ITO films薄膜簡介與產(chǎn)品介紹

1、琦芯科技股份有限公司琦芯科技股份有限公司CHEESHIN TECHNOLOGY CO., LTD.ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹琦琦芯芯科科技技股股份份有有限限公公司司ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹2大綱 透明導(dǎo)電薄膜的介紹與應(yīng)用 ITO薄膜的特性及製程介紹 ITO薄膜的結(jié)晶性 V.S. 製程參數(shù) 公司的簡介與產(chǎn)品介紹琦琦芯芯科科技技股股份份有有限限公公司司ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹3透明導(dǎo)電薄膜的介紹透明導(dǎo)電膜(Transparent conducting oxides films, TCOs)： 在可見光的範(fàn)圍內(nèi)具有高穿透度：T85%。 低電阻率：10-3 W-cm 。種類： 金屬薄膜 金屬氧化物半導(dǎo)體

2、薄膜應(yīng)用領(lǐng)域片電阻值需求光穿透度需求液晶顯示器100 W/sq.85%觸控面板100 W/sq.-1000 W/sq.85%抗靜電塗層100-109 W/sq.85%太陽能電池100 W/sq.80%電致色變元件20 W/sq.80%有機發(fā)光二極體100 W/sq.85%琦琦芯芯科科技技股股份份有有限限公公司司ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹4電阻式觸控面板 透明導(dǎo)電薄膜的應(yīng)用範(fàn)圍薄膜電晶體 琦琦芯芯科科技技股股份份有有限限公公司司ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹5有機發(fā)光二極體 電致色變元件琦琦芯芯科科技技股股份份有有限限公公司司ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹6非晶矽可撓太陽電池 染料敏化太陽電池琦琦芯芯科科技技

3、股股份份有有限限公公司司ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹7導(dǎo)電特性 ITO薄膜的導(dǎo)電性 屬於N型半導(dǎo)體，導(dǎo)電機制有種，一種雜質(zhì)摻雜機制，另一種則為氧空位機制。 由於 Sn4+ 取代 In3+ ，提供額外的電子。 氧空缺 提供個額外的電子。 (O22Vo+2e-)InOSnAbsent O atomSn substitutionalSn interstitiale-e-e-Sn+琦琦芯芯科科技技股股份份有有限限公公司司ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹8透光特性 ITO薄膜的可見光可穿透 能隙寬度約為3.5-4.3 eV，可見光波長範(fàn)圍對應(yīng)的能量為1.7-3.1 eV，不足以讓電子在能帶間躍遷而產(chǎn)生光的吸收，故在

4、可見光的範(fàn)圍內(nèi)有很高的穿透度。GlassPETITO filmTiO2 film琦琦芯芯科科技技股股份份有有限限公公司司ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹9ITO薄膜的製程介紹 磁控濺鍍法(Magnetron sputtering) 為目前在多製程中和積體電製程技術(shù)相容性較高的技術(shù)，具有可續(xù)生產(chǎn)高品質(zhì)薄膜的特性，低製程溫度且適用在大面積的各種基板上，因此磁控濺鍍法是目前使用最普遍用沉積ITO薄膜的技術(shù)。 脈衝雷射鍍法(Pulsed laser deposition) 固定脈衝頻率、能量約為40-300 mJ的準(zhǔn)分子雷射，將雷射脈衝轟擊在ITO靶材上，並加上垂直方向的磁場。此種製程下之成膜速率低，非常耗時

5、。 電弧放電子鍍(Arc discharge ion plating) 電弧子鍍乃是運用電弧放電電漿，將原料進行蒸發(fā)與子化，藉由基材通以負偏壓吸引子加速撞擊並還原沉積於基材表面形成鍍膜的工作方式。在沉積過程中會有微粒產(chǎn)生，導(dǎo)致薄膜變粗糙影響鍍膜的品質(zhì)。琦琦芯芯科科技技股股份份有有限限公公司司ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹10 反應(yīng)性蒸鍍(Reactive evaporation) 藉著對被蒸鍍物體加熱，用被蒸鍍物在接近熔點時的高溫所具備的飽和蒸氣壓，進行薄膜沉積。在真空中通過電流加熱、電子束轟擊加熱和鐳射加熱等方法，使薄膜材料蒸鍍成為原子或分子，它們隨即以較大的自由程作直線運動，碰撞基片表面而凝結(jié)，

6、形成一層薄膜。 子束濺鍍法(Ion beam sputtering) 子束助鍍法(Ion beam assisted deposition)琦琦芯芯科科技技股股份份有有限限公公司司ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹11ITO薄膜的結(jié)晶性 V.S. 製程參數(shù) 製程溫度 對薄膜電阻、載子遷移率、載子濃度有密切之關(guān)聯(lián)。 提高製程溫度時將使薄膜之結(jié)晶性得以提昇，而具有結(jié)晶性的薄膜之可見光穿透度與導(dǎo)電特性有明顯助益。 氧分壓 ITO薄膜之應(yīng)用原理是用添加之錫及氧形成之空孔決定載子濃度。另一方面，氧空孔的形成會造成結(jié)晶學(xué)上之缺陷結(jié)構(gòu)，而使得載子之遷移率下降。 在濺鍍過程中，導(dǎo)入之氧分壓若增加，會使得薄膜組織更接近化

7、學(xué)計量比之組成、結(jié)晶之缺陷減少、載子之遷移率增加、載子之密度降低，因此若要兼顧載子之遷移率及密度，必須得到最佳氧分壓之製程參數(shù)。 琦琦芯芯科科技技股股份份有有限限公公司司ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹12沉積具結(jié)晶型的ITO薄膜 高光學(xué)穿透度以及低電阻率。 ITO薄膜的光穿透度與低電阻率和薄膜的結(jié)晶性息息相關(guān)。Light入射入射Light穿透穿透ITO filmSubstrate散射散射反射反射吸收吸收Electron carrier transportElectron scatteringcrystallineamorphousSubstrate琦琦芯芯科科技技股股份份有有限限公公司司ITO薄膜簡

8、介與產(chǎn)品介紹13 具結(jié)晶型的ITO薄膜之獲得： 製程溫度在150 oC以上。 對ITO薄膜進行200 oC退火處理。琦琦芯芯科科技技股股份份有有限限公公司司ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹14初沉積-非結(jié)晶結(jié)構(gòu)琦琦芯芯科科技技股股份份有有限限公公司司ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹15低程度結(jié)晶琦琦芯芯科科技技股股份份有有限限公公司司ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹16高程度結(jié)晶琦琦芯芯科科技技股股份份有有限限公公司司ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹17公司簡介 2007-12 竹科基地正式啟用 琦芯科技設(shè)於新竹科學(xué)園區(qū)-竹南基地的廠房，將於2008年1月2日正式啟用。 2008-12 捲對捲濺鍍設(shè)備 正式啟用捲對捲濺鍍設(shè)備

9、進行ITO Film的生產(chǎn)。 2009/1S 開始正式量產(chǎn)。 2009-01 科專計畫 計畫為期1年9個月，開始經(jīng)濟部科專計畫，開發(fā)彩色軟性顯示器，從基材、濺鍍、阻水氣三方面著手，將有助我司技術(shù)面的卓越提升，以及與他司的技術(shù)交流。 2009-11 後結(jié)晶產(chǎn)品問世 國內(nèi)第一家生產(chǎn)後結(jié)晶ITO Film。 2010-12 設(shè)置第二代產(chǎn)線 琦琦芯芯科科技技股股份份有有限限公公司司ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹18非結(jié)晶型-霧面公司的產(chǎn)品-琦琦芯芯科科技技股股份份有有限限公公司司ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹19結(jié)晶型琦琦芯芯科科技技股股份份有有限限公公司司ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹20非結(jié)晶型-亮面琦琦芯芯科科技

10、技股股份份有有限限公公司司ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹21公司的產(chǎn)品- 非結(jié)晶型霧面 KCG-400A-11 K2G-400A-13 結(jié)晶型 PCG-400A-21 P2G-400A-23 PCN-400A-24 非晶型亮面 VSC-400A-1A T2C-400A-1B T2C-400B-1F KCN-400A-14琦琦芯芯科科技技股股份份有有限限公公司司ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹22材料驗證項目 物性量測 HC層的硬度、附著性、耐熱性以及耐化學(xué)特性 電氣特性 電阻值以及電阻均勻性 光學(xué)特性 穿透度、霧度、清晰度以及色調(diào)(b*) 環(huán)境測試 恆溫恆濕、高溫測試、低溫測試以及冷熱衝擊 耐久性測試 畫線與打點測試琦琦芯芯科科技技股股份份有有限限公公司司ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹23 物性量測 HC層的硬度：500g/3H 附著性：百格刮刀，符合ASTM-5B 等級 耐熱性：烘烤條件 150oC/60 min，R/R01.3，熱縮收率1.0% 耐化學(xué)特性：丙酮、甲苯以及酒精浸置60 min。 電氣特性 阻值規(guī)格：400100 s