TDR及SET2DIL測(cè)試教程

1、Page1PCB信號(hào)完整性技術(shù)探討信號(hào)完整性技術(shù)探討Page21、信號(hào)完整性基礎(chǔ)2、信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)3、PCB制造與信號(hào)完整性Page3 目目 錄錄1、信號(hào)完整性基礎(chǔ)1.1 信號(hào)完整性1.2 高速信號(hào)和傳輸線1.3 反射1.4 阻抗1.5 介電常數(shù)（Dk）和介質(zhì)損耗因子（Df）1.6 插入損耗的概念Page4 信號(hào)完整性（Signal Integrity, SI）包含由于信號(hào)傳輸速率加快而產(chǎn)生的互連、電源、器件等引起的所有信號(hào)質(zhì)量及延時(shí)等問(wèn)題。1.1 信號(hào)完整性信號(hào)完整性基礎(chǔ)信號(hào)完整性基礎(chǔ)1Page5信號(hào)完整性基礎(chǔ)信號(hào)完整性基礎(chǔ)1 對(duì)于高速產(chǎn)品，并沒(méi)有明確定義，一般認(rèn)為對(duì)損耗有特定要求的產(chǎn)品

2、為高速產(chǎn)品。1.2 高速信號(hào)和傳輸線microstripstripline傳輸線模型時(shí)鐘頻率超過(guò)100MHz、數(shù)字信號(hào)上升時(shí)間小于1ns時(shí)，長(zhǎng)度超過(guò)1inch（2.54cm）的互連線表現(xiàn)出傳輸線特性；其特征為：線路向周圍環(huán)境輻射能量，介質(zhì)中的粒子（圖中圓圈表示）也會(huì)振動(dòng)吸收能量，產(chǎn)生時(shí)延和衰減等?；緜鬏斁€種類Page6信號(hào)完整性基礎(chǔ)信號(hào)完整性基礎(chǔ)1 目前幾乎所有高速存儲(chǔ)器、服務(wù)器、路由器以及很多消費(fèi)電子產(chǎn)品都具有高傳輸速率的特性，PCB產(chǎn)業(yè)也已邁進(jìn)高速的方向。1.2 高速信號(hào)和傳輸線一些高速電子產(chǎn)品和設(shè)備及其傳輸速率一些高速電子產(chǎn)品和設(shè)備及其傳輸速率Page7 信號(hào)傳輸時(shí)，每時(shí)每刻都會(huì)感受到

3、一個(gè)瞬態(tài)阻抗，當(dāng)這個(gè)阻抗不連續(xù)時(shí)就會(huì)將信號(hào)的一部分反射回信號(hào)源端；Rs1Rs2Rs1Rs21信號(hào)完整性基礎(chǔ)信號(hào)完整性基礎(chǔ)1.3 反射Rs1Rs2VfIfViIiVtItPage8信號(hào)完整性基礎(chǔ)信號(hào)完整性基礎(chǔ)11.4 阻抗 低頻或直流情況下阻抗基本等于導(dǎo)體的電阻； 高速或高頻情況下，主要受趨膚效應(yīng)影響，信號(hào)在導(dǎo)體中傳輸感受到的阻抗將遠(yuǎn)大于導(dǎo)體在直流情況下的電阻。圓形導(dǎo)體和方形導(dǎo)體的趨膚效應(yīng)（紅色圓形導(dǎo)體和方形導(dǎo)體的趨膚效應(yīng)（紅色表示電流密度最大，藍(lán)色表示最?。┍硎倦娏髅芏茸畲?，藍(lán)色表示最?。㏄age9信號(hào)完整性基礎(chǔ)信號(hào)完整性基礎(chǔ)11.4 阻抗趨膚深度： ：趨膚深度：趨膚深度 ： 磁導(dǎo)率磁導(dǎo)率 ：

4、電導(dǎo)率：電導(dǎo)率f f： 頻率頻率對(duì)于純銅導(dǎo)線： =4=4 1010-7-7 H/m H/m =5.8=5.8 10107 7 S/m S/m則在1GHz頻率下： 銅銅=2.1um=2.1um即信號(hào)的傳導(dǎo)僅僅在銅線的表面進(jìn)行。Page10信號(hào)完整性基礎(chǔ)信號(hào)完整性基礎(chǔ)11.4 阻抗均勻?qū)w直流電阻計(jì)算公式： ：電阻率：電阻率l l： 導(dǎo)體長(zhǎng)度導(dǎo)體長(zhǎng)度S S： 導(dǎo)體橫截面積導(dǎo)體橫截面積R R（ACAC）：高頻下的交流阻抗：高頻下的交流阻抗f f： 工作頻率工作頻率f f0 0：產(chǎn)生明顯趨膚效應(yīng)的臨界頻率：產(chǎn)生明顯趨膚效應(yīng)的臨界頻率R R：該臨界頻率下的阻抗：該臨界頻率下的阻抗均勻?qū)w高頻阻抗計(jì)算公式

5、：交流電阻隨頻率變化關(guān)系交流電阻隨頻率變化關(guān)系Page11寄生電容：12141. 1DDTDCr寄生電感：14ln08. 5dhhLD1: 焊盤直徑D2: 反焊盤直徑H: 過(guò)孔長(zhǎng)度d: 過(guò)孔孔徑信號(hào)完整性基礎(chǔ)信號(hào)完整性基礎(chǔ)11.4 阻抗：過(guò)孔阻抗Page12信號(hào)完整性基礎(chǔ)信號(hào)完整性基礎(chǔ)11.5 介電常數(shù)（Dk）和損耗因子（Df）介電常數(shù)（Dk）準(zhǔn)確講應(yīng)該稱為相對(duì)介電常數(shù)。干燥空氣的實(shí)際介電常數(shù)0，數(shù)值為8.85pF/m，為方便起見(jiàn)，把這個(gè)值設(shè)為1pF/m，從而得到其他介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)值（Relative Permittivity），即我們現(xiàn)在常用的介電常數(shù)（dielectric consta

6、nt）。從信號(hào)傳輸品質(zhì)的角度來(lái)看，介電常數(shù)的含義可以理解為介質(zhì)對(duì)電荷的吸附能力，介電常數(shù)越大，其對(duì)信號(hào)的吸附能力越強(qiáng)，可供使用的信號(hào)余量便越小。介電能力即相當(dāng)于容電能力。介電能力對(duì)比（左）和線路傳輸模型（右）介電能力對(duì)比（左）和線路傳輸模型（右）Page13信號(hào)完整性基礎(chǔ)信號(hào)完整性基礎(chǔ)11.5 介電常數(shù)（Dk）和損耗因子（Df）損耗因子（Df）即為散失因子（dissipation factor），表示信號(hào)傳輸時(shí)在介質(zhì)中損失掉的能量（loss），將這個(gè)損失掉的能量與未損失的能量（stored）對(duì)比時(shí)，即得到Df。介質(zhì)損耗因子與頻率的相關(guān)性介質(zhì)損耗因子與頻率的相關(guān)性Page14 插入損耗（簡(jiǎn)稱插損

7、，數(shù)學(xué)描述為S21，或insertion loss）：在二端口網(wǎng)絡(luò)中，S21定義為從端口2出來(lái)的正弦波和從端口1進(jìn)入的正弦波的比值。信號(hào)完整性基礎(chǔ)信號(hào)完整性基礎(chǔ)11.6 插入損耗的概念端口一端口二入射信號(hào)反射信號(hào)接收信號(hào)簡(jiǎn)單二端口網(wǎng)絡(luò)示意圖相位差幅度Page15信號(hào)完整性基礎(chǔ)信號(hào)完整性基礎(chǔ)11.6 插入損耗的概念介介質(zhì)質(zhì)中粒子中粒子振振動(dòng)導(dǎo)動(dòng)導(dǎo)致致阻抗不阻抗不連續(xù)連續(xù)導(dǎo)線發(fā)熱導(dǎo)線發(fā)熱能量向能量向環(huán)環(huán)境境中中發(fā)發(fā)射射與與鄰鄰近近傳輸傳輸線線干干擾擾作用作用增加增加導(dǎo)導(dǎo)體阻體阻抗消耗能量抗消耗能量Page16 無(wú)損傳輸線是不存在的，通路上的每一個(gè)節(jié)點(diǎn)都會(huì)造成損耗，損耗受控是一個(gè)真正的挑戰(zhàn)。右圖為傳

8、輸線中主要插入損耗來(lái)源于傳輸?shù)男盘?hào)頻率之間關(guān)系示意圖信號(hào)完整性基礎(chǔ)信號(hào)完整性基礎(chǔ)11.6 插入損耗的概念Page17損耗和傳輸線長(zhǎng)度的關(guān)系信號(hào)完整性基礎(chǔ)信號(hào)完整性基礎(chǔ)11.6 插入損耗的概念Page18 目目 錄錄2、信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)2.1 阻抗測(cè)試2.2 VNA測(cè)試2.3 SET2DIL測(cè)試2.4 Dk/Df測(cè)試Page192.1 阻抗測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)2 阻抗測(cè)試主要應(yīng)用TDR（Time Domain Reflector，時(shí)域反射計(jì)）的方法，TDR 使用階躍信號(hào)發(fā)生儀和示波器，在被測(cè)得傳輸線上發(fā)送一個(gè)快速的上升沿，再特定的點(diǎn)上用示波器觀察反射電壓波形。這種技術(shù)可以測(cè)

9、出傳輸顯得特性阻抗，并顯示出每個(gè)阻抗不連續(xù)點(diǎn)的位置和特性（阻抗、感抗和容抗）。階躍信號(hào)測(cè)試電纜被測(cè)物體TDR測(cè)試原理 由于TDR產(chǎn)生的信號(hào)幅度、測(cè)試電纜阻抗、儀器輸出阻抗確定，因此根據(jù)TDR設(shè)備接收到的反射信號(hào)幅度和時(shí)間軸數(shù)據(jù)，很容易計(jì)算出不連續(xù)阻抗的數(shù)值。Page202.1 阻抗測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)2 利用TDR技術(shù)，所有這些信息都是在示波器上實(shí)時(shí)顯示。相對(duì)于其他技術(shù)，TDR 能夠給出更多的關(guān)于系統(tǒng)寬帶相應(yīng)的信息。 如下圖所示，沿著時(shí)間軸的每一點(diǎn)都對(duì)應(yīng)著被測(cè)線上的不同位置阻抗值。線寬變化導(dǎo)致阻抗變化的TDR測(cè)試曲線Page212.1 阻抗測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)信號(hào)完整性測(cè)

10、量技術(shù)2 PCB阻抗測(cè)試時(shí)選擇合適的阻抗線長(zhǎng)度是十分必要的，根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，在阻抗線長(zhǎng)度超過(guò)6inch，且線路損耗較大時(shí)，阻抗線后端的阻抗值將有明顯上升趨勢(shì)。11inch單端阻抗線TDR曲線57ohm50ohmPage222.1 阻抗測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)2 阻抗的不規(guī)則波動(dòng)是由于線路和介質(zhì)加工質(zhì)量引起的； 而阻抗的上升趨勢(shì)主要是由于長(zhǎng)線傳輸線損耗的不可忽略造成的。華為長(zhǎng)線阻抗的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量方法取值區(qū)間阻抗線Page232.2 VNA測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)2VNA（Vector Network Analyzer， 矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀）的信號(hào)源在測(cè)試時(shí)產(chǎn)生一個(gè)連續(xù)掃頻的正弦

11、波，以此激勵(lì)被測(cè)物（DUT，device under test），之后測(cè)量DUT的反射信號(hào)和傳輸信號(hào)。VNA把被測(cè)物（無(wú)論是一條線、一個(gè)面或信號(hào)網(wǎng)絡(luò)）當(dāng)做二端口網(wǎng)絡(luò)，由于其激勵(lì)信號(hào)是掃頻信號(hào)，在每一個(gè)頻點(diǎn)均可得到被測(cè)端口的頻率響應(yīng)，VNA通過(guò)分析這些激勵(lì)信號(hào)和響應(yīng)信號(hào)，計(jì)算出被測(cè)端口S參數(shù)，再通過(guò)這些參數(shù)得到我們需要的量化參數(shù)值。掃頻信號(hào)掃頻信號(hào)測(cè)試原理：Page242.2 VNA測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)2對(duì)于一個(gè)測(cè)試頻率范圍為20GHz的VNA，可以測(cè)試被測(cè)物從0到20GHz中間任何頻率點(diǎn)上的響應(yīng)特性。S11：反映端口阻抗特性：反映端口阻抗特性S21：反映端口插損特性：反映端

12、口插損特性信號(hào)相位特性信號(hào)相位特性信號(hào)延時(shí)特性信號(hào)延時(shí)特性VNA中可觀測(cè)到的端口特性中可觀測(cè)到的端口特性Page252.2 VNA測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)2TRL校準(zhǔn)： VNA的精確測(cè)量是基于精確而復(fù)雜的校準(zhǔn)基礎(chǔ)上的。由于電纜、探頭、SMA頭、設(shè)備本身的誤差，VNA系統(tǒng)校準(zhǔn)十分必要，常用的有機(jī)械校準(zhǔn)和電子校準(zhǔn)； 另外，實(shí)際測(cè)試中過(guò)孔對(duì)于損耗測(cè)量結(jié)果有十分明顯的影響，因此需進(jìn)一步去除掉過(guò)孔的影響，而產(chǎn)生了LRM、TRL、SOLT等去嵌（de-embed）校準(zhǔn)方式。TRL校準(zhǔn)件設(shè)計(jì)工具Page262.2 VNA測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)2TRL校準(zhǔn)理念在于，將線路的兩

13、段各取一部分作為中間剩余部分線路測(cè)量的探針。表示將被校準(zhǔn)掉的線路校準(zhǔn)完成后其延時(shí)和損耗均為0表示被當(dāng)做探針的長(zhǎng)度用于校準(zhǔn)不同頻率范圍用于校準(zhǔn)直流被測(cè)線路注意各圖形長(zhǎng)度對(duì)應(yīng)關(guān)系TRL校準(zhǔn)圖形校準(zhǔn)圖形Page27Single End Trace To drive DIfferential Loss,利用單端線路測(cè)量差分損耗的方法。2.3 SET2DIL測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)2目的：簡(jiǎn)化測(cè)量，從而使傳統(tǒng)的差分四端口測(cè)試變?yōu)楹?jiǎn)單的單端測(cè)試，并將此測(cè)試方法用于批量板的監(jiān)控。傳統(tǒng)差分測(cè)試需要四傳統(tǒng)差分測(cè)試需要四個(gè)端口同時(shí)測(cè)量個(gè)端口同時(shí)測(cè)量Page282.3 SET2DIL測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)

14、量技術(shù)信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)2理論上，損耗屬于頻域范疇，具有很強(qiáng)的頻率相關(guān)性。此處涉及兩個(gè)重要概念：假設(shè)近似和線路完全對(duì)稱；按SDD21（插損）=0.5*（S21-S23-S41+S43），在差分對(duì)完全對(duì)稱時(shí)，INTEL算法假定： S21=S43 S23=S41于是SDD21=S21-S41INTEL的算法可以通過(guò)測(cè)量時(shí)域的信號(hào)響應(yīng)參數(shù)，再通過(guò)傅里葉變換轉(zhuǎn)化成頻域數(shù)值，最終得到插損測(cè)量值。從而相當(dāng)于： TDD21=T21-T41于是，按此等式，只需測(cè)試T21和T41即可計(jì)算出SDD21，即插入損耗值。T21T41Page292.3 SET2DIL測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)2理論上，損

15、耗屬于頻域范疇，具有很強(qiáng)的頻率相關(guān)性。此處涉及兩個(gè)重要概念：按按INTEL算法所推導(dǎo)出的差分信號(hào)線時(shí)域參數(shù)測(cè)量方法算法所推導(dǎo)出的差分信號(hào)線時(shí)域參數(shù)測(cè)量方法THRUPage302.3 SET2DIL測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)2測(cè)試精度評(píng)價(jià)：與VNA相比還存在一定差距。隨著頻率升高，精度不斷下降。12GHz2.3 SET2DIL測(cè)試信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)22.4 Dk/Df提取信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)2方式VNA測(cè)試PCB兩段長(zhǎng)度差為10inch的信號(hào)線的S參數(shù)，利用ADS仿真軟件分析提取其中的DkDf信息設(shè)備和軟件E5071C網(wǎng)分儀、ADS DkDf提取模

16、塊測(cè)試coupon設(shè)計(jì)不同膠含量、玻纖類型等結(jié)構(gòu)，差分/單端帶狀線驗(yàn)證用仿真提取的DkDf建模，對(duì)比阻抗和損耗的測(cè)試和仿真結(jié)果Dk/Df提取基本流程提取基本流程TRL校準(zhǔn)模校準(zhǔn)模塊塊DkDf提取模提取模塊塊P片片類類型型1P片片類類型型2P片片類類型型3P片片類類型型42.4 Dk/Df提取信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)22.4 Dk/Df提取信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)信號(hào)完整性測(cè)量技術(shù)2軟件操作界面軟件操作界面Page35 目目 錄錄3、PCB制造與信號(hào)完整性2.1 材料2.2 工藝2.3 PCB設(shè)計(jì)Page363隨著信號(hào)頻率的增加，PCB基材介質(zhì)和導(dǎo)線都會(huì)吸收能量，造成信號(hào)完整性問(wèn)題。除此之

17、外，PCB加工過(guò)程中對(duì)材料的處理也會(huì)引入信號(hào)完整性問(wèn)題。Stub lengthPCB制造與信號(hào)完整性制造與信號(hào)完整性Page373.1 材料樹(shù)脂體系和loss tangent之間的關(guān)系 3PCB制造與信號(hào)完整性制造與信號(hào)完整性樹(shù)脂：Page38普通樹(shù)脂和低損耗樹(shù)脂對(duì)SI的影響3PCB制造與信號(hào)完整性制造與信號(hào)完整性Page39Insertion loss at 4GHz(unit: dB/inch)MaterialIMNTMAX0.42 0.48 0.50 0.46 MIN0.35 0.36 0.37 0.41 AVE0.38 0.41 0.40 0.43 普通樹(shù)脂和低損耗樹(shù)脂對(duì)SI的影響3P

18、CB制造與信號(hào)完整性制造與信號(hào)完整性低損耗低損耗FabricNE glass (Dk 4.6)Standard E Glass Dk 6.6玻纖Page403PCB制造與信號(hào)完整性制造與信號(hào)完整性Page41materialAdvantage modified materialglass stylestandard glassspread glasslow Dk glassprepreg style in stack-up1080 RC65%2116 RC55%2113 RC57%1086 RC61%1067 RC70%1086 RC64%1080 RC65%106 RC73%1080 RC6

19、8%Insertion loss at 4GHz( unit: dB/inch)Glass styleSTDSpreadLDKMAX0.610.610.58MIN0.510.520.47AVE0.56 0.55 0.52 標(biāo)準(zhǔn)、開(kāi)纖、低loss玻纖對(duì)SI的影響比較3PCB制造與信號(hào)完整性制造與信號(hào)完整性Page42STDLDK標(biāo)準(zhǔn)、低loss玻纖對(duì)SI的影響比較3PCB制造與信號(hào)完整性制造與信號(hào)完整性Page43銅箔高速信號(hào)下，受趨膚效應(yīng)/深度的影響，銅牙長(zhǎng)度直接關(guān)系到信號(hào)傳輸質(zhì)量：3PCB制造與信號(hào)完整性制造與信號(hào)完整性Page440.5dB insertion loss improveme

20、nt observed at 15GHzUp to 1dB insertion loss improvement in 8inch trace for VLP at 15GHzRTF、VLP銅箔對(duì)SI的影響比較RTFVLP3PCB制造與信號(hào)完整性制造與信號(hào)完整性Page45圖為三井新型銅箔與傳統(tǒng)VLP對(duì)SI的影響改善比較3PCB制造與信號(hào)完整性制造與信號(hào)完整性Page463.1 設(shè)計(jì)3PCB制造與信號(hào)完整性制造與信號(hào)完整性選材和疊構(gòu)：客戶不僅指定PP類型，同時(shí)指定芯板配本對(duì)此種情況，嚴(yán)格按客戶要求制作，不能隨意更改。Page47在客戶未指定材料的情況下，可按客戶損耗要求提供建議。不同材料的參考

21、插入損耗-SET2DIL測(cè)試方法materialscopper standard configurationinsertion loss at 4GHZ/dB/inchinsertion loss at 8GHZ/dB/inchMINMAXAVERAGEMINMAXAVERAGES1165RTF0.580.770.671.0771.4931.285TU862HFRTF0.570.820.691.0761.4171.246EM370DRTF0.620.670.651.1031.2811.192I-TeraVLP0.360.480.420.650.970.79N6800-22SIVLP0.380.

22、510.450.720.980.85Megtron-6VLP0.410.490.460.751.050.9IT150DAVLP0.490.540.520.790.8720.831TU872SLK-sp VLP0.430.510.470.791.030.9IS415SIRTF0.470.520.50.8880.9790.934I-speedRTF0.530.590.561.041.291.17N4800-20RTF0.5140.550.520.9051.0610.983Megtron-4RTF0.480.570.520.961.121.044PCB制造與信號(hào)完整性制造與信號(hào)完整性-工程設(shè)計(jì)工程設(shè)

23、計(jì)Page48Anti-pad大小對(duì)SI的影響比較-插損（建模仿真）內(nèi)外層孔環(huán): 盡量依照客戶原稿制作，設(shè)計(jì)過(guò)大可能導(dǎo)致不同層孔環(huán)間產(chǎn)生容性阻抗導(dǎo)致過(guò)孔位置阻抗突變，從而加重反射，影響信號(hào)完整性。3PCB制造與信號(hào)完整性制造與信號(hào)完整性Page49反焊盤從下到上依次為18mil、20mil、22mil、24mil、26mil高速信號(hào)PCB的設(shè)計(jì)：盡量設(shè)計(jì)較大的anti-pad，以減少銅皮對(duì)過(guò)孔的干擾。值得注意的是：有時(shí)客戶不允許PCB供應(yīng)商修改原稿設(shè)計(jì)。Anti-pad大小對(duì)SI的影響比較-插損（建模仿真）anti-pad: 3PCB制造與信號(hào)完整性制造與信號(hào)完整性Page50Anti-pad

24、問(wèn)題實(shí)際案例：某生產(chǎn)板由于工程設(shè)計(jì)時(shí)，anti-pad掏銅過(guò)多，導(dǎo)致BGA個(gè)別位置沒(méi)有參考層，從而信號(hào)返回路徑被切斷而產(chǎn)生信號(hào)完整性問(wèn)題：左圖為工程設(shè)計(jì)的anti-pad，相鄰層有信號(hào)線經(jīng)過(guò)。右圖為實(shí)際板，銅橋已蝕刻斷，造成左圖綠色信號(hào)線無(wú)參考層。3PCB制造與信號(hào)完整性制造與信號(hào)完整性Page51移線（或孔）:對(duì)于阻抗線和不清楚功能的線路要格外注意不可私自移動(dòng)；當(dāng)遇到單邊補(bǔ)償情況時(shí)，需要有工藝數(shù)據(jù)支持，保證蝕刻后線路中心位置不變。移線處理客戶端測(cè)試結(jié)果顯示，第1）種設(shè)計(jì)比第2）種多衰減0.52dB減小補(bǔ)償處理3PCB制造與信號(hào)完整性制造與信號(hào)完整性Page523PCB制造與信號(hào)完整性制造與信

25、號(hào)完整性3.3 工藝項(xiàng)目在不同工作速率下的影響度3.125 Gbs6.25 Gbs12.5 Gbs18.75 Gbs25 Gbs背鉆殘樁xxxxxxxxxxxxxxxxx線寬(中值)xxxxxxxxxxxxxxx線寬(公差) xxxxxxxx線距公差(蝕刻精度)xxxxxxxx線長(zhǎng)度公差xxxxxxxxxx線路形狀xxxxxx損耗因子(Df)xxxxxxxxxx導(dǎo)體損耗xxxxxxxxxxxx層間對(duì)位精度xxxxxx孔位精度xPage53PCB前處理等銅面粗化方式很大程度會(huì)使銅面粗糙度增加，目前已有非微蝕方式的超粗化技術(shù)，很好的保留了低粗糙度銅箔的特性，起到了改善信號(hào)完整性的作用。棕化：粗糙度約0.6um無(wú)微蝕粗化：粗糙度小于0.1um10GHz下neap技術(shù)改善損耗約5dB/m銅面粗化方式：3PCB制造與信號(hào)完整性制造與信號(hào)完整性3.3 工藝Page54控制項(xiàng)目控制標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)層線寬 (d)d4mil時(shí), 公差按+/-0.5mil焊盤(R)1）銅厚為Hoz