第3章第13節(jié)光電池新_第1頁
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文檔簡介

1、 PNPN結(jié)受到光照時(shí),可在結(jié)受到光照時(shí),可在PNPN結(jié)的兩端產(chǎn)生光生電勢結(jié)的兩端產(chǎn)生光生電勢差,這種現(xiàn)象則稱為光伏效應(yīng)差,這種現(xiàn)象則稱為光伏效應(yīng) 利用半導(dǎo)體利用半導(dǎo)體PNPN結(jié)光伏效應(yīng)制成的器件稱為光伏器結(jié)光伏效應(yīng)制成的器件稱為光伏器件,簡稱件,簡稱PVPV(PhotovoltaicPhotovoltaic),也稱結(jié)型光電器),也稱結(jié)型光電器件件 這類器件品種很多,其中包括各種這類器件品種很多,其中包括各種光電池光電池、 光電光電二極管二極管、 光電晶體管光電晶體管、光電場效應(yīng)管、光電場效應(yīng)管、PINPIN管管、 雪崩光電二極管、光可控硅、雪崩光電二極管、光可控硅、 陣列式光電器件、陣列式光

2、電器件、象限式光電器件、位置敏感探測器(象限式光電器件、位置敏感探測器(PSDPSD)、)、光電光電耦合器件耦合器件等。等。四象限器件線陣器件單元器件 光電池是一種利用光生伏特效應(yīng)制成的不需加偏光電池是一種利用光生伏特效應(yīng)制成的不需加偏壓就能將光能轉(zhuǎn)化成電能的光電器件。壓就能將光能轉(zhuǎn)化成電能的光電器件。 一原理與結(jié)構(gòu)一原理與結(jié)構(gòu) 光電池是根據(jù)光生伏特效應(yīng)制成的將光能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔芄怆姵厥歉鶕?jù)光生伏特效應(yīng)制成的將光能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔艿囊环N器件。它的基本結(jié)構(gòu)就是一個(gè)的一種器件。它的基本結(jié)構(gòu)就是一個(gè)P-N結(jié)。結(jié)。 光電池是在光電池是在n(p)型硅基底上擴(kuò)散)型硅基底上擴(kuò)散p(n)型雜質(zhì)并作)型雜質(zhì)并作為受光面

3、,構(gòu)成為受光面,構(gòu)成p-n結(jié)后,再經(jīng)過各種工藝處理,分別在基結(jié)后,再經(jīng)過各種工藝處理,分別在基底和光敏面上制作輸出電極,涂上二氧化硅作保護(hù)膜(一底和光敏面上制作輸出電極,涂上二氧化硅作保護(hù)膜(一方面起防潮保護(hù)作用,另一方面對入射光起抗反射作用)方面起防潮保護(hù)作用,另一方面對入射光起抗反射作用),即成光電池。,即成光電池。np二氧化硅二氧化硅電極電極光電池的符號(hào)以及內(nèi)部結(jié)構(gòu)等光電池的符號(hào)以及內(nèi)部結(jié)構(gòu)等效電路如圖所示效電路如圖所示從以上結(jié)構(gòu)圖可知從以上結(jié)構(gòu)圖可知,由光照產(chǎn)生的電子和空穴在內(nèi)電場的作由光照產(chǎn)生的電子和空穴在內(nèi)電場的作用下才形成光生電動(dòng)勢和光電流用下才形成光生電動(dòng)勢和光電流,由于內(nèi)電場

4、是由摻雜的由于內(nèi)電場是由摻雜的P區(qū)區(qū)和和n區(qū)自由擴(kuò)散形成的,故內(nèi)建電場的強(qiáng)度是非常有限的,區(qū)自由擴(kuò)散形成的,故內(nèi)建電場的強(qiáng)度是非常有限的,這就導(dǎo)致了光電池的光電轉(zhuǎn)換效率非常低,最高也只能是百這就導(dǎo)致了光電池的光電轉(zhuǎn)換效率非常低,最高也只能是百分之十幾。分之十幾。光電池的輸出也受外接負(fù)載電阻大小的影響,如圖所示。光電池的輸出也受外接負(fù)載電阻大小的影響,如圖所示。當(dāng)RL0時(shí),U0,則 IIS 即輸出電流與入射光通量成線性關(guān)系。當(dāng)RL0時(shí),U0,U,PN結(jié)的等效電阻rD,則ID;當(dāng)U繼續(xù)增大到PN結(jié)的導(dǎo)通電壓時(shí)(RL非常大時(shí)),U就不會(huì)再增大,此時(shí),PN結(jié)的rD變得很小,光照所產(chǎn)生的光電流I幾乎全部

5、流向二極管,即 IID .這時(shí),在負(fù)載RL上除有少量的電流維持PN結(jié)的導(dǎo)通電壓U外,光照產(chǎn)生的光電流幾乎都消耗在光電池內(nèi)部。 光電池核心部分是一個(gè)光電池核心部分是一個(gè)PN結(jié),一般作結(jié),一般作成面積大的薄片狀,來接收更多的入成面積大的薄片狀,來接收更多的入射光。射光。 為了減少反射光,增加透射光,一般都在受光面上涂有為了減少反射光,增加透射光,一般都在受光面上涂有SiO2或或MgF2等材料的防反射膜,同時(shí)也可以起到防潮,防腐蝕等材料的防反射膜,同時(shí)也可以起到防潮,防腐蝕的保護(hù)作用。的保護(hù)作用。 受光面上的電極稱為受光面上的電極稱為前極或上電極前極或上電極,為了減少遮光,上電極,為了減少遮光,上電

6、極做成梳齒狀或做成梳齒狀或“E”字型電極字型電極 2DR型:以型:以p型硅做基底,型硅做基底,n型薄層受光面型薄層受光面 2CR型:以型:以n型硅做基底,型硅做基底,p型硅做受光面型硅做受光面光敏面光敏面有硅、硒、硫化鎘、砷化鎵光電池等。有硅、硒、硫化鎘、砷化鎵光電池等。光電池按材料分光電池按材料分按結(jié)構(gòu)分,有同質(zhì)結(jié)和異質(zhì)結(jié)光電池等。國產(chǎn)同質(zhì)按結(jié)構(gòu)分,有同質(zhì)結(jié)和異質(zhì)結(jié)光電池等。國產(chǎn)同質(zhì)結(jié)硅光電池因襯底材料導(dǎo)電類型不同而分成結(jié)硅光電池因襯底材料導(dǎo)電類型不同而分成2CR系系列和列和2DR系列兩種。系列兩種。光電池按結(jié)構(gòu)分光電池按結(jié)構(gòu)分按用途分:按用途分:太陽能電池:太陽能電池: 測量用光電池:測量

7、用光電池: 分類:分類:主要功能是作為光電探測用,光主要功能是作為光電探測用,光照特性的線性度好照特性的線性度好主要用作電源,轉(zhuǎn)換效率高、主要用作電源,轉(zhuǎn)換效率高、成本低成本低(Solar Cells) 短路電流曲線:短路電流與光照度成線性關(guān)系短路電流曲線:短路電流與光照度成線性關(guān)系 開路電壓曲線:開路電壓曲線:開路電壓與光照度成對數(shù)關(guān)系開路電壓與光照度成對數(shù)關(guān)系 ,當(dāng)照度為,當(dāng)照度為2000lx時(shí)趨向飽和。時(shí)趨向飽和。E/klx E/klx5432100 .10.20.30.40.5246810開路電壓開路電壓Uoc /V0.10.20.30.4 0.50.30.1012345Uoc/VIs

8、c/mAIsc/mA(a) 硅光電池硅光電池(b)硒光電池硒光電池開路電壓開路電壓短路電流短路電流短路電流短路電流2.2.特性特性1)光照特性光照特性 2)2)接有負(fù)載電阻接有負(fù)載電阻R RL L的的硒光電池在不同負(fù)載電阻時(shí)的光照特性。硒光電池在不同負(fù)載電阻時(shí)的光照特性。02468100.10.20.30.40.5I/mAE/klx 50 10010005000RL=0因此在要求輸出電流與光照度成線性關(guān)系時(shí),負(fù)載因此在要求輸出電流與光照度成線性關(guān)系時(shí),負(fù)載電阻在條件允許的情況下越小越好,并限制在強(qiáng)光電阻在條件允許的情況下越小越好,并限制在強(qiáng)光下使用。下使用。3)3)光譜特性光譜特性硅光電池的光

9、譜特性硅光電池的光譜特性 0400600800 1000120020406080100 / nmS / %硒硅硅光電池硅光電池 響應(yīng)波長響應(yīng)波長0.4-1.10.4-1.1微米,微米, 峰值波長峰值波長0.8-0.90.8-0.9微米。微米。硒光電池硒光電池 響應(yīng)波長響應(yīng)波長0.34-0.750.34-0.75微米,微米, 峰值波長峰值波長0.540.54微米。微米。4) 4) 溫度特性溫度特性硅光電池的溫度特性硅光電池的溫度特性 開路電壓下降大約開路電壓下降大約2 2 3mV/3mV/度度短路電流上升大約短路電流上升大約1010-5-5 1010-3-3mA/mA/度度光電池做探測器光電池做

10、探測器件時(shí),測量儀器件時(shí),測量儀器最好能保持溫度最好能保持溫度恒定,或采取溫恒定,或采取溫度補(bǔ)償措施。度補(bǔ)償措施。5)伏安特性伏安特性圖為在不同的光照之下光圖為在不同的光照之下光電池的伏安特性。圖中還電池的伏安特性。圖中還畫出了三條負(fù)載線。畫出了三條負(fù)載線。負(fù)載短接或很小時(shí),負(fù)負(fù)載短接或很小時(shí),負(fù)載線與伏安特性的交點(diǎn)載線與伏安特性的交點(diǎn)為等距離,電流正比于為等距離,電流正比于照度,數(shù)值也較大。負(fù)照度,數(shù)值也較大。負(fù)載電阻較大時(shí),負(fù)載線載電阻較大時(shí),負(fù)載線與伏安特性的交點(diǎn)相互與伏安特性的交點(diǎn)相互間距不等,即電流不與間距不等,即電流不與照度成正比,光照特性照度成正比,光照特性不是直線,電流也減小不

11、是直線,電流也減小。1500 3000 4500 6000 7500020406080100f / Hz相對光電流 / (%)硒光電池硅光電池6)頻率特性頻率特性在調(diào)制頻率較高的場合,應(yīng)采用硅光電池。在調(diào)制頻率較高的場合,應(yīng)采用硅光電池。 要得到短的響應(yīng)時(shí)間,必須選用小的要得到短的響應(yīng)時(shí)間,必須選用小的負(fù)載電阻負(fù)載電阻RL; 光電池面積越大則響應(yīng)時(shí)間越大,因光電池面積越大則響應(yīng)時(shí)間越大,因?yàn)楣怆姵孛娣e越大則結(jié)電容為光電池面積越大則結(jié)電容Cj越大,越大,在給定負(fù)載時(shí),時(shí)間常數(shù)就越大,故在給定負(fù)載時(shí),時(shí)間常數(shù)就越大,故要求短的響應(yīng)時(shí)間,必須選用小面積要求短的響應(yīng)時(shí)間,必須選用小面積光電池。光電池。

12、注意事項(xiàng):注意事項(xiàng):硅光電池在強(qiáng)輻射下是穩(wěn)定的,對于硒光電池,在強(qiáng)光硅光電池在強(qiáng)輻射下是穩(wěn)定的,對于硒光電池,在強(qiáng)光照射時(shí)性能變化很大,這主要是由于此時(shí)體內(nèi)已起了變化照射時(shí)性能變化很大,這主要是由于此時(shí)體內(nèi)已起了變化或表面的硒被氧化所造成的?;虮砻娴奈谎趸斐傻?。硅光電池由薄的硅片制成,極脆,使用時(shí)要特別小心。硅光電池由薄的硅片制成,極脆,使用時(shí)要特別小心。硅光電池的引線很嬌嫩,不能拉力太大。硅光電池的背面硅光電池的引線很嬌嫩,不能拉力太大。硅光電池的背面通常鍍有一層增透膜,使用時(shí)應(yīng)避免硬物接觸表面。通常鍍有一層增透膜,使用時(shí)應(yīng)避免硬物接觸表面。因此,合理的使用光電池可以保證其性能穩(wěn)定、可

13、靠性好因此,合理的使用光電池可以保證其性能穩(wěn)定、可靠性好以及壽命長等等。以及壽命長等等。 三三.電路電路光電池用作太陽能電池時(shí)的電路如圖3.1.35所示。在黑夜或光線微弱時(shí),為防止蓄電池經(jīng)過光電池放電而設(shè)置二極管D。1光電池用作太陽能電池光電池用作太陽能電池光電池用作檢測元件使光電池用作檢測元件使用時(shí)的電路如圖用時(shí)的電路如圖3.1.36所示,此電路可實(shí)現(xiàn)所示,此電路可實(shí)現(xiàn)光電池的線性輸出。對光電池的線性輸出。對光電池而言,光電池而言,RL近似等近似等于于0。圖中,。圖中, Vo=2RfI2RfS。2光電池用作檢測元件光電池用作檢測元件1 1、光電轉(zhuǎn)換部位不同、光電轉(zhuǎn)換部位不同 2 2、光敏電阻

14、需外加電壓,沒有極性,無正向、光敏電阻需外加電壓,沒有極性,無正向、反向偏置之分;而結(jié)型器件因反向偏置之分;而結(jié)型器件因p-np-n結(jié)的存在,結(jié)的存在,有正向偏置、反向偏置之分,且無外加電壓,有正向偏置、反向偏置之分,且無外加電壓,也可工作,也能實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換。也可工作,也能實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換。 3 3、光敏電阻的光電流依賴于光生載流子的產(chǎn)、光敏電阻的光電流依賴于光生載流子的產(chǎn)生生復(fù)合運(yùn)動(dòng),弛豫時(shí)間常數(shù)大,頻率響應(yīng)差。復(fù)合運(yùn)動(dòng),弛豫時(shí)間常數(shù)大,頻率響應(yīng)差。結(jié)型器件的光電流依賴于結(jié)區(qū)部分光生載流子結(jié)型器件的光電流依賴于結(jié)區(qū)部分光生載流子的漂移運(yùn)動(dòng),弛豫過程時(shí)間常數(shù)小,響應(yīng)速度的漂移運(yùn)動(dòng),弛豫過程時(shí)間常數(shù)

15、小,響應(yīng)速度快???。與光敏電阻的比較與光敏電阻的比較1)1)、光電池用作太陽能電池、光電池用作太陽能電池 把光能直接轉(zhuǎn)化成電能,需要最大的輸出功率和轉(zhuǎn)把光能直接轉(zhuǎn)化成電能,需要最大的輸出功率和轉(zhuǎn)化效率。即把受光面做得較大,或把多個(gè)光電池作串、并化效率。即把受光面做得較大,或把多個(gè)光電池作串、并聯(lián)組成電池組,與鎳鎘蓄電池配合,可作為衛(wèi)星、微波站聯(lián)組成電池組,與鎳鎘蓄電池配合,可作為衛(wèi)星、微波站等無輸電線路地區(qū)的電源供給。等無輸電線路地區(qū)的電源供給。2)2)、光電池用作檢測元件、光電池用作檢測元件 利用其光敏面大,頻率響應(yīng)高,光電流與照度線性變利用其光敏面大,頻率響應(yīng)高,光電流與照度線性變化,適用

16、于開關(guān)和線性測量等。化,適用于開關(guān)和線性測量等。 太陽能特點(diǎn):太陽能特點(diǎn): 無枯竭危險(xiǎn);無枯竭危險(xiǎn);絕對干凈;絕對干凈;不受資源分布地不受資源分布地域的限制;域的限制;可在用電處就近發(fā)電;可在用電處就近發(fā)電;能源質(zhì)量能源質(zhì)量高;高;使用者從感情上容易接受;使用者從感情上容易接受;獲取能源花獲取能源花費(fèi)的時(shí)間短。費(fèi)的時(shí)間短。 要使太陽能發(fā)電真正達(dá)到實(shí)用水平,一是要提高要使太陽能發(fā)電真正達(dá)到實(shí)用水平,一是要提高太陽能光電變換效率并降低成本;二是要實(shí)現(xiàn)太太陽能光電變換效率并降低成本;二是要實(shí)現(xiàn)太陽能發(fā)電同現(xiàn)在的電網(wǎng)聯(lián)網(wǎng)。陽能發(fā)電同現(xiàn)在的電網(wǎng)聯(lián)網(wǎng)。1、光生電流的光學(xué)損失、光生電流的光學(xué)損失 1)反射損

17、失:超過)反射損失:超過30%的光能被裸露硅表面反射掉的光能被裸露硅表面反射掉 2)柵電極遮光損失:)柵電極遮光損失: 3)透射損失:電池厚度不夠,則某些能量合適能被吸)透射損失:電池厚度不夠,則某些能量合適能被吸收的光子可能從電池背面穿出。收的光子可能從電池背面穿出。2、光生少子的收集幾率:由于存在少子復(fù)合,所產(chǎn)生的每、光生少子的收集幾率:由于存在少子復(fù)合,所產(chǎn)生的每一個(gè)光生少數(shù)載流子不可能全部被收集起來;一個(gè)光生少數(shù)載流子不可能全部被收集起來;3、太陽電池的光譜響應(yīng)、太陽電池的光譜響應(yīng)4、影響開路電壓、影響開路電壓Voc的實(shí)際因素:半導(dǎo)體的復(fù)合率越高,的實(shí)際因素:半導(dǎo)體的復(fù)合率越高,少子擴(kuò)

18、散長度越短,少子擴(kuò)散長度越短, Voc越低越低;5、串聯(lián)電阻和旁路電阻引起效率下降、串聯(lián)電阻和旁路電阻引起效率下降6、溫度效應(yīng)、溫度效應(yīng) 影響太陽能電池效率的一些因素影響太陽能電池效率的一些因素1、最佳禁帶寬度的選擇、最佳禁帶寬度的選擇2、抗反射膜、抗反射膜3、接觸面積、接觸面積4、接觸電阻、接觸電阻5、收集電阻、收集電阻6、太陽電池的光吸收、太陽電池的光吸收7、載流子收集、載流子收集8、表面復(fù)合、表面復(fù)合9、背接觸與背場效應(yīng)、背接觸與背場效應(yīng)提高太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的途徑提高太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的途徑 無機(jī)太陽能電池?zé)o機(jī)太陽能電池半導(dǎo)體硅半導(dǎo)體硅 (單晶、多晶、非晶、復(fù)合型等)單晶、多晶、非晶、

19、復(fù)合型等)化合物半導(dǎo)體(化合物半導(dǎo)體(GaAs、CuInSe2、CdTe、InP等)等) 有機(jī)太陽能電池有機(jī)太陽能電池有機(jī)半導(dǎo)體(酞菁鋅、聚苯胺、聚對苯乙炔等)有機(jī)半導(dǎo)體(酞菁鋅、聚苯胺、聚對苯乙炔等) 光化學(xué)太陽能電池(光化學(xué)太陽能電池(納米納米TiOTiO2 2等)等)按照所用材料的不同按照所用材料的不同:太陽能電池的分類太陽能電池的分類無機(jī)太陽能電池的性能及應(yīng)用無機(jī)太陽能電池的性能及應(yīng)用1. 1. 硅系太陽能電池硅系太陽能電池1)1) 單晶硅太陽能電池單晶硅太陽能電池 優(yōu)點(diǎn):轉(zhuǎn)化率高優(yōu)點(diǎn):轉(zhuǎn)化率高 (24.4%)(24.4%) ,技術(shù)最為成熟,技術(shù)最為成熟 缺點(diǎn):成本高,基底厚度達(dá)缺點(diǎn):

20、成本高,基底厚度達(dá)350-450350-450m m。 提高轉(zhuǎn)化率的途徑:單晶硅表面微結(jié)構(gòu)處理和分區(qū)提高轉(zhuǎn)化率的途徑:單晶硅表面微結(jié)構(gòu)處理和分區(qū)摻雜工藝摻雜工藝 德國費(fèi)萊堡太陽能系統(tǒng)研究所保持至世界領(lǐng)先水平德國費(fèi)萊堡太陽能系統(tǒng)研究所保持至世界領(lǐng)先水平3) 3) 非晶硅薄膜太陽能電池非晶硅薄膜太陽能電池 優(yōu)點(diǎn):成本低優(yōu)點(diǎn):成本低 缺點(diǎn):轉(zhuǎn)化率低缺點(diǎn):轉(zhuǎn)化率低 (13%)(13%) 制備方法:多采用化學(xué)氣相沉積法,還有液制備方法:多采用化學(xué)氣相沉積法,還有液相外延法和濺射沉積法相外延法和濺射沉積法 解決方法:制造疊層太陽能電池解決方法:制造疊層太陽能電池2) 2) 多晶硅薄膜太陽能電池多晶硅薄膜太

21、陽能電池 優(yōu)點(diǎn):成本低,轉(zhuǎn)化率不衰退優(yōu)點(diǎn):成本低,轉(zhuǎn)化率不衰退 (18%)(18%) 制備方法:多采用化學(xué)氣相沉積法,還有制備方法:多采用化學(xué)氣相沉積法,還有液相外延法和濺射沉積法液相外延法和濺射沉積法2. 多元化合物薄膜太陽能電池多元化合物薄膜太陽能電池 主要包括:主要包括:砷化鎵、硫化鎘、碲化鎘及銅銦硒薄膜電池砷化鎵、硫化鎘、碲化鎘及銅銦硒薄膜電池 硫化鎘硫化鎘(CdS) 、碲化鎘、碲化鎘(CdSe) :鎘有劇毒,不理想鎘有劇毒,不理想 砷化鎵砷化鎵(GaAs):高轉(zhuǎn)化率高轉(zhuǎn)化率 (37.4%),成本高。,成本高。 能隙能隙1.42eV,光譜響應(yīng)可見和紫外,溫度特性好光譜響應(yīng)可見和紫外,溫

22、度特性好,已開,已開始用于空間太電池始用于空間太電池 銅銦硒銅銦硒(CuInSe2) : 優(yōu)點(diǎn):優(yōu)點(diǎn):轉(zhuǎn)化率高轉(zhuǎn)化率高 (17%),價(jià)格低廉,性能良好,工藝簡單,價(jià)格低廉,性能良好,工藝簡單 缺點(diǎn):缺點(diǎn):銦和硒都是稀有元素,發(fā)展受限銦和硒都是稀有元素,發(fā)展受限4. 納米晶化學(xué)太陽能電池納米晶化學(xué)太陽能電池 工作原理:染料分子吸收太陽光能躍遷到激發(fā)態(tài),激工作原理:染料分子吸收太陽光能躍遷到激發(fā)態(tài),激發(fā)態(tài)不穩(wěn)定,電子快速注入到緊鄰的發(fā)態(tài)不穩(wěn)定,電子快速注入到緊鄰的TiOTiO2 2的導(dǎo)帶,染的導(dǎo)帶,染料分子中失去的電子很快從電解質(zhì)中的導(dǎo)補(bǔ)償,進(jìn)入料分子中失去的電子很快從電解質(zhì)中的導(dǎo)補(bǔ)償,進(jìn)入 Ti

23、O2TiO2導(dǎo)帶中的電子最終進(jìn)入導(dǎo)電膜,然后通過外回路導(dǎo)帶中的電子最終進(jìn)入導(dǎo)電膜,然后通過外回路產(chǎn)生光電流。產(chǎn)生光電流。 優(yōu)點(diǎn):成本低廉,轉(zhuǎn)化率已穩(wěn)定在優(yōu)點(diǎn):成本低廉,轉(zhuǎn)化率已穩(wěn)定在10%10%以上,壽命達(dá)以上,壽命達(dá)15152020年。年。3. 有機(jī)太陽能電池有機(jī)太陽能電池 工作原理:工作原理:有機(jī)半導(dǎo)體產(chǎn)生的電子和空有機(jī)半導(dǎo)體產(chǎn)生的電子和空穴束縛在激子之中穴束縛在激子之中,電子和空穴在界面電子和空穴在界面(電電極和導(dǎo)電聚合物的結(jié)合處極和導(dǎo)電聚合物的結(jié)合處)上分離。上分離。 優(yōu)點(diǎn):價(jià)格低、易成形、可通過化學(xué)修優(yōu)點(diǎn):價(jià)格低、易成形、可通過化學(xué)修飾調(diào)控性能飾調(diào)控性能1954年美國貝爾實(shí)驗(yàn)室制成了世界上第一個(gè)實(shí)用的太陽年美國貝爾實(shí)驗(yàn)室制成了世界上第一個(gè)實(shí)用的太陽能電池,效率為能電池,效率為4%,于,于1958年應(yīng)用到美國的先鋒年應(yīng)用到美國的先鋒1號(hào)人號(hào)人造衛(wèi)星上。造衛(wèi)星上。 太陽能電池的應(yīng)用太陽能電池的應(yīng)用我國我國1958年開始進(jìn)行太陽能電池的研制工作,并于年開始進(jìn)行太陽能電池的研制工作,并于1971年將研制的太陽能電池用在了發(fā)射的第二顆衛(wèi)星上。年將研制的太陽能電池用在了發(fā)射的第二顆衛(wèi)星上。 硅光電池組成的光控閃光裝置硅光電池組成的光控閃光裝置

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