常用半導(dǎo)體器件及應(yīng)用

1、一一 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識三三 晶體三極管晶體三極管 四四 場效應(yīng)管場效應(yīng)管二二 晶體二極管晶體二極管 一一 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識 在物理學(xué)中，在物理學(xué)中，根據(jù)材料的導(dǎo)電能力根據(jù)材料的導(dǎo)電能力，可以將他們劃分，可以將他們劃分導(dǎo)導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體體、絕緣體和半導(dǎo)體。： 導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)，如硅導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)，如硅(Si)、 鍺鍺(Ge)、金屬氧化物等。硅和鍺是金屬氧化物等。硅和鍺是4價元素，原子的價元素，原子的 最外層軌道上有最外層軌道上有4個價電子個價電子。一一 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識 摻雜性：摻雜性：往純凈的半導(dǎo)體中摻入

2、某些雜質(zhì)，使其導(dǎo)電能力往純凈的半導(dǎo)體中摻入某些雜質(zhì)，使其導(dǎo)電能力 明顯改變。明顯改變。光敏性：光敏性：當(dāng)受到光照時，其導(dǎo)電能力明顯變化。當(dāng)受到光照時，其導(dǎo)電能力明顯變化。( (可制成可制成 各種光敏元件，如光敏電阻、光敏二極管、光敏各種光敏元件，如光敏電阻、光敏二極管、光敏 三極管、光電池等三極管、光電池等) )。熱敏性：熱敏性：當(dāng)環(huán)境溫度升高時，導(dǎo)電能力明顯増強。當(dāng)環(huán)境溫度升高時，導(dǎo)電能力明顯増強。 本征半導(dǎo)體的共價鍵結(jié)構(gòu)本征半導(dǎo)體的共價鍵結(jié)構(gòu)束縛電子束縛電子+4+4+4+4+4+4+4+4+4在絕對溫度在絕對溫度T=0K時，時，所有的價電子都被共價鍵所有的價電子都被共價鍵緊緊束縛在共價鍵中

3、，不緊緊束縛在共價鍵中，不會成為會成為自由電子自由電子，因此本因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱，接近絕緣體。，接近絕緣體。 本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體晶體化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體晶體。 制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達(dá)到制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達(dá)到99.9999999%，常稱為常稱為“九個九個9”。一一 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識 這一現(xiàn)象稱為這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā)本征激發(fā)，也稱也稱熱激發(fā)熱激發(fā)。 當(dāng)溫度升高或受到光的當(dāng)溫度升高或受到光的照射時，束縛電子能量增照射時，束縛電子能量增高，有的電子可以掙脫原高，有的電子可以掙脫原子核的束縛，而參與導(dǎo)電子

4、核的束縛，而參與導(dǎo)電，成為，成為自由電子自由電子。自由電子自由電子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴空穴 自由電子產(chǎn)生的同自由電子產(chǎn)生的同時，在其原來的共價鍵時，在其原來的共價鍵中就出現(xiàn)了一個空位，中就出現(xiàn)了一個空位，稱為稱為空穴空穴。一一 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識 自由電子，帶負(fù)電荷，電子流自由電子，帶負(fù)電荷，電子流載流子載流子空穴空穴 ，帶正電荷，空穴流，帶正電荷，空穴流本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性取決于外加能量：本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性取決于外加能量：溫度變化，導(dǎo)電性變化；光照變化，導(dǎo)電性變化。溫度變化，導(dǎo)電性變化；光照變化，導(dǎo)電性變化。一一 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識 在中摻入某些

5、微量雜質(zhì)元素后的半導(dǎo)體稱為在中摻入某些微量雜質(zhì)元素后的半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入五價雜質(zhì)元素，例如磷，砷等，稱為在本征半導(dǎo)體中摻入五價雜質(zhì)元素，例如磷，砷等，稱為N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體。 一一 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識 在本征半導(dǎo)體中摻入三價雜質(zhì)元素，如硼、鎵等在本征半導(dǎo)體中摻入三價雜質(zhì)元素，如硼、鎵等，稱為，稱為P P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體。 P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體在純凈半導(dǎo)體在純凈半導(dǎo)體硅或鍺硅或鍺（4價）中摻入價）中摻入磷、砷磷、砷等等5價元素價元素，由于這類元素，由于這類元素的原子最外層有的原子最外層有5個價電子，故在構(gòu)成的共價鍵結(jié)構(gòu)中，由于存在一個

6、價電子，故在構(gòu)成的共價鍵結(jié)構(gòu)中，由于存在一個多余的價電子而產(chǎn)生大量自由電子，這種半導(dǎo)體主要個多余的價電子而產(chǎn)生大量自由電子，這種半導(dǎo)體主要靠自由電子導(dǎo)靠自由電子導(dǎo)電電，稱為，稱為電子半導(dǎo)體電子半導(dǎo)體或或N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體（其中自由電子為多數(shù)載流子，熱（其中自由電子為多數(shù)載流子，熱激發(fā)形成的空穴為少數(shù)載流子）。激發(fā)形成的空穴為少數(shù)載流子）。自由電子自由電子 多數(shù)載流子（簡稱多子）多數(shù)載流子（簡稱多子）空空 穴穴少數(shù)載流子（簡稱少子）少數(shù)載流子（簡稱少子）一一 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識 在純凈半導(dǎo)體在純凈半導(dǎo)體硅或鍺硅或鍺（4價）中摻入價）中摻入硼、鋁硼、鋁等等3價元素價元素，由于這類元素

7、，由于這類元素的原子最外層只有的原子最外層只有3個價電子，故在構(gòu)成的共價鍵結(jié)構(gòu)中，由于缺少價個價電子，故在構(gòu)成的共價鍵結(jié)構(gòu)中，由于缺少價電子而形成大量空穴，這類摻雜后的半導(dǎo)體其導(dǎo)電作用主要電子而形成大量空穴，這類摻雜后的半導(dǎo)體其導(dǎo)電作用主要靠空穴運靠空穴運動，動，稱為稱為空穴半導(dǎo)體空穴半導(dǎo)體或或P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體（其中空穴為多數(shù)載流子，熱激發(fā)形（其中空穴為多數(shù)載流子，熱激發(fā)形成的自由電子是少數(shù)載流子）。成的自由電子是少數(shù)載流子）。自由電子自由電子 多數(shù)載流子（簡稱多子）多數(shù)載流子（簡稱多子）空空 穴穴少數(shù)載流子（簡稱少子）少數(shù)載流子（簡稱少子）一一 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識 摻入的雜質(zhì)

8、元素的濃度越高，多數(shù)載流子的數(shù)量越多。摻入的雜質(zhì)元素的濃度越高，多數(shù)載流子的數(shù)量越多。只有將兩種雜質(zhì)半導(dǎo)體做成只有將兩種雜質(zhì)半導(dǎo)體做成PN結(jié)后才能成為半導(dǎo)體器件。結(jié)后才能成為半導(dǎo)體器件。一一 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識 無論是無論是P型半導(dǎo)體還是型半導(dǎo)體還是N型半導(dǎo)體都是中性的，通常對外不顯電性。型半導(dǎo)體都是中性的，通常對外不顯電性。+N N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體多子多子電子電子少子少子空穴空穴P P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體多子多子空穴空穴少子少子電子電子半導(dǎo)體中載流子有擴散運動和漂移運動兩種運動方式。半導(dǎo)體中載流子有擴散運動和漂移運動兩種運動方式。載流子在電場作用下的定向運動稱為載流子在電場作用下的

9、定向運動稱為。在半導(dǎo)體中，如果載流子濃度分布不均勻，因為濃度差，載流在半導(dǎo)體中，如果載流子濃度分布不均勻，因為濃度差，載流子將會從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域運動，這種運動稱為子將會從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域運動，這種運動稱為。將一塊半導(dǎo)體的一側(cè)摻雜成將一塊半導(dǎo)體的一側(cè)摻雜成P型半導(dǎo)體，另一側(cè)摻雜成型半導(dǎo)體，另一側(cè)摻雜成N型半導(dǎo)型半導(dǎo)體，在兩種半導(dǎo)體的交界面處將形成一個特殊的薄層體，在兩種半導(dǎo)體的交界面處將形成一個特殊的薄層 一一 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識 P 區(qū) 空間電荷區(qū) N 區(qū)PN 結(jié)及其內(nèi)電場內(nèi)電場方向P 區(qū) N 區(qū)載流子的擴散運動多子擴散多子擴散 形成空間電荷形成空間電荷區(qū)產(chǎn)

10、生內(nèi)電場區(qū)產(chǎn)生內(nèi)電場 少子漂移少子漂移擴散與漂移達(dá)到動態(tài)平衡擴散與漂移達(dá)到動態(tài)平衡形成一定寬度的形成一定寬度的PN結(jié)結(jié)一一 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識 外加正向電壓（也叫正向偏置）外加正向電壓（也叫正向偏置）電源正極接電源正極接P區(qū)，負(fù)極接區(qū)，負(fù)極接N區(qū)區(qū) 空間電荷區(qū)變窄E R內(nèi)電場外電場PNI一一 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識 外加電場與內(nèi)電場方向相反，內(nèi)電場削弱，擴散運動大大超過漂移運動，外加電場與內(nèi)電場方向相反，內(nèi)電場削弱，擴散運動大大超過漂移運動，N N區(qū)電子不斷擴散到區(qū)電子不斷擴散到P P區(qū)，區(qū)，P P區(qū)空穴不斷擴散到區(qū)空穴不斷擴散到N N區(qū)，形成較大的區(qū)，形成較大的正向電

11、流正向電流，這，這時稱時稱PNPN結(jié)處于低阻結(jié)處于低阻狀態(tài)。狀態(tài)。+一一 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識 外加電場加強內(nèi)電場，漂移運動超過擴散運動，外加電場加強內(nèi)電場，漂移運動超過擴散運動，N N區(qū)空穴飄移到區(qū)空穴飄移到P P區(qū)，區(qū)，P P區(qū)電區(qū)電子漂移到子漂移到N N區(qū)，形成很小的反向漂移電流，稱為區(qū)，形成很小的反向漂移電流，稱為反向飽和電流反向飽和電流，這時稱，這時稱PNPN結(jié)結(jié)處于高阻處于高阻截止截止?fàn)顟B(tài)。狀態(tài)。外加反向電壓（也叫反向偏置）外加反向電壓（也叫反向偏置）電源正極接電源正極接N區(qū)，負(fù)極接區(qū)，負(fù)極接P區(qū)區(qū)PN結(jié)加正向電壓時結(jié)加正向電壓時，具有較大的正向擴散電流，呈現(xiàn)低電阻，具

12、有較大的正向擴散電流，呈現(xiàn)低電阻， PN結(jié)導(dǎo)通；結(jié)導(dǎo)通；PN結(jié)加反向電壓時，結(jié)加反向電壓時，具有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻， PN結(jié)截止。結(jié)截止。由此可以得出結(jié)論：由此可以得出結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦浴＝Y(jié)具有單向?qū)щ娦?。二?晶體晶體二極管二極管 晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，包括各種半導(dǎo)體材料制，包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場效應(yīng)管、可控硅等，不過從國內(nèi)的習(xí)慣上講，晶成的二極管、三極管、場效應(yīng)管、可控硅等，不過從國內(nèi)的習(xí)慣上講，晶體管有時多指晶體三極管。體管有時多指晶體三極管。二極管

13、二極管 = PN結(jié)結(jié) + 管殼管殼 + 引線引線結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) 一個一個PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線并結(jié)加上相應(yīng)的電極引線并用管殼封裝起來，就構(gòu)成了半導(dǎo)體用管殼封裝起來，就構(gòu)成了半導(dǎo)體二極管，簡稱二極管。符號一般用二極管，簡稱二極管。符號一般用VD表示。表示。符號符號陽極陽極+陰極陰極-圖片圖片二二 晶體晶體二極管二極管 半導(dǎo)體二極管按其結(jié)構(gòu)不同可分為半導(dǎo)體二極管按其結(jié)構(gòu)不同可分為點接觸型點接觸型、面接觸型面接觸型、平面型二極管平面型二極管等三類。等三類。PN結(jié)面積很小，結(jié)電容很小，結(jié)面積很小，結(jié)電容很小，多用于高頻檢波及脈沖數(shù)字多用于高頻檢波及脈沖數(shù)字電路中的開關(guān)元件。電路中的開關(guān)元件。N型 鍺正 極

14、 引 線負(fù) 極 引 線外 殼金 屬 觸 絲(1) 點接觸型二極管點接觸型二極管(2) 面接觸型二極管面接觸型二極管PN結(jié)面積大，結(jié)面積大，結(jié)電容也小，結(jié)電容也小，允許通過電流大，多用在允許通過電流大，多用在低頻低頻整流整流、檢波等電路中。、檢波等電路中。負(fù) 極 引 線正 極 引 線N型 硅P型 硅鋁 合 金 小 球底 座二二 晶體晶體二極管二極管 (3) 平面型二極管平面型二極管SiO2正極引線負(fù)極引線N型硅P型硅二二 晶體晶體二極管二極管 用于集成電路制造工藝中。用于集成電路制造工藝中。PN 結(jié)面積可大可小，用結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中。于高頻整流和開關(guān)電路中。二二 晶體晶體二

15、極管二極管 硅：硅：0.5 V鍺：鍺： 0.1 V(1) 正向特性（導(dǎo)通）正向特性（導(dǎo)通）導(dǎo)通壓降導(dǎo)通壓降反向飽和電流反向飽和電流(2) 反向特性（截止）反向特性（截止）死區(qū)死區(qū)電壓電壓擊穿電壓擊穿電壓UBRuEiVmAuEiVuA鍺鍺硅：硅：0.7 V 鍺：鍺：0.3Viu0硅硅（3 3）反向擊穿）反向擊穿反向電壓大于擊穿電壓（反向電壓大于擊穿電壓（UBRUBR）時，反向電流急劇增加。原時，反向電流急劇增加。原因為因為電擊穿電擊穿，強外電場破壞鍵結(jié)構(gòu)；獲得大能量的載流子，強外電場破壞鍵結(jié)構(gòu)；獲得大能量的載流子碰撞原子產(chǎn)生新的電子空穴對。碰撞原子產(chǎn)生新的電子空穴對。電擊穿未損壞，若無限流措施，

16、則會造成電擊穿未損壞，若無限流措施，則會造成熱擊穿熱擊穿而損壞。而損壞。-60 -40 -200.4 0.8 二二 晶體晶體二極管二極管 （1 1）最大整流電流）最大整流電流I IM M：指管子長期運行時，允許通過的最大正向平均電流。指管子長期運行時，允許通過的最大正向平均電流。（2 2）反向擊穿電壓）反向擊穿電壓U UBRBR：指管子反向擊穿時的電壓值。指管子反向擊穿時的電壓值。（3 3）最大反向工作電壓）最大反向工作電壓U URMRM：二極管運行時允許承受的最大反向電壓（約為二極管運行時允許承受的最大反向電壓（約為U UBRBR 的一半）。的一半）。（4 4）最大反向電流）最大反向電流I

17、IRMRM：指管子未擊穿時的反向電流，其值越小，則管子的單向指管子未擊穿時的反向電流，其值越小，則管子的單向?qū)щ娦栽胶?。?dǎo)電性越好。（5 5）最高工作頻率）最高工作頻率f fm m：主要取決于主要取決于PNPN結(jié)結(jié)電容的大小。結(jié)結(jié)電容的大小。iuDU+-uiDUDU串聯(lián)電壓源模型串聯(lián)電壓源模型DUu DUu U D 二極管的導(dǎo)通壓降：硅管二極管的導(dǎo)通壓降：硅管 0.7V；鍺管；鍺管 0.3V。理想二極管模型理想二極管模型ui正偏正偏導(dǎo)通導(dǎo)通反偏反偏截止截止-+iu導(dǎo)通壓降導(dǎo)通壓降二極管的二極管的VA特性特性-+iuiu0二二 晶體晶體二極管二極管 IR10VE1kIR10VE1k例：例：串聯(lián)電

18、壓源模型串聯(lián)電壓源模型mA3 . 9K1V)7 . 010(I萬用表測量值萬用表測量值 9.32mA相對誤差相對誤差00002 . 010032. 99.332. 9理想二極管模型理想二極管模型RI10VE1kmA10K1V10I相對誤差相對誤差0000710032. 932. 9100.7V二二 晶體晶體二極管二極管 例：例：二極管構(gòu)成的二極管構(gòu)成的限幅電路限幅電路如圖所示，如圖所示，R1k，UREF=2V，輸入信號為，輸入信號為ui。 (1) 若若 ui為為4V的直流信號，分別采用理想二極管模型、理想二極管串聯(lián)電壓源的直流信號，分別采用理想二極管模型、理想二極管串聯(lián)電壓源模型計算電流模型計

19、算電流I和輸出電壓和輸出電壓uo+-+UIuREFRiuO解解：采用理想二極管模型分析：采用理想二極管模型分析： 采用理想二極管串聯(lián)電壓源模型分析：采用理想二極管串聯(lián)電壓源模型分析：mA2k12VV4REFiRUuIV2REFoUumA31k1V702VV4DREFi.RUUuI2.7V0.7VV2DREFoUUu二二 晶體晶體二極管二極管 二二 晶體晶體二極管二極管 （2）如果）如果ui為幅度為幅度4V的交流三角波，波形如圖（的交流三角波，波形如圖（b）所示，分別采用理想二）所示，分別采用理想二極管模型和理想二極管串聯(lián)電壓源模型分析電路并畫出相應(yīng)的輸出電壓波形。極管模型和理想二極管串聯(lián)電壓源

20、模型分析電路并畫出相應(yīng)的輸出電壓波形。+-+UIuREFRiuO解：解：采用理想二極管模型分析，采用理想二極管模型分析，波形如圖所示。波形如圖所示。0-4V4Vuit2V2Vuotuott限幅限幅2V二二 晶體晶體二極管二極管 02.7Vuot0-4V4Vuit2.7V 采用理想二極管串聯(lián)電壓源模采用理想二極管串聯(lián)電壓源模型分析，波形如圖所示。型分析，波形如圖所示。+-+UIuREFRiuOuott限幅限幅2.7Vt二二 晶體晶體二極管二極管 穩(wěn)壓管是一種用特殊工藝制造的半導(dǎo)體二極管，穩(wěn)壓管是一種用特殊工藝制造的半導(dǎo)體二極管，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓就是反穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓就是反向擊穿電壓。向擊穿電壓。

21、穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓作用在于：穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓作用在于：電流增量很大，只引起很小的電壓變化。穩(wěn)壓管電流增量很大，只引起很小的電壓變化。穩(wěn)壓管的反向擊穿應(yīng)是可逆的，工作電流能控制在一定范圍內(nèi)。的反向擊穿應(yīng)是可逆的，工作電流能控制在一定范圍內(nèi)。穩(wěn)壓管的主要參數(shù)：穩(wěn)壓管的主要參數(shù)：（1）穩(wěn)定電壓穩(wěn)定電壓UZ：反向擊穿后穩(wěn)定工作的電壓。：反向擊穿后穩(wěn)定工作的電壓。（2）穩(wěn)定電流穩(wěn)定電流IZ：工作電壓等于穩(wěn)定電壓時的電流。：工作電壓等于穩(wěn)定電壓時的電流。（3）動態(tài)電阻動態(tài)電阻rZ。穩(wěn)定工作范圍內(nèi)，管子兩端電壓的變化量與相應(yīng)電流的變穩(wěn)定工作范圍內(nèi)，管子兩端電壓的變化量與相應(yīng)電流的變化量之比。即：化量之比。即：rZ=U

22、Z/IZ（4）額定功率額定功率PZ：額定功率：額定功率PZ是在穩(wěn)壓管允許結(jié)溫下的最大功率損耗。是在穩(wěn)壓管允許結(jié)溫下的最大功率損耗。（5）最大穩(wěn)定電流最大穩(wěn)定電流IZM ：指穩(wěn)壓管允許通過的最大電流。它們之間的關(guān)系是：指穩(wěn)壓管允許通過的最大電流。它們之間的關(guān)系是： PZ=UZIZM插件穩(wěn)壓二極管貼片穩(wěn)壓二極管當(dāng)穩(wěn)壓二極管工作在反向擊當(dāng)穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿狀態(tài)下穿狀態(tài)下, ,工作電流工作電流I IZ Z在在I Izmaxzmax和和I Izminzmin之間變化時之間變化時, ,其兩端電其兩端電壓近似為常數(shù)壓近似為常數(shù)穩(wěn)定穩(wěn)定電壓電壓 穩(wěn)壓二極管是應(yīng)用在反向擊穿區(qū)的特殊二極管。穩(wěn)壓二極管是應(yīng)用

23、在反向擊穿區(qū)的特殊二極管。+-DZiuUZIUIzminIzmax正向同二正向同二極管極管反偏電壓反偏電壓UZ 反向擊穿反向擊穿UZ限流電阻限流電阻二二 晶體晶體二極管二極管 當(dāng)發(fā)光二極管的當(dāng)發(fā)光二極管的PN結(jié)加上正向電壓時，電子與空穴復(fù)合過程以光的形式結(jié)加上正向電壓時，電子與空穴復(fù)合過程以光的形式放出能量，發(fā)光二極管是一種新型冷光源。放出能量，發(fā)光二極管是一種新型冷光源。發(fā)光二極管（簡稱發(fā)光二極管（簡稱LEDLED）是一種光發(fā)射器件，它是由砷化鎵、磷化鎵等材）是一種光發(fā)射器件，它是由砷化鎵、磷化鎵等材料制成。當(dāng)這種管子通以電流時將發(fā)出光來。光的顏色主要取決于制造料制成。當(dāng)這種管子通以電流時將

24、發(fā)出光來。光的顏色主要取決于制造所用的材料。所用的材料。發(fā)光二極管具有發(fā)光二極管具有亮度高、清晰度高、電壓低（亮度高、清晰度高、電壓低（1.53V）、）、反應(yīng)快、體積反應(yīng)快、體積小、可靠性高、壽命長小、可靠性高、壽命長等特點，是一種很有用的半導(dǎo)體器件，常用于信等特點，是一種很有用的半導(dǎo)體器件，常用于信號指示、數(shù)字、照明、彩燈、字符顯示等。號指示、數(shù)字、照明、彩燈、字符顯示等。陽極 陰極 (a) (b)LEDLEDRE二二 晶體晶體二極管二極管 二二 晶體晶體二極管二極管 光電二極管的結(jié)構(gòu)與一般的二極管類似，在它的PN結(jié)處，通過管殼上的一個玻璃管窗口能接收外部的光照。這種器件的PN結(jié)在反向偏置狀

25、態(tài)下工作，它的反向電流隨光照強度的增加而上升。 光電二極管的符號及其特性曲線光電二極管的符號及其特性曲線 光電二極管可用于光的測量，是將光信號轉(zhuǎn)換為電信號的常用器件。光電二極管可用于光的測量，是將光信號轉(zhuǎn)換為電信號的常用器件。光電二極管插件光電二極管插件光電二極管貼片光電二極管貼片二二 晶體晶體二極管二極管 PN PN結(jié)具有電容效應(yīng)，二極管存在結(jié)電容。二極管結(jié)電容的大結(jié)具有電容效應(yīng)，二極管存在結(jié)電容。二極管結(jié)電容的大小除了與本身結(jié)構(gòu)工藝有關(guān)，還與外加電壓有關(guān)。小除了與本身結(jié)構(gòu)工藝有關(guān)，還與外加電壓有關(guān)。 變?nèi)荻O管的結(jié)電容Cj與反偏電壓uD的關(guān)系曲線 變?nèi)荻O管常用于高頻電路中，例如，電調(diào)諧電

26、路和自動頻率控制電路變?nèi)荻O管常用于高頻電路中，例如，電調(diào)諧電路和自動頻率控制電路。 PN PN結(jié)具有電容效應(yīng)，二極管存在結(jié)電容。二極管結(jié)電容的大結(jié)具有電容效應(yīng)，二極管存在結(jié)電容。二極管結(jié)電容的大小除了與本身結(jié)構(gòu)工藝有關(guān)，還與外加電壓有關(guān)。小除了與本身結(jié)構(gòu)工藝有關(guān)，還與外加電壓有關(guān)。 小小 技技 巧巧 6 二極管的簡易測量二極管的簡易測量根據(jù)二極管的單向?qū)щ娦钥芍?，根?jù)二極管的單向?qū)щ娦钥芍?，二極管正向電阻小，反向電阻大。二極管正向電阻小，反向電阻大。利用這一特點，利用這一特點，可以用萬用表的電阻擋大致測量出二極管的好壞和正負(fù)極性可以用萬用表的電阻擋大致測量出二極管的好壞和正負(fù)極性 。二二 晶

27、體晶體二極管二極管 普通二極管實物普通二極管實物1 三三 晶體晶體三極管三極管 半導(dǎo)體三極管，也叫晶體三極管。由于工作時，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參半導(dǎo)體三極管，也叫晶體三極管。由于工作時，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運行，因此，還被稱為雙極型晶體管（與運行，因此，還被稱為雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor,簡稱簡稱BJT）。）。 BJT是由兩個是由兩個PN結(jié)組成。結(jié)組成。簡稱簡稱晶體管或三極管晶體管或三極管。 半導(dǎo)體三極管是由兩個背靠背的半導(dǎo)體三極管是由兩個背靠背的PN結(jié)構(gòu)成的。結(jié)構(gòu)成的。重要特性是具有電流放大作用重要特性是具有電流放大作用和開關(guān)作用和開關(guān)作

28、用，常見的有平面型和合金型兩類。，常見的有平面型和合金型兩類。兩個兩個PN結(jié)，把半導(dǎo)體分成三個區(qū)域（三區(qū)二結(jié)）。這三個區(qū)域的排列，可以結(jié)，把半導(dǎo)體分成三個區(qū)域（三區(qū)二結(jié)）。這三個區(qū)域的排列，可以是是N-P-N，也可以是也可以是P-N-P。因此，三極管有兩種類型：因此，三極管有兩種類型：和和。NPNNPN型型PNPPNP型型-NNP發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)集電結(jié)ecb發(fā)射極集電極基極-PPN發(fā)射區(qū)集電區(qū)基區(qū)發(fā)射結(jié)集電結(jié)ecb發(fā)射極集電極基極-bce-ebc符號符號:（1）發(fā)射區(qū)的摻雜濃度集電區(qū)摻雜濃度。）發(fā)射區(qū)的摻雜濃度集電區(qū)摻雜濃度。（2）基區(qū)要制造得很薄且濃度很低。）基區(qū)要制造得很薄且濃度很低

29、。1 三三 晶體晶體三極管三極管 按材料分：按材料分： 硅管、鍺管硅管、鍺管按功率分：按功率分： 小功率管小功率管 1 W中功率管中功率管 0.5 1 W1 三三 晶體晶體三極管三極管 三三極極管管分分類類2 電流分配關(guān)系與放大作用電流分配關(guān)系與放大作用三三 晶體晶體三極管三極管 （1 1）放大的概念）放大的概念電子電路中所說的放大，有兩方面含義：電子電路中所說的放大，有兩方面含義：一是放大的對象是變化量，不是一個恒定量。一是放大的對象是變化量，不是一個恒定量。例如，擴音機是把人講話時聲音例如，擴音機是把人講話時聲音的輕重和高低放大出來；的輕重和高低放大出來；二是指對能量的控制作用二是指對能量

30、的控制作用，即在輸入端用一個小的變化量去控制能源，使輸出，即在輸入端用一個小的變化量去控制能源，使輸出端產(chǎn)生一個與輸入變化量相應(yīng)的大的變化量，體現(xiàn)了對能量的控制作用端產(chǎn)生一個與輸入變化量相應(yīng)的大的變化量，體現(xiàn)了對能量的控制作用 （2 2）三極管實現(xiàn)放大作用的條件）三極管實現(xiàn)放大作用的條件 三極管實現(xiàn)放大作用的外部條件：三極管實現(xiàn)放大作用的外部條件： 發(fā)射結(jié)加正向電壓（正向偏置），在集電結(jié)加反向電壓（反向偏置）。發(fā)射結(jié)加正向電壓（正向偏置），在集電結(jié)加反向電壓（反向偏置）。 對于對于NPNNPN管，要求管，要求U UC C U UB B U UE E；PNPPNP型管的情況正好相反，即型管的情況

31、正好相反，即U UE E U UB B U UC C。 2 電流分配關(guān)系與放大作用電流分配關(guān)系與放大作用三三 晶體晶體三極管三極管 放大條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏放大條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏若在放大工作態(tài)：若在放大工作態(tài)： 發(fā)射結(jié)正偏：發(fā)射結(jié)正偏：集電結(jié)反偏：集電結(jié)反偏：由由VBB保證保證由由VCC、 VBB保證保證UCB=UCE - UBE共共發(fā)發(fā)射射極極接接法法 0三極管的電流分配關(guān)系三極管的電流分配關(guān)系IE =IC+IBIC =IBBCiiBCii2 電流分配關(guān)系與放大作用電流分配關(guān)系與放大作用三三 晶體晶體三極管三極管 實驗表明實驗表明IC比比IB大數(shù)十至數(shù)百倍，因而有大數(shù)十至數(shù)

32、百倍，因而有IC 近似等于近似等于IE。IB雖然很小，但對雖然很小，但對IC有控制作用，有控制作用，IC隨隨IB的改變而改變，即基極電的改變而改變，即基極電流較小的變化可以引起集電極電流較大的變化，表明基極電流流較小的變化可以引起集電極電流較大的變化，表明基極電流對集電極具有小量控制大量的作用，這就是三極管的電流放大對集電極具有小量控制大量的作用，這就是三極管的電流放大作用。作用。三三 晶體晶體三極管三極管 共射直流電共射直流電流放大系數(shù)流放大系數(shù): :BCBCEOCIIIII共射交流電共射交流電流放大系數(shù)流放大系數(shù): =iC/iB共基直流電共基直流電流放大系數(shù)流放大系數(shù): :共基交流電共基交

33、流電流放大系數(shù)流放大系數(shù): =iC/iBECII在近似分析中在近似分析中,可認(rèn)為：可認(rèn)為： 三三 晶體晶體三極管三極管 +i-uBE+-uBTCE+Ci1）uCE=0V時，相當(dāng)于發(fā)射結(jié)的正向伏安特性曲線。時，相當(dāng)于發(fā)射結(jié)的正向伏安特性曲線。3 3）u uCE CE 1V1V再增加時，曲線右移很不明顯。再增加時，曲線右移很不明顯。2 2）當(dāng)）當(dāng)u uCECE=1V=1V時，集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開始收集電子，所以基區(qū)復(fù)合減時，集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開始收集電子，所以基區(qū)復(fù)合減少，在同一少，在同一u uBEBE電壓下電壓下, ,i iB B 減小。特性曲線將向右稍微移動一些。減小。特性曲線將向右稍

34、微移動一些。0.40.2i(V)(uA)BE80400.80.6Bu=0VuCE 1VCEuucE=0.5V死區(qū)死區(qū)非線性區(qū)非線性區(qū)線性區(qū)線性區(qū)死區(qū)死區(qū)電壓電壓硅硅 0.5V鍺鍺 0.1V導(dǎo)通導(dǎo)通壓降壓降硅硅 0.7V鍺鍺 0.3V三三 晶體晶體三極管三極管 iC=f(uCE) IB=constiCIBIB=0uCE(V)(mA)=20uABI=40uABI=60uABI=80uABI=100uA飽和區(qū)飽和區(qū)放大區(qū)放大區(qū)截止區(qū)截止區(qū)1）放大區(qū)：發(fā)射極正向偏置，集電結(jié)反向偏置）放大區(qū)：發(fā)射極正向偏置，集電結(jié)反向偏置2）截止區(qū)：發(fā)射結(jié)反向偏置，集電結(jié)反向偏置）截止區(qū)：發(fā)射結(jié)反向偏置，集電結(jié)反向偏置

35、 3）飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正向偏置，）飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)正向偏置集電結(jié)正向偏置硅管：硅管：0.50.50.7V,0.7V,鍺管：鍺管：0.10.10.3V0.3Vu uBEBE U Uon on ，u uCECEuuBEBE三三 晶體晶體三極管三極管 +i-uBE+-uBCE+Cibeec截截止止?fàn)顮顟B(tài)態(tài)ecb放放大大狀狀態(tài)態(tài)UDIBICIBecb發(fā)射結(jié)導(dǎo)通壓降發(fā)射結(jié)導(dǎo)通壓降UD硅管硅管0.7V鍺管鍺管0.3V飽飽和和狀狀態(tài)態(tài)ecbUDUCES飽和壓降飽和壓降UCES硅管硅管0.3V鍺管鍺管0.1V直流模型直流模型三三 晶體晶體三極管三極管 VCCVBBRbRc12V6V4K150K+U

36、BE+UCEIBIC+VCC+VBBRbRc(+12V)(+6V)4K150K+UBE+UCEIBIC例：共射電路如下圖，已知三極管為硅管，例：共射電路如下圖，已知三極管為硅管，=40，試求電路中的直流量，試求電路中的直流量IB、 IC 、UBE 、UCE。三三 晶體晶體三極管三極管 IC+UBEIB0.7VIBecb+VCCRc(+12V)4K+VBBRb(+6V)150K+UCE解：解：設(shè)三極管工作在放大狀態(tài)，設(shè)三極管工作在放大狀態(tài)，用放大模型代替三極管。用放大模型代替三極管。三極管為硅管：三極管為硅管：UBE=0.7VA40K150V6K150V)7 .06(bBEBBBRUVI mA6

37、 . 1A4040BCII V6 . 546 . 112CCCCCERIVU 三三 晶體晶體三極管三極管 解：解：VCCVBBRbRc12V6V4K150K+uCEIB=40AiC非線性部分非線性部分線性部分線性部分IB=40AIC=1.6mAUCEQ=5.6V靜態(tài)靜態(tài)工作點工作點M(VCC,0）(12 , 0)UCEQ6V(0 , 3), 0(CCCRVNiCCE(V)(mA)=60uAIBu=0BBII=20uABI =40uAB=80uAI=100uAIBICQ1.6mAQ直流負(fù)載線斜率：直流負(fù)載線斜率：CCCCCC1RVRVtgKUce=Vcc-IcRcIc=0，Uce=12; Uce

38、=0， Ic=Vcc/Rc=3mA選擇合適的選擇合適的Rb，UBQ=0.7V,IB=40A三三 晶體晶體三極管三極管 第二位：第二位：A鍺鍺PNP管、管、B鍺鍺NPN管、管、 C硅硅PNP管、管、D硅硅NPN管管 第三位：第三位：X低頻小功率管、低頻小功率管、D低頻大功率管、低頻大功率管、 G高頻小功率管、高頻小功率管、A高頻大功率管、高頻大功率管、 K開關(guān)管開關(guān)管用字母表示材料用字母表示材料用字母表示器件的種類用字母表示器件的種類用數(shù)字表示同種器件型號的序號用數(shù)字表示同種器件型號的序號用字母表示同一型號中的不同規(guī)格用字母表示同一型號中的不同規(guī)格三極管三極管國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體器件型號的命名舉例如

39、下：國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體器件型號的命名舉例如下：3DG110B四四 場效應(yīng)場效應(yīng)管管 三極管是一種電流控制元件三極管是一種電流控制元件(iB iC)，工作時，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運行，工作時，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運行，所以被稱為所以被稱為雙極型器件雙極型器件(簡稱簡稱BJT)。增強型增強型耗盡型耗盡型N溝道溝道P溝道溝道N溝道溝道P溝道溝道N溝道溝道P溝道溝道FET分類：分類： 絕緣柵場效應(yīng)管絕緣柵場效應(yīng)管(IGFET)結(jié)型場效應(yīng)管結(jié)型場效應(yīng)管(JFET) 場效應(yīng)管是一種電壓控制器件場效應(yīng)管是一種電壓控制器件(uGS iD) ，工作時，只有一種載流子參與導(dǎo)電，因此，工作時，只有一種

40、載流子參與導(dǎo)電，因此它是它是單極型器件單極型器件（簡稱（簡稱FET）。FET因其制造工藝簡單，功耗小，溫度特性好，輸入電阻極高等優(yōu)點，得到了廣泛應(yīng)用。因其制造工藝簡單，功耗小，溫度特性好，輸入電阻極高等優(yōu)點，得到了廣泛應(yīng)用。也是一種由也是一種由PN結(jié)組成的半導(dǎo)體，利用結(jié)組成的半導(dǎo)體，利用電場效應(yīng)來控制電流電場效應(yīng)來控制電流的故稱為場效應(yīng)管的故稱為場效應(yīng)管最常用的絕緣柵型場效應(yīng)管最常用的絕緣柵型場效應(yīng)管是由金屬是由金屬-氧化物氧化物-半導(dǎo)體材料構(gòu)成，簡稱半導(dǎo)體材料構(gòu)成，簡稱MOS管。管。由由P溝道、溝道、N溝道構(gòu)造的溝道構(gòu)造的PMOS和和NMOS二種類型。其中每一類型又分二種類型。其中每一類型又

41、分增強型增強型和耗盡型兩種和耗盡型兩種。(CMOS是由是由PMOS和和NMOS管組成的互補對稱的集成電路）管組成的互補對稱的集成電路） 絕緣柵型場效應(yīng)管絕緣柵型場效應(yīng)管 (FET)，簡稱，簡稱MOSFET。分為：分為： 增強型增強型 N溝道、溝道、P溝道溝道 耗盡型耗盡型 N溝道、溝道、P溝道溝道N溝道增強型溝道增強型MOS管管 1 1）結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) 4個電極：漏極個電極：漏極D，源極，源極S，柵極，柵極G、襯底、襯底B。四四 場效應(yīng)場效應(yīng)管管 N 溝 道P 型 硅 襯 底N +N +源 極S柵 極G漏 極DSiO2絕 緣 層金 屬 鋁N 溝 道 絕 緣 柵 型 場 效 應(yīng) 管 的 結(jié) 構(gòu)DSG襯

42、 底DSG襯 底N 溝 道 耗 盡 型 場效 應(yīng) 管 的 符 號N 溝 道 增 強 型 場效 應(yīng) 管 的 符 號四四 場效應(yīng)場效應(yīng)管管 2 2）工作原理）工作原理當(dāng)當(dāng)uGS=0V時，漏源之間相當(dāng)兩個背靠背的時，漏源之間相當(dāng)兩個背靠背的 二極管，在二極管，在d、s之間加上電壓也之間加上電壓也不會形成電流，即管子截止。不會形成電流，即管子截止。柵源電壓柵源電壓uGS的控制作用的控制作用-P襯底sgN+bdVDD二氧化硅+N-s二氧化硅P襯底gDDV+Nd+bNVGGid開啟電壓開啟電壓UGS(th)剛剛產(chǎn)生溝道所需的柵源電壓剛剛產(chǎn)生溝道所需的柵源電壓UGS N溝道增強型溝道增強型MOS管的基本特性

43、：管的基本特性： uGS UGS(th) ，管子截止，管子截止， uGS UGS(th) ，管子導(dǎo)通。，管子導(dǎo)通。 uGS 越大，溝道越寬，在相同的漏源越大，溝道越寬，在相同的漏源電壓電壓uDS作用下，漏極電流作用下，漏極電流ID越大。越大。 漏源電壓uDS對漏極電流id的控制作用 當(dāng)當(dāng)uGSUT，且固定為某一值時，來分析漏源電壓，且固定為某一值時，來分析漏源電壓uDS對漏極電流對漏極電流ID的影響。的影響。 （設(shè)設(shè)UGS(th)=2V， uGS=4V) )（a）uDS=0時，時， iD=0。（b）uDSiD同時溝道靠漏區(qū)變窄。同時溝道靠漏區(qū)變窄。（c）當(dāng)）當(dāng)uDS增加到使增加到使uGD= U

44、GS(th)時，溝時，溝道靠漏區(qū)夾斷，稱為道靠漏區(qū)夾斷，稱為預(yù)夾斷預(yù)夾斷。（d）uDS再增加，預(yù)夾斷區(qū)加長，再增加，預(yù)夾斷區(qū)加長， uDS增加的部分基本降落在隨之加長的夾斷增加的部分基本降落在隨之加長的夾斷溝道上，溝道上， id基本不變。基本不變。-GGbVd二氧化硅siNgDD+dP襯底VN+-P襯底d+dDDVs+二氧化硅NNbiGGVg四四 場效應(yīng)場效應(yīng)管管 總之，場效應(yīng)管的漏極電流總之，場效應(yīng)管的漏極電流ID受柵、源電壓受柵、源電壓UGS的控制，即的控制，即ID隨隨UGS的變的變化而變化，所以場效應(yīng)管是一種電壓控制器件?；兓?，所以場效應(yīng)管是一種電壓控制器件。 五五 晶閘晶閘管管 G

45、 P1P2N1N2五五 晶閘晶閘管管 P1P2N1N2K GAKA T2T1_P2N1N2IGIAP1N1P2IKGPPNNNPAGK五五 晶閘晶閘管管 必須使可控硅陽極電流減小必須使可控硅陽極電流減小, ,直到直到正反饋正反饋效應(yīng)不能維持。效應(yīng)不能維持。將陽極電源斷開或者在晶閘管的將陽極電源斷開或者在晶閘管的五五 晶閘晶閘管管 額定電壓額定電壓, ,用百位或千位數(shù)表示用百位或千位數(shù)表示取取UFRM或或URRM較小者較小者額定正向平均電流額定正向平均電流( (IF) 晶閘管晶閘管K P普通型普通型如如KP5-7表示表示額定正向平均電流為額定正向平均電流為5A, ,額定電壓為額定電壓為700V。

46、五五 晶閘晶閘管管 ，一旦發(fā)生過電流時，溫度急劇上升，可，一旦發(fā)生過電流時，溫度急劇上升，可能將能將PNPN結(jié)燒壞，造成元件內(nèi)部短路或開路。例如一只結(jié)燒壞，造成元件內(nèi)部短路或開路。例如一只100A的的晶晶閘管閘管過電流為過電流為400A400A時，僅允許持續(xù)時，僅允許持續(xù)0.020.02秒，否則將因過熱而損秒，否則將因過熱而損壞；壞； 電壓超過其反向擊穿電壓電壓超過其反向擊穿電壓時，即使時間極短，也容易損壞。若正向電壓超過轉(zhuǎn)折電壓時，時，即使時間極短，也容易損壞。若正向電壓超過轉(zhuǎn)折電壓時，則晶閘管誤導(dǎo)通，導(dǎo)通后的電流較大，使器件受損。則晶閘管誤導(dǎo)通，導(dǎo)通后的電流較大，使器件受損。五五 晶閘晶閘

47、管管 與晶閘與晶閘管串聯(lián)管串聯(lián)接在輸接在輸入端入端接在輸接在輸出端出端五五 晶閘晶閘管管 五五 晶閘晶閘管管 RCRC晶閘管元件晶閘管元件的阻容保護(hù)的阻容保護(hù)五五 晶閘晶閘管管 半導(dǎo)體材料中有兩種載流子：電子和空穴。電子帶負(fù)電，空穴帶正電。在半導(dǎo)體材料中有兩種載流子：電子和空穴。電子帶負(fù)電，空穴帶正電。在純凈半導(dǎo)體中摻入不同的雜質(zhì)，可以得到純凈半導(dǎo)體中摻入不同的雜質(zhì)，可以得到N N型半導(dǎo)體和型半導(dǎo)體和P P型半導(dǎo)體。型半導(dǎo)體。采用一定的工藝措施，使采用一定的工藝措施，使P P型和型和N N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起，就形成了型半導(dǎo)體結(jié)合在一起，就形成了PNPN結(jié)。結(jié)。PNPN結(jié)的基本特點是單向?qū)щ娦浴?/p>

48、結(jié)的基本特點是單向?qū)щ娦浴６O管是由一個二極管是由一個PN結(jié)構(gòu)成的。其特性可以用伏安特性和一系列參數(shù)來描述。結(jié)構(gòu)成的。其特性可以用伏安特性和一系列參數(shù)來描述。晶體二極管在電路中常用晶體二極管在電路中常用“D”加數(shù)字表示，如：加數(shù)字表示，如：D5表示編號為表示編號為5的二極管。的二極管。二極管的主要特性是單向?qū)щ娦?，在正向電壓的作用下，?dǎo)通電二極管的主要特性是單向?qū)щ娦?，在正向電壓的作用下，?dǎo)通電 阻很小；而在反向電壓作用下導(dǎo)通電阻極大或無窮大。阻很??；而在反向電壓作用下導(dǎo)通電阻極大或無窮大。無繩電話機中常把它用在整流、隔離、穩(wěn)壓、極性保護(hù)、編碼控?zé)o繩電話機中常把它用在整流、隔離、穩(wěn)壓、極性保護(hù)、編碼控 制、調(diào)頻調(diào)制和靜噪等電路中。電話機里使用的晶體二極管按作用制、調(diào)頻調(diào)制和靜噪等電路中。電話機里使用的晶體二極管按作用 可分為：整流二極管（如可分為：整流二極管（如1N4004）、隔離二極管（如）、隔離二極管（如1N4148）、）、 肖特基二極管（如肖特基二極管（如BAT85）、發(fā)光二極管、穩(wěn)壓二極管等）、發(fā)光二極管、穩(wěn)壓二極管等。二極管的識別很簡單，小功率二極管的二極管的識別很簡單，小功率二極管的N極（負(fù)極），在二極管外極（負(fù)極），在二極管外 表大多采用一種色圈標(biāo)出來，也有采用符號標(biāo)志為表大多采用一種色圈標(biāo)出來，也有采用符號標(biāo)志為“P”、“N