晶體三極管和場效晶體管

1、第第 2 章晶體三極管和場效晶體管章晶體三極管和場效晶體管本章學習目標本章學習目標2.1晶體三極管晶體三極管2.2場效晶體管場效晶體管本章小結本章小結本章學習目標本章學習目標1. 理解晶體管的結構和分類，熟悉其外形、圖形符號。掌理解晶體管的結構和分類，熟悉其外形、圖形符號。掌握三極管電流分配關系。握三極管電流分配關系。2. 掌握三極管的輸入特性、輸出特性及三種工作狀態(tài)，了掌握三極管的輸入特性、輸出特性及三種工作狀態(tài)，了解其主要參數(shù)。解其主要參數(shù)。3. 掌握用萬用表對三極管進行測試的方法。掌握用萬用表對三極管進行測試的方法。4. 了解場效晶體管的類型及工作原理，熟悉其圖形符號，了解場效晶體管的類

2、型及工作原理，熟悉其圖形符號，理解其轉移特性和輸出特性，了解其使用的注意事項。理解其轉移特性和輸出特性，了解其使用的注意事項。2.1晶體三極管晶體三極管2.1.1三極管的結構、分類和符號三極管的結構、分類和符號 2.1.2三極管的工作電壓和基本連接方式三極管的工作電壓和基本連接方式2.1.3三極管內電流的分配和放大作用三極管內電流的分配和放大作用2.1.4三極管的輸入和輸出特性三極管的輸入和輸出特性2.1.5三極管主要參數(shù)三極管主要參數(shù)2.1.6三極管的簡單測試三極管的簡單測試2.1晶體三極管晶體三極管晶體三極管：晶體三極管：是一種利用輸入電流控制輸出電流的電流是一種利用輸入電流控制輸出電流的

3、電流控制型器件。控制型器件。特點：特點：管內有兩種載流子參與導電。管內有兩種載流子參與導電。2.1.1三極管的結構、分類和符號三極管的結構、分類和符號一、晶體三極管的基本結構一、晶體三極管的基本結構1三極管的外形三極管的外形特點：特點：有三個電有三個電極，故稱極，故稱三極管三極管。 2三極管的結構三極管的結構三極管的結構圖三極管的結構圖特點：特點：有三個區(qū)有三個區(qū) 發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)；發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū)；兩個兩個 PN 結結 發(fā)射結發(fā)射結( (BE 結結) )、集電結、集電結( (BC 結結) )；三個電極三個電極 發(fā)射極發(fā)射極 e( (E) ) 、基極、基極 b( (B) ) 和集電極和

4、集電極 c( (C) )；兩種類型兩種類型 PNP 型管和型管和 NPN 型管。型管。 工藝要求：工藝要求：發(fā)射區(qū)摻雜濃度較大；基區(qū)很薄且摻雜最少；集電區(qū)發(fā)射區(qū)摻雜濃度較大；基區(qū)很薄且摻雜最少；集電區(qū)比發(fā)射區(qū)體積大且摻雜少。比發(fā)射區(qū)體積大且摻雜少。二、晶體三極管的符號二、晶體三極管的符號三極管符號三極管符號箭頭：箭頭：表示發(fā)射結加正向電壓時的電流方向。表示發(fā)射結加正向電壓時的電流方向。文字符號：文字符號：V 三、晶體三極管的分類三、晶體三極管的分類1三極管有多種分類方法。三極管有多種分類方法。按內部結構分：按內部結構分：有有 NPN 型和型和 PNP 型管；型管；按工作頻率分：按工作頻率分：有

5、低頻和高頻管；有低頻和高頻管；按功率分：按功率分：有小功率和大功率管；有小功率和大功率管；按用途分：按用途分：有普通管和開關管；有普通管和開關管；按半導體材料分：按半導體材料分：有鍺管和硅管等等。有鍺管和硅管等等。2國產三極管命名法：見國產三極管命名法：見電子線路電子線路（陳其純主編）（陳其純主編）P261 附錄。附錄。例如：例如：3DG 表示高頻小功率表示高頻小功率 NPN 型硅三極管；型硅三極管； 3CG 表示高頻小功率表示高頻小功率 PNP 型硅三極管；型硅三極管； 3AK 表示表示 PNP 型開關鍺三極管等。型開關鍺三極管等。2.1.2三極管的工作電壓和基本連接方式三極管的工作電壓和基

6、本連接方式一、晶體三極管的工作電壓一、晶體三極管的工作電壓 三極管的基本作用三極管的基本作用是放大電信號。是放大電信號。三極管工作在放大狀態(tài)的外部條件是：三極管工作在放大狀態(tài)的外部條件是：發(fā)射結加正向電壓，發(fā)射結加正向電壓，集電結加反向電壓。集電結加反向電壓。三極管電源的接法三極管電源的接法三極管電源的接法三極管電源的接法V為三極管為三極管GC為集電為集電極電源極電源GB為基極電為基極電源，又稱偏源，又稱偏置電源置電源Rb為基極為基極電阻電阻Rc為集電為集電極電阻。極電阻。 二、晶體三極管在電路中的基本連接方式二、晶體三極管在電路中的基本連接方式有三種基本連接方式：有三種基本連接方式：共發(fā)射極

7、、共基極和共集電極接共發(fā)射極、共基極和共集電極接法。最常用的是共發(fā)射極接法。法。最常用的是共發(fā)射極接法。三極管在電路中的三種基本連接方式三極管在電路中的三種基本連接方式2.1.3三極管內電流的分配和放大作用三極管內電流的分配和放大作用一、電流分配關系一、電流分配關系測量電路如圖測量電路如圖調節(jié)電位器，測得發(fā)射極電流、基極電流和集電極電調節(jié)電位器，測得發(fā)射極電流、基極電流和集電極電流的對應數(shù)據(jù)如表所示。流的對應數(shù)據(jù)如表所示。因因 IB 很小，則很小，則IC IE IE = IC + IB由表可見，三極管中電流分配關系如下：由表可見，三極管中電流分配關系如下：IB/mA-0.00100.010.0

8、20.030.040.05IC/mA0.0010.010.561.141.742.332.91IE/mA00.010.571.161.772.372.96 說明：說明：1IE = 0 時，時，IC = - -IB = ICBO 。ICBO 稱為集電極稱為集電極基極反向飽和電流，見圖基極反向飽和電流，見圖 2.1.7( (a) ) 。一般一般 ICBO 很小，與溫度有關。很小，與溫度有關。2 IB = 0 時，時，IC = IE = ICEO 。ICEO 稱為集電極稱為集電極發(fā)發(fā)射極反向電流，又叫射極反向電流，又叫 穿透電穿透電流流，見圖，見圖 ( (b) )。ICEO 越小，三極管溫度越小，三

9、極管溫度穩(wěn)定性越好。硅管的溫度穩(wěn)穩(wěn)定性越好。硅管的溫度穩(wěn)定性比鍺管好。定性比鍺管好。ICBO 與與 ICEO示意圖示意圖二、晶體三極管的電流放大作用二、晶體三極管的電流放大作用當基極電流當基極電流 IB 由由 0.01 mA 變到變到 0.02 mA 時，集電極電流時，集電極電流 IC 由由 0.56 mA 變到變到 1.14 mA 。上面兩個變化量之比為。上面兩個變化量之比為58mA01. 0mA58. 0BC II這說明，當這說明，當 IB 有一微小變化時，就能引起有一微小變化時，就能引起 IC 較大的變化，較大的變化，這種現(xiàn)象稱為三極管的電流放大作用。比值用符號這種現(xiàn)象稱為三極管的電流放

10、大作用。比值用符號 來表示，來表示，稱為共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)，簡稱稱為共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)，簡稱“交流交流 ” ，即，即BCII 結論：結論： 1三極管的電流放大作用三極管的電流放大作用基極電流基極電流 IB 微小的變化，微小的變化，引起集電極電流引起集電極電流 IC 較大變化。較大變化。BCII 2交流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù) 表示三極管放大交流電流的能表示三極管放大交流電流的能力力 4通常通常 ， ，所以可表示為，所以可表示為 BCII BCII考慮考慮 ICEO ，則，則CEOBCIIIBCII 3直流電流放大系數(shù)直流電流放大系數(shù) 表示三極管放大直流電流的能表示三極管放大直流

11、電流的能力力 2.1.4三極管的輸入和輸出特性三極管的輸入和輸出特性一、共發(fā)射極輸入特性曲線一、共發(fā)射極輸入特性曲線集射極之間的電壓集射極之間的電壓 VCE 一一定時，發(fā)射結電壓定時，發(fā)射結電壓 VBE 與基極與基極電流電流 IB 之間的關系曲線。之間的關系曲線。共發(fā)射極輸入特性曲線共發(fā)射極輸入特性曲線由圖可見：由圖可見：1當當V CE 2 V 時，特性時，特性曲線基本重合。曲線基本重合。2當當 VBE 很小時，很小時，IB 等于等于零，三極管處于截止狀態(tài)。零，三極管處于截止狀態(tài)。共發(fā)射極輸入特性曲線共發(fā)射極輸入特性曲線4三極管導通后，三極管導通后，VBE 基本基本不變。硅管約為不變。硅管約為

12、 0.7 V ，鍺管，鍺管 約約為為 0.3 V ，稱為三極管的導通電，稱為三極管的導通電壓。壓。5VBE 與與 IB 成非線性關系。成非線性關系。3當當 VBE 大于門檻電壓大于門檻電壓( (硅管約硅管約 0.5 V，鍺管約，鍺管約 0.2 V) )時，時，IB 逐漸增大，三極管開始導通。逐漸增大，三極管開始導通。二、晶體三極管的輸出特性曲線二、晶體三極管的輸出特性曲線基極電流一定時，集、射極之間的電壓與集電極電流的基極電流一定時，集、射極之間的電壓與集電極電流的關系曲線。關系曲線。動畫動畫 晶體三極管的輸出特性曲線晶體三極管的輸出特性曲線輸出特性曲線可分為三個工作區(qū)輸出特性曲線可分為三個工

13、作區(qū):1截止區(qū)截止區(qū)條件：條件：發(fā)射結反偏或兩端電壓為零。發(fā)射結反偏或兩端電壓為零。 特點：特點： IB = 0，IC = ICEO 。2飽和區(qū)飽和區(qū)條件：條件：發(fā)射結和集電結均為正偏。發(fā)射結和集電結均為正偏。 特點：特點：VCE = VCES。VCES 稱為飽和管壓降，小功率硅管約稱為飽和管壓降，小功率硅管約 0.3 V，鍺管約為，鍺管約為 0.1 V。3放大區(qū)放大區(qū)條件：條件：發(fā)射結正偏，集電結反偏。發(fā)射結正偏，集電結反偏。特點：特點： IC 受受 IB 控制控制 ，即，即 IC = IB 。在放大狀態(tài)，當在放大狀態(tài)，當 IB 一定時，一定時，IC 不隨不隨 VCE 變化，即放大狀變化，即

14、放大狀態(tài)的三極管具有恒流特性。態(tài)的三極管具有恒流特性。 2.1.5三極管主要參數(shù)三極管主要參數(shù)三極管的參數(shù)三極管的參數(shù)是表征管子的性能和適用范圍的參考數(shù)據(jù)。是表征管子的性能和適用范圍的參考數(shù)據(jù)。一、共發(fā)射極電流放大系數(shù)一、共發(fā)射極電流放大系數(shù) 1直流放大系數(shù)直流放大系數(shù)2交流放大系數(shù)交流放大系數(shù) 電流放大系數(shù)一般在電流放大系數(shù)一般在 10 100 之間。太小，放大能力弱，之間。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不穩(wěn)定。一般取太大易使管子性能不穩(wěn)定。一般取 30 80 為宜。為宜。 二、極間反向飽和電流二、極間反向飽和電流1集電極集電極 基極反向飽和電流基極反向飽和電流 ICBO。2集電極集電極

15、 發(fā)射極反向飽和電流發(fā)射極反向飽和電流 ICEO。ICEO = ( 1 + ) ICBO 反向飽和電流隨反向飽和電流隨溫度溫度增加而增加，是管子工作狀態(tài)不穩(wěn)增加而增加，是管子工作狀態(tài)不穩(wěn)定的主要因素。因此，常把它作為定的主要因素。因此，常把它作為判斷管子性能判斷管子性能的重要依據(jù)。的重要依據(jù)。硅硅管管反向飽和電流反向飽和電流遠遠小小于于鍺鍺管，在溫度變化范圍大的工作環(huán)管，在溫度變化范圍大的工作環(huán)境應選用硅管。境應選用硅管。 三、極限參數(shù)三、極限參數(shù)1集電極最大允許電流集電極最大允許電流 ICM 三極管工作時，當集電極電流超過三極管工作時，當集電極電流超過 ICM 時，管子性能將顯時，管子性能將

16、顯著下降，并有可能燒壞管子。著下降，并有可能燒壞管子。2集電極最大允許耗散功率集電極最大允許耗散功率 PCM 當管子集電結兩端電壓與通過電流的乘積超過此值時，當管子集電結兩端電壓與通過電流的乘積超過此值時，管子性能變壞或燒毀。管子性能變壞或燒毀。3集電極集電極 發(fā)射極間反向擊穿電壓發(fā)射極間反向擊穿電壓 V(BR)CEO 管子基極開路時，集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓。管子基極開路時，集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓。當電壓越過此值時，管子將發(fā)生電擊穿，若電擊穿導致熱擊當電壓越過此值時，管子將發(fā)生電擊穿，若電擊穿導致熱擊穿會損壞管子。穿會損壞管子。2.1.6三極管的簡單測試三極管的簡單測試判別

17、硅管和鍺管的測試電路判別硅管和鍺管的測試電路 一、硅管或鍺管的判別一、硅管或鍺管的判別當當V = 0.10.3V時為時為鍺管。鍺管。當當V =0. .60. .7V時，時，為硅管為硅管二、估計比較二、估計比較 的大小的大小 NPN 管估測電路如圖所示。管估測電路如圖所示。估測估測 的電路的電路萬用表設置在萬用表設置在 R 1 k 擋，測量并比較開關擋，測量并比較開關 S 斷開和接通斷開和接通時的電阻值。前后兩個讀數(shù)相差越大，說明管子的時的電阻值。前后兩個讀數(shù)相差越大，說明管子的 越高，即越高，即電流放大能力越大。電流放大能力越大。估測估測 PNP 管時，將萬用表兩只表筆對換位置。管時，將萬用表

18、兩只表筆對換位置。 三、估測三、估測 ICEONPN 管估測電路如圖所示。所測阻值越大，說明管子的管估測電路如圖所示。所測阻值越大，說明管子的 ICEO 越小。若阻值無窮大，三極管開路；若阻值為零，三極越小。若阻值無窮大，三極管開路；若阻值為零，三極管短路。管短路。 測測 PNP 型管時，紅、黑表筆對調，方法同前。型管時，紅、黑表筆對調，方法同前。I CEO 的的估測估測四、四、NPN 管型和管型和 PNP 管型的判斷管型的判斷基極基極 b 的判斷的判斷將萬用表設置在將萬用表設置在 R 1 k 或或 R 100 k 擋，用黑表筆和任一擋，用黑表筆和任一管腳相接管腳相接( (假設它是基極假設它是

19、基極 b) )，紅表筆分別和另外兩個管腳相接，紅表筆分別和另外兩個管腳相接，如果測得兩個阻值都很小，則黑表筆所連接的就是基極，而且如果測得兩個阻值都很小，則黑表筆所連接的就是基極，而且是是 NPN 型的管子。如圖型的管子。如圖( (a) )所示。如果按上述方法測得的結果所示。如果按上述方法測得的結果均為高阻值，則黑表筆所連接的是均為高阻值，則黑表筆所連接的是 PNP 管的基極。如圖管的基極。如圖 ( (b) )所所示。示。五、五、e、b、c 三個管腳的判斷三個管腳的判斷估測估測 的電路的電路如圖所示，首先確定三極管的基極和管型，然后采用估測如圖所示，首先確定三極管的基極和管型，然后采用估測 值

20、的方法判斷值的方法判斷 c 、e 極。極。方法是先假定一個待定電極為集電極方法是先假定一個待定電極為集電極( (另一個假定為發(fā)射另一個假定為發(fā)射極極) )接入電路，記下電阻表的擺動幅度，接入電路，記下電阻表的擺動幅度，然后再把兩個待定電然后再把兩個待定電極對調一下接入電路，并記下電阻表的擺動幅度。極對調一下接入電路，并記下電阻表的擺動幅度。擺動幅度大的一次，黑擺動幅度大的一次，黑表筆所連接的管腳是集電極表筆所連接的管腳是集電極 c，紅表筆所連接的管腳為發(fā)射紅表筆所連接的管腳為發(fā)射極極 e。（測（測NPN型）型）測測 PNP 管時，只要把圖管時，只要把圖 示電路中紅、黑表筆對調位示電路中紅、黑表

21、筆對調位置，仍照上述方法測試。置，仍照上述方法測試。2.2場效晶體管場效晶體管2.2.1結型場效晶體管結型場效晶體管2.2.2絕緣柵場效晶體管絕緣柵場效晶體管2.2.3場效晶體管的主要參數(shù)和特點場效晶體管的主要參數(shù)和特點工程應用工程應用2.2場效晶體管場效晶體管 場效晶體管場效晶體管：是利用輸入電壓產生的電場效應控制是利用輸入電壓產生的電場效應控制輸出電流的電壓控制型器件。輸出電流的電壓控制型器件。特點：特點：管子內部只有一種載流子參與導電，稱為單管子內部只有一種載流子參與導電，稱為單極型晶體三極管。極型晶體三極管。2.2.1結型場效晶體管結型場效晶體管N 溝道結型場效晶體管溝道結型場效晶體管

22、P 溝道結型場效晶體管溝道結型場效晶體管一、結構和符號一、結構和符號N 溝道結型場效晶體管的結構、符號如圖所示；溝道結型場效晶體管的結構、符號如圖所示；P 溝道結溝道結型場效晶體管如圖所示。型場效晶體管如圖所示。特點：特點：由兩個由兩個 PN 結和一個導電溝道所組成。三個電極分結和一個導電溝道所組成。三個電極分別為源極別為源極 S、漏極、漏極 D 和柵極和柵極 G。漏極和源極具有互換性。漏極和源極具有互換性。工作條件：工作條件：兩個兩個 PN 結加反向電壓。結加反向電壓。二、工作原理二、工作原理以以 N 溝道結型場效晶體管為例，原理電路如圖所示。溝道結型場效晶體管為例，原理電路如圖所示。動畫結

23、型場效晶體管結構動畫結型場效晶體管結構工作原理如下：工作原理如下：VDS 0； VGS 0 ，在絕緣層和襯底之間感應出一個反型層，在絕緣層和襯底之間感應出一個反型層，使漏極和源極之間產生導電溝道。在漏、源極間加一正向電使漏極和源極之間產生導電溝道。在漏、源極間加一正向電壓壓 VDS 時，將產生電流時，將產生電流 ID 。開啟電壓開啟電壓 VT ：增強：增強型型 MOS 管開始形成反型管開始形成反型層的柵源電壓。層的柵源電壓。N 溝道增強型絕緣柵場效晶體管工作原理溝道增強型絕緣柵場效晶體管工作原理 N 溝道增強型絕緣柵場效晶體管工作原理溝道增強型絕緣柵場效晶體管工作原理 ( (3) )在在 VD

24、S 0 時：時：若若 VGS VT ，出現(xiàn)反型層，出現(xiàn)反型層( (即即導電溝道導電溝道) ) ，D、S 之間之間有電有電流流 ID 流過流過；若若 VGS 逐漸逐漸增大增大，導電溝道導電溝道變寬變寬，ID 也也隨之逐漸隨之逐漸增大增大，即，即 VGS 控制控制 ID 的變化。的變化。2N 溝道耗盡型絕緣柵場效晶體管溝道耗盡型絕緣柵場效晶體管夾斷電壓：夾斷電壓：使使 ID = 0 時的柵源電壓。時的柵源電壓。 結構及符號如結構及符號如圖所示。圖所示。特點：特點：管子本身已形成導電溝道。管子本身已形成導電溝道。 N 溝道耗盡型絕緣柵場效晶體管溝道耗盡型絕緣柵場效晶體管 N 溝道耗盡型絕緣柵場效晶體

25、管溝道耗盡型絕緣柵場效晶體管工作原理：在工作原理：在 VDS 0 時，時，當當 VGS = 0 導電溝道有電流導電溝道有電流 ID；當當 VGS 0 并逐漸增大時，溝道變寬，使并逐漸增大時，溝道變寬，使 ID 增大；增大； 當當 VGS VT 時，時，ID 0 。 耗盡型耗盡型：當當 VGS = 0 時，時， ID 0 ；當當 VGS 為負電壓時為負電壓時 ID 減小；減小；當當 VGS = VPS 時，時， ID = 0 。 2輸出特性曲線輸出特性曲線3跨導跨導可調電阻區(qū)可調電阻區(qū)飽和區(qū)飽和區(qū)擊擊穿區(qū)穿區(qū)三個區(qū)三個區(qū)的含義與結型管輸出特性的含義與結型管輸出特性曲線曲線三個區(qū)相同。三個區(qū)相同。

26、N 溝道溝道 MOS 管輸出特性曲線管輸出特性曲線常數(shù)DSGSDmVVIg 三、絕緣柵場效晶體管的圖形符號三、絕緣柵場效晶體管的圖形符號MOS 管的圖形符號管的圖形符號 注意注意 N、P 溝溝道的區(qū)別在于道的區(qū)別在于圖中箭頭的指圖中箭頭的指向相反。向相反。2.2.3場效晶體管的主要參數(shù)和特點場效晶體管的主要參數(shù)和特點一、主要參數(shù)一、主要參數(shù)1直流參數(shù)直流參數(shù) ( (1) )開啟電壓開啟電壓 VT 在在 VDS 為定值的條件下，增強型場效晶體管開始導通為定值的條件下，增強型場效晶體管開始導通( (ID 達到某一定值，如達到某一定值，如 10 A) )時，所需加時，所需加 VGS 的值。的值。(

27、(2) )夾斷電壓夾斷電壓 VP 在在VDS 為定值的條件下，耗盡型場效晶體管為定值的條件下，耗盡型場效晶體管 ID 減小到近于減小到近于零時零時 VGS 的值。的值。( (3) )飽和漏極電流飽和漏極電流 IDSS 耗盡型場效晶體管工作在飽和區(qū)且耗盡型場效晶體管工作在飽和區(qū)且 VGS = 0 時，所對應時，所對應的漏極電流。的漏極電流。 ( (4) )直流輸入電阻直流輸入電阻 RGS 柵源電壓柵源電壓 VGS 與對應的柵極電流與對應的柵極電流 IG 之比。之比。場效晶體管輸入電阻很高，結型管一般在場效晶體管輸入電阻很高，結型管一般在 107 以以 上；上；絕緣柵管則更高，一般在絕緣柵管則更高

28、，一般在 109 以上。以上。 2交流參數(shù)交流參數(shù)( (1) )跨導跨導 gmVDS 一定時，漏極電流變化量一定時，漏極電流變化量 ID 和引起這個變化的柵和引起這個變化的柵源電壓變化量源電壓變化量 VDS 之比。它表示了柵源電壓對漏極電流的之比。它表示了柵源電壓對漏極電流的控制能力?？刂颇芰?。( (2) )極間電容極間電容場效晶體管三個電極之間的等效電容場效晶體管三個電極之間的等效電容 CGS、CGD、CDS，一般為幾個皮法，結電容小的管子，高頻性能好。一般為幾個皮法，結電容小的管子，高頻性能好。3極限參數(shù)極限參數(shù)( (1) )漏極最大允許耗散功率漏極最大允許耗散功率 PDMID 與與 VD

29、S 的乘積不應超過的極限值。的乘積不應超過的極限值。( (2) )漏極擊穿電壓漏極擊穿電壓 V(BR) DS漏極電流漏極電流 ID 開始劇增時所加的漏源間的電壓。開始劇增時所加的漏源間的電壓。二、場效晶體管的特點二、場效晶體管的特點場效晶體管與普通三極管比較表場效晶體管與普通三極管比較表項項 目目器器 件件 名名 稱稱晶體三極管晶體三極管場場 效效 應應 管管極型特點極型特點雙雙 極極 型型單單 極極 型型控制方式控制方式電電 流流 控控 制制電電 壓壓 控控 制制類類 型型PNP 型、型、NPN 型型N 溝道、溝道、P 溝道溝道放大參數(shù)放大參數(shù) = 50 200gm= 1 000 5 000

30、 A/V輸入電阻輸入電阻102 104 107 1015 噪噪 聲聲較較 大大較較 小小熱穩(wěn)定性熱穩(wěn)定性差差好好抗輻射能力抗輻射能力差差強強制造工藝制造工藝較較 復復 雜雜簡單、成本低簡單、成本低工程應用工程應用場效晶體管使用常識場效晶體管使用常識1. 結形場效晶體管的柵源電壓必須使結形場效晶體管的柵源電壓必須使 PN 結反偏，不能接反。結反偏，不能接反。因結型場效晶體管的源極及漏極通常制成對稱的，所以因結型場效晶體管的源極及漏極通常制成對稱的，所以原極和漏極可以調換使用。原極和漏極可以調換使用。2. 絕緣柵場效晶體管中，有的產品將徹底絕緣柵場效晶體管中，有的產品將徹底引出引出( (有四個管有四個管腳腳) )，此時源極和漏極可以互換使用，但有的產品在制造此時源極和漏極可以互換使用，但有的產品在制造時已把源極和襯底連接在一起，這種管子源極和漏極就時已把源極和襯底連接在一起，這種管子源極和漏極就不能調換使用。不能調換使用。3. 絕緣柵場效晶體管由于輸入電阻很高，如果在管腳開路絕緣柵場效晶體管由于輸入電阻很高，如果在管腳開路狀態(tài)下保存狀態(tài)下保存 ，