（3232位）進(jìn)行讀寫；位）進(jìn)行讀寫；對對ADC,RTC,UARTADC,RTC,UART寄存器進(jìn)行讀寄存器進(jìn)行讀/ /寫時，寫時，必須仔細(xì)考慮使用的大必須仔細(xì)考慮使用的大/ /小端模式；小端模式；共200頁16W W：3232位寄存器位寄存器，必須用，必須用 LDR/STRLDR/STR 指令指令或

19、或i i整型整型數(shù)型指針數(shù)型指針(int (int * *) )進(jìn)行訪問；進(jìn)行訪問；HWHW：1616位寄存器位寄存器，必須用，必須用 LDRH/STRHLDRH/STRH 或或短整型數(shù)指針短整型數(shù)指針(short int (short int * *) )訪問；訪問；B B：8 8位寄存器位寄存器，必須用，必須用 LDRB/STRBLDRB/STRB 或字或字符型指針符型指針(char int (char int * *) )訪問。訪問。共200頁176.2 S3C24406.2 S3C2440的存儲控制器的存儲控制器6.2.1 S3C24406.2.1 S3C2440存儲控制器特性存儲控制

20、器特性 S3C2440S3C2440的存儲控制器有以下特性：的存儲控制器有以下特性：（1 1）小）小/ /大端（通過軟件選擇）；大端（通過軟件選擇）；（2 2）地址空間：每）地址空間：每BANKBANK有有128MB128MB（共有（共有1GB/8BANKS1GB/8BANKS）；）；（3 3）除）除BANK0BANK0（只能是（只能是16/3216/32位寬）之位寬）之外，其他外，其他BANKBANK都具有可編程的訪問大小都具有可編程的訪問大?。?/16/328/16/32位）；位）；共200頁18（4 4）總共）總共8 8個存儲器個存儲器BANKBANK，6 6個是個是ROMROM、SRA

21、MSRAM等類型存儲器等類型存儲器BANKBANK，剩下的，剩下的2 2個可以個可以為為ROMROM、SRAMSRAM、SDRAMSDRAM等存儲器等存儲器BANKBANK；（5 5）7 7個固定的存儲器個固定的存儲器BANKBANK的起止地址；的起止地址；（6 6）最后一個）最后一個BANKBANK的起始地址是可調(diào)整的起始地址是可調(diào)整的；的；（7 7）最后）最后2 2個個BANKBANK的大小是可編程的；的大小是可編程的；（8 8）所有存儲器）所有存儲器BANKBANK的訪問周期都是可的訪問周期都是可編程的；編程的；共200頁19（9 9）總線訪問周期可以通過插入外部等）總線訪問周期可以通過

22、插入外部等待來延長；待來延長；（1010）支持）支持SDRAMSDRAM的自刷新和掉電模式。的自刷新和掉電模式。 下圖為下圖為S3C2440S3C2440復(fù)位后的存儲圖。復(fù)位后的存儲圖。共200頁20共200頁216.2.2 S3C24406.2.2 S3C2440存儲控制器功能存儲控制器功能（1 1）BANK0BANK0總線寬度總線寬度 BANK0BANK0 的數(shù)據(jù)總線的數(shù)據(jù)總線（nGCS0nGCS0）必須首必須首先設(shè)置成先設(shè)置成 1616位或位或3232位的位的，因?yàn)?，因?yàn)?BANK0BANK0 通通常作為常作為 引導(dǎo)引導(dǎo)ROMROM區(qū)區(qū)（映射到地址（映射到地址0X000000000X00

23、000000）。在復(fù)位時，系統(tǒng)將檢測）。在復(fù)位時，系統(tǒng)將檢測 OM1OM1：00 上的邏輯電平，并依據(jù)這個電上的邏輯電平，并依據(jù)這個電平來決定平來決定 BANK0BANK0 區(qū)存儲器的總線寬度，區(qū)存儲器的總線寬度，具體如下表所示：具體如下表所示：共200頁22數(shù)據(jù)寬度選擇數(shù)據(jù)寬度選擇OM1(OM1(操作模式操作模式1)1) OM0(OM0(操作模式操作模式0)0)導(dǎo)入導(dǎo)入ROMROM數(shù)據(jù)寬度數(shù)據(jù)寬度0 00 0NandNand Flash Mode Flash Mode0 01 11616位位1 10 03232位位1 11 1測試模式測試模式（2 2）存儲器（）存儲器（SROM/SDRAMS

24、ROM/SDRAM）地址引腳的連接）地址引腳的連接 存儲器（存儲器（SROM/SDRAMSROM/SDRAM）地址引腳的連）地址引腳的連接方式由于數(shù)據(jù)寬度的設(shè)置不同而有所區(qū)接方式由于數(shù)據(jù)寬度的設(shè)置不同而有所區(qū)別。別。共200頁23存儲器地址連接存儲器地址連接存儲器地址引腳存儲器地址引腳S3C2440地址地址/8位數(shù)位數(shù)據(jù)總線據(jù)總線S3C2440地址地址/16位位數(shù)據(jù)總線數(shù)據(jù)總線S3C2440地址地址/32位位數(shù)據(jù)總線數(shù)據(jù)總線A0A0A1A2A1A1A2A36.2.3 S3C24406.2.3 S3C2440存儲控制器寄存器存儲控制器寄存器（1 1）總線寬度）總線寬度/ /等待控制寄存器（等待控

25、制寄存器（BWSCONBWSCON） 總線寬度總線寬度/ /等待控制寄存器（等待控制寄存器（BWSCONBWSCON）的地址描述如下：的地址描述如下：共200頁24總線寬度總線寬度/ /等待控制寄存器等待控制寄存器寄存器寄存器地址地址R/WR/W描述描述復(fù)位值復(fù)位值BWSCONBWSCON0X480000000X48000000R/WR/W總線寬度和等待狀態(tài)控制器總線寬度和等待狀態(tài)控制器0X000000000X00000000總線寬度總線寬度/ /等待控制寄存器各位描述等待控制寄存器各位描述BWSCONBWSCON位位描述描述初始狀態(tài)初始狀態(tài)ST7ST73131決定決定SRAMSRAM映射在映

26、射在BANK7BANK7時是否使用時是否使用UB/LBUB/LB；0 0：不使用：不使用UB/LBUB/LB（引腳（引腳PIN14PIN14：1111對應(yīng)對應(yīng)nWBEnWBE3:03:0）；）；1 1：使用：使用UB/LBUB/LB（引腳（引腳PIN14:11PIN14:11對應(yīng)對應(yīng)nBEnBE3:03:0）；）；0 0WS7WS73030決定決定BANK7BANK7中的中的SRAMSRAM存儲器的等待狀態(tài)，存儲器的等待狀態(tài)，0 0：等待禁止；：等待禁止；1 1：等待使能：等待使能0 0DW7DW729:2829:28決定決定BANK7BANK7數(shù)據(jù)總線寬度；數(shù)據(jù)總線寬度；00:800:8位；

27、位；01:1601:16位位;10:32;10:32位；位；1111：保留：保留0 0共200頁25UB/LBUB/LB分別是存儲器分別是存儲器高高8 8位位, ,低低8 8位的數(shù)據(jù)位的數(shù)據(jù)線使能信號線使能信號寫字節(jié)使能信號寫字節(jié)使能信號BWSCONBWSCON位位描述描述初始狀態(tài)初始狀態(tài)ST6ST62727決定決定SRAMSRAM映射在映射在BANK6BANK6時是否使用時是否使用UB/LBUB/LB；0 0：不使用：不使用UB/LBUB/LB（引腳（引腳PIN14PIN14：1111對應(yīng)對應(yīng)nWBEnWBE3:03:0）；）；1 1：使用：使用UB/LBUB/LB（引腳（引腳PIN14:1

28、1PIN14:11對應(yīng)對應(yīng)nBEnBE3:03:0）；）；0 0WS6WS62626決定決定BANK6BANK6中的中的SRAMSRAM存儲器的等待狀態(tài)；存儲器的等待狀態(tài)；0 0：等待禁止；：等待禁止；1 1：等待使能：等待使能0 0DW6DW625:2425:24決定決定BANK6BANK6數(shù)據(jù)總線寬度；數(shù)據(jù)總線寬度；00:800:8位；位；01:1601:16位；位；10:3210:32位；位；1111：保留：保留0 0ST5ST52323決定決定SRAMSRAM映射在映射在BANK5BANK5時是否使用時是否使用UB/LBUB/LB；0 0：不使用：不使用UB/LBUB/LB（引腳（引腳

29、PIN14PIN14：1111對應(yīng)對應(yīng)nWBEnWBE3:03:0）；）；1 1：使用：使用UB/LBUB/LB（引腳（引腳PIN14:11PIN14:11對應(yīng)對應(yīng)nBEnBE3:03:0）；）；0 0WS5WS52222決定決定BANK5BANK5中的中的SRAMSRAM存儲器的等待狀態(tài)，存儲器的等待狀態(tài)，0 0：等待禁止；：等待禁止；1 1：等待使能：等待使能0 0DW5DW521:2021:20決定決定BANK5BANK5數(shù)據(jù)總線寬度；數(shù)據(jù)總線寬度；00:800:8位；位；01:1601:16位；位；10:3210:32位；位；1111：保留：保留0 0共200頁26BWSCONBWSC

30、ON位位描述描述初始狀態(tài)初始狀態(tài)ST4ST41919決定決定SRAMSRAM映射在映射在BANK4BANK4時是否使用時是否使用UB/LBUB/LB；0 0：不使用：不使用UB/LBUB/LB（引腳（引腳PIN14PIN14：1111對應(yīng)對應(yīng)nWBEnWBE3:03:0）；）；1 1：使用：使用UB/LBUB/LB（引腳（引腳PIN14:11PIN14:11對應(yīng)對應(yīng)nBEnBE3:03:0）；）；0 0WS4WS41818決定決定BANK4BANK4中的中的SRAMSRAM存儲器的等待狀態(tài)，存儲器的等待狀態(tài)，0 0：等待禁止；：等待禁止；1 1：等待使能：等待使能0 0DW4DW417:161

31、7:16決定決定BANK4BANK4數(shù)據(jù)總線寬度；數(shù)據(jù)總線寬度；00:800:8位；位；01:1601:16位位;10:32;10:32位；位；1111：保留：保留0 0ST3ST31515決定決定SRAMSRAM映射在映射在BANK3BANK3時是否使用時是否使用UB/LBUB/LB；0 0：不使用：不使用UB/LBUB/LB（引腳（引腳PIN14PIN14：1111對應(yīng)對應(yīng)nWBEnWBE3:03:0）；）；1 1：使用：使用UB/LBUB/LB（引腳（引腳PIN14:11PIN14:11對應(yīng)對應(yīng)nBEnBE3:03:0）；）；0 0WS3WS31414決定決定BANK3BANK3中的中的

32、SRAMSRAM存儲器的等待狀態(tài)，存儲器的等待狀態(tài)，0 0：等待禁止；：等待禁止；1 1：等待使能：等待使能0 0DW3DW313:1213:12決定決定BANK3BANK3數(shù)據(jù)總線寬度；數(shù)據(jù)總線寬度；00:800:8位；位；01:1601:16位位;10:32;10:32位；位；1111：保留：保留0 0共200頁27BWSCONBWSCON位位描述描述初始狀態(tài)初始狀態(tài)ST2ST21111決定決定SRAMSRAM映射在映射在BANK2BANK2時是否使用時是否使用UB/LBUB/LB；0 0：不使用：不使用UB/LBUB/LB（引腳（引腳PIN14PIN14：1111對應(yīng)對應(yīng)nWBEnWBE

33、3:03:0）；）；1 1：使用：使用UB/LBUB/LB（引腳（引腳PIN14:11PIN14:11對應(yīng)對應(yīng)nBEnBE3:03:0）；）；0 0WS2WS21010決定決定BANK2BANK2中的中的SRAMSRAM存儲器的等待狀態(tài)，存儲器的等待狀態(tài)，0 0：等待禁止；：等待禁止；1 1：等待使能：等待使能0 0DW2DW29:89:8決定決定BANK2BANK2數(shù)據(jù)總線寬度；數(shù)據(jù)總線寬度；00:800:8位；位；01:1601:16位位;10:32;10:32位；位；1111：保留：保留0 0ST1ST177決定決定SRAMSRAM映射在映射在BANK1BANK1時是否使用時是否使用UB

34、/LBUB/LB；0 0：不使用：不使用UB/LBUB/LB（引腳（引腳PIN14PIN14：1111對應(yīng)對應(yīng)nWBEnWBE3:03:0）；）；1 1：使用：使用UB/LBUB/LB（引腳（引腳PIN14:11PIN14:11對應(yīng)對應(yīng)nBEnBE3:03:0）；）；0 0WS1WS166決定決定BANK1BANK1中的中的SRAMSRAM存儲器的等待狀態(tài)，存儲器的等待狀態(tài)，0 0：等待禁止；：等待禁止；1 1：等待使能：等待使能0 0DW1DW15:45:4決定決定BANK1BANK1數(shù)據(jù)總線寬度；數(shù)據(jù)總線寬度；00:800:8位；位；01:1601:16位位;10:32;10:32位；位；

35、1111：保留：保留0 0共200頁28BWSCONBWSCON位位描述描述初始狀態(tài)初始狀態(tài)DW0DW02:12:1顯示顯示BANK0BANK0的數(shù)據(jù)總線寬度（只讀）的數(shù)據(jù)總線寬度（只讀）- -ReservedReserved00不使用不使用- -注意：注意：在這個存儲控制器里，所有類型的主時在這個存儲控制器里，所有類型的主時鐘都對應(yīng)著總線時鐘。例如：鐘都對應(yīng)著總線時鐘。例如：SRAMSRAM的的HCLKHCLK就是總線時鐘，就是總線時鐘，SDRAMSDRAM的的SCLKSCLK也和總線時鐘也和總線時鐘相同；相同；nBE3:0nBE3:0相當(dāng)于相當(dāng)于nWBE3:0nWBE3:0和和nOEnOE

36、進(jìn)行進(jìn)行“與與”之后的信號。之后的信號。共200頁29（2 2）總線控制寄存器（）總線控制寄存器（BANKCONn:nGCS0nGCS5BANKCONn:nGCS0nGCS5） 總線控制寄存器總線控制寄存器 BANKCON0BANKCON5BANKCON0BANKCON5 的地址信息如下：的地址信息如下：寄存器寄存器地址地址R/WR/W描述描述復(fù)位值復(fù)位值BANKCON0BANKCON00X480000040X48000004R/WR/WBANKCON0BANKCON0控制寄存器控制寄存器0X07000X0700BANKCON1BANKCON10X480000080X48000008R/WR/

37、WBANKCON1BANKCON1控制寄存器控制寄存器0X07000X0700BANKCON2BANKCON20X4800000C0X4800000CR/WR/WBANKCON2BANKCON2控制寄存器控制寄存器0X07000X0700BANKCON3BANKCON30X480000100X48000010R/WR/WBANKCON3BANKCON3控制寄存器控制寄存器0X07000X0700BANKCON4BANKCON40X480000140X48000014R/WR/WBANKCON4BANKCON4控制寄存器控制寄存器0X07000X0700BANKCON5BANKCON50X480

38、000180X48000018R/WR/WBANKCON5BANKCON5控制寄存器控制寄存器0X07000X0700共200頁30 總線控制寄存器總線控制寄存器 BANKCON0BANKCON5BANKCON0BANKCON5的各位描述如下：的各位描述如下：BANKCONnBANKCONn位位描述描述起始地址起始地址TacsTacs14:1314:13在在nGCSnnGCSn起效前，地址信號的建立時間。起效前，地址信號的建立時間。00:0 clock00:0 clock；01:1 clock01:1 clock；10:210:2 clocksclocks；11:411:4 clocksclo

39、cks0000TcosTcos12:1112:11在在nOEnOE起效之前，片選的建立時間。起效之前，片選的建立時間。00:0 clock00:0 clock；01:1clock01:1clock；10:210:2 clocksclocks；11:411:4 clocksclocks0000TaccTacc10:810:8訪問周期訪問周期000:1 clock000:1 clock；001:2001:2 clocksclocks；010:3010:3 clocksclocks；011:4011:4 clocksclocks111111TcohTcoh7:67:6nOEnOE之后，片選的保持時間

40、。之后，片選的保持時間。00:0 clock00:0 clock；01:1clock01:1clock；10:210:2 clocksclocks；11:411:4 clocksclocks0000共200頁31片選信號片選信號BANKCONnBANKCONn位位描述描述起始地址起始地址TcahTcah5:45:4nGCSnnGCSn之后，地址信號的保持時間。之后，地址信號的保持時間。00:0 clock00:0 clock；01:1 clock01:1 clock；10:210:2 clocksclocks；11:411:4 clocksclocks0000TacpTacp3:23:2Pag

41、ePage模式的訪問周期（在模式的訪問周期（在PagePage模式下）。模式下）。00:2 clocks00:2 clocks；01:3 clocks01:3 clocks；10:410:4 clocksclocks；11:611:6 clocksclocks0000PMCPMC1:01:0PagePage模式配置。模式配置。0000：正常（：正常（1 data1 data）;01:4;01:4 data; data;10:8 data;11:16 data10:8 data;11:16 data0000（3 3）BANKBANK控制寄存器（控制寄存器（BANKCONn:nGCS6nGCS7B

42、ANKCONn:nGCS6nGCS7）共200頁32 BANKBANK 控制寄存器控制寄存器 BANKCON6BANKCON7BANKCON6BANKCON7的地址信息如下：的地址信息如下：寄存器寄存器地址地址R/WR/W描述描述復(fù)位值復(fù)位值BANKCON6BANKCON60X4800001C0X4800001CR/WR/WBANK6BANK6控制寄存器控制寄存器0X180080X18008BANKCON7BANKCON70X480000200X48000020R/WR/WBANK7BANK7控制寄存器控制寄存器0X180080X18008 各個位的具體描述如下：各個位的具體描述如下：BANK

43、CONnBANKCONn位位描述描述起始狀態(tài)起始狀態(tài)MTMT16:1516:15決定決定BANK6BANK6和和BANK7BANK7的存儲器類型。的存儲器類型。0000：ROMROM或或SRAMSRAM；0101：保留：保留1010：保留；：保留；1111：Sync.Sync.DRAMDRAM1111共200頁33BANKCONnBANKCONn位位描述描述起始狀態(tài)起始狀態(tài)TacsTacs14:1314:13nGCSnnGCSn起效之前，地址信號的建立時間起效之前，地址信號的建立時間00:000:0 clock; clock; 01:101:1 clock clock10:210:2 cloc

44、ks; clocks; 11:4 11:4 clocks clocks 0000TcosTcos12:1112:11nOEnOE起效之前，地址信號的建立時間起效之前，地址信號的建立時間00:000:0 clock; clock; 01:101:1 clock clock10:210:2 clocks; clocks; 11:4 11:4 clocks clocks 0000TaccTacc10:810:8訪問時間訪問時間000:1000:1 clock; 0 clock; 001:201:2 clocks; clocks;010:3010:3 clocks; clocks; 011:4 011

45、:4 clocks clocks100:6100:6 clocks; clocks; 101:8 101:8 clocks clocks 111111TcohTcoh7:67:6nOEnOE之后，片選的保持時間之后，片選的保持時間00:000:0 clock; clock; 01:101:1 clock clock10:210:2 clocks; clocks; 11:4 11:4 clocks clocks 0000TcahTcah5:45:4nGCSnnGCSn之后，地址信號保持時間之后，地址信號保持時間00:000:0 clock; clock; 01:101:1 clock clock

46、10:210:2 clocks; clocks; 11:4 11:4 clocks clocks 0000存儲器類型存儲器類型=ROM=ROM或或SRAMMT=00SRAMMT=00（1515位）位）共200頁34存儲器類型存儲器類型=ROM=ROM或或SRAMMT=00SRAMMT=00（1515位）位）BANKCONnBANKCONn位位描述描述起始狀態(tài)起始狀態(tài)TacpTacp3:23:2PagePage模式下的訪問周期模式下的訪問周期00:200:2 clocks; clocks; 01:301:3 clocks clocks10:410:4 clocks; clocks; 11:6 1

47、1:6 clocks clocks 0000PMCPMC1:01:0PagePage模式配置模式配置00:00:正常（正常（1 data1 data）; ; 01:401:4數(shù)據(jù)連續(xù)訪問數(shù)據(jù)連續(xù)訪問10:810:8數(shù)據(jù)連續(xù)訪問數(shù)據(jù)連續(xù)訪問; ; 11:16 11:16數(shù)據(jù)連續(xù)訪問數(shù)據(jù)連續(xù)訪問 0000存儲器類型存儲器類型=SDRAMMT=11=SDRAMMT=11（4 4位）位）BANKCONnBANKCONn位位描述描述起始狀態(tài)起始狀態(tài)TrcdTrcd3:23:2RASRAS到到CASCAS延遲延遲00:200:2 clocks; clocks; 01:301:3 clocks clocks

48、；10:410:4 clocks clocks1010SCANSCAN1:01:0列地址位數(shù)列地址位數(shù)00:800:8位位; ; 01:901:9位；位；10:1010:10位位 0000共200頁35列地址選通信號列地址選通信號到到列地址選通信號列地址選通信號（4 4）SDRAMSDRAM刷新控制寄存器刷新控制寄存器 刷新控制寄存器的地址信息如下所示：刷新控制寄存器的地址信息如下所示：寄存器寄存器地址地址R/WR/W描述描述復(fù)位值復(fù)位值刷新刷新0X480000240X48000024R/WR/WSDRAMSDRAM刷新控制寄存器刷新控制寄存器0XAC00000XAC0000 它的設(shè)置決定了它

49、的設(shè)置決定了 SDRAMSDRAM的刷新的刷新 是否允是否允許、許、刷新模式刷新模式、RASRAS預(yù)充電的時間、預(yù)充電的時間、RASRAS和和CASCAS最短時間最短時間、CASCAS保持時間保持時間 以及以及 刷新計刷新計數(shù)值，數(shù)值，各位的描述如下所示：各位的描述如下所示：共200頁36刷新刷新位位描述描述起始狀態(tài)起始狀態(tài)REFENREFEN2323SDRAMSDRAM刷新使能，刷新使能，0 0：停止；：停止；1 1：使能：使能1 1TREFMDTREFMD2222SDRAMSDRAM刷新模式刷新模式0 0：自動刷新；：自動刷新；1 1：自我刷新（在自我刷新模：自我刷新（在自我刷新模式下），

50、式下），SDRAMSDRAM控制信號被置于適當(dāng)?shù)碾娖娇刂菩盘柋恢糜谶m當(dāng)?shù)碾娖? 0TrpTrp21:2021:20SDRAM RASSDRAM RAS預(yù)充電時間，預(yù)充電時間，0000：2 2 clocks clocks；01:3 01:3 clocksclocks；10:4 clocks10:4 clocks；11:11:不支持不支持1010TsrcTsrc19:1819:18SDRAMSDRAM半行周期時間。半行周期時間。00:4 clocks00:4 clocks；01:501:5 clocks clocks；10:6 clocks10:6 clocks；11:7 clocks11:7 c

51、locks；SDRAMsSDRAMs行周期時間（行周期時間（TrcTrc）= =Tsrc+TrpTsrc+Trp，如果，如果TrpTrp=3 clocks=3 clocks和和TsrcTsrc=7 =7 clocksclocks，TrcTrc=10 clocks=10 clocks1111ReservedReserved 17:1617:16不使用不使用0000ReservedReserved 15:1115:11不使用不使用00000000Refresh Refresh CounterCounter10:010:0SDRAMSDRAM刷新計數(shù)器值，刷新時間刷新計數(shù)器值，刷新時間= =（2 2

52、1111- -刷新刷新計數(shù)值計數(shù)值+1+1）/HCLK/HCLK。如果刷新時間是。如果刷新時間是15.6us15.6us，HCLKHCLK是是60MHZ60MHZ，刷新計數(shù)器值計算如下：，刷新計數(shù)器值計算如下：刷新計數(shù)值刷新計數(shù)值=2=21111+1-60X15.6+1-60X15.60 0共200頁37（5 5）BANKSIZEBANKSIZE寄存器寄存器 BANKSIZEBANKSIZE 寄存器是控制寄存器是控制 BANKBANK 大大小的寄存器，主要是決定小的寄存器，主要是決定 BANK6/7 BANK6/7 的的存儲區(qū)域的空間大小。存儲區(qū)域的空間大小。BANKSIZEBANKSIZE

53、寄存寄存器的地址信息如下：器的地址信息如下：寄存器寄存器地址地址R/WR/W描述描述復(fù)位值復(fù)位值BANKSIZEBANKSIZE0X480000280X48000028R/WR/W可靈活設(shè)置的可靈活設(shè)置的BANKBANK尺寸寄存器尺寸寄存器0X00X0共200頁38BANKSIZEBANKSIZE位位描述描述起始狀態(tài)起始狀態(tài)BURST_ENBURST_EN77ARMARM內(nèi)核猝發(fā)操作使能內(nèi)核猝發(fā)操作使能0 0：禁止；：禁止；1 1：使能：使能0 0ReservedReserved66不使用不使用0 0SCKE_ENSCKE_EN55SCKESCKE使能控制使能控制0 0：SDRAM SCKES

54、DRAM SCKE禁止；禁止；1 1：SDRAM SCKESDRAM SCKE使能使能0 0SCLK_ENSCLK_EN44只有在只有在SDRAMSDRAM訪問周期期間，訪問周期期間，SCLKSCLK才使能，才使能，這樣做是可以減少功耗。當(dāng)這樣做是可以減少功耗。當(dāng)SDRAMSDRAM不被訪問不被訪問時，時，SCLKSCLK變成低電平。變成低電平。0 0：SCLKSCLK總是激活；總是激活；1 1：SCLKSCLK只有在訪問期間（推薦的）激活，只有在訪問期間（推薦的）激活，推薦設(shè)置為推薦設(shè)置為1 10 0ReservedReserved33不使用不使用0 0BK76MAPBK76MAP2:02:

55、0BANK6/7BANK6/7的存儲空間分布，的存儲空間分布，010010：128MB/128MB128MB/128MB；001001：64MB/64MB64MB/64MB；000000：32MB32MB32MB32MB；111:16MB/16MB111:16MB/16MB；110:8MB/8MB110:8MB/8MB；101:4MB/4MB101:4MB/4MB；100:2MB/2MB100:2MB/2MB010010共200頁39猝發(fā)寫命令與猝發(fā)讀命令類似，猝發(fā)寫命令與猝發(fā)讀命令類似，允許某個體中的一行被激活后，允許某個體中的一行被激活后，連續(xù)寫入若干個數(shù)據(jù)。連續(xù)寫入若干個數(shù)據(jù)。（6 6）

56、SDRAMSDRAM模式寄存器集寄存器（模式寄存器集寄存器（MRSRMRSR） SDRAMSDRAM模式寄存器集寄存器的地址信息模式寄存器集寄存器的地址信息描述如下：描述如下：寄存器寄存器地址地址R/WR/W描述描述復(fù)位值復(fù)位值MRSRB6MRSRB60X4800002C0X4800002CR/WR/W模式寄存器集模式寄存器集BANK6BANK6寄存器寄存器X XMRSRB7MRSRB70X480000300X48000030R/WR/W模式寄存器集模式寄存器集BANK7BANK7寄存器寄存器X X SDRAMSDRAM模式寄存器集寄存器各位的模式寄存器集寄存器各位的設(shè)置如下：設(shè)置如下：共20

57、0頁40MRSRMRSR位位描述描述起始狀態(tài)起始狀態(tài)ReservedReserved11:1011:10不使用不使用- -WBLWBL99猝發(fā)寫的長度猝發(fā)寫的長度0 0：猝發(fā)（固定的）：猝發(fā)（固定的）1 1：保留：保留X XTMTM8:78:7測試模式測試模式0000：模式寄存器集（固定的）：模式寄存器集（固定的）0101、1010、1111：保留：保留X XCLCL6:46:4CASCAS反應(yīng)時間反應(yīng)時間000:1000:1 clock clock；010:2 clocks010:2 clocks011:3 clocks011:3 clocks；其他：保留；其他：保留X XBTBT33猝發(fā)類

58、型猝發(fā)類型0 0：連續(xù)的（固定）：連續(xù)的（固定）1 1：保留：保留X XBLBL2:02:0猝發(fā)時間猝發(fā)時間000:1000:1（固定的）（固定的）其他：保留其他：保留X X共200頁41 注意：當(dāng)代碼在注意：當(dāng)代碼在 SDRAMSDRAM 中運(yùn)行時，中運(yùn)行時，絕不能夠重新配置絕不能夠重新配置 MRSRMRSR 寄存器。寄存器。 重要說明：重要說明：在掉電模式下在掉電模式下， SDRAM SDRAM 必須進(jìn)入必須進(jìn)入 SDRAMSDRAM 的自我刷新模式。的自我刷新模式。共200頁426.3 NAND Flash6.3 NAND Flash控制器控制器 由于由于 NOR Flash NOR F

59、lash 價格較高，而價格較高，而 SDRAM SDRAM 和和 NAND Flash NAND Flash 存儲器相對經(jīng)濟(jì)，這樣促存儲器相對經(jīng)濟(jì)，這樣促使一些用戶在使一些用戶在 NAND Flash NAND Flash 上執(zhí)行啟動代上執(zhí)行啟動代碼，在碼，在 SDRAMSDRAM 上執(zhí)行主程序。上執(zhí)行主程序。 S3C2440AS3C2440A 的驅(qū)動代碼可以在外部的的驅(qū)動代碼可以在外部的NAND Flash NAND Flash 存儲器上被執(zhí)行。為了支持存儲器上被執(zhí)行。為了支持NAND Flash NAND Flash 的的 boot loaderboot loader，S3C2440AS3

60、C2440A 配備了一個內(nèi)部的配備了一個內(nèi)部的 SRAMSRAM 緩沖器名為緩沖器名為 “Steppingstone”Steppingstone”。共200頁43 啟動時，啟動時，NAND Flash NAND Flash 上的前上的前 4KByte 4KByte 字節(jié)字節(jié) 將被裝載到將被裝載到 SteppingstoneSteppingstone 中，并中，并且裝載到且裝載到 SteppingstoneSteppingstone 上的啟動代碼上的啟動代碼會被執(zhí)行。會被執(zhí)行。 一般情況下，啟動代碼會拷貝一般情況下，啟動代碼會拷貝 NAND NAND FlashFlash 上的內(nèi)容到上的內(nèi)容到