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文檔簡介
1、CVD(Chemical Vapor Deposition) (a)臺階覆蓋太差)臺階覆蓋太差 (b)臺階覆蓋好)臺階覆蓋好硅槽沉積硅槽沉積SiO2的的SEM照片照片 高深寬比的典型值高深寬比的典型值3:1、濺射、濺射 (Chemical Vapor Deposition)nCVD生長過程生長過程nCVD生長過程生長過程 1. 氣體傳輸至沉積區(qū)域:反應(yīng)氣體從反應(yīng)腔入口區(qū)氣體傳輸至沉積區(qū)域:反應(yīng)氣體從反應(yīng)腔入口區(qū) 域到硅片表面的沉積區(qū)域域到硅片表面的沉積區(qū)域 2. 膜先驅(qū)物的形成:氣相反應(yīng)導(dǎo)致膜先驅(qū)物(組成膜先驅(qū)物的形成:氣相反應(yīng)導(dǎo)致膜先驅(qū)物(組成 膜最初的原子和分子)和副產(chǎn)物的形成膜最初的原子
2、和分子)和副產(chǎn)物的形成 3. 膜先驅(qū)物附著在硅片表面:大量的膜先驅(qū)物輸運(yùn)膜先驅(qū)物附著在硅片表面:大量的膜先驅(qū)物輸運(yùn) 到硅片表面到硅片表面 4. 膜先驅(qū)物吸附:膜先驅(qū)物粘附在硅片表面膜先驅(qū)物吸附:膜先驅(qū)物粘附在硅片表面 成核成核 5. 膜先驅(qū)物擴(kuò)散:膜先驅(qū)物向膜生長區(qū)域的表面膜先驅(qū)物擴(kuò)散:膜先驅(qū)物向膜生長區(qū)域的表面 擴(kuò)散擴(kuò)散 6. 表面反應(yīng)、連續(xù)成膜:表面化學(xué)反應(yīng)導(dǎo)致膜沉表面反應(yīng)、連續(xù)成膜:表面化學(xué)反應(yīng)導(dǎo)致膜沉 積和副產(chǎn)物的生成積和副產(chǎn)物的生成 7. 副產(chǎn)物從表面移除:移除表面反應(yīng)的副產(chǎn)物副產(chǎn)物從表面移除:移除表面反應(yīng)的副產(chǎn)物 8. 副產(chǎn)物從反應(yīng)腔移除:反應(yīng)的副產(chǎn)物從沉積區(qū)副產(chǎn)物從反應(yīng)腔移除:反
3、應(yīng)的副產(chǎn)物從沉積區(qū) 域隨氣流流動到反應(yīng)腔出口并排出域隨氣流流動到反應(yīng)腔出口并排出島生長島生長成膜成膜 1. 質(zhì)量傳輸限制(常壓質(zhì)量傳輸限制(常壓CVD-APCVD) 2. 表面反應(yīng)限制(低壓表面反應(yīng)限制(低壓CVD-LPCVD) 3. CVD氣流動力學(xué)氣流動力學(xué) 4. CVD反應(yīng)中的壓力反應(yīng)中的壓力 1. 生長生長PSG)(做(做ILD1) SiH4 PH3O2 SiO2 PH2 P2O5含量控制含量控制4 2. 生長硼生長硼B(yǎng)PSG)(做(做ILD1) SiH4 PH3B2H6O2 SiO2 PBH2 P2O5和和B2O3的含量分別控制的含量分別控制4 、26 BPSG的優(yōu)點(diǎn):具備的優(yōu)點(diǎn):具備PSG的優(yōu)點(diǎn),彌補(bǔ)的優(yōu)點(diǎn),彌補(bǔ)PSG的缺點(diǎn)的缺點(diǎn) (a)回流前)回流前 (b)回流后)回流后 3. 生長氟生長氟SG)(做(做ILD2及以上)及以上) FSG的優(yōu)點(diǎn):做低的優(yōu)點(diǎn):做低K介質(zhì),降低氧化硅的介電常數(shù)介質(zhì),降低氧化硅的介電常數(shù) 氧化硅氧化硅SiO2 (SG)的介電常數(shù):)的介電常數(shù):3.9 氟化硅(氟化硅(FSG)的介電常數(shù):)的介電常數(shù):3.5 (用途:摻雜的多晶硅做(用途:摻雜的多晶硅做MOS晶體管的柵電極)晶
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