第6章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)學(xué)習(xí)教案

1、會(huì)計(jì)學(xué)1第第6章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)(jch)第一頁(yè)，共33頁(yè)。第1頁(yè)/共32頁(yè)第二頁(yè)，共33頁(yè)。 熱敏性熱敏性 光敏性光敏性 雜敏性雜敏性 本征半導(dǎo)體就是純凈本征半導(dǎo)體就是純凈(chnjng)(chnjng)(不含雜質(zhì)不含雜質(zhì)) )且具有完整晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。且具有完整晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。 對(duì)共有價(jià)電子所形成的束縛作用叫做對(duì)共有價(jià)電子所形成的束縛作用叫做。第2頁(yè)/共32頁(yè)第三頁(yè)，共33頁(yè)。 可以可以(ky)(ky)參與導(dǎo)電的帶電粒子，稱(chēng)為載流子。參與導(dǎo)電的帶電粒子，稱(chēng)為載流子。 自由電子和空穴總是相伴而生、成對(duì)出現(xiàn)的，稱(chēng)為自由電子自由電子和空穴總是相伴而生、成對(duì)出現(xiàn)的，稱(chēng)為自由電子-

2、 -空穴對(duì)。空穴對(duì)。第3頁(yè)/共32頁(yè)第四頁(yè)，共33頁(yè)。 N N 型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體硅晶體內(nèi)摻入微量的五價(jià)元素型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體硅晶體內(nèi)摻入微量的五價(jià)元素(yun s)(yun s)磷構(gòu)成。磷構(gòu)成。 自由電子自由電子(dinz)(dinz)數(shù)遠(yuǎn)超過(guò)空穴數(shù)，以電子數(shù)遠(yuǎn)超過(guò)空穴數(shù)，以電子(dinz)(dinz)導(dǎo)電為主的雜質(zhì)半導(dǎo)體為電子導(dǎo)電為主的雜質(zhì)半導(dǎo)體為電子(dinz)(dinz)型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體( N( N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體) )。 自由電子自由電子(dinz)(dinz)是多數(shù)載流子，簡(jiǎn)稱(chēng)多子。是多數(shù)載流子，簡(jiǎn)稱(chēng)多子。 空穴是少數(shù)載流子，簡(jiǎn)稱(chēng)少子。空穴是少數(shù)載流子，簡(jiǎn)稱(chēng)少子。 在在N

3、N型半導(dǎo)體中，整個(gè)晶體呈電中性。型半導(dǎo)體中，整個(gè)晶體呈電中性。第4頁(yè)/共32頁(yè)第五頁(yè)，共33頁(yè)。 P P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體硅晶體型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體硅晶體(jngt)(jngt)內(nèi)摻入微量的三價(jià)元素硼構(gòu)成。內(nèi)摻入微量的三價(jià)元素硼構(gòu)成。 以空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體，稱(chēng)為空穴型半導(dǎo)體以空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體，稱(chēng)為空穴型半導(dǎo)體(P(P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體) )。 空穴是多數(shù)載流子，自由電子是少數(shù)載流子。整個(gè)晶體空穴是多數(shù)載流子，自由電子是少數(shù)載流子。整個(gè)晶體(jngt)(jngt)呈電中性。呈電中性。 第5頁(yè)/共32頁(yè)第六頁(yè)，共33頁(yè)。 通過(guò)摻雜工藝，使一塊完整通過(guò)摻雜工藝，使一塊完整(wnzhng)(

4、wnzhng)的半導(dǎo)體晶片的一邊為的半導(dǎo)體晶片的一邊為P P型半導(dǎo)體，另型半導(dǎo)體，另一邊為一邊為N N型半導(dǎo)體，兩種半導(dǎo)體的交界處形成一個(gè)具有特殊物理性質(zhì)的帶電薄層，型半導(dǎo)體，兩種半導(dǎo)體的交界處形成一個(gè)具有特殊物理性質(zhì)的帶電薄層，稱(chēng)為稱(chēng)為PNPN結(jié)。結(jié)。 交界處兩側(cè)，因濃度差作用產(chǎn)生的定向運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。交界處兩側(cè)，因濃度差作用產(chǎn)生的定向運(yùn)動(dòng)稱(chēng)為多子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。 帶異性電荷的薄層，稱(chēng)為空間電荷區(qū)，或稱(chēng)為帶異性電荷的薄層，稱(chēng)為空間電荷區(qū)，或稱(chēng)為PNPN結(jié)。結(jié)。 空間電荷區(qū)內(nèi)部電荷產(chǎn)生一個(gè)電場(chǎng)，稱(chēng)為內(nèi)電場(chǎng)?？臻g電荷區(qū)內(nèi)部電荷產(chǎn)生一個(gè)電場(chǎng)，稱(chēng)為內(nèi)電場(chǎng)。第6頁(yè)/共32頁(yè)第七頁(yè)，共33頁(yè)。第7頁(yè)

5、/共32頁(yè)第八頁(yè)，共33頁(yè)。 PN PN結(jié)外加正向電壓時(shí)結(jié)外加正向電壓時(shí)( (又稱(chēng)正向偏置又稱(chēng)正向偏置) )，正向電阻，正向電阻(dinz)(dinz)較小，正向電較小，正向電流較大，處于導(dǎo)通狀態(tài)；流較大，處于導(dǎo)通狀態(tài)；PNPN結(jié)外加反向電壓時(shí)結(jié)外加反向電壓時(shí)( (又稱(chēng)反向偏置又稱(chēng)反向偏置) )，反向電阻，反向電阻(dinz)(dinz)很大，反向電流很小，處于截止?fàn)顟B(tài)。很大，反向電流很小，處于截止?fàn)顟B(tài)。PNPN結(jié)的這種特性稱(chēng)為單向結(jié)的這種特性稱(chēng)為單向?qū)щ娦?，它是?dǎo)電性，它是PNPN結(jié)最重要的特性。結(jié)最重要的特性。第8頁(yè)/共32頁(yè)第九頁(yè)，共33頁(yè)。 PN PN結(jié)有一定的電容效應(yīng)。結(jié)有一定的電容

6、效應(yīng)。 外加電壓改變時(shí)，空間電荷區(qū)的電荷量將隨著改變，這些現(xiàn)象都和電容器的作用類(lèi)似，稱(chēng)之為結(jié)電容。外加電壓改變時(shí)，空間電荷區(qū)的電荷量將隨著改變，這些現(xiàn)象都和電容器的作用類(lèi)似，稱(chēng)之為結(jié)電容。 PN PN結(jié)外加電壓的變化結(jié)外加電壓的變化(binhu)(binhu)，電子濃度和，電子濃度和N N型半導(dǎo)體區(qū)的空穴擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)變化型半導(dǎo)體區(qū)的空穴擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)變化(binhu)(binhu)，這和電容的充、放電作用類(lèi)似，稱(chēng)為擴(kuò)散電容。，這和電容的充、放電作用類(lèi)似，稱(chēng)為擴(kuò)散電容。第9頁(yè)/共32頁(yè)第十頁(yè)，共33頁(yè)。 半導(dǎo)體二極管是將半導(dǎo)體二極管是將PNPN結(jié)外加封裝、引線(xiàn)構(gòu)成結(jié)外加封裝、引線(xiàn)構(gòu)成(guchng)(gu

7、chng)(圖圖6.2.5)6.2.5)。從從P P區(qū)引出的電極稱(chēng)為正極或陽(yáng)極，從區(qū)引出的電極稱(chēng)為正極或陽(yáng)極，從N N區(qū)引出的電極稱(chēng)為負(fù)極或陰極。二區(qū)引出的電極稱(chēng)為負(fù)極或陰極。二極管的電路符號(hào)如圖極管的電路符號(hào)如圖6.2.66.2.6，表示二極管具有單向?qū)щ娦浴?，表示二極管具有單向?qū)щ娦浴?二極管的種類(lèi)：按材料分有硅二極管和鍺二極管；按結(jié)構(gòu)分有點(diǎn)接觸二極管的種類(lèi)：按材料分有硅二極管和鍺二極管；按結(jié)構(gòu)分有點(diǎn)接觸型和面接觸型二極管。型和面接觸型二極管。 點(diǎn)接觸型二極管結(jié)面積小，結(jié)電容也小，高頻性能好，允許通過(guò)的電流較點(diǎn)接觸型二極管結(jié)面積小，結(jié)電容也小，高頻性能好，允許通過(guò)的電流較小。小。 面接觸型

8、二極管結(jié)面積較大，結(jié)電容也大，可通過(guò)較大的電流。面接觸型二極管結(jié)面積較大，結(jié)電容也大，可通過(guò)較大的電流。第10頁(yè)/共32頁(yè)第十一頁(yè)，共33頁(yè)。 二極管的伏安特性曲線(xiàn)二極管的伏安特性曲線(xiàn)(qxin)(qxin)是流過(guò)二極管的電流隨外加偏是流過(guò)二極管的電流隨外加偏置電壓變化的關(guān)系曲線(xiàn)置電壓變化的關(guān)系曲線(xiàn)(qxin)(qxin)，它定量表示了二極管的單向?qū)В勘硎玖硕O管的單向?qū)щ娦?。電性。?1頁(yè)/共32頁(yè)第十二頁(yè)，共33頁(yè)。 最大整流電流最大整流電流IVDMIVDM，是指二極管長(zhǎng)時(shí)間使用時(shí)所允許通過(guò)的最大正向平，是指二極管長(zhǎng)時(shí)間使用時(shí)所允許通過(guò)的最大正向平均電流值。均電流值。 最高反向工作電

9、壓最高反向工作電壓URMURM，是指二極管上允許外加的最大反向電壓瞬時(shí)值，是指二極管上允許外加的最大反向電壓瞬時(shí)值。 最大反向電流最大反向電流IRMIRM，是指在一定的環(huán)境溫度下，二極管上外加最高反向，是指在一定的環(huán)境溫度下，二極管上外加最高反向工作電壓時(shí)流過(guò)的電流，常稱(chēng)為反向飽和電流。工作電壓時(shí)流過(guò)的電流，常稱(chēng)為反向飽和電流。 最高工作頻率，當(dāng)二極管的工作頻率超過(guò)這個(gè)數(shù)值時(shí)，二極管將失去最高工作頻率，當(dāng)二極管的工作頻率超過(guò)這個(gè)數(shù)值時(shí)，二極管將失去(shq)(shq)單向?qū)щ娦?。單向?qū)щ娦?。?2頁(yè)/共32頁(yè)第十三頁(yè)，共33頁(yè)。第13頁(yè)/共32頁(yè)第十四頁(yè)，共33頁(yè)。 3 3個(gè)區(qū)：發(fā)射區(qū)、基區(qū)、

10、集電區(qū)；個(gè)區(qū)：發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)；3 3個(gè)電極：發(fā)射極、基極、集電極。個(gè)電極：發(fā)射極、基極、集電極。 發(fā)射區(qū)與基區(qū)間的發(fā)射區(qū)與基區(qū)間的PNPN結(jié)叫發(fā)射結(jié)，集電區(qū)與基區(qū)間的結(jié)叫發(fā)射結(jié)，集電區(qū)與基區(qū)間的PNPN結(jié)叫集電結(jié)。結(jié)叫集電結(jié)。 3 3個(gè)半導(dǎo)體區(qū)的不同組合方式個(gè)半導(dǎo)體區(qū)的不同組合方式(fngsh)(fngsh)，三極管又可分為，三極管又可分為NPNNPN型和型和PNPPNP型。型。第14頁(yè)/共32頁(yè)第十五頁(yè)，共33頁(yè)。第15頁(yè)/共32頁(yè)第十六頁(yè)，共33頁(yè)。 由于發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)多數(shù)載流子越過(guò)發(fā)射結(jié)向基區(qū)擴(kuò)散由于發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)多數(shù)載流子越過(guò)發(fā)射結(jié)向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流，形成發(fā)射極電

11、流I IE E。 進(jìn)入基區(qū)的電子，向集電結(jié)方向擴(kuò)散，由于集電結(jié)反偏，在內(nèi)電場(chǎng)作進(jìn)入基區(qū)的電子，向集電結(jié)方向擴(kuò)散，由于集電結(jié)反偏，在內(nèi)電場(chǎng)作用下，大量漂移到集電區(qū)，形成集電極電流用下，大量漂移到集電區(qū)，形成集電極電流I IC C。 在基區(qū)中，擴(kuò)散到集電區(qū)的電子數(shù)與復(fù)合的電子數(shù)的比例決在基區(qū)中，擴(kuò)散到集電區(qū)的電子數(shù)與復(fù)合的電子數(shù)的比例決定晶體管的放大能力。復(fù)合電子數(shù)只占很小的一部分，即定晶體管的放大能力。復(fù)合電子數(shù)只占很小的一部分，即I IB B遠(yuǎn)小遠(yuǎn)小于于I IC C。晶體管的電流放大原理就是用較小的基極電流。晶體管的電流放大原理就是用較小的基極電流I IB B去控制較大的去控制較大的集電極電流

12、集電極電流I IC C。第16頁(yè)/共32頁(yè)第十七頁(yè)，共33頁(yè)。發(fā)射結(jié)兩邊的少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)較弱，不考慮其影響，但由于集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)兩邊的少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)較弱，不考慮其影響，但由于集電結(jié)反偏，其內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng)，集電結(jié)兩邊的少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)，所形成的電流用，其內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng)，集電結(jié)兩邊的少數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng)增強(qiáng)，所形成的電流用I ICBOCBO表示，稱(chēng)為表示，稱(chēng)為。晶體管是一種雙極型半導(dǎo)體器件。晶體管是一種雙極型半導(dǎo)體器件。第17頁(yè)/共32頁(yè)第十八頁(yè)，共33頁(yè)。 輸入特性曲線(xiàn)輸入特性曲線(xiàn)(qxin)(qxin)：UCEUCE為一定值時(shí)，基極電流為一定值時(shí)，基極電流IBIB與基與基- -射

13、極電壓射極電壓UBEUBE之間的關(guān)系曲線(xiàn)之間的關(guān)系曲線(xiàn)(qxin)(qxin)。 數(shù)學(xué)表達(dá)式：數(shù)學(xué)表達(dá)式：常數(shù)CE)(BEBUUfI 晶體管的輸入特性曲線(xiàn)與二極管伏安特性曲線(xiàn)相似，也有晶體管的輸入特性曲線(xiàn)與二極管伏安特性曲線(xiàn)相似，也有一段死區(qū)，硅管約為一段死區(qū)，硅管約為0.5V，鍺管約為，鍺管約為0.1V。晶體管正常工作時(shí)。晶體管正常工作時(shí)U UBEBE變變化很小，硅管約化很小，硅管約0.6V0.8V，鍺管約，鍺管約0.2V0.3V。第18頁(yè)/共32頁(yè)第十九頁(yè)，共33頁(yè)。常數(shù)B)(CECIUfI 工程上一般把輸出特性曲線(xiàn)工程上一般把輸出特性曲線(xiàn)(qxin)(qxin)分為三個(gè)區(qū)域：分為三個(gè)區(qū)域

14、：I IB B=0=0以下的區(qū)域。集電極只有很小的穿透電流以下的區(qū)域。集電極只有很小的穿透電流I ICEOCEO ，晶體管可截，晶體管可截止。止。：I IC C與與I IB B的關(guān)系呈飽和狀態(tài)。的關(guān)系呈飽和狀態(tài)。：U UCECE在在1V1V以上，集電極電流以上，集電極電流I IC C基本上不隨基本上不隨U UCECE變化，晶體管具變化，晶體管具有近似恒流源的特性。有近似恒流源的特性。晶體管工作于放大區(qū)，有晶體管工作于放大區(qū)，有作用，是許多放大電路的核心。作用，是許多放大電路的核心。晶體管工作于飽和區(qū)與載止區(qū)，有晶體管工作于飽和區(qū)與載止區(qū)，有作用，可構(gòu)成各種脈沖數(shù)作用，可構(gòu)成各種脈沖數(shù)字開(kāi)關(guān)電路

15、。字開(kāi)關(guān)電路。晶體管的晶體管的第19頁(yè)/共32頁(yè)第二十頁(yè)，共33頁(yè)。共發(fā)射極電流放大系數(shù)，用共發(fā)射極電流放大系數(shù)，用 表示：表示：BCII共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)，用共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)，用 表示：表示：BCii溫度每升高溫度每升高1， 值約增加值約增加0.5%1% 第20頁(yè)/共32頁(yè)第二十一頁(yè)，共33頁(yè)。集電極集電極-基極反向飽和電流基極反向飽和電流ICBO是發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電極是發(fā)射極開(kāi)路時(shí)，集電極-基極間基極間的反向電流。它受溫度的反向電流。它受溫度(wnd)變化的影響特別大。變化的影響特別大。集電極集電極-發(fā)射極反向電流發(fā)射極反向電流ICEO是基極開(kāi)路（是基極開(kāi)路（IB=0）時(shí)，集

16、電結(jié)反）時(shí)，集電結(jié)反偏、發(fā)射結(jié)正偏時(shí)的電流。又稱(chēng)為穿透電流。偏、發(fā)射結(jié)正偏時(shí)的電流。又稱(chēng)為穿透電流。溫度溫度(wnd)穩(wěn)定性差是晶體管的一個(gè)主要缺點(diǎn)。穩(wěn)定性差是晶體管的一個(gè)主要缺點(diǎn)。第21頁(yè)/共32頁(yè)第二十二頁(yè)，共33頁(yè)。 集電極最大允許電流集電極最大允許電流ICM ICM ，集電極電流，集電極電流ICIC超過(guò)超過(guò)(chogu)(chogu)一定數(shù)一定數(shù)值后，電流放大系數(shù)值后，電流放大系數(shù) 顯著下降。當(dāng)顯著下降。當(dāng) 值下降到正常值的三分之二值下降到正常值的三分之二時(shí)的集電極電流，稱(chēng)為集電極最大允許電流時(shí)的集電極電流，稱(chēng)為集電極最大允許電流ICMICM。 集集- -射極擊穿電壓射極擊穿電壓U U

17、(BR)CEO(BR)CEO，它是基極開(kāi)路時(shí)，它是基極開(kāi)路時(shí)(I(IB B=0)=0)，能加在集，能加在集- -射極之間的射極之間的最大允許電壓。最大允許電壓。 集電極最大允許耗散功率集電極最大允許耗散功率P PCMCM，集電極消耗的功率可用集電極耗散功，集電極消耗的功率可用集電極耗散功率率PC=ICUCE表示，根據(jù)晶體管工作時(shí)允許的集電結(jié)最高溫度表示，根據(jù)晶體管工作時(shí)允許的集電結(jié)最高溫度( (鍺管約為鍺管約為7070，硅管，硅管約為約為150)150)，定出了集電極最大允許耗散功率，定出了集電極最大允許耗散功率P PCMCM，晶體管工作時(shí)應(yīng)滿(mǎn)足，晶體管工作時(shí)應(yīng)滿(mǎn)足ICUCEPCM的條件。的條

18、件。 晶體管的頻率特性參數(shù)晶體管的頻率特性參數(shù)第22頁(yè)/共32頁(yè)第二十三頁(yè)，共33頁(yè)。第23頁(yè)/共32頁(yè)第二十四頁(yè)，共33頁(yè)。 場(chǎng)效應(yīng)管也是一種半導(dǎo)體器件，它利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制固體場(chǎng)效應(yīng)管也是一種半導(dǎo)體器件，它利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制固體(gt)材材料的導(dǎo)電能力。它的最大優(yōu)點(diǎn)是具有極高的輸入電阻，其噪聲低、熱穩(wěn)定料的導(dǎo)電能力。它的最大優(yōu)點(diǎn)是具有極高的輸入電阻，其噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、制造工藝簡(jiǎn)單。性好、抗輻射能力強(qiáng)、制造工藝簡(jiǎn)單。 UGS=0，P型襯底上不能形成可以導(dǎo)電的溝道。型襯底上不能形成可以導(dǎo)電的溝道。圖圖6.4.1 N6.4.1 N溝道增強(qiáng)型絕緣柵溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)

19、構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)第24頁(yè)/共32頁(yè)第二十五頁(yè)，共33頁(yè)。圖圖6.4.2 N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的工作溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的工作(gngzu)原理原理 UGS超過(guò)某一臨界值以后，形成超過(guò)某一臨界值以后，形成N型導(dǎo)電溝道。柵極電壓型導(dǎo)電溝道。柵極電壓UGS愈大，愈大，N型溝道愈厚，溝道電阻型溝道愈厚，溝道電阻(dinz)愈小。愈小。在漏、源之間接上電源，如圖在漏、源之間接上電源，如圖6.4.2(b)，形成漏極電流，形成漏極電流ID，管子導(dǎo)通。，管子導(dǎo)通。第25頁(yè)/共32頁(yè)第二十六頁(yè)，共33頁(yè)。 當(dāng)漏源電壓當(dāng)漏源電壓(diny)UDS一定時(shí)，漏極電流一定時(shí)，漏極電流ID和柵源電壓和柵源電壓(

20、diny)UGS之間的關(guān)系曲之間的關(guān)系曲線(xiàn)，稱(chēng)為轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)。線(xiàn)，稱(chēng)為轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)。ID與與UGS之間的關(guān)系為之間的關(guān)系為常數(shù)DS)(GSDUUfI 說(shuō)明柵源輸入電壓說(shuō)明柵源輸入電壓UGS對(duì)漏極輸出電流對(duì)漏極輸出電流ID的控制特性，如圖的控制特性，如圖6.4.3( (b)。 圖6.4.3 N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的伏安特性曲線(xiàn) 第26頁(yè)/共32頁(yè)第二十七頁(yè)，共33頁(yè)。GSDmUIg 當(dāng)柵源電壓當(dāng)柵源電壓(diny)一定時(shí)，漏極電流一定時(shí)，漏極電流ID和漏源電壓和漏源電壓(diny)UDS之間的關(guān)系曲線(xiàn)，叫之間的關(guān)系曲線(xiàn)，叫做漏極特性曲線(xiàn)。做漏極特性曲線(xiàn)。ID與與UDS之間的關(guān)系為之間的關(guān)系為

21、 常數(shù)GS)(DSDUUfI 區(qū)，區(qū)，UDS對(duì)溝道的影響較小。導(dǎo)電溝道主要受柵源電壓的控制。對(duì)溝道的影響較小。導(dǎo)電溝道主要受柵源電壓的控制。ID基本上與基本上與UDS成線(xiàn)性關(guān)系?？砂言搮^(qū)看作是一個(gè)受柵源電壓成線(xiàn)性關(guān)系?？砂言搮^(qū)看作是一個(gè)受柵源電壓UGS控制的可變電阻區(qū)，也稱(chēng)非控制的可變電阻區(qū)，也稱(chēng)非飽和飽和(boh)區(qū)。區(qū)。 區(qū)，當(dāng)區(qū)，當(dāng)UDS增大到增大到UDS=UGS-UT時(shí)，時(shí)，UGD=UT，ID基本不變，趨于飽和基本不變，趨于飽和(boh)，稱(chēng)為飽和，稱(chēng)為飽和(boh)區(qū)或恒流區(qū)。區(qū)或恒流區(qū)。ID的大小僅受的大小僅受UGS的控制。的控制。 區(qū)，區(qū)，UDS進(jìn)一步增大，在柵、漏和柵、源間都可

22、能擊穿，稱(chēng)擊穿區(qū)。進(jìn)一步增大，在柵、漏和柵、源間都可能擊穿，稱(chēng)擊穿區(qū)。DDSdIUr第27頁(yè)/共32頁(yè)第二十八頁(yè)，共33頁(yè)。圖圖6.4.4 4種絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的電路種絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的電路(dinl)符號(hào)符號(hào) P溝道MOS管，稱(chēng)為PMOS。 N溝道MOS管，稱(chēng)為NMOS。第28頁(yè)/共32頁(yè)第二十九頁(yè)，共33頁(yè)。 使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，要注意各電極電壓的極性不能搞錯(cuò)，要使用場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，要注意各電極電壓的極性不能搞錯(cuò)，要注意各電壓、電流、耗散功率等數(shù)值不能超過(guò)最大允許值。注意各電壓、電流、耗散功率等數(shù)值不能超過(guò)最大允許值。 絕緣柵管保存和使用不當(dāng)時(shí)，極易造成絕緣柵管保存和使用不當(dāng)時(shí)，極易造成(zo c

23、hn)管子管子擊穿。為避免這種情況，決不能讓柵極空懸，使用時(shí)要在柵擊穿。為避免這種情況，決不能讓柵極空懸，使用時(shí)要在柵、源之間絕對(duì)保持直流通路，保存時(shí)也要用金屬導(dǎo)線(xiàn)將、源之間絕對(duì)保持直流通路，保存時(shí)也要用金屬導(dǎo)線(xiàn)將3個(gè)個(gè)電極短接起來(lái)。電極短接起來(lái)。 在焊接時(shí)，烙鐵要有良好接地（用三芯插頭）。在焊接時(shí)，烙鐵要有良好接地（用三芯插頭）。第29頁(yè)/共32頁(yè)第三十頁(yè)，共33頁(yè)。 半導(dǎo)體的電阻率約在（半導(dǎo)體的電阻率約在（10-41010）m之間，它受溫度、之間，它受溫度、光照影響很大，可通過(guò)摻雜而改變其導(dǎo)電性能。光照影響很大，可通過(guò)摻雜而改變其導(dǎo)電性能。 純凈的又以晶體結(jié)構(gòu)存在的半導(dǎo)體稱(chēng)本征半導(dǎo)體，存在兩種純凈的又以晶體結(jié)構(gòu)存在的半導(dǎo)體稱(chēng)本征半導(dǎo)體，存在兩種載流子，總體仍然是電中性。摻入少量的雜質(zhì)元素構(gòu)成了載流子，總體仍然是電中性。摻入少量的雜質(zhì)元素構(gòu)成了P型半型半導(dǎo)體