
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1、CMOS數(shù)控振蕩器設(shè)計(jì)1 引言隨著數(shù)字信號(hào)處理數(shù)字信號(hào)處理越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,數(shù)字鎖相環(huán)DPLL(DigitalPhaseLockLoop)在現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)中也越來(lái)越普遍,特別是在數(shù)字信號(hào)處理器DSP和微處理器這類高性能數(shù)字電路應(yīng)用中,數(shù)字鎖相環(huán)更是一種必不可少的電路。與傳統(tǒng)的模擬鎖相環(huán)(AnalogPhase-LockedLoop)相比,由于數(shù)字鎖相環(huán)較少采用高阻值電阻、電容以及電感等非線性器件,可以采用與高速數(shù)字邏輯電路相兼容的制造工藝來(lái)設(shè)計(jì)和制造,也更加容易在數(shù)字系統(tǒng)中應(yīng)用。一個(gè)典型的數(shù)字鎖相環(huán)結(jié)構(gòu),數(shù)控?cái)?shù)控振蕩器振蕩器DCO(Digital-ControlledOscillator)是
2、其中最關(guān)鍵和核心的部分。數(shù)控振蕩器DCO輸出了可變頻率的振蕩波形,決定了整個(gè)鎖相環(huán)的噪聲性能和功耗。數(shù)字時(shí)間轉(zhuǎn)換器(Time-to-DigitalConverter)輸出了參考時(shí)鐘和反饋來(lái)的輸出時(shí)鐘之間的相位差,一個(gè)數(shù)字環(huán)形濾波器(DigitalLoopFilter)代替了模擬環(huán)形濾波器來(lái)控制DCO,由與參考時(shí)鐘的相位差來(lái)控制DCO輸出或高或低的振蕩頻率,輸出振蕩信號(hào)由負(fù)反饋送到數(shù)字時(shí)間轉(zhuǎn)換器,使相位差減小,最終讓輸出信號(hào)頻率與參考時(shí)鐘頻率一致,即達(dá)到相位鎖定。整個(gè)DCO因此不再需要含有電容或電感,同時(shí)也減少漏電流和電源噪音的問(wèn)題。圖1數(shù)字鎖相環(huán)的基本結(jié)構(gòu)2 電路結(jié)構(gòu)和原理數(shù)控振蕩器有多種實(shí)現(xiàn)
3、結(jié)構(gòu),本文設(shè)計(jì)了一種完全采用靜態(tài)CMOSCMOS邏輯電路的DCO結(jié)構(gòu),該DCO基于由CMOS反相器構(gòu)成的環(huán)形振蕩器,其電路結(jié)構(gòu)。圖2電路結(jié)構(gòu)圖,每一級(jí)環(huán)形振蕩器均是5個(gè)CMOS反相器串聯(lián),并構(gòu)成閉環(huán)負(fù)反饋回路,每個(gè)反相器的輸出也與下一級(jí)環(huán)形振蕩器對(duì)應(yīng)的反相器輸出相連。根據(jù)巴克豪森準(zhǔn)則:振蕩器要產(chǎn)生振蕩,那么環(huán)路增益必須大于等于一且總相移有360°。因此環(huán)路中進(jìn)行反相的次數(shù)必須是奇數(shù),三個(gè)以上的奇數(shù)個(gè)CMOS反相器串聯(lián)閉環(huán)回路,在一個(gè)微小的激勵(lì)下都能夠產(chǎn)生振蕩。單級(jí)環(huán)形振蕩器的振蕩頻率由反相器個(gè)數(shù)和其本征延遲決定,用n表示反相器個(gè)數(shù),tr表示反相器上升沿延遲,tf表示反相器下降沿
4、延遲,頻率可以用下式表示為:反相器下降延遲tf和上升延遲tr根據(jù)下列公式定義,式中Rn、Rp分別為圖2(b)中反相器PMOS管MO、Ml和NMOS管M2、M3的等效電阻,Cout為反相器輸出電容。設(shè)置電路中所有MOSFET的溝道長(zhǎng)度都為90nm工藝設(shè)計(jì)規(guī)范的默認(rèn)值0.1μm。因?yàn)樵诔叵翹溝道中的電子遷移率大約是P溝道中的空穴遷移率的23倍,因此設(shè)置PMOS管的寬度Wp是NMOS管寬度Wn的2倍,使反相器中NMOS管和PMOS管的等效電阻近似相等,即Rn=Rp,也就使tr=tf。下降延遲tr和上升延遲tf相等可以讓環(huán)形振蕩器產(chǎn)生對(duì)稱性比較好的波形,提高振蕩器的抗噪聲性能。1引言隨
5、著數(shù)字信號(hào)處理越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,數(shù)字鎖相環(huán)DPLL(DigitalPhaseLockLoop)在現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)中也越來(lái)越普遍,特別是在數(shù)字信號(hào)處理器DSP和微處理器這類高性能數(shù)字電路應(yīng)用中,數(shù)字鎖相環(huán)更是一種必不可少的電路。與傳統(tǒng)的模擬鎖相環(huán)(AnalogPhase-LockedLoop)相比,由于數(shù)字鎖相環(huán)較少采用高阻值電阻、電容以及電感等非線性器件,可以采用與高速數(shù)字邏輯電路相兼容的制造工藝來(lái)設(shè)計(jì)和制造,也更加容易在數(shù)字系統(tǒng)中應(yīng)用。一個(gè)典型的數(shù)字鎖相環(huán)結(jié)構(gòu),數(shù)控振蕩器DCO(Digital-ControlledOscillator)是其中最關(guān)鍵和核心的部分。數(shù)控振蕩器DCO輸出了可變頻率
6、的振蕩波形,決定了整個(gè)鎖相環(huán)的噪聲性能和功耗。數(shù)字時(shí)間轉(zhuǎn)換器(Time-to-DigitalConverter)輸出了參考時(shí)鐘和反饋來(lái)的輸出時(shí)鐘之間的相位差,一個(gè)數(shù)字環(huán)形濾波器(DigitalLoopFilter)代替了模擬環(huán)形濾波器來(lái)控制DCO,由與參考時(shí)鐘的相位差來(lái)控制DCO輸出或高或低的振蕩頻率,輸出振蕩信號(hào)由負(fù)反饋送到數(shù)字時(shí)間轉(zhuǎn)換器,使相位差減小,最終讓輸出信號(hào)頻率與參考時(shí)鐘頻率一致,即達(dá)到相位鎖定。整個(gè)DCO因此不再需要含有電容或電感,同時(shí)也減少漏電流和電源噪音的問(wèn)題。圖1數(shù)字鎖相環(huán)的基本結(jié)構(gòu)2電路結(jié)構(gòu)和原理數(shù)控振蕩器有多種實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu),本文設(shè)計(jì)了一種完全采用靜態(tài)CMOS邏輯電路的DCO
7、結(jié)構(gòu),該DCO基于由CMOS反相器構(gòu)成的環(huán)形振蕩器,其電路結(jié)構(gòu)。圖2電路結(jié)構(gòu)圖,每一級(jí)環(huán)形振蕩器均是5個(gè)CMOS反相器串聯(lián),并構(gòu)成閉環(huán)負(fù)反饋回路,每個(gè)反相器的輸出也與下一級(jí)環(huán)形振蕩器對(duì)應(yīng)的反相器輸出相連。根據(jù)巴克豪森準(zhǔn)則:振蕩器要產(chǎn)生振蕩,那么環(huán)路增益必須大于等于一且總相移有360°。因此環(huán)路中進(jìn)行反相的次數(shù)必須是奇數(shù),三個(gè)以上的奇數(shù)個(gè)CMOS反相器串聯(lián)閉環(huán)回路,在一個(gè)微小的激勵(lì)下都能夠產(chǎn)生振蕩。單級(jí)環(huán)形振蕩器的振蕩頻率由反相器個(gè)數(shù)和其本征延遲決定,用n表示反相器個(gè)數(shù),tr表示反相器上升沿延遲,tf表示反相器下降沿延遲,頻率可以用下式表示為:反相器下降延遲tf和上升延遲tr根據(jù)
8、下列公式定義,式中Rn、Rp分別為圖2(b)中反相器PMOS管MO、Ml和NMOS管M2、M3的等效電阻,Cout為反相器輸出電容。設(shè)置電路中所有MOSFET的溝道長(zhǎng)度都為90nm工藝設(shè)計(jì)規(guī)范的默認(rèn)值0.1μm。因?yàn)樵诔叵翹溝道中的電子遷移率大約是P溝道中的空穴遷移率的23倍,因此設(shè)置PMOS管的寬度Wp是NMOS管寬度Wn的2倍,使反相器中NMOS管和PMOS管的等效電阻近似相等,即Rn=Rp,也就使tr=tf。下降延遲tr和上升延遲tf相等可以讓環(huán)形振蕩器產(chǎn)生對(duì)稱性比較好的波形,提高振蕩器的抗噪聲性能。每一級(jí)的5個(gè)CMOS反相器由一個(gè)高電平有效的輸入信號(hào)控制,同時(shí)打開(kāi)或者關(guān)
9、閉,讓DCO中的環(huán)形振蕩器逐級(jí)打開(kāi)或者逐級(jí)關(guān)閉。當(dāng)打開(kāi)的環(huán)形振蕩器級(jí)數(shù)越多,電路中的振蕩電流越強(qiáng),電路輸出的振蕩頻率就越快。反之,當(dāng)打開(kāi)的環(huán)形振蕩器級(jí)數(shù)越少,電路中的振蕩電流減弱,但因?yàn)檎麄€(gè)DCO中的環(huán)形振蕩器總級(jí)數(shù)是一定的,因此整個(gè)DCO中的等效電容并沒(méi)有減少,所以輸出的振蕩頻率就會(huì)下降。因此,該數(shù)控振蕩器是通過(guò)控制打開(kāi)的環(huán)形振蕩器級(jí)數(shù),數(shù)字化地控制振蕩頻率,在DPLL中需要一個(gè)前置的數(shù)字環(huán)形濾波器提供輸入信號(hào),控制各級(jí)振蕩器的打開(kāi)或關(guān)閉。當(dāng)所有環(huán)形振蕩器都打開(kāi)時(shí),無(wú)論該DCO中總共有多少級(jí)環(huán)形振蕩器,DCO輸出的振蕩波形的最大頻率fmax都為式(1)表示的單個(gè)環(huán)形振蕩器振蕩頻率。輸出的最小
10、頻率fmin也就是當(dāng)只有一級(jí)環(huán)形振蕩器打開(kāi)時(shí)的DCO輸出頻率。由此分析,DCO的增益可以如下式表示,式中N為電路中總的環(huán)形振蕩器級(jí)數(shù):由上述分析可見(jiàn),當(dāng)該DCO中具有的總的環(huán)形振蕩器級(jí)數(shù)越多,可以輸出的fmin越小,KDCO也越小,也就是每一級(jí)環(huán)形振蕩器開(kāi)關(guān)所控制的頻率增減也越小,振蕩器線性度也就越好。3 仿真結(jié)果本文基于STMicroelectronics的90nmCMOS混合信號(hào)工藝,采用CadenceVirtuoso設(shè)計(jì)軟件,使用AnalogEnvironment中的Spectre仿真器進(jìn)行仿真。由于電路完全與數(shù)字集成電路工藝兼容,因此也可以采用諸如硬件描述語(yǔ)言來(lái)設(shè)計(jì)電路。由32級(jí)環(huán)形振
11、蕩器構(gòu)成的數(shù)控振蕩器DCO在CadenceVirtuoso中的仿真電路,在本文的仿真中,是使用直流電壓作為控制DCO各級(jí)環(huán)形振蕩器打開(kāi)或者關(guān)閉的輸入信號(hào)。圖332級(jí)的DCO結(jié)構(gòu)仿真電路圖電路中電源電壓VDD=1.2V,所有MOSFET均采用90nm工藝庫(kù)中的標(biāo)準(zhǔn)電壓晶體管SVT(StandardVoltageTransistor),其閾值電壓為Vthn=0.3V,|Vthp|=0.3V。當(dāng)32級(jí)環(huán)形振蕩器逐級(jí)打開(kāi),數(shù)控振蕩器輸出波形的振蕩頻率也逐級(jí)上升,整個(gè)數(shù)控振蕩器的頻率調(diào)節(jié)范圍。圖4DCO輸出頻率調(diào)節(jié)曲線當(dāng)32級(jí)DCO中的18級(jí)環(huán)形振蕩器打開(kāi)的時(shí)候,DCO的相位噪聲。相位噪聲由Spectr
12、e仿真器的pss分析和pnoise分析測(cè)得。圖5打開(kāi)18級(jí)時(shí)的DCO相位噪聲該32級(jí)數(shù)控振蕩器的相位噪聲和功耗如表1所示,隨著環(huán)形振蕩器逐級(jí)打開(kāi),相位噪聲和功耗都明顯上升,這是獲得高頻率輸出波形所付出的性能代價(jià)。先測(cè)得單個(gè)反相器的平均電流,測(cè)得各個(gè)打開(kāi)的反相器平均電流均約為14μA,由下式可以得到電路的總功耗,式中N為打開(kāi)的環(huán)形振蕩器級(jí)數(shù)。為了研究環(huán)形振蕩器級(jí)數(shù)對(duì)頻率調(diào)節(jié)范圍的影響,將數(shù)控振蕩器的級(jí)數(shù)減少至18級(jí)或12級(jí),再分別測(cè)試其頻率調(diào)節(jié)范圍。三種不同級(jí)數(shù)數(shù)控振蕩器調(diào)節(jié)范圍的對(duì)比,不同級(jí)數(shù)的數(shù)控振蕩器fmax相等,但fmin隨著數(shù)控振蕩器的總級(jí)數(shù)增加而減小,且KDCO也變小,
13、調(diào)節(jié)線性度更好。圖6不同級(jí)數(shù)數(shù)控振蕩器的頻率調(diào)節(jié)范圍表1數(shù)控振蕩器不同級(jí)打開(kāi)時(shí)的相位噪聲和功耗進(jìn)一步測(cè)試器件尺寸對(duì)數(shù)控振蕩器性能的影響,當(dāng)器件寬度Wn和Wp增加,反相器中的平均電流增加,可以輸出更高的頻率并減小電路中器件噪聲導(dǎo)致的相位噪聲,這對(duì)高性能電路是有意義的,但電路功耗也隨之增加。對(duì)于18級(jí)數(shù)控振蕩器,保持電路中全部MOSFET的溝道長(zhǎng)度不變,同時(shí)增大圖2(b)中的NMOS管M2、M3的Wn和PMOS管MO、M1的Wp至原尺寸的1.5倍后測(cè)得的頻率調(diào)節(jié)范圍,全部環(huán)形振蕩器共18級(jí)打開(kāi)后的DCO功耗及相位噪聲如表2所示。表2器件尺寸不同時(shí)測(cè)得的功耗及相位噪聲圖7器件尺寸不同時(shí)測(cè)得的頻率調(diào)節(jié)范圍對(duì)比4
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