第3章場效應(yīng)管及其基本放大電路PPT學(xué)習(xí)教案

1、會計學(xué)1第第3章場效應(yīng)管及其基本放大電路章場效應(yīng)管及其基本放大電路NPPN結(jié)耗盡層PN溝道G門極門極D漏極S源極源極P襯底NN源極源極 門極門極 漏極S G D JFET結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)IGFET結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)N溝道第1頁/共51頁N溝道G門極門極D漏極S源極源極gdsN溝道結(jié)構(gòu)及電路符號溝道結(jié)構(gòu)及電路符號P溝溝道道G門極門極D漏極S源極源極gdsP溝道結(jié)構(gòu)及電路符號溝道結(jié)構(gòu)及電路符號第2頁/共51頁UgsIsId1）PN結(jié)不加結(jié)不加反向反向電壓（電壓（Ugs)或加的電壓不足以使或加的電壓不足以使溝道閉合溝道閉合時。溝道導(dǎo)通，電阻很小，并且時。溝道導(dǎo)通，電阻很小，并且阻值阻值隨溝道的隨溝道的截面截面積減少積

2、減少而而增大增大。稱稱可變電阻區(qū)可變電阻區(qū) ；ID=UDs / RDsRDSPNNGIDIS=IDPN結(jié)結(jié)PN結(jié)結(jié)+-UGS增大耗盡層增大耗盡層加厚。加厚。UGS=0：ID=IDSS電路圖電路圖 等效圖等效圖第3頁/共51頁2）恒流工作（電壓控制電流源）恒流工作（電壓控制電流源）GID+RDVDDDSPN結(jié)加結(jié)加反向反向電壓（電壓（Ugs) 使使溝道溝道微微閉合閉合時電流時電流ID與與UDS無關(guān)，無關(guān)，稱稱恒流區(qū)。恒流區(qū)。ID=IDSS（1 - ）2ugsvPPNNGIDIS=IDPN結(jié)結(jié)PN結(jié)結(jié)+-耗盡層閉耗盡層閉合時合時UGS=VPRDVDDUGS電路圖電路圖 等效圖等效圖第4頁/共51頁

3、PNNGID=0IS=IDPN結(jié)結(jié)PN結(jié)結(jié)+-RDVDDUGS耗盡層耗盡層完全閉合完全閉合，溝道夾斷，電，溝道夾斷，電子過不去子過不去柵極電壓柵極電壓UGS大于等大于等夾斷電壓夾斷電壓UP時，時，ID=0相當(dāng)一個很大的電阻相當(dāng)一個很大的電阻第5頁/共51頁udsidvgs=常數(shù)常數(shù)vgsidUds=常數(shù)常數(shù)uGS id5)極限參數(shù)：極限參數(shù)：V（BR）DS、漏極的附近發(fā)生雪崩擊穿。、漏極的附近發(fā)生雪崩擊穿。V（BR）GS、柵源間的最高反向擊穿。、柵源間的最高反向擊穿。 PDM 最大漏極允許功耗最大漏極允許功耗 ，與三極管類似。，與三極管類似。3)、 電壓控制電流系數(shù)電壓控制電流系數(shù)gm=4）交

4、流輸出）交流輸出電阻電阻 rds=第6頁/共51頁0ugs(v)-4 -3 -2 -1idmA54321VPIDSSN型型JFET的轉(zhuǎn)移曲線的轉(zhuǎn)移曲線UDS可變電阻區(qū)截止區(qū)IB0UDS=UGS-VPN型型JFET的的輸出特性曲線輸出特性曲線-4V-1VUGS=0V Vma（V） ID放大區(qū)0擊擊穿穿區(qū)區(qū)第7頁/共51頁增強(qiáng)型增強(qiáng)型MOSFET耗盡型耗盡型MOSFET第8頁/共51頁 N N溝道溝道增強(qiáng)型增強(qiáng)型MOSMOS場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)增強(qiáng)型增強(qiáng)型MOSMOS場效應(yīng)管場效應(yīng)管漏極漏極D集電極集電極C源極源極S發(fā)射極發(fā)射極E柵極柵極G基極基極B襯底襯底B電極電極金屬金屬絕緣層絕緣層氧化物

5、氧化物基體基體半導(dǎo)體半導(dǎo)體因此稱之為因此稱之為MOS管管第9頁/共51頁當(dāng)當(dāng)UGS較小較小時，雖然在時，雖然在P型襯底表面形成一層型襯底表面形成一層耗盡層耗盡層，但負(fù)離子不能導(dǎo)電。，但負(fù)離子不能導(dǎo)電。 當(dāng)當(dāng)UGS=UT時時, 在在P型襯底表面形成一層型襯底表面形成一層電子層電子層，形成，形成N型導(dǎo)電溝道，在型導(dǎo)電溝道，在UDS的作用下形成的作用下形成ID。UDSID+ +-+-+-UGS反型層反型層 當(dāng)當(dāng)UGS=0V時，漏源之間相當(dāng)兩個背靠背的時，漏源之間相當(dāng)兩個背靠背的PN結(jié)，無論結(jié)，無論UDS之間加上電壓不會在之間加上電壓不會在D、S間形成電流間形成電流ID,即即ID0. 當(dāng)當(dāng)UGSUT時

6、時, 溝道加厚，溝道電阻減少，溝道加厚，溝道電阻減少，在相同在相同UDS的作用下，的作用下，ID將進(jìn)一步增加將進(jìn)一步增加開始無導(dǎo)電溝道，當(dāng)在開始無導(dǎo)電溝道，當(dāng)在UGS UT時才形成溝道時才形成溝道,這種類型的管子稱為這種類型的管子稱為增強(qiáng)型增強(qiáng)型MOS管管第10頁/共51頁 N N溝道溝道增強(qiáng)型增強(qiáng)型MOSMOS場效應(yīng)管特性曲線場效應(yīng)管特性曲線增強(qiáng)型增強(qiáng)型MOSMOS管管U UDSDS一定時，一定時，U UGSGS對漏極電流對漏極電流I ID D的控制關(guān)系曲線的控制關(guān)系曲線I ID D= =f f( (U UGSGS) ) U UDSDS=C =C 轉(zhuǎn)移特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線UDSUGS-UTU

7、GS(V)ID(mA)UT在恒流區(qū)，在恒流區(qū)，ID與與UGS的關(guān)系為的關(guān)系為IDK(UGS-UT)2溝道較短時，應(yīng)考慮溝道較短時，應(yīng)考慮UDS對對溝道長度的調(diào)節(jié)作用：溝道長度的調(diào)節(jié)作用：IDK(UGS-UT)2（1+ UDS)K導(dǎo)電因子（導(dǎo)電因子（mA/V2) 溝道調(diào)制長度系數(shù)溝道調(diào)制長度系數(shù)LWCKOXn2 LWK2nSK2DSULL n溝道內(nèi)電子的表面遷移率溝道內(nèi)電子的表面遷移率COX單位面積柵氧化層電容單位面積柵氧化層電容W溝道寬度溝道寬度L溝道長度溝道長度Sn溝道長寬比溝道長寬比K本征導(dǎo)電因子本征導(dǎo)電因子第11頁/共51頁 N N溝道溝道增強(qiáng)型增強(qiáng)型MOSMOS場效應(yīng)管特性曲線場效應(yīng)管

8、特性曲線U UGSGS一定時，一定時， I ID D與與U UDSDS的變化曲線，是一族曲線的變化曲線，是一族曲線 I ID D= =f f( (U UDSDS) ) U UGSGS=C =C 輸出特性曲線輸出特性曲線1.可變電阻區(qū)可變電阻區(qū)： ID與與UDS的關(guān)系近線性的關(guān)系近線性 ID 2K(UGS-UT)UDS0dUDDSonGSdIdUR2K1UU1TGSUGS=6VUGS=4VUGS=5VUGS=3VUGS=UT=3VUGS(V)ID(mA)當(dāng)當(dāng)UGS變化時，變化時，RON將隨之變化將隨之變化因此稱之為因此稱之為可變電阻區(qū)可變電阻區(qū)當(dāng)當(dāng)UGS一定時，一定時，RON近似為一常數(shù)近似為一

9、常數(shù)因此又稱之為因此又稱之為恒阻區(qū)恒阻區(qū)第12頁/共51頁 N N溝道溝道增強(qiáng)型增強(qiáng)型MOSMOS場效應(yīng)管特性曲線場效應(yīng)管特性曲線輸出特性曲線輸出特性曲線2. 恒流區(qū)恒流區(qū)： 該區(qū)內(nèi)，該區(qū)內(nèi)，UGS一定，一定，ID基本不隨基本不隨UDS變化而變變化而變3.擊穿區(qū)擊穿區(qū)： UDS 增加到某一值時，增加到某一值時，ID開始劇增而出現(xiàn)擊穿。開始劇增而出現(xiàn)擊穿。 當(dāng)當(dāng)UDS 增加到某一臨界值時，增加到某一臨界值時，ID開始劇增時開始劇增時UDS稱為漏源擊穿電壓。稱為漏源擊穿電壓。UGS=6VUGS=4VUGS=5VUGS=3VUGS=UT=3VUGS(V)ID(mA)第13頁/共51頁UDS=UDGU

10、GS =UGDUGS UGD=UGSUDS 當(dāng)當(dāng)UDS為為0或較小時，或較小時，相相當(dāng)當(dāng) UGDUT，此時此時UDS 基本均勻降落在溝道中，溝道呈斜基本均勻降落在溝道中，溝道呈斜線分布。在線分布。在UDS作用下形成作用下形成ID第14頁/共51頁 當(dāng)當(dāng)UDS增加到使增加到使UGD=UT時，時， 當(dāng)當(dāng)UDS增加到增加到UGD UT時，時，增強(qiáng)型增強(qiáng)型MOSMOS管管 這相當(dāng)于這相當(dāng)于UDS增加使漏極處溝道縮減到剛剛開啟的情況，稱為增加使漏極處溝道縮減到剛剛開啟的情況，稱為預(yù)夾斷預(yù)夾斷。此時的。此時的漏極電流漏極電流ID 基本飽和基本飽和 此時預(yù)夾斷區(qū)域加長，伸向此時預(yù)夾斷區(qū)域加長，伸向S極。極。

11、 UDS增加的部分基本降落在隨之加長的夾斷溝道上，增加的部分基本降落在隨之加長的夾斷溝道上， ID基本趨于不變?；沮呌诓蛔儭５?5頁/共51頁 MOSMOS管襯底的處理管襯底的處理保證兩個保證兩個PN結(jié)反偏，源極結(jié)反偏，源極溝道溝道漏極之間處于絕緣態(tài)漏極之間處于絕緣態(tài)NMOS管管UBS加一負(fù)壓加一負(fù)壓PMOS管管UBS加一正壓加一正壓處理原則：處理原則：處理方法：處理方法：第16頁/共51頁 N N溝道溝道耗盡型耗盡型MOSMOS場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)耗盡型耗盡型MOSMOS場效應(yīng)管場效應(yīng)管+ + + + + + + 耗盡型耗盡型MOS管存在管存在原始導(dǎo)電溝道原始導(dǎo)電溝道第17頁/共51頁

12、 N N溝道溝道耗盡型耗盡型MOSMOS場效應(yīng)管工作原理場效應(yīng)管工作原理當(dāng)當(dāng)UGS=0時，時，UDS加正向電壓，產(chǎn)生漏極加正向電壓，產(chǎn)生漏極電流電流ID,此時的漏極電流稱為此時的漏極電流稱為漏極飽和電流漏極飽和電流，用，用IDSS表示表示當(dāng)當(dāng)UGS0時，將使時，將使ID進(jìn)一步增加進(jìn)一步增加。當(dāng)當(dāng)UGS0時，隨著時，隨著UGS的減小漏極電流的減小漏極電流逐漸逐漸減小減小。直至。直至ID=0。對應(yīng)。對應(yīng)ID=0的的UGS稱稱為夾斷電壓，用符號為夾斷電壓，用符號UP表示。表示。UGS(V)ID(mA) N N溝道溝道耗盡型耗盡型MOSMOS場效應(yīng)管特性曲線場效應(yīng)管特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線在恒

13、流區(qū)，在恒流區(qū)，ID與與UGS的關(guān)系為的關(guān)系為IDK(UGS-UP)2溝道較短時，溝道較短時，IDK(UGS-UT)2（1+ UDS)UPID IDSS(1- UGS /UP)2常用關(guān)系式：常用關(guān)系式：第18頁/共51頁 N N溝道溝道耗盡型耗盡型MOSMOS場效應(yīng)管特性曲線場效應(yīng)管特性曲線輸出特性曲線輸出特性曲線UGS=6VUGS=4VUGS=1VUGS=0VUGS=-1VUGS(V)ID(mA)N N溝道溝道耗盡型耗盡型MOSMOS管可工作在管可工作在U UGSGS 0 0或或U UGSGS0 0 N N溝道溝道增強(qiáng)型增強(qiáng)型MOSMOS管只能工作在管只能工作在U UGSGS00第19頁/共

14、51頁各類絕緣柵場效應(yīng)三極管的特性曲線各類絕緣柵場效應(yīng)三極管的特性曲線絕緣柵場效應(yīng)管N溝道增強(qiáng)型P溝道增強(qiáng)型第20頁/共51頁絕緣柵場效應(yīng)管 N溝道耗盡型P 溝道耗盡型第21頁/共51頁直流參數(shù)直流參數(shù)交流參數(shù)交流參數(shù)極限參數(shù)極限參數(shù)第22頁/共51頁2. 夾斷電壓夾斷電壓UP 夾斷電壓是耗盡型夾斷電壓是耗盡型FET的參數(shù)，當(dāng)?shù)膮?shù)，當(dāng)UGS=UP 時時,漏極電流為零。漏極電流為零。3. 飽和漏極電流飽和漏極電流IDSS 耗盡型場效應(yīng)三極管當(dāng)耗盡型場效應(yīng)三極管當(dāng)UGS=0時所對應(yīng)的漏時所對應(yīng)的漏極電流。極電流。1. 開啟電壓開啟電壓UT 開啟電壓是開啟電壓是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于增

15、強(qiáng)型管的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的絕對值開啟電壓的絕對值,場效應(yīng)管不能導(dǎo)通。場效應(yīng)管不能導(dǎo)通。第23頁/共51頁4. 直流輸入電阻直流輸入電阻RGS柵源間所加的恒定電壓柵源間所加的恒定電壓UGS與流過柵極電流與流過柵極電流IGS之比結(jié)型場效應(yīng)三極管，反偏時之比結(jié)型場效應(yīng)三極管，反偏時RGS約大于約大于107，絕緣柵場效應(yīng)三極管絕緣柵場效應(yīng)三極管RGS約是約是1091015。5. 漏源擊穿電壓漏源擊穿電壓BUDS使使ID開始劇增時的開始劇增時的UDS。6.柵源擊穿電壓柵源擊穿電壓BUGSJFET：反向飽和電流劇增時的柵源電壓：反向飽和電流劇增時的柵源電壓MOS：使：使SiO2絕緣層擊穿的電壓絕

16、緣層擊穿的電壓第24頁/共51頁 1. 低頻跨導(dǎo)低頻跨導(dǎo)gm 低頻跨導(dǎo)反映了柵壓對漏極電流的控制作用低頻跨導(dǎo)反映了柵壓對漏極電流的控制作用CUCUGSDmBSDSdUdIggm的求法的求法: 圖解法圖解法gm實際就是轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率實際就是轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率解析法：如增強(qiáng)型解析法：如增強(qiáng)型MOS管存在管存在ID=K(UGS-UT)2)U2K(UgTGSm第25頁/共51頁 2. 襯底跨導(dǎo)襯底跨導(dǎo)gm b反映了襯底偏置電壓對漏極電流反映了襯底偏置電壓對漏極電流ID的控制作用的控制作用CUCUBSDmGSDSdUdIgbmmbgg 跨導(dǎo)比跨導(dǎo)比第26頁/共51頁3. 漏極電阻漏極電阻rdsCUC

17、UDDSdGSBSdIdUrs反映了反映了UDS對對ID的影響，實際上是輸出特性曲線上工作點切線上的斜率的影響，實際上是輸出特性曲線上工作點切線上的斜率4.導(dǎo)通電阻導(dǎo)通電阻RonCUCUDDSGSBSdIdUonR在恒阻區(qū)內(nèi)在恒阻區(qū)內(nèi)mg1第27頁/共51頁5. 極間電容極間電容Cgs柵極與源極間電容柵極與源極間電容Cgd 柵極與漏極間電容柵極與漏極間電容Cgb 柵極與襯底間電容柵極與襯底間電容Csd 源極與漏極間電容源極與漏極間電容Csb 源極與襯底間電容源極與襯底間電容Cdb 漏極與襯底間電容漏極與襯底間電容主要的極間電容有：主要的極間電容有：第28頁/共51頁分分增強(qiáng)型增強(qiáng)型和和耗盡型耗

18、盡型兩類：各類有分兩類：各類有分NMOS和和 PMOS兩種：兩種：1) NMOS （Metal Oxidized Semiconductor) NMOS（D）P襯底NN源極源極 門極門極 漏極S G D 增強(qiáng)型增強(qiáng)型N溝道示意溝道示意B 基底基底NMOS（E）P襯底NN源極源極 門極門極 漏極S G D 耗盡型耗盡型N溝道示意溝道示意B 基底基底Sio2Sio2N溝道溝道GDSGGGBB+第29頁/共51頁N襯底PP源極源極 門極門極 漏極S G D 增強(qiáng)型增強(qiáng)型P溝道示意溝道示意B 基底基底PMOS（E）N襯底PP源極源極 門極門極 漏極S G D 耗盡型耗盡型P溝道示意溝道示意B 基底基底

19、Sio2Sio2P溝道溝道GDSGGGBB-PMOS（D）第30頁/共51頁P襯底NNS G D UGSUDSBID耗盡區(qū)耗盡區(qū)+ +- - - -GDSBIDUDSUGS第31頁/共51頁UGSVTuGS iDgm=2ID0(UGS-1)VT=VT2IDID0VT第32頁/共51頁UDS可變電阻區(qū)截止區(qū)IB0UDS=UGS-VTNMOS的的輸出特性曲線輸出特性曲線UGSV VA A ID放大區(qū)0擊擊穿穿區(qū)區(qū)UDS=5VUGSVID A0 2 4 6 82001501005020015010050NMOS的的轉(zhuǎn)移特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線第33頁/共51頁V（BR）GS 柵源間的最柵源間的最高反向擊

20、穿高反向擊穿PDM 最大漏極允許功最大漏極允許功耗耗，與三極管類似。與三極管類似。vgsidUds=常數(shù)常數(shù)udsidvgs=常數(shù)常數(shù)uds id2IDID0VT=第34頁/共51頁IDGRDSBUDSUGS輸入輸出共源組態(tài)：輸入：GS輸出：DSGRDDBUDSUGS輸入輸出共漏組態(tài)：輸入：GS輸出：DSGRDSBUDS輸入輸出共柵組態(tài)：輸入：GS輸出：DS第35頁/共51頁兩個兩個PN結(jié)夾著一個結(jié)夾著一個N型溝道。三型溝道。三個電極：個電極： G：柵極柵極 D：漏極漏極 S：源極源極符號：符號：3.4 場效應(yīng)管放大電路場效應(yīng)管放大電路第36頁/共51頁 （1）柵源電壓對溝道的控制作用）柵源電

21、壓對溝道的控制作用第37頁/共51頁當(dāng)當(dāng)VGS時，時，PN結(jié)反偏，形成結(jié)反偏，形成耗盡層，導(dǎo)電溝道變窄，溝道耗盡層，導(dǎo)電溝道變窄，溝道電阻增大。電阻增大。當(dāng)當(dāng)VGS到一定值時到一定值時 ，溝道會完，溝道會完全合攏。全合攏。定義：定義： 夾斷電壓夾斷電壓Up使導(dǎo)電溝道完全合攏（消失）所需要的柵源使導(dǎo)電溝道完全合攏（消失）所需要的柵源電壓電壓VGS。第38頁/共51頁 在漏源間加電壓在漏源間加電壓VDS ，令，令VGS =0 由于由于VGS =0，所以導(dǎo)電溝道最寬，所以導(dǎo)電溝道最寬。 當(dāng)當(dāng)VDS=0時，時， ID=0。VDSID 靠近漏極處的耗盡層加靠近漏極處的耗盡層加寬，溝道變窄，呈楔形分布。寬

22、，溝道變窄，呈楔形分布。第39頁/共51頁當(dāng)當(dāng)VDS ，使，使VGD=VG S- VDS=VP時時，在靠漏極處夾斷，在靠漏極處夾斷預(yù)夾斷預(yù)夾斷。預(yù)夾斷前，預(yù)夾斷前， VDSID 。預(yù)夾斷后，預(yù)夾斷后， VDSID 幾乎不變。幾乎不變。VDS再再，預(yù)夾斷點下移。，預(yù)夾斷點下移。（3 3）柵源電壓）柵源電壓V VGSGS和漏源電壓和漏源電壓V VDSDS共同作用共同作用可用輸兩組特性曲線來描繪?？捎幂攦山M特性曲線來描繪。 ID=f（ V VGS GS 、V VDSDS）第40頁/共51頁 3 結(jié)型場效應(yīng)三極管的特性曲線 四個區(qū)：四個區(qū)： 可變電阻區(qū)：預(yù)夾斷前?？勺冸娮鑵^(qū)：預(yù)夾斷前。 電流飽和區(qū)（恒

23、流區(qū)）：電流飽和區(qū)（恒流區(qū)）： 預(yù)夾斷后。預(yù)夾斷后。 特點：特點： ID / V VGS GS 常數(shù)常數(shù)= g gm m 即：即： ID = g gm m V VGSGS（放大原理）（放大原理） 擊穿區(qū)。擊穿區(qū)。 夾斷區(qū)（截止區(qū)）。夾斷區(qū)（截止區(qū)）。 第41頁/共51頁(a) 漏極輸出特性曲線 (b) 轉(zhuǎn)移特性曲演示：動畫（2-6） 動畫（2-7）（2）轉(zhuǎn)移特性曲線：）轉(zhuǎn)移特性曲線： ID=f（ V VGS GS ）VDS=常數(shù)常數(shù)第42頁/共51頁（2）夾斷電壓）夾斷電壓VP VP 是是MOS耗盡型和結(jié)型耗盡型和結(jié)型FET的參數(shù)，當(dāng)?shù)膮?shù)，當(dāng)VGS=VP時時,漏極電流為零。漏極電流為零。 （

24、3）飽和漏極電流）飽和漏極電流IDSS MOS耗盡型和結(jié)型耗盡型和結(jié)型FET, 當(dāng)當(dāng)VGS=0時所對應(yīng)的漏極電流。時所對應(yīng)的漏極電流。 （4）輸入電阻）輸入電阻RGS 結(jié)型場效應(yīng)管，結(jié)型場效應(yīng)管，RGS大于大于107，MOS場效應(yīng)管場效應(yīng)管, RGS可達(dá)可達(dá)1091015。（5） 低頻跨導(dǎo)低頻跨導(dǎo)gm gm反映了柵壓對漏極電流的控制作用，單位是反映了柵壓對漏極電流的控制作用，單位是mS(毫西門子毫西門子)。（6） 最大漏極功耗最大漏極功耗PDM PDM= VDS ID，與雙極型三極管的，與雙極型三極管的PCM相當(dāng)。相當(dāng)。第43頁/共51頁1. 直流偏置電路：直流偏置電路：保證管子工作在飽和區(qū)，

25、輸出信號不失真保證管子工作在飽和區(qū)，輸出信號不失真 二二. 場效應(yīng)管放大電路場效應(yīng)管放大電路（1）自）自偏壓電路偏壓電路vGSvGS =- iDR 注意：該電路產(chǎn)生負(fù)的柵源電壓，所以只能用于需要負(fù)柵源電壓的電路注意：該電路產(chǎn)生負(fù)的柵源電壓，所以只能用于需要負(fù)柵源電壓的電路。計算計算Q點：點：VGS 、 ID 、VDSvGS =2PGSDSSD)1(VvIi VDS =VDD- ID (Rd + R )已知已知VP ，由，由- iDR可解出可解出Q點的點的VGS 、 ID 、 VDS 第44頁/共51頁（2）分壓式自）分壓式自偏壓電路偏壓電路SGGSVVVRIVRRRDDDg2g1g22PGSDSSD)1 (VvIIVDS =VDD-ID(Rd+R)可解出可解出Q點的點的VGS 、 ID 、 VDS 計算計算Q點：點：已知已知VP ，由，由RIVRRRVDDDg2g1g2GS該