第7章存儲器xiu

1、第第7 7章章 存儲器存儲器第第7 7章章 存儲器存儲器本章主要內容本章主要內容 半導體存儲器的分類半導體存儲器的分類1 半導體存儲器的主要技術指標半導體存儲器的主要技術指標 2 典型存儲器芯片典型存儲器芯片3 存儲器與系統(tǒng)的連接存儲器與系統(tǒng)的連接4第第7 7章章 存儲器存儲器7.07.0存儲器的概述存儲器的概述一、存儲器的分類一、存儲器的分類1.1.（1）內存：內存：是內部存儲器的簡稱，又稱主存。內存直接與是內部存儲器的簡稱，又稱主存。內存直接與CPUCPU相連接，是計算機的組成部分。相連接，是計算機的組成部分。 特點：存取速度快，但容量小，成本高。特點：存取速度快，但容量小，成本高。（2）

2、即外部存儲器，也稱輔存。外存不直接與即外部存儲器，也稱輔存。外存不直接與CPUCPU相連接，相連接，而是通過而是通過I/OI/O接口與接口與CPUCPU連接，其主要特點是容量大。連接，其主要特點是容量大。 特點：存取速度慢，但容量大，成本低。特點：存取速度慢，但容量大，成本低。第第7 7章章 存儲器存儲器2. 按介質分類按介質分類（1）磁存儲器）磁存儲器硬盤、磁盤、磁芯、磁泡、磁帶硬盤、磁盤、磁芯、磁泡、磁帶（2）半導體存儲器）半導體存儲器ROM、RAM（3）光存儲器）光存儲器3. 按信息存取方式分類按信息存取方式分類（1） 隨機存取存儲器（隨機存取存儲器（RAM）：可讀寫）：可讀寫（2） 只

3、讀存儲器（只讀存儲器（ROM） ：只可讀：只可讀（3） 順序存取存儲器（磁帶）順序存取存儲器（磁帶） 直接存取存儲器（磁盤、光盤）直接存取存儲器（磁盤、光盤） 第第7 7章章 存儲器存儲器v存儲器用來存放程序和數據，是計算機各存儲器用來存放程序和數據，是計算機各種信息的存儲和交流中心。存儲器可與種信息的存儲和交流中心。存儲器可與CPUCPU、輸入輸出設備交換信息，起存儲、緩沖、輸入輸出設備交換信息，起存儲、緩沖、傳遞信息的作用。傳遞信息的作用。v衡量存儲器有三個指標：容量、速度和價衡量存儲器有三個指標：容量、速度和價格格/ /位。位。第第7 7章章 存儲器存儲器二、二、存儲器的層次結構存儲器的

4、層次結構第第7 7章章 存儲器存儲器典型存取時間典型存取時間1ns2ns10ns10ms100s計算機的存儲器分為內存和外存。內存存取速度快而容量相對較小，它與計算機的存儲器分為內存和外存。內存存取速度快而容量相對較小，它與CPU直直接相連，用來存放等待接相連，用來存放等待CPU運行的程序和處理的數據。外存的存取速度較慢而容運行的程序和處理的數據。外存的存取速度較慢而容量相對很大，與量相對很大，與CPU不直接連接，用于存放計算機中幾乎所有的信息。不直接連接，用于存放計算機中幾乎所有的信息。第第7 7章章 存儲器存儲器速度 容量 成本 快 小 高 慢 大 低CPUCache主存（ROM，RAM）

5、輔存（硬盤，光盤）I/O控制器第第7 7章章 存儲器存儲器7.1 7.1 半導體存儲器的分類半導體存儲器的分類v內存儲器一般由一定容量的速度較快的半內存儲器一般由一定容量的速度較快的半導體存儲器組成，導體存儲器組成，CPUCPU可直接對內存執(zhí)行讀可直接對內存執(zhí)行讀/ /寫操作寫操作。v內存儲器內存儲器按存儲信息的特性可分為隨機存按存儲信息的特性可分為隨機存取存儲器取存儲器RAMRAM（Random Access MemoryRandom Access Memory）和）和只讀存儲器只讀存儲器ROMROM（Read Only MemoryRead Only Memory）兩類。）兩類。第第7 7

6、章章 存儲器存儲器第第7 7章章 存儲器存儲器v7.2 7.2 半導體存儲器的主要技術指標半導體存儲器的主要技術指標1.1.存儲容量存儲容量 存儲容量是表示存儲器大小的指標，通常以存儲器單元存儲容量是表示存儲器大小的指標，通常以存儲器單元數與存儲器字長之積表示。每個存儲器單元可存儲若干個數與存儲器字長之積表示。每個存儲器單元可存儲若干個二進制位，二進制位的長度稱為存儲器字長。存儲器字長二進制位，二進制位的長度稱為存儲器字長。存儲器字長一般與數據線的位數相等。每個存儲器單元具有唯一的地一般與數據線的位數相等。每個存儲器單元具有唯一的地址。址。2.2.功耗功耗 存儲器被加上的電壓與流入的電流之積是

7、存儲器的功耗。存儲器被加上的電壓與流入的電流之積是存儲器的功耗。存儲器的功耗又分為操作功耗和維持功耗（或備用功耗）。存儲器的功耗又分為操作功耗和維持功耗（或備用功耗）。前者是存儲器被選中進行某個單元的讀前者是存儲器被選中進行某個單元的讀/寫操作時的功耗，寫操作時的功耗，后者是存儲器未被選中時的功耗。后者是存儲器未被選中時的功耗。 第第7 7章章 存儲器存儲器7.2 7.2 半導體存儲器的主要技術指標半導體存儲器的主要技術指標v3 3、讀寫讀寫速度速度 半導體存儲器半導體存儲器的速度一般用的速度一般用存取時間存取時間和和存儲周存儲周期期兩個指標來衡量兩個指標來衡量。v4 4、可靠性可靠性 通常通

8、常指存儲器對溫度、電磁場等環(huán)境變化的抵指存儲器對溫度、電磁場等環(huán)境變化的抵抗能力和工作壽命抗能力和工作壽命。半導體存儲器由于采用大規(guī)模半導體存儲器由于采用大規(guī)模集成電路工藝，具有較高的可靠性集成電路工藝，具有較高的可靠性又稱存儲器訪問時間，是指又稱存儲器訪問時間，是指從啟動一次存儲器操作到完從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經歷的時間成該操作所經歷的時間。指連續(xù)啟動兩次獨立的存儲指連續(xù)啟動兩次獨立的存儲器操作器操作(例如連續(xù)兩次讀操例如連續(xù)兩次讀操作作)所需間隔的最小時間。所需間隔的最小時間。第第7 7章章 存儲器存儲器7.3 7.3 典型存儲器芯片介紹典型存儲器芯片介紹1. Intel 21

9、141. Intel 21141K1K4 4位的位的SRAM SRAM 六六管管存儲存儲元元電路電路單一單一的的+5V+5V電源電源供電供電所有所有的引腳都與的引腳都與TTLTTL電電平平兼容兼容第第7 7章章 存儲器存儲器7.3 7.3 典型存儲器芯片介紹典型存儲器芯片介紹2 2. Intel 6264. Intel 62648K 8K 8 8位的位的SRAMSRAM0.8mCMOS0.8mCMOS工藝工藝制造制造單一單一的的+5V+5V電源電源供電供電高速度高速度、低功耗低功耗全全靜態(tài)，無須時鐘和靜態(tài)，無須時鐘和定時定時選通信號選通信號I/OI/O端口是雙向、三態(tài)端口是雙向、三態(tài)控制控制，

10、與，與TTLTTL電平電平兼容兼容第第7 7章章 存儲器存儲器Intel 62Intel 62系列系列型號型號容量容量62648K8bits6212816K8bits6225632K8bits6251264K8bits第第7 7章章 存儲器存儲器7.3 7.3 典型存儲器芯片介紹典型存儲器芯片介紹3. Intel 512563. Intel 5125632K32K8 8位的位的SRAMSRAM工作方式工作方式010讀操作讀操作00寫操作寫操作011高阻態(tài)高阻態(tài)1未選未選Intel 51256工作方式工作方式第第7 7章章 存儲器存儲器7.3 7.3 典型存儲器芯片介紹典型存儲器芯片介紹4. 4

11、. Intel Intel 2164216464K64K1bit1bit的的DRAMDRAM址線只有址線只有8 8位，位，1616位的位的地址信號分為行地址地址信號分為行地址和列地址，分兩次送和列地址，分兩次送入芯片。入芯片。第第7 7章章 存儲器存儲器v第第7 7章章 存儲器存儲器v第第7 7章章 存儲器存儲器Intel 21Intel 21系列系列型號型號容量容量216464K1bit21256256K1bit2146464K4bit第第7 7章章 存儲器存儲器7.3 7.3 典型存儲器芯片介紹典型存儲器芯片介紹5 5. . Intel Intel 4125641256 256K 256K

12、1 1位位DRAMDRAM，存取時間存取時間200200300ns300ns，地址線地址線只有只有一半的位數，行地址和列地址分兩次一半的位數，行地址和列地址分兩次輸入輸入。引腳引腳功能功能A9A0地址線地址線D數據輸入數據輸入Q數據輸出數據輸出讀讀/寫信號寫信號行地址選通信號行地址選通信號列地址選通信號列地址選通信號Vcc電源（電源（+5V）Vss地地第第7 7章章 存儲器存儲器7.3 7.3 典型存儲器芯片介紹典型存儲器芯片介紹6 6. . Intel Intel 2712827128128K128K（16K16K8 8位）的位）的EPROMEPROM1414條條地址線地址線，經過譯，經過譯

13、碼在碼在16K16K地址中選中一地址中選中一個個單元單元最大最大訪問訪問時間時間250ns250ns，與與高速高速8MHz8MHz的的iPAX186iPAX186兼容兼容第第7 7章章 存儲器存儲器2712827128的工作模式的工作模式 引腳引腳模式模式A9VPPVCCD7-D0讀讀LLHXVCCVCC數據輸出數據輸出輸出禁止輸出禁止LHHXVCCVCC高阻高阻備用模式備用模式HXXXVCCVCC高阻高阻編程禁止編程禁止HXXXVPPVCC高阻高阻編程模式編程模式LHLXVPPVCC數據輸入數據輸入INTEL編程編程LHLXVPPVCC數據輸入數據輸入校驗校驗LLHXVPPVCC數據輸出數據

14、輸出電子標識符電子標識符LLHVIDVCCVCC標識符輸出標識符輸出第第7 7章章 存儲器存儲器7.3 7.3 典型存儲器芯片介紹典型存儲器芯片介紹7. 28C647. 28C64 28C 28C系列是包含不同容量的系列是包含不同容量的E E2 2PROMPROM芯片。芯片。 與與EPROMEPROM相比，相比，E E2 2PROMPROM的優(yōu)點是：編程與擦寫所的優(yōu)點是：編程與擦寫所需的電流極小，速度快（需的電流極小，速度快（10ms10ms）；擦寫可以按字節(jié)）；擦寫可以按字節(jié)分別進行。分別進行。型號型號容量容量/KB28C16228C64828C2563228C51264第第7 7章章 存儲

15、器存儲器28C6428C64的兩種封裝的兩種封裝第第7 7章章 存儲器存儲器7.3 7.3 典型存儲器芯片介紹典型存儲器芯片介紹8. K9F6408U0A8. K9F6408U0A 典型的典型的NAND FlashNAND Flash芯片芯片 數據寬度為數據寬度為8 8位，可復用，既可位，可復用，既可作為地址和數據的輸入作為地址和數據的輸入/ /輸出引輸出引腳，又可作命令的輸入引腳，腳，又可作命令的輸入引腳，根據時序采用分時根據時序采用分時循環(huán)循環(huán) 芯片內部存儲單元按頁和塊的芯片內部存儲單元按頁和塊的結構結構組織組織 寫和讀以頁為單位，而擦除以寫和讀以頁為單位，而擦除以塊為單位。讀、寫和擦除操

16、作塊為單位。讀、寫和擦除操作均通過命令均通過命令完成完成 寫入每頁的時間為寫入每頁的時間為200us200us，平均，平均每寫一個字節(jié)約每寫一個字節(jié)約400ns400ns，即約，即約20Mb/s20Mb/s。此芯片可擦寫。此芯片可擦寫1 1百萬次百萬次，掉電數據不丟失，數據可保，掉電數據不丟失，數據可保存十年存十年第第7 7章章 存儲器存儲器7.4 7.4 存儲器與系統(tǒng)的連接存儲器與系統(tǒng)的連接v K9F6408U0AK9F6408U0A是三星公司生產與非型是三星公司生產與非型6464兆位快閃存儲器，它具有工作電兆位快閃存儲器，它具有工作電壓低、擦寫速度快、體積小等優(yōu)點。壓低、擦寫速度快、體積小

17、等優(yōu)點。v K9F6408U0AK9F6408U0A最大優(yōu)點在于其命令、數據和地址均可通過最大優(yōu)點在于其命令、數據和地址均可通過8 8條條I/OI/O口線與口線與主控制器進行通信。這樣就大大簡化了系統(tǒng)連線主控制器進行通信。這樣就大大簡化了系統(tǒng)連線v CLECLE：命令鎖存使能端，高電平有效。在：命令鎖存使能端，高電平有效。在WEWE信號上升沿，命令信號可信號上升沿，命令信號可通過通過I/OI/O口鎖入命令寄存器?？阪i入命令寄存器。 v ALEALE：地址鎖存使能端，高電平有效。在：地址鎖存使能端，高電平有效。在WEWE信號上升沿，地址信號可信號上升沿，地址信號可通過通過I/OI/O口鎖入地址寄

18、存器?？阪i入地址寄存器。 v CECE：片選線，低電平有效。在頁編程或塊擦除操作期間或器件處于忙：片選線，低電平有效。在頁編程或塊擦除操作期間或器件處于忙狀態(tài)時，狀態(tài)時，CECE高電平將被忽略。高電平將被忽略。 v WEWE：寫使能口，命令、地址和數據在：寫使能口，命令、地址和數據在WEWE信號上升沿被鎖定。信號上升沿被鎖定。 v RERE：讀使能口，在該口下降沿將數據送到：讀使能口，在該口下降沿將數據送到I/OI/O口線上，并使內部列地口線上，并使內部列地址寄存器增址寄存器增1 1。 v WPWP：寫保護口，低電平有效。當其為低時，編程和擦除操作禁止。：寫保護口，低電平有效。當其為低時，編程

19、和擦除操作禁止。 v R/BR/B：操作狀態(tài)指示信號。為低時，表示正在編程、擦除或讀操作，：操作狀態(tài)指示信號。為低時，表示正在編程、擦除或讀操作，操作結束后變高。操作結束后變高。第第7 7章章 存儲器存儲器7.4 7.4 存儲器與系統(tǒng)的連接存儲器與系統(tǒng)的連接vCPUCPU對存儲器進行讀對存儲器進行讀/ /寫操作時，首先由地寫操作時，首先由地址總線給出地址信號，然后要對存儲器發(fā)址總線給出地址信號，然后要對存儲器發(fā)出讀操作或寫操作的控制信號，最后在數出讀操作或寫操作的控制信號，最后在數據總線上進行信息交換據總線上進行信息交換。v存儲器存儲器與系統(tǒng)之間通過與系統(tǒng)之間通過ABAB、DBDB及有關的控及

20、有關的控制信號線相連接，設計系統(tǒng)的存儲器體系制信號線相連接，設計系統(tǒng)的存儲器體系時需要將這三類信號線正確連接。時需要將這三類信號線正確連接。第第7 7章章 存儲器存儲器7.4.1 7.4.1 存儲器擴展存儲器擴展v若干存儲芯片和系統(tǒng)進行連接擴展，通常若干存儲芯片和系統(tǒng)進行連接擴展，通常有三種方式有三種方式：位擴展位擴展字擴展字擴展字字位位擴展擴展第第7 7章章 存儲器存儲器位擴展位擴展（位并聯法位并聯法）v位擴展指位擴展指用用多個存儲器器件對字長進行擴多個存儲器器件對字長進行擴充。一個地址同時控制多個存儲器芯片充。一個地址同時控制多個存儲器芯片。第第7 7章章 存儲器存儲器字字擴展擴展（地址串

21、（地址串聯法聯法）v字擴展指的是增加存儲器中字的數量。字擴展指的是增加存儲器中字的數量。第第7 7章章 存儲器存儲器字位字位擴展擴展v實際存儲器往往需要字向和位向同時擴充實際存儲器往往需要字向和位向同時擴充。v一一個存儲器的容量為個存儲器的容量為M MN N位，若使用位，若使用L LK K位存儲器芯片，那么，這個存儲器共需要位存儲器芯片，那么，這個存儲器共需要（M/LM/L）（N/KN/K）個存儲器芯片。）個存儲器芯片。第第7 7章章 存儲器存儲器1.CPU1.CPU與存儲器的接口與存儲器的接口v8086CPU8086CPU有有最小與最大兩種工作最小與最大兩種工作模式模式。最小最小模式的控制信

22、號僅由模式的控制信號僅由80868086產生產生。最大最大模式需用總線控制器模式需用總線控制器82888288協同產生控制信協同產生控制信號。號。第第7 7章章 存儲器存儲器1.CPU1.CPU與存儲器的接口與存儲器的接口最小模式最小模式 最大模式最大模式第第7 7章章 存儲器存儲器2.2.存儲器接口分析存儲器接口分析vROMROM接口電路接口電路 只讀存儲器只讀存儲器在計算機系統(tǒng)中的功能主要在計算機系統(tǒng)中的功能主要是存儲程序、常數和系統(tǒng)參數等。目前常用是存儲程序、常數和系統(tǒng)參數等。目前常用的有的有2727系列和系列和2828系列系列EPROMEPROM芯片。芯片。第第7 7章章 存儲器存儲器

23、7.4 7.4 存儲器與系統(tǒng)的連接存儲器與系統(tǒng)的連接 存儲器與系統(tǒng)之間的連接主要包括：數據線的連接，地址線的連接及控制信號的連接?？刂菩盘栆话惆ㄗx、寫、片選等信號。 第第7 7章章 存儲器存儲器 7.4.17.4.1存儲器地址譯碼存儲器地址譯碼v1 1、存儲器地址譯碼、存儲器地址譯碼v（）用簡單的邏輯門作地址譯碼器（）用簡單的邏輯門作地址譯碼器第第7 7章章 存儲器存儲器譯碼芯片譯碼芯片74LS13874LS138工作特點當 G1、G2a，G2b 有效時，芯片工作。（）用74LS138作譯碼器第第7 7章章 存儲器存儲器用用74LS13874LS138作譯碼器作譯碼器第第7 7章章 存儲器存

24、儲器2 2片選信號的產生片選信號的產生 有三種片選控制的方法：有三種片選控制的方法：全譯碼：全譯碼：片選信號由地址線中所有不在存儲器上的地址線譯碼產片選信號由地址線中所有不在存儲器上的地址線譯碼產生，這種方法存儲器芯片中的每一個單元的地址將是唯一的。生，這種方法存儲器芯片中的每一個單元的地址將是唯一的。 部分譯碼：部分譯碼：片選信號不是由地址線中所有不在存儲器上的地址線片選信號不是由地址線中所有不在存儲器上的地址線譯碼產生，而是有部分高位地址線被送入譯碼電路產生片選信號。譯碼產生，而是有部分高位地址線被送入譯碼電路產生片選信號。 線選：線選：以不在存儲器上的高位地址線直接作為存儲器芯片的片選以

25、不在存儲器上的高位地址線直接作為存儲器芯片的片選信號。使用線選法的好處是譯碼電路簡單，但線選不僅導致一個信號。使用線選法的好處是譯碼電路簡單，但線選不僅導致一個存儲單元有多個地址，還有可能一個地址同時選中多個單元，這存儲單元有多個地址，還有可能一個地址同時選中多個單元，這會引起數據總線的沖突。會引起數據總線的沖突。 第第7 7章章 存儲器存儲器3 38 8位存儲體位存儲體v 這種這種1616位微機的數據總線為位微機的數據總線為1616位，但存儲器位，但存儲器體系是體系是8 8位存儲體，即每個地址確定的存儲單元位存儲體，即每個地址確定的存儲單元為為8 8位，存儲器操作可能是位，存儲器操作可能是8

26、 8位的也可能是位的也可能是1616位的。位的。80868086系統(tǒng)就是這樣的結構，下面以系統(tǒng)就是這樣的結構，下面以80868086系統(tǒng)為例系統(tǒng)為例介紹其原理。介紹其原理。 第第7 7章章 存儲器存儲器(1) (1) 奇、偶存儲體奇、偶存儲體 8086 CPU8086 CPU有有2020位地址線，可直接尋址位地址線，可直接尋址1M1M字節(jié)的存儲器地址空間。字節(jié)的存儲器地址空間。當把存儲器看作字節(jié)序列時，每個字節(jié)單元地址相連，即每個地址當把存儲器看作字節(jié)序列時，每個字節(jié)單元地址相連，即每個地址對應一個存儲單元，每個存儲單元為一個字節(jié)。當把存儲器看作字對應一個存儲單元，每個存儲單元為一個字節(jié)。當把

27、存儲器看作字序列時，每個字單元地址不相連，每個字包括地址相連的兩個字節(jié)。序列時，每個字單元地址不相連，每個字包括地址相連的兩個字節(jié)。而而8086 CPU8086 CPU的數據總線是的數據總線是1616位的，需要設計一種合理的存儲體結構，位的，需要設計一種合理的存儲體結構，既能適合做既能適合做8 8位的存儲器操作（字節(jié)訪問），又能適合做位的存儲器操作（字節(jié)訪問），又能適合做1616位的存位的存儲器操作（字訪問）儲器操作（字訪問）。第第7 7章章 存儲器存儲器v80868086系統(tǒng)將系統(tǒng)將1M1M地址空間分成兩個地址空間分成兩個512K512K地址空間，地址空間，一一半是偶數地址半是偶數地址另另一

28、半是奇數地址一半是奇數地址，相應的存儲體稱，相應的存儲體稱為偶存儲體和奇存儲體。偶存儲體和奇存儲體的地為偶存儲體和奇存儲體。偶存儲體和奇存儲體的地址線都是址線都是1919位。將數據總線的低位。將數據總線的低8 8位位D D7 7D D0 0與偶存儲與偶存儲體相連，高體相連，高8 8位位D D1515D D8 8與奇存儲體相連。地址總線的與奇存儲體相連。地址總線的A A1919A A1 1與這兩個存儲體的與這兩個存儲體的1919條地址線條地址線A A1818A A0 0相連。相連。用用CPUCPU的的A A0 0作偶存儲體的選中信號，作偶存儲體的選中信號， 作奇存儲體作奇存儲體的選中信號。的選中

29、信號。 BHE第第7 7章章 存儲器存儲器 8086系統(tǒng)的存儲器分為奇存儲體、偶存儲體：第第7 7章章 存儲器存儲器7.4.3 8086CPU7.4.3 8086CPU與存儲器的連接與存儲器的連接第第7 7章章 存儲器存儲器（2 2）字節(jié)訪問）字節(jié)訪問 8086 CPU進行存儲器訪問有8位的也有16位的。當進行字節(jié)訪問即8位的訪問時，如果地址的A0=0，選中偶存儲體中的某個單元，數據通過D7D0傳送。如果地址的A0=1，則CPU的 =0，選中奇存儲體中的某個單元，數據通過D15D8傳送。BHE（3）字訪問 當CPU進行16位的字訪問時，設低字節(jié)的地址為n，則高字節(jié)的地址為n+1。若地址n為偶數

30、，即A0=0，稱為對準的字；若地址n為奇數，即A0=1，稱為非對準的字。 第第7 7章章 存儲器存儲器v 當當CPUCPU訪問對準的字訪問對準的字時，由時，由A A0 0=0=0選中偶存儲體中地址為選中偶存儲體中地址為n n的的單元，低字節(jié)數據通過單元，低字節(jié)數據通過D D7 7D D0 0傳送；同時由傳送；同時由 =0=0選中奇存儲體選中奇存儲體中的地址為中的地址為n+1n+1的單元，高字節(jié)數據通過的單元，高字節(jié)數據通過D D1515D D8 8傳送。這樣，兩傳送。這樣，兩個字節(jié)的數據在一個總線周期中同時進行讀或寫操作。個字節(jié)的數據在一個總線周期中同時進行讀或寫操作。v 當當CPUCPU訪問

31、非對準的字訪問非對準的字時即地址時即地址n n為奇數，要由兩個總線周為奇數，要由兩個總線周期完成一個字的讀或寫操作。第一個總線周期發(fā)出期完成一個字的讀或寫操作。第一個總線周期發(fā)出A A0 0=1=1和和 =0=0，訪問奇存儲體中的地址為訪問奇存儲體中的地址為n n的單元，低字節(jié)數據通過的單元，低字節(jié)數據通過D D1515D D8 8傳送；傳送；第二個總線周期發(fā)出第二個總線周期發(fā)出A A0 0=0=0和和 =1=1，訪問偶存儲體中的地址為，訪問偶存儲體中的地址為n+1n+1的單元，高字節(jié)數據通過的單元，高字節(jié)數據通過D D7 7D D0 0傳送。傳送。BHEBHEBHE第第7 7章章 存儲器存儲

32、器6.4.3 166.4.3 16位微機系統(tǒng)中存儲器與系統(tǒng)的連接位微機系統(tǒng)中存儲器與系統(tǒng)的連接 v4 41616位存儲位存儲 * *v 標準的標準的1616位存儲體，每個存儲單元為位存儲體，每個存儲單元為1616位，位，數據總線數據總線1616位，每次存儲器操作都是位，每次存儲器操作都是1616位。位。 第第7 7章章 存儲器存儲器【例【例7-17-1】設計一】設計一ROMROM擴展電路，容量為擴展電路，容量為32K32K字，地字，地址從址從00000H00000H開始。開始。EPROMEPROM芯片采用芯片采用2725627256。第第7 7章章 存儲器存儲器 A19 A18 A17 A16

33、A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1A0最小地址最小地址 0 0 0 00 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 00最大地址最大地址 0 0 0 01 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1132K字字EPROM的地址范圍表的地址范圍表第第7 7章章 存儲器存儲器2.2.存儲器接口分析存儲器接口分析vRAMRAM接口電路接口電路 隨機隨機讀寫存儲器在計算機系統(tǒng)中的功能讀寫存儲器在計算機系統(tǒng)中的功能主要是：存儲程序、變量等。常用的有主要是：存儲程序、變量等。常用的有6161和和6262系列系列SRAM

34、SRAM芯片芯片。第第7 7章章 存儲器存儲器2.2.存儲器接口分析存儲器接口分析v與與ROMROM接口電路不同，接口電路不同，CPUCPU對對RAMRAM不僅要進行不僅要進行1616位讀操作，還要進行寫操作。寫操作有位讀操作，還要進行寫操作。寫操作有3 3種類型：寫種類型：寫1616位數據、寫低位數據、寫低8 8位數據和寫高位數據和寫高8 8位數據位數據。A0總線使用情況總線使用情況0016位數據進行字傳送位數據進行字傳送01高高8位數據進行字節(jié)傳送位數據進行字節(jié)傳送10低低8位數據進行字節(jié)傳送位數據進行字節(jié)傳送11無效無效第第7 7章章 存儲器存儲器【例例7-27-2】設計一】設計一RAM

35、RAM擴展電路，容量為擴展電路，容量為32K32K字，地字，地址從址從10000H10000H開始。芯片采用開始。芯片采用6225662256。第第7 7章章 存儲器存儲器 A19 A18 A17 A16A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1A0最小地址最小地址 0 0 0 10 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 00最大地址最大地址 0 0 0 11 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1132K字字RAM的地址范圍表的地址范圍表第第7 7章章 存儲器存儲器1存儲器系統(tǒng)設計舉例v【例【例7-37-3】某】某80868086系統(tǒng)工作于最小模式下的系統(tǒng)工作于最小模式下的存儲器系統(tǒng)如圖所示。圖中存儲器系統(tǒng)如圖所示。圖中8086CPU8086CPU芯片上芯片上的地址、數據信號線經鎖存、驅動后成為的地址、數據信號線經鎖存